JPH065208U - 高周波発振器の周波数調整構造 - Google Patents
高周波発振器の周波数調整構造Info
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- JPH065208U JPH065208U JP101392U JP101392U JPH065208U JP H065208 U JPH065208 U JP H065208U JP 101392 U JP101392 U JP 101392U JP 101392 U JP101392 U JP 101392U JP H065208 U JPH065208 U JP H065208U
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プリント基板の容積によって制約を受けずに
所望の周波数可変幅を得、また、部品接触の危険を取り
除き、さらに、周波数調整時の発振周波数の安定性を向
上させる。 【構成】 VCOが形成されたプリント基板19のマイ
クロストリップ共振器20の短絡端20b近傍であって
プリント基板19の裏面に形成された接地面21との間
に、複数のスルーホール22を設ける。
所望の周波数可変幅を得、また、部品接触の危険を取り
除き、さらに、周波数調整時の発振周波数の安定性を向
上させる。 【構成】 VCOが形成されたプリント基板19のマイ
クロストリップ共振器20の短絡端20b近傍であって
プリント基板19の裏面に形成された接地面21との間
に、複数のスルーホール22を設ける。
Description
【0001】
この考案は、マイクロストリップ共振器を有し、多層基板上に設けられた高周 波発振器の周波数調整構造に関し、特に、表面実装素子(SMD:Surface Moun t Device)による高周波発振器やSMDによる周波数シンセサイザの高周波発振 部の周波数調整構造に関する。
【0002】
図5は従来の電圧制御発振器(VCO)の第1の構成例を示す回路図である。 この図において、1は高周波発振用のトランジスタ、2〜5はLC共振回路のC (キャパシタ)に相当するコンデンサ、6はLC共振回路のC(キャパシタ)に 相当する可変容量コンデンサ、7はλ/4型の誘電体同軸共振器である。なお、 図5においては、説明を簡単にするため、トランジスタ1にバイアスを印加する 抵抗等は図示していない。
【0003】 このような構成において、上述した構成のVCOのフリーランの発振周波数f 0 を調整するには、図6に示すように、プリント基板8に設けられた切欠部8aに 誘電体同軸共振器7を取り付け、誘電体同軸共振器7の開放端面7aの内導体7b と、プリント基板8上に形成された半田盛り用のランド9とを接触片10を介し て半田により電気的に接続した後、発振周波数f0を測定しつつ、ランド9に半 田11を盛る。 これにより、共振インピーダンスが変化し、このインピーダンスの変化ΔZが VCOのフリーランの発振周波数f0の変化となるので、所望の発振周波数f0と なるようにランド9に半田11を盛る。
【0004】 また、図7は従来のVCOの第2の構成例を示す回路図である。この図におい て、図5の各部に対応した部分には同一の符号を付け、その説明を省略する。図 7において、12はλ/4型のマイクロストリップ共振器である。なお、図7に おいても、説明を簡単にするため、トランジスタ1にバイアスを印加する抵抗等 は図示していない。
【0005】 このような構成において、上述した構成のVCOのフリーランの発振周波数f 0 を調整するには、発振周波数f0を測定しつつ、図8に示すように、プリント基 板13上に形成されたマイクロストリップ共振器12の開放端12a近傍に形成 された半田盛り用のランド14に半田15を盛る。 これにより、第1の構成例と同様、共振インピーダンスが変化し、このインピ ーダンスの変化ΔZがVCOのフリーランの発振周波数f0の変化となるので、 所望の発振周波数f0となるようにランド14に半田15を盛る。
【0006】
ところで、上述した従来のVCOの周波数調整構造においては、どちらの場合 も、ランド9または14に半田11または15を盛ることでフリーランの発振周 波数f0を調整しているので、希望する周波数可変幅Δfがランド9または14 の高さ方向を含めた容積によって制約を受け、大きくとれないという欠点があっ た。
【0007】 たとえば、UHF帯のVCOの場合、3(mm)×3(mm)×3(mm)= 0.027(cc)程度の半田盛りスペースでは、周波数可変幅Δfは、10〜 15MHz程度が限界である。したがって、従来のVCOの周波数調整構造は、 高さ3.5(mm)以下のSMDタイプの超薄型VCOの周波数調整には不適で あるという問題があった。
【0008】 また、上述した問題が生じないような場合でも、半田盛りを過度に多くすると 、この半田が同じプリント基板に搭載される他の部品と接触するという危険があ った。 さらに、周波数調整するためにランド9または14に半田11または15を盛 っている際には、ランド9または14を含めた周囲が高温度状態となるが、この 高温度状態がVCOの発振周波数の安定性に悪影響を及ぼすという問題があった 。
【0009】 この考案は、このような背景の下になされたもので、周波数可変幅がプリント 基板の容積によって制約を受けることなく、また、部品接触の危険がなく、さら に、周波数調整時の発振周波数が安定する高周波発振器の周波数調整構造を提供 することを目的とする。
【0010】
この考案による高周波発振器の周波数調整構造は、トランジスタと、コンデン サと、マイクロストリップ共振器とを具備する高周波発振器が形成されたプリン ト基板の前記マイクロストリップ共振器の短絡端近傍であって前記プリント基板 の裏面に形成された接地面との間に、複数のスルーホールを設けたことを特徴と している。
