JPS60140905A - マイクロ波発振器 - Google Patents
マイクロ波発振器Info
- Publication number
- JPS60140905A JPS60140905A JP24520583A JP24520583A JPS60140905A JP S60140905 A JPS60140905 A JP S60140905A JP 24520583 A JP24520583 A JP 24520583A JP 24520583 A JP24520583 A JP 24520583A JP S60140905 A JPS60140905 A JP S60140905A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stem
- shell
- dielectric resonator
- microwave
- microwave oscillator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1864—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/01—Varying the frequency of the oscillations by manual means
- H03B2201/014—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances
- H03B2201/017—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances the element being a dielectric resonator
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はマイクロ波発振器に係り、特にＧＣＩＡＳＦＥ
Ｔ等を用いた発振回路部と、この発振回路部に結合した
周波数安定化のための誘電体共振器とを装着してなる高
安定なマイクロ波発振器の構造に関するものである。
Ｔ等を用いた発振回路部と、この発振回路部に結合した
周波数安定化のための誘電体共振器とを装着してなる高
安定なマイクロ波発振器の構造に関するものである。
マイクロ波発振器としては周囲温度や出力側の負荷の変
動に対して発振周波数の変化が少ない高安定のものが要
求されている。
動に対して発振周波数の変化が少ない高安定のものが要
求されている。
次に第１図によりＧａＡｓＦＥＴを用した従来の高安定
のマイクロ波発振器の等価回路例を説明する。
のマイクロ波発振器の等価回路例を説明する。
即ち、ＧａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔ （１）のゲート電極（２
）と接地間には帰還回路となるインダクタ（３）が接続
されている。またＧａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔ （１）のドレ
イン電極（４）には整合回路（Ｍ、Ｎ）（５）が接続さ
れ、ＲＦチ目−り（７）を介してバイアス端子（６）か
らバイアス電圧が印加される。整合回路（５）には直流
阻止用キャパシタ（８）が接続され、出力端子（９）か
ら出力が導出される。また、ＧａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔ （
１）のソース電極（１０）には他端に無反射終端（１１
）を有する線路（１２）が接続され、この線路（１２）
には誘電体共振器（１３）が結合されている。
）と接地間には帰還回路となるインダクタ（３）が接続
されている。またＧａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔ （１）のドレ
イン電極（４）には整合回路（Ｍ、Ｎ）（５）が接続さ
れ、ＲＦチ目−り（７）を介してバイアス端子（６）か
らバイアス電圧が印加される。整合回路（５）には直流
阻止用キャパシタ（８）が接続され、出力端子（９）か
ら出力が導出される。また、ＧａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔ （
１）のソース電極（１０）には他端に無反射終端（１１
）を有する線路（１２）が接続され、この線路（１２）
には誘電体共振器（１３）が結合されている。
ＦＥＴ発振器はゲート（２）に接続されたインダフタ（
３）が帰還回路となって発振し、誘電体共振器（１３）
の共振周波数によって発振周波数が決定される。誘電体
共振器（１３）は無負荷Ｑが数１０００と大きいため高
安定のマイクロ波発振器を実現することができる。
