JPS6029213Y2 - 半同軸共振器制御発振装置 - Google Patents
半同軸共振器制御発振装置Info
- Publication number
- JPS6029213Y2 JPS6029213Y2 JP1513879U JP1513879U JPS6029213Y2 JP S6029213 Y2 JPS6029213 Y2 JP S6029213Y2 JP 1513879 U JP1513879 U JP 1513879U JP 1513879 U JP1513879 U JP 1513879U JP S6029213 Y2 JPS6029213 Y2 JP S6029213Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semi
- coaxial resonator
- coupling
- resonator
- oscillation frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半同軸共振器によって発振周波数を安定化し、
マイクロ波通信装置に適した発振装置の改良に関するも
のである。
マイクロ波通信装置に適した発振装置の改良に関するも
のである。
マイクロ波帯などの発振周波数の高い半同軸共振器制御
発振装置に於ては能動素子を半同軸共振器に結合させる
際に、半同軸共振器に依って決まる周波数以外の寄生共
振による影響を避ける必要から、能動素子と半同軸共振
器へ結合される電極との距離は短くすることが望ましい
。
発振装置に於ては能動素子を半同軸共振器に結合させる
際に、半同軸共振器に依って決まる周波数以外の寄生共
振による影響を避ける必要から、能動素子と半同軸共振
器へ結合される電極との距離は短くすることが望ましい
。
また半同軸共振器に結合される能動素子の電極は通常接
地電位でないことや、発振器の負荷Ｑを設定するために
能動素子と半同軸共振器の結合量を加減する必要がある
ことなどの理由で、半同軸共振器の同軸開放端へ能動素
子の電極を接近させて、いわゆる電界結合により結合さ
せる方法が一般的である。
地電位でないことや、発振器の負荷Ｑを設定するために
能動素子と半同軸共振器の結合量を加減する必要がある
ことなどの理由で、半同軸共振器の同軸開放端へ能動素
子の電極を接近させて、いわゆる電界結合により結合さ
せる方法が一般的である。
この種の発振装置の発振周波数は半同軸共振器の共振周
波数でほぼ決定されるが半同軸共振器への能動素子の結
合のされ方及び能動素子の動作インピーダンスにより影
響を受ける。
波数でほぼ決定されるが半同軸共振器への能動素子の結
合のされ方及び能動素子の動作インピーダンスにより影
響を受ける。
前述の如く、電界結合により半同軸共振器に能動素子が
結合された場合は共振器の無負荷時の共振周波数より発
振周波数は低くなる。
結合された場合は共振器の無負荷時の共振周波数より発
振周波数は低くなる。
また結合が密になる程発振周波数の低下は大きくなる。
電界結合の疎密の度合は半同軸共振器と結合される電極
の距離で決まり距離が近くなる楔結合は密になり発振器
の負荷Ｑは低下する。
の距離で決まり距離が近くなる楔結合は密になり発振器
の負荷Ｑは低下する。
この様に能動素子の電極と半同軸共振器との距離は発振
器を構成する上に非常に重要な要素である。
器を構成する上に非常に重要な要素である。
従来この種の装置では能動素子の結合電極と半同軸共振
器の位置は空間上に別々に固定される様に構成されてい
たので、特に発振周波数が高くなる構成素子の形状が小
型化し電極と共振器の間の距離を精度良く設定するとか
非常に困難であった。
器の位置は空間上に別々に固定される様に構成されてい
たので、特に発振周波数が高くなる構成素子の形状が小
型化し電極と共振器の間の距離を精度良く設定するとか
非常に困難であった。
また能動素子の結合電極を個別に固定するそれによって
寄生共振が生じることは避は難い。
寄生共振が生じることは避は難い。
一方、半同軸共振器の共振周波数は共振器の素材となる
金属の線膨張率に応じた温度係数を有する。
金属の線膨張率に応じた温度係数を有する。
通常使用される金属の場合は正の線膨張率を持つ為、共
振周波数は負の温度係数を有する。
振周波数は負の温度係数を有する。
または共振器に能動素子の結合させて発振器を構成した
場合、能動素子の周囲温度に対する動作インピーダンス
の変化は発振周波数に負の温度係数を持たせる如く作用
するので前述の共振器自体の温度係数と相俟って発振周
波数の温度特性を劣化させる。
場合、能動素子の周囲温度に対する動作インピーダンス
の変化は発振周波数に負の温度係数を持たせる如く作用
するので前述の共振器自体の温度係数と相俟って発振周
波数の温度特性を劣化させる。
従来の半同軸共振器制御発振装置では共振器の素材に線
膨張率の小さな金属を使用したり、或いは温度変化に対
する補償回路を設けたりして発振周波数の温度特性を改
善する工夫がなされて来たが特殊な金属を使用せざるを
得ないことや回路が複雑になるという欠点があった。
膨張率の小さな金属を使用したり、或いは温度変化に対
する補償回路を設けたりして発振周波数の温度特性を改
善する工夫がなされて来たが特殊な金属を使用せざるを
得ないことや回路が複雑になるという欠点があった。
本考案の目的はこの様な欠点を改良するもので半同軸共
振器と能動素子間の結合量を精度良く設定し寄生共振の
影響なく両者間を固定すると共に発振周波数の温度補償
を容易に実現した半同軸共振器制御発振装置を提供する
ことにある。
振器と能動素子間の結合量を精度良く設定し寄生共振の
影響なく両者間を固定すると共に発振周波数の温度補償
を容易に実現した半同軸共振器制御発振装置を提供する
ことにある。
本考案は半同軸共振器とそれに結合すべき能動素子電極
との接続及び固定を適当な線膨張係数を有する絶縁体も
しくは誘電体により行なったことを特徴とする。
との接続及び固定を適当な線膨張係数を有する絶縁体も
しくは誘電体により行なったことを特徴とする。