【0011】
上記構成によれば、スルーホールと接地面との接続を切り離して高周波発振器 の発振周波数の調整を行う。
【0012】
以下、図面を参照して、この考案の一実施例について説明する。図1はこの考 案の第1の実施例による高周波発振器の周波数調整構造を適用したVCOの構成 を示す回路図であり、この図において、図7および図8の各部に対応した部分に は同一の符号を付け、その説明を省略する。図1において、16は従来のマイク ロストリップ共振器12より充分に長く形成されたマイクロストリップ共振器、 17,17,……はマイクロストリップ共振器16の短絡端16bから開放端1 6aに向かって所定間隔で接地との間に設けられたスルーホールである。
【0013】 このような構成において、上述した構成のVCOのフリーランの発振周波数f 0 を調整するには、発振周波数f0を測定しつつ、レーザトリミングでスルーホー ル17をマイクロストリップ共振器16の開放端16aに近い方から1個1個接 地から切り離していく。 これにより、共振インピーダンスが高くなっていき、このインピーダンスの変 化ΔZがVCOのフリーランの発振周波数f0の変化となるので、所望の発振周 波数f0となるように、レーザトリミングで複数のスルーホール17を接地から 切り離す。
【0014】 次に、この考案の第2の実施例について説明する。図2はこの考案の第2の実 施例による高周波発振器の周波数調整構造を適用したVCOの構成を示す回路図 であり、この図において、図7の各部に対応した部分には同一の符号を付け、そ の説明を省略する。図2に示すVCOにおいては、マイクロストリップ共振器1 2の短絡端12bの幅方向に所定間隔で接地との間に複数のスルーホール18, 18,……が設けられている。
【0015】 このような構成において、上述した構成のVCOのフリーランの発振周波数f 0 を調整するには、発振周波数f0を測定しつつ、レーザトリミングでスルーホー ル18を1個1個接地から切り離していく。 これにより、共振インピーダンスが高くなっていき、このインピーダンスの変 化ΔZがVCOのフリーランの発振周波数f0の変化となるので、所望の発振周 波数f0となるように、レーザトリミングで複数のスルーホール18を接地から 切り離す。
【0016】 次に、この考案の第3の実施例について説明する。図3はこの考案の第3の実 施例による高周波発振器の周波数調整構造を適用したVCOの要部の外観構成を 示す斜視図である。この図においては、プリント基板19上に形成されたλ/4 より充分に長いマイクロストリップ共振器20の短絡端20b近傍に所定間隔で 、プリント基板19の裏面に形成された接地面21との間にプリント基板19を 貫通して3行5列のスルーホール22,22,……が設けられている。なお、図 3のスルーホール22,22,……において、マイクロストリップ共振器20の 開放端20aに最も近い行を第1行とするとともに、図中最も左側の列を第1列 とする。
【0017】 ここで、図4(図3の裏面拡大図)に上述した3行5列のスルーホール22, 22,……を実際にレーザトリミングで接地面21から切り離した様々な例を示 す。図4(a)は第1行の第1列〜第3列のスルーホール22を接地面21から 切り離した例、図4(b)は第1行のすべて並びに第2行の第1列および第2列 のスルーホール22を接地面21から切り離した例、図4(c)は第1行および 第2行のすべて並びに第3行の第1列および第2列のスルーホール22を接地面 21から切り離した例である。
【0018】 マイクロストリップ共振器20の等価的な長さは、図4(a)の場合が最短、 図4(c)の場合が最長、図4(b)の場合が図4(a)および図4(c)の場 合の中間となる。したがって、フリーランの発振周波数帯は、図4(a)の場合 が最も高く、図4(c)の場合が最も低く、図4(b)の場合が図4(a)およ び図4(c)の場合の中間となる。この実施例においては、第1行までスルーホ ール22を残した場合が1GHz帯、第2行までスルーホール22を残した場合 が900MHz帯、スルーホール22が第3行のみの場合が800MHz帯の発 振周波数帯に設定されている。そして、それぞれの周波数帯の微調整は、各列の スルーホール22の切り離す数によって行う。
【0019】 以上説明したように、上述した第1ないし第3の実施例によれば、プリント基 板のマイクロストリップ共振器の短絡端近傍に形成されたスルーホールを接地と 切り離すことによって発振周波数の調整を行うので、半田を盛ることによって発 振周波数の調整を行う従来の場合に比べてプリント基板の容積的な変化が全くな い。すなわち、発振周波数を調整するのに大きな容量的スペースを必要としない 。
【0020】 また、上述した第1ないし第3の実施例は、発振周波数調整後の回路の信頼性 が従来に比べて優れている。というのは、従来の場合、発振周波数を調整するた めに半田が盛られるランドに半田が何度も盛られることによってそのランドに接 続されているチップ部品がクラックを起こす危険性があったからである。
【0021】 さらに、上述した第1ないし第3の実施例によれば、レーザトリミングを用い て発振周波数を調整しているので、従来の手作業で発振周波数を調整する場合に 比べて高周波発振器の生産ラインを自動化することができる。 加えて、上述した第1および第3の実施例によれば、マイクロストリップ共振 器を充分な長さにあらかじめ形成しておき、その長さ方向に形成されたスルーホ ールを接地面から切り離すことによって発振周波数を調整しているので、共通の パターンのプリント基板で広帯域の発振周波数の設定が可能となる。というのは 、従来の場合、半田盛りによって発振周波数を調整しているので、周波数可変幅 Δfが小さいため、発振周波数帯によってマイクロストリップ共振器の長さが異 なるパターンが形成されたプリント基板を作製する必要があったからである。