３）が帰還回路となって発振し、誘電体共振器（１３）
の共振周波数によって発振周波数が決定される。誘電体
共振器（１３）は無負荷Ｑが数１０００と大きいため高
安定のマイクロ波発振器を実現することができる。
第２図は第１図と等価なマイクロ波発振器を誘電体基板
（２１）に構成した構造図であり、第１図と同一符号は
同一部を示している。但しＦ Ｅ Ｔ （１）は外囲器
（２２）入りとし、（２３） 、 （２４） 、 （２
５）はそれぞれＦＥＴのゲート、ドレイン、ソースのリ
ード線である。
（２１）に構成した構造図であり、第１図と同一符号は
同一部を示している。但しＦ Ｅ Ｔ （１）は外囲器
（２２）入りとし、（２３） 、 （２４） 、 （２
５）はそれぞれＦＥＴのゲート、ドレイン、ソースのリ
ード線である。
このマイクロ波発振器の発振周波数は主として誘電体共
振器（１３）の共振周波数で決定されるが、誘電体共振
器（１３）の寸法、比誘電率、のばらつきや、距離ｄ、
Ｑによってもマイクロ波発振器としての発振周波数が変
化する。従ってマイクロ波発振器の製造にあっては所望
の発振周波数となるように誘電体共振器（１３）の位置
、例えば距離ｄ、Ｑを調整しなければならず、工程がか
かり、またコスト高になるという問題点がある。
振器（１３）の共振周波数で決定されるが、誘電体共振
器（１３）の寸法、比誘電率、のばらつきや、距離ｄ、
Ｑによってもマイクロ波発振器としての発振周波数が変
化する。従ってマイクロ波発振器の製造にあっては所望
の発振周波数となるように誘電体共振器（１３）の位置
、例えば距離ｄ、Ｑを調整しなければならず、工程がか
かり、またコスト高になるという問題点がある。
３−
また誘電体共振器（１３）は湿気があると特性が劣化す
るため第３図に示すような気密構造のケースに封入して
いる。
るため第３図に示すような気密構造のケースに封入して
いる。
即ち、ステム（３１）の−主面上に第２図に示したマイ
クロ波発振器を載置する。出力端子（９）及びバイアス
端子（６）はそれぞれ絶縁部材を介してステム（３１）
を貫通植設された出力リード線（３４）及びバイアスリ
ード線（３５）とボンディング線（３６） 、 （３７
）で接続される。またステム（３１）には接地リード線
（３８）が植設され、インダクタ（３）及び無反射終端
（１１）とボンディング線（３９） 、 （４０）で接
続され、有蓋筒状のシェル（３２）の端縁部（３２２）
はステム（３１）の周縁部（３１＋）に電気溶接などで
封止される。
クロ波発振器を載置する。出力端子（９）及びバイアス
端子（６）はそれぞれ絶縁部材を介してステム（３１）
を貫通植設された出力リード線（３４）及びバイアスリ
ード線（３５）とボンディング線（３６） 、 （３７
）で接続される。またステム（３１）には接地リード線
（３８）が植設され、インダクタ（３）及び無反射終端
（１１）とボンディング線（３９） 、 （４０）で接
続され、有蓋筒状のシェル（３２）の端縁部（３２２）
はステム（３１）の周縁部（３１＋）に電気溶接などで
封止される。
しかしながらこの気密構造のケース内で、誘電体共振器
（１３）の近傍に蓋部（３２＋）などの金属が近づくと
共振周波数が変化する。このため第３図に示すようにス
テム（３１）と断面がコの字状の有蓋筒状のシェル（３
２）で気密構造にするとシェル（３２）と誘電体共振器
（１３）の間隔が、組み立て時のシェル（３２）の取り
付は位置の変化や誘電体共振器（１３）の＝４− 取り付は位置の変化によって変化した場合に、マイクロ
波発振器の発振周波数が変化する問題点があった。
（１３）の近傍に蓋部（３２＋）などの金属が近づくと
共振周波数が変化する。このため第３図に示すようにス
テム（３１）と断面がコの字状の有蓋筒状のシェル（３
２）で気密構造にするとシェル（３２）と誘電体共振器
（１３）の間隔が、組み立て時のシェル（３２）の取り
付は位置の変化や誘電体共振器（１３）の＝４− 取り付は位置の変化によって変化した場合に、マイクロ
波発振器の発振周波数が変化する問題点があった。
また上記問題点を軽減するためにはシェル（３２）と誘
電体共振器（１３）の間隔を大きくすることが考えられ
るが、この場合マイクロ波発振器の寸法が大きくなる問
題点があった。
電体共振器（１３）の間隔を大きくすることが考えられ
るが、この場合マイクロ波発振器の寸法が大きくなる問
題点があった。
本発明は前述した問題点に鑑みなされたもので、マイク
ロ波発振回路と、このマイクロ波発振回路に結合させた
誘電体共振器とをステムと有蓋筒状のシェルとからなる
気密構造のケース内に配設した構造で高安定のマイクロ
波発振器を提供することを目的としている。
ロ波発振回路と、このマイクロ波発振回路に結合させた
誘電体共振器とをステムと有蓋筒状のシェルとからなる
