JPS639203A

JPS639203A - マイクロ波発振器

Info

Publication number: JPS639203A
Application number: JP15164786A
Authority: JP
Inventors: Takumi Inomata; 猪又　巧; Shinichi Inoue; 真一井上
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1986-06-30
Filing date: 1986-06-30
Publication date: 1988-01-14

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔北門の目的］（産業上の利用分野）本発明は誘電体共振器を用いたマイクロ波光振器（こ関
する。

（従来の技術）従来、この種の発振器は例えば第５図（ａ）。

（ｂ）に示すようにシールドケース５１とこのケース５
１の蓋５２を有し、基板５３−Ｌに誘電体共振器５４を
支持用誘電体５５を介して取イ」（プ、基板５３上に−
［２誘電体共振器５４と磁界結合する各ストリップ線路
５６．５７を形成し、一方のストリップ線路５６の一端
お、よび他端に発振用のマイクロ波半導体素子５８およ
び終端器　５９をそ。

れぞれ接続し、他方のストリップ線路５７の一端に出力
端子６０を接続して構成されていた。そして、誘電体共
振器５４と各ストリップ線路５６゜５７との距離で決ま
る磁界結合強度、）ｊよびマイク［１波半導体素子５８
から５ストリップ線路５６１〕の＠電体共振器５４の磁
界結合点までの距離を半導体素子５８の負性抵抗特性に
即して１１振条件を満足するＪ：う適正に設定すると、
誘電体共振器５４の共振周波数で発振動作し、発振出力
を出力端子６０から取出すことができる。なお、終端器
５９は発振動作を安定化させるために使用されるもので
ある。

ところが、上記発振器ではＭ５２を発振回路の調整後に
機械的に例えばネジ化めするため、シールドケース５１
と蓋５２間の確実な気密性が期待できず、この気密性が
保持されない場合には誘電体共振器５４が湿度変化の影
響を受け、共振角波数すなわち発振周波数が大きく変動
するという問題点があった。そこで、湿度に影響されな
いようにするため、例えばケース５１と蓋５２問および
コネクタ部を半田付けして完全な気密構造にする方法が
考えられるが、半田付けによる加熱の際にケース５１内
の部品に熱的ダメージを与えないようにしな（）ればな
らず、これが困難であった。また、半田付けした後何ら
かの不具合が発生しても、容易にケース５１内の部品の
チェックまたは交換などができないという不都合があっ
た。

（弁明が解決しようとする問題点）このように、従来の発振器においては、シールドケース
と蓋間の確実な気密性が期待できず、誘電体共振器が湿
度変化の影響を受（プ、共振周波数が大きく変動すると
いう問題点があった。また、気密性を保持するためにシ
ールドケースと蓋間の半田付けを行う場合には、シール
ドケース内の部品に熱的ダメージを与えないようにする
ことが困難であった。また、半田付けした後にはシール
ドケース内の部品のチェックおよび交換などか困難であ
るという不都合があった。

そこで、本弁明は湿度変化の影響を受りにくく、また、
共振回路のチェックおよび交換が容易に行え、しかも発
振周波数の周整が簡単なマイクロ