【0022】
以上説明したように、この考案によれば、周波数可変幅がプリント基板の容積 によって制約を受けることがないという効果がある。したがって、超薄型かつ超 小容量の発振器を製造することができる。 また、部品接触の危険がないため、部品の信頼性が向上するという効果がある 。さらに、周波数調整時に高温度状態にならないので、周波数調整時の発振周波 数が安定するという効果がある。
【図1】この考案の第1の実施例による高周波発振器の
周波数調整構造を適用したVCOの構成を示す回路図で
ある。
周波数調整構造を適用したVCOの構成を示す回路図で
ある。
【図2】この考案の第2の実施例による高周波発振器の
周波数調整構造を適用したVCOの構成を示す回路図で
ある。
周波数調整構造を適用したVCOの構成を示す回路図で
ある。
【図3】この考案の第3の実施例による高周波発振器の
周波数調整構造を適用したVCOの要部の外観構成を示
す斜視図である。
周波数調整構造を適用したVCOの要部の外観構成を示
す斜視図である。
【図4】この考案の第3の実施例の場合の周波数調整の
例を説明するための図である。
例を説明するための図である。
【図5】従来のVCOの第1の構成例を示す回路図であ
る。
る。
【図6】図5に示すVCOの要部の外観構成を示す斜視
図である。
図である。
【図7】従来のVCOの第2の構成例を示す回路図であ
る。
る。
【図8】図7に示すVCOの要部の外観構成を示す斜視
図である。
図である。
12,16,20 マイクロストリップ共振器 12a,16a,20a 開放端 12b,16b,20b 短絡端 17,18,22 スルーホール 19 プリント基板 21 接地面
Claims (1)
- 【請求項1】 トランジスタと、コンデンサと、マイク
ロストリップ共振器とを具備する高周波発振器が形成さ
れたプリント基板の前記マイクロストリップ共振器の短
絡端近傍であって前記プリント基板の裏面に形成された
接地面との間に、複数のスルーホールを設けたことを特
徴とする高周波発振器の周波数調整構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP101392U JPH065208U (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 高周波発振器の周波数調整構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP101392U JPH065208U (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 高周波発振器の周波数調整構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH065208U true JPH065208U (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=11489696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP101392U Pending JPH065208U (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 高周波発振器の周波数調整構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH065208U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5156081U (ja) * | 1974-10-29 | 1976-05-01 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6193707A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-12 | Nec Corp | モノリシツクマイクロ波発振器 |
JPH03295266A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-26 | Hitachi Ltd | 高集積半導体装置 |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP101392U patent/JPH065208U/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6193707A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-12 | Nec Corp | モノリシツクマイクロ波発振器 |
JPH03295266A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-26 | Hitachi Ltd | 高集積半導体装置 |
Cited By (1)
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JPS5156081U (ja) * | 1974-10-29 | 1976-05-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970422 |