気密構造のケース内に配設した構造で高安定のマイクロ
波発振器を提供することを目的としている。
出力リード線及びバイアスリード線が貫通植設されてな
るステム上にマイクロ波発振回路及びこのマイクロ波発
振回路に結合させた誘電体共振器とを配設し、マイクロ
波発振回路及び誘電体共振器とを内部に収納するように
ステムに端縁部が封止されてなる有蓋筒状のシェルとを
具備し、シェルの移動または回転によってシェル内面と
誘電体共振器との距離が変化するように構成したことを
特徴とするマイクロ波発振器である。
るステム上にマイクロ波発振回路及びこのマイクロ波発
振回路に結合させた誘電体共振器とを配設し、マイクロ
波発振回路及び誘電体共振器とを内部に収納するように
ステムに端縁部が封止されてなる有蓋筒状のシェルとを
具備し、シェルの移動または回転によってシェル内面と
誘電体共振器との距離が変化するように構成したことを
特徴とするマイクロ波発振器である。
次に本発明のマイクロ波発振器の一実施例を第４図で説
明する。但し、図中従来例と同一符号は同一部を示して
いる。
明する。但し、図中従来例と同一符号は同一部を示して
いる。
即ち、誘電体基板（２１）上には外囲器に収納されたＧ
ａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔ （２２）が配置される。ＧａＡｓ
Ｆ Ｅ Ｔ （２２）にはゲートリード線（２３）、
ドレインリード線（２４）、ソースリード線（２５）が
接続されている。ゲートリード線（２３）と接地間には
インダクタ（３）が接続されている。またドレインリー
ド線（２４）には出力側の整合回路（５）及びＲＦチョ
ーク（７）が接続され、ＲＦチョーク（７）はバイアス
端子（６）と結合される。
ａＡｓ Ｆ Ｅ Ｔ （２２）が配置される。ＧａＡｓ
Ｆ Ｅ Ｔ （２２）にはゲートリード線（２３）、
ドレインリード線（２４）、ソースリード線（２５）が
接続されている。ゲートリード線（２３）と接地間には
インダクタ（３）が接続されている。またドレインリー
ド線（２４）には出力側の整合回路（５）及びＲＦチョ
ーク（７）が接続され、ＲＦチョーク（７）はバイアス
端子（６）と結合される。
整合回路（５）には直流阻止キャパシタ（８）を介して
出力端子（９）が接続されている。ソースリード線（２
５）には他端部に無反射終端（１１）を有する線路（１
２）が接続され、この線路（１２）には誘電体共振器（
１３）が結合されている。
出力端子（９）が接続されている。ソースリード線（２
５）には他端部に無反射終端（１１）を有する線路（１
２）が接続され、この線路（１２）には誘電体共振器（
１３）が結合されている。
このような発振回路と誘電体共振器（１３）は誘電体基
板（２１） ｌに配設され、この基板（２１）はステム
（３１）上に載置固定される。出力端子（９）及びバイ
アス端子（６）は絶縁部材を介してステム（３１）を貫
通する出力リード線（３４）及びバイアスリード線（３
５）とそれぞれボンディング線（３６） 、 （３７）
で接続される。インダクタ（３）及び無反射端（１１）
は、ボンディング線（３９） 、 （４０）でステム（
３１）に接続される。このステム（３１）は接地リード
線（３８）で接地される。
板（２１） ｌに配設され、この基板（２１）はステム
（３１）上に載置固定される。出力端子（９）及びバイ
アス端子（６）は絶縁部材を介してステム（３１）を貫
通する出力リード線（３４）及びバイアスリード線（３
５）とそれぞれボンディング線（３６） 、 （３７）
で接続される。インダクタ（３）及び無反射端（１１）
は、ボンディング線（３９） 、 （４０）でステム（
３１）に接続される。このステム（３１）は接地リード
線（３８）で接地される。
この構造は従来のマイクロ波発振器とほぼ同様であるが
、本実施例においてはステム（３１）の周縁部（３１＋
）と端縁部（４２２）が電気溶接などで封止される有蓋
筒状のシェル（４２）の蓋部（４２□）を一端の高さｈ
ｌが他端の高さｈ２より大となるように傾斜させている
。
、本実施例においてはステム（３１）の周縁部（３１＋
）と端縁部（４２２）が電気溶接などで封止される有蓋
筒状のシェル（４２）の蓋部（４２□）を一端の高さｈ
ｌが他端の高さｈ２より大となるように傾斜させている
。
このように蓋部（４２１）を傾斜させたことにより、ス
テム（３１）を封止する場合シェル（４２）を矢印（４
３）方向に回転させれば、シェルの回転に伴ってマイク
ロ波発振器と蓋内面との距離が変化し、マイクロ波発振
器の特性を調整できる。この結果シェルの最適位置を見
出し、この位置で電気溶接などで封止すれば目的のマイ
クロ波発振器が得られる。
テム（３１）を封止する場合シェル（４２）を矢印（４