以下本考案の実施例について図面を参照しながら詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本考案を実施したトランジスタ発振装置の構成
例である。
例である。
半同軸共振器内導体１の同軸開放端付近に固定された誘
電体２を介してトランジスタ３のベース電極４が接続固
定されている。
電体２を介してトランジスタ３のベース電極４が接続固
定されている。
発振出力型力負は荷結合ループ５によって出力接栓６か
ら得られる。
ら得られる。
７及び８はトランジスタ３、半同軸共振器とともに発振
回路を形成する連爆回路素子を示し、９はトランジスタ
３を駆動するためのバイアス回路である。
回路を形成する連爆回路素子を示し、９はトランジスタ
３を駆動するためのバイアス回路である。
発振器内導体１とベース電極４間の結合の疎密に対向す
る面積と両者間の距離及び誘電体２の誘電率によって決
まる。
る面積と両者間の距離及び誘電体２の誘電率によって決
まる。
共振器内導体１とベース電極４間の距離はつなわち誘電
体２の厚さである。
体２の厚さである。
対向する面積が広い程、もしくは誘電体２の厚さが薄い
程或いは誘電体２の誘電率の高い結合は密になる。
程或いは誘電体２の誘電率の高い結合は密になる。
従って対向面積、誘電率を一定にすることにより、誘電
体２の厚さで結合量の設定が可能である。
体２の厚さで結合量の設定が可能である。
一般に誘電体の比誘電率は１より大きいから同じ結合量
でも空中に配列した場合より共振器内導体１とベース電
極４の距離は長くなる。
でも空中に配列した場合より共振器内導体１とベース電
極４の距離は長くなる。
前述の如く結合が密になる程発振周波数が低下するので
誘電体２の部分に共振器の素材である金属に比較して線
膨張率の大きい誘電体を使用すれば発振周波数の温度特
性に対する補償作用が得られる。
誘電体２の部分に共振器の素材である金属に比較して線
膨張率の大きい誘電体を使用すれば発振周波数の温度特
性に対する補償作用が得られる。
即ち高温になれば通常発振周波数が低下する方向である
が、誘電体２の線膨張率が共振器に比較して大きいため
結合が疎になり発振周波数を上昇させる方向となる。
が、誘電体２の線膨張率が共振器に比較して大きいため
結合が疎になり発振周波数を上昇させる方向となる。
従って誘電体２に発振周波数の持つ負の温度係数を相殺
する様な膨張率の誘電体を使用すればきわめて発振周波
数温度特性の良好な発振装置が実現できる。
する様な膨張率の誘電体を使用すればきわめて発振周波
数温度特性の良好な発振装置が実現できる。
第２図に於いてａは半同軸共振器内導体１とトランジス
タ３のベース電極４を空中に配置して別個に固定した場
合、ｂは本考案を実施して線膨張率の適当な値を有する
誘電体たとえばテフロン、セラミック２を介して固定し
た場合の周波温度に対する発振周波数の偏差をそれぞれ
示している。
タ３のベース電極４を空中に配置して別個に固定した場
合、ｂは本考案を実施して線膨張率の適当な値を有する
誘電体たとえばテフロン、セラミック２を介して固定し
た場合の周波温度に対する発振周波数の偏差をそれぞれ
示している。
第２図ａ、 ｂの比較に見られる様に過剰補償の特性を
得ることも可能である。
得ることも可能である。
第１図は本考案による半同軸共振器制御発振装置の一実
施例の構成国、第２図ａは従来型の半同軸共振器制御発
振装置の発振周波数の温度特性、ｂは本考案実施例の場
合の発振周波数の温度特性比較である。 なお、図において、１は半同軸共振器内導体、２は誘電
体、３はトランジスタ、４はベース電極、５は負荷結合
ループ、６は出力接栓、７，８は発振回路の連爆素子、
９はトランジスタのバイアス回路である。
施例の構成国、第２図ａは従来型の半同軸共振器制御発
振装置の発振周波数の温度特性、ｂは本考案実施例の場
合の発振周波数の温度特性比較である。 なお、図において、１は半同軸共振器内導体、２は誘電
体、３はトランジスタ、４はベース電極、５は負荷結合
ループ、６は出力接栓、７，８は発振回路の連爆素子、
９はトランジスタのバイアス回路である。
Claims (1)
- 発振用能動素子と半同軸共振器とで構成される半同軸共
振器制御発振装置において、前記発振用能動素子と前記
半同軸共振器の内部導体との間を誘電体により固定して
接続した半同軸共振器制御発振装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1513879U JPS6029213Y2 (ja) | 1979-02-08 | 1979-02-08 | 半同軸共振器制御発振装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1513879U JPS6029213Y2 (ja) | 1979-02-08 | 1979-02-08 | 半同軸共振器制御発振装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55115109U JPS55115109U (ja) | 1980-08-14 |
| JPS6029213Y2 true JPS6029213Y2 (ja) | 1985-09-04 |
Family
ID=28836309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1513879U Expired JPS6029213Y2 (ja) | 1979-02-08 | 1979-02-08 | 半同軸共振器制御発振装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6029213Y2 (ja) |
-
1979
- 1979-02-08 JP JP1513879U patent/JPS6029213Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55115109U (ja) | 1980-08-14 |
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