JPS6193707A - モノリシツクマイクロ波発振器 - Google Patents
モノリシツクマイクロ波発振器Info
- Publication number
- JPS6193707A JPS6193707A JP21387784A JP21387784A JPS6193707A JP S6193707 A JPS6193707 A JP S6193707A JP 21387784 A JP21387784 A JP 21387784A JP 21387784 A JP21387784 A JP 21387784A JP S6193707 A JPS6193707 A JP S6193707A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- monolithic
- bonding
- line
- microstrip line
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、F’ET(電界効果トランジスタ)を用いた
、モノリシックマイクロ波IC構成のモノリシックマイ
クロ波発振器に関する。
、モノリシックマイクロ波IC構成のモノリシックマイ
クロ波発振器に関する。
近年SHF帯衛星放送、レーダ、マイクロ波通信等の技
術の進展によシマイクロ波発振器の需要が急激に増大し
ている。この需要に応じ大量生産を可能くするために、
マイクロ波発振器を1つの半導体チップ内に集積化する
いわゆるモノリシックマイクロ波発振器の開発が各所で
活発化している。
術の進展によシマイクロ波発振器の需要が急激に増大し
ている。この需要に応じ大量生産を可能くするために、
マイクロ波発振器を1つの半導体チップ内に集積化する
いわゆるモノリシックマイクロ波発振器の開発が各所で
活発化している。
この種のモノリシックマイクロ波発振器には、正帰還回
路素子として分布定数素子あるいは集中定数素子が用い
られているが、モノリシックIC構成ではこれらの素子
値をトリミングして変更修正を加えることは極めて困難
であった。このため、従来は回路を修正する場合には再
設計しもう一度モノリシックIC全体を作り直していた
。
路素子として分布定数素子あるいは集中定数素子が用い
られているが、モノリシックIC構成ではこれらの素子
値をトリミングして変更修正を加えることは極めて困難
であった。このため、従来は回路を修正する場合には再
設計しもう一度モノリシックIC全体を作り直していた
。
第3図1ad、 (b)は従来例のモノリシックマイク
ロ波発振器の平面図で、同図(alは修正前、同図tb
lは修正後を示す。同図(a)においてFET41のソ
ース電極と接地間にはマイクロストリップ線路42が設
けられている。ポンディング黒人はボンディング線で接
地される。同図ta)の発掘器の発振周波数を変更する
ために同図1b)図のようにノース電極と接地間のマイ
クロストリップ線路43には斜め部分が設けられ、マイ
クロストリップ線路長は同図(alに比べて短くされて
いる。
ロ波発振器の平面図で、同図(alは修正前、同図tb
lは修正後を示す。同図(a)においてFET41のソ
ース電極と接地間にはマイクロストリップ線路42が設
けられている。ポンディング黒人はボンディング線で接
地される。同図ta)の発掘器の発振周波数を変更する
ために同図1b)図のようにノース電極と接地間のマイ
クロストリップ線路43には斜め部分が設けられ、マイ
クロストリップ線路長は同図(alに比べて短くされて
いる。
このような従来の修正方法では、マイクロストリップ線
路の形状を変えなければならず、ICマスクおよびモノ
リシック発振器の再製作が必要であり最短でも修正には
3ケ月の期間を要すると共に、製品の歩走りを低下させ
るという問題点があった。
路の形状を変えなければならず、ICマスクおよびモノ
リシック発振器の再製作が必要であり最短でも修正には
3ケ月の期間を要すると共に、製品の歩走りを低下させ
るという問題点があった。
本発明の目的は、上記問題点を除去することにより、容
易に回路素子の調整ができ、製品の製造歩走シを向上さ
せるところのモノリシックマイクロ波発振器を提供する
ことにある。
易に回路素子の調整ができ、製品の製造歩走シを向上さ
せるところのモノリシックマイクロ波発振器を提供する
ことにある。
器において、前記マイクロストリップ線路の少くとも一
部分を、前記発振器が構成されるモノリシックICチッ
プの一辺に近接して平行に設けたことを特徴とするモノ
リフツクマイクロ波発振器が得られる。
部分を、前記発振器が構成されるモノリシックICチッ
プの一辺に近接して平行に設けたことを特徴とするモノ
リフツクマイクロ波発振器が得られる。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図、第2図は本発明め一実施例の構成図およびその
等価回路図である。
等価回路図である。
第1図においてFETIIのソース電極Sと接地間にマ
イクロストリップ線路12が設けられている。マイクロ
ストリップ線路12の先端部は、直角に曲げられてモノ
リシックICチップ18の一辺に近接して平行に設けら
れ、ポンディング点B、 C,E、 Fなどにおい
て、ボンディング緋によって接地される。このマイクロ
ストリップ線路12により正帰還がかかシ発振が起る。
イクロストリップ線路12が設けられている。マイクロ
ストリップ線路12の先端部は、直角に曲げられてモノ
リシックICチップ18の一辺に近接して平行に設けら
れ、ポンディング点B、 C,E、 Fなどにおい
て、ボンディング緋によって接地される。このマイクロ
ストリップ線路12により正帰還がかかシ発振が起る。
発振周波数は主にマイクロストリップ線路の長さKよっ
て決まる。一方ドレイン電極D1itIIのマイクロス
トリップ線路14a、14bは主に発掘出力を決定する
。
て決まる。一方ドレイン電極D1itIIのマイクロス
トリップ線路14a、14bは主に発掘出力を決定する
。
第1図に示されたように、マイクロストリップ線路12
の先端部は、モノリシックICチップ18の一辺に近接
して平行に設けられているため、ボンディング接地する
位置を、例えばボンディング点Eからポンディング点B
に移すことによシ、ストリップ線路12の実効長を短く