３）方向に回転させれば、シェルの回転に伴ってマイク
ロ波発振器と蓋内面との距離が変化し、マイクロ波発振
器の特性を調整できる。この結果シェルの最適位置を見
出し、この位置で電気溶接などで封止すれば目的のマイ
クロ波発振器が得られる。
次に本発明のマイクロ波発振器に使用されるシェルの他
の例を第５図により説明する。
の例を第５図により説明する。
先ず第５図（ａ）のシェル（５２）はその蓋部（５２，
）の外周壁の高さを、その中央（５３）の周りに角θ（
θ＜３６０°）にわたって高さｈ３から次第に低くなる
よう変化させたものである。このシェル（５２）による
組立方法は前の実施例と同様である。即ち、シェルの回
転に伴って蓋の内面と誘電体共振器との距離を変化させ
ることができる。
）の外周壁の高さを、その中央（５３）の周りに角θ（
θ＜３６０°）にわたって高さｈ３から次第に低くなる
よう変化させたものである。このシェル（５２）による
組立方法は前の実施例と同様である。即ち、シェルの回
転に伴って蓋の内面と誘電体共振器との距離を変化させ
ることができる。
第５図（ｂ）のシェル（６２）は、蓋部（６２＋）の直
径（６３）部分の高さくｈ４）を最大として両側に屋根
形に傾斜させたものである。このような構造の場合でも
、シェルの回転によって蓋内面と誘電体共振器との距離
と調整が可能である。
径（６３）部分の高さくｈ４）を最大として両側に屋根
形に傾斜させたものである。このような構造の場合でも
、シェルの回転によって蓋内面と誘電体共振器との距離
と調整が可能である。
次に本発明のマイクロ波発振器の更に他の実施例を第６
図により説明する。図中前の実施例と同＝７− 一符号は同一部を示し特に説明しない。
図により説明する。図中前の実施例と同＝７− 一符号は同一部を示し特に説明しない。
即ち、本実施例では方形のステム（７１）を使用し、封
止時に矢印（７３）方向に移動可能なシェル（７２）を
使用するものである。このシェル（７２）の蓋部（７２
１）は端縁部（７２２）の高さが（ｈ５）で、他端部の
高さが（ｈ６）となるように次第に低くなるように形成
されている。
止時に矢印（７３）方向に移動可能なシェル（７２）を
使用するものである。このシェル（７２）の蓋部（７２
１）は端縁部（７２２）の高さが（ｈ５）で、他端部の
高さが（ｈ６）となるように次第に低くなるように形成
されている。
したがってステム（７１）とシェル（７２）の組立時に
シェル（７２）を矢印（７３）方向に移動しつつ、誘電
体共振器（１３）の特性の変化がマイクロ波発振器とし
て最適になる位置を見出し、この位置で電気溶接などに
より封止するものである。
シェル（７２）を矢印（７３）方向に移動しつつ、誘電
体共振器（１３）の特性の変化がマイクロ波発振器とし
て最適になる位置を見出し、この位置で電気溶接などに
より封止するものである。
前述した各実施例ではシェルの蓋部の形状を変化させた
が、シェル内面の形状をシェルの回転や移動に伴って誘
電体共振器（１３）との距離が変化するようにすれば本
発明の効果は達成できる。
が、シェル内面の形状をシェルの回転や移動に伴って誘
電体共振器（１３）との距離が変化するようにすれば本
発明の効果は達成できる。
また前述した実施例では、ＦＥＴを外囲器に入れた場合
を示したが、これはチップのＦＥＴを用いてもよい。
を示したが、これはチップのＦＥＴを用いてもよい。
また前述した実施例ではＦＥＴを用いた発振器の例を示
したが、バイポーラトランジスタ、ガン８− ダイオード、インバットダイオードを用いた発振器にも
適応できる。
したが、バイポーラトランジスタ、ガン８− ダイオード、インバットダイオードを用いた発振器にも
適応できる。
更に発振回路部に、ＧａＡｓ基体」二にモノリシック化
した発振器チップを用いても同様な効果が得られる。
した発振器チップを用いても同様な効果が得られる。
以上述べたように本発明のマイクロ波発振器はシェルの
位置のみを動かすことによって発振周波数を調整できる
ため従来に比べて調整時間を大幅に短縮することができ
、また誘電体共振器とシェルの蓋部の間隔を小さくでき
るため、小形化することもできる。
位置のみを動かすことによって発振周波数を調整できる
ため従来に比べて調整時間を大幅に短縮することができ
、また誘電体共振器とシェルの蓋部の間隔を小さくでき
るため、小形化することもできる。
第１図はマイクロ波発振器の等価回路図、第２図は第１
図のマイクロ波発振器を誘電体基板上に構成した図であ
り、第２図（ａ）は平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ
）をＡ−Ａ線に沿って切断し矢印方向に見た断面図、第
３図は従来の気密構造のマイクロ波発振器を示す図であ
り、第３図（ａ）はシェルを除いた平面図、第３図（ｂ
）は断面図、第４図は本発明の気密構造のマイクロ波発
振器の一実施例の分解斜視図、第５図（ａ）（ｂ）は本
発明の気密構造のマイクロ波発振器のそれぞれ他の実施
例に使用するシェルの斜視図、第６図は本発明の気密構
造のマイクロ波発振器の更に他の実施例の分解斜視図で
ある。 ■・・・ＧａＡｓＦＥＴ ３・・・インダクタ５・・整
合回路 ６・・・バイアス端子７・・ＲＦチョーク ８
・・・直流阻止用キャパシタ９・・・出力端子 １３・
・・誘電体共振器２２・・・外囲器入りＦＥＴ ２３・
・・ゲートリード線２４・・・ドレインリード線 ２５
・・・ソースリード線３１．７１・・・ステム ３２，
４２，５２，６２，７２・・・シェル３２、 、４２１
．５２４．６２． 、７２．・・蓋部３４・・・出力リ
ード線 ３５・・・バイアスリード線３６．３７，３９
，４０．・・・ボンディング線３８・・・接地リード線 代理人 弁理士 井 上 −男 １１−
図のマイクロ波発振器を誘電体基板上に構成した図であ
り、第２図（ａ）は平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ
）をＡ−Ａ線に沿って切断し矢印方向に見た断面図、第
３図は従来の気密構造のマイクロ波発振器を示す図であ
り、第３図（ａ）はシェルを除いた平面図、第３図（ｂ
）は断面図、第４図は本発明の気密構造のマイクロ波発
振器の一実施例の分解斜視図、第５図（ａ）（ｂ）は本
発明の気密構造のマイクロ波発振器のそれぞれ他の実施
例に使用するシェルの斜視図、第６図は本発明の気密構
造のマイクロ波発振器の更に他の実施例の分解斜視図で
ある。 ■・・・ＧａＡｓＦＥＴ ３・・・インダクタ５・・整
合回路 ６・・・バイアス端子７・・ＲＦチョーク ８
・・・直流阻止用キャパシタ９・・・出力端子 １３・
・・誘電体共振器２２・・・外囲器入りＦＥＴ ２３・
・・ゲートリード線２４・・・ドレインリード線 ２５
・・・ソースリード線３１．７１・・・ステム ３２，
４２，５２，６２，７２・・・シェル３２、 、４２１
．５２４．６２． 、７２．・・蓋部３４・・・出力リ
ード線 ３５・・・バイアスリード線３６．３７，３９
，４０．・・・ボンディング線３８・・・接地リード線 代理人 弁理士 井 上 −男 １１−
Claims (1)
- 出力リード線及びバイアスリード線が貫通されてなるス
テムと、このステム上に配設されたマイクロ波発振回路
及びこのマイクロ波発振回路に結合された誘電体共振器
と、前記マイクロ波発振回路及び前記誘電□体共振器と
を内部に収納するように前記ステムの端縁部で封止され
る有蓋筒状のシェルとを具備し、前記シェルの移動また
は回転によって前記シェルの内面と誘電体共振器との距
離が変化するように構成したことを特徴とするマイクロ
波発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24520583A JPS60140905A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | マイクロ波発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24520583A JPS60140905A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | マイクロ波発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140905A true JPS60140905A (ja) | 1985-07-25 |
Family
ID=17130182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24520583A Pending JPS60140905A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | マイクロ波発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140905A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6364105U (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-27 | ||
| EP0959557A1 (en) * | 1998-05-22 | 1999-11-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Oscillator and communications device |