することができ発振周波数を変えることができる。
の先端部は、モノリシックICチップ18の一辺に近接
して平行に設けられているため、ボンディング接地する
位置を、例えばボンディング点Eからポンディング点B
に移すことによシ、ストリップ線路12の実効長を短く
することができ発振周波数を変えることができる。
第1図において15,16.17はDCブロック用のキ
ャパシタであり、13はゲート回路である。
ャパシタであり、13はゲート回路である。
第2図において、FET21のゲート回路はインダクタ
23から構成され、ソース回路は可変容量22で表現さ
れる。ドレイン回路は分布定数線路24b、24aで表
わされる。25. 26゜27はDCブロック用のキャ
パシタである。本発明においては可変容量22をボンデ
ィング線の位置に上り変更でき、簡単に発振周波数を調
整できることになる。
23から構成され、ソース回路は可変容量22で表現さ
れる。ドレイン回路は分布定数線路24b、24aで表
わされる。25. 26゜27はDCブロック用のキャ
パシタである。本発明においては可変容量22をボンデ
ィング線の位置に上り変更でき、簡単に発振周波数を調
整できることになる。
以上、詳細説明したとおシ1本発明のモノリシックマイ
クロ波発振器は、上記の構成によυ、ボンディング線の
位置を変えるだけで、モノリシック発振器の発振周波数
を変えることができるため。
クロ波発振器は、上記の構成によυ、ボンディング線の
位置を変えるだけで、モノリシック発振器の発振周波数
を変えることができるため。
再設計、再製作という従来の長い工程を経なくても、容
易に回路修正が可能になると共に製造歩走シを大幅に向
上させることができるという効果を有する。
易に回路修正が可能になると共に製造歩走シを大幅に向
上させることができるという効果を有する。
マイクロ波発振器の一例の平面図である。
11・・・・・・FET、12・・・・・・マイクロス
トリップ線路、13・・・・・・ゲート回路、14a、
14b・・・・・・マイクロストリップ線路、15,1
6,17・・・・・・キャパシタ、18・・・・・・モ
ノリシックICチップ、21・・・・・・FET、22
・・・・・・可変容量、23・・・・・・インダクタ、
24a、24b・・・・・・分布定数回路、25.26
,27・・・・・・キャパシタ。B、 C,E。 享 2 図 41FFT 芽3 図
トリップ線路、13・・・・・・ゲート回路、14a、
14b・・・・・・マイクロストリップ線路、15,1
6,17・・・・・・キャパシタ、18・・・・・・モ
ノリシックICチップ、21・・・・・・FET、22
・・・・・・可変容量、23・・・・・・インダクタ、
24a、24b・・・・・・分布定数回路、25.26
,27・・・・・・キャパシタ。B、 C,E。 享 2 図 41FFT 芽3 図
Claims (1)
- FETのソース電極と接地間に正帰還用マイクロストリ
ップ線路を備えたモノリシックマイクロ波発振器におい
て、前記マイクロストリップ線路の少くとも一部分を、
前記発振器が構成されるモノリシックICチップの一辺
に近接して平行に設けたことを特徴とするモノリシック
マイクロ波発振器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21387784A JPS6193707A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | モノリシツクマイクロ波発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21387784A JPS6193707A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | モノリシツクマイクロ波発振器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6193707A true JPS6193707A (ja) | 1986-05-12 |
Family
ID=16646491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21387784A Pending JPS6193707A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | モノリシツクマイクロ波発振器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6193707A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6288402A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-22 | Nec Corp | モノリシツクマイクロ波発振器 |
JPS63206009A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-25 | Fujitsu General Ltd | 電圧制御発振回路 |
JPH065208U (ja) * | 1992-01-14 | 1994-01-21 | アルプス電気株式会社 | 高周波発振器の周波数調整構造 |
-
1984
- 1984-10-12 JP JP21387784A patent/JPS6193707A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6288402A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-22 | Nec Corp | モノリシツクマイクロ波発振器 |
JPS63206009A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-25 | Fujitsu General Ltd | 電圧制御発振回路 |
JPH065208U (ja) * | 1992-01-14 | 1994-01-21 | アルプス電気株式会社 | 高周波発振器の周波数調整構造 |
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