| WO2003069725A1 (de) * | 2002-02-12 | 2003-08-21 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung und verfahren zum frequenzabgleich einer hochfrequenzschaltung |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP24520583A patent/JPS60140905A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6364105U (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-27 | ||
| EP0959557A1 (en) * | 1998-05-22 | 1999-11-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Oscillator and communications device |
| US6163688A (en) * | 1998-05-22 | 2000-12-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Oscillator and communications device |
| WO2003069725A1 (de) * | 2002-02-12 | 2003-08-21 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung und verfahren zum frequenzabgleich einer hochfrequenzschaltung |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| USRE32527E (en) | FET microwave oscillator being frequency stabilized by capacitive reactance micro-strip stub line | |
| US4871983A (en) | Electronically tuned dielectric resonator stabilized oscillator | |
| JPS60140905A (ja) | マイクロ波発振器 | |
| US4588964A (en) | Hermetically sealed microwave solid-state oscillator with dielectric resonator tuned by electromagnetically coupled terminating admittance | |
| US4481486A (en) | Ultra-high frequency oscillator with dielectric resonator of the compact hybrid circuit type | |
| JPH04294616A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| JPH0244904A (ja) | マイクロ波発振装置 | |
| JPS631448Y2 (ja) | ||
| JPS6029213Y2 (ja) | 半同軸共振器制御発振装置 | |
| JPS6218971Y2 (ja) | ||
| JPS6134743Y2 (ja) | ||
| JPS6316166Y2 (ja) | ||
| JPS59163840A (ja) | 半導体素子用容器 | |
| JP3035617B2 (ja) | 缶封止型マイクロ波発振器 | |
| JPS639203A (ja) | マイクロ波発振器 | |
| JPS6010105Y2 (ja) | Ｕｈｆチユ−ナの発振装置 | |
| JPH09232825A (ja) | マイクロ波・ミリ波回路装置 | |
| JPS61203704A (ja) | マイクロ波発振器 | |
| JPS6134744Y2 (ja) | ||
| JPS61265906A (ja) | マイクロ波発振回路 | |
| JPS6333324B2 (ja) | ||
| JPH0359601B2 (ja) | ||
| JP2587140Y2 (ja) | 誘電体発振器 | |
| JPS6128401Y2 (ja) | ||
| JPS63233601A (ja) | 電圧制御発振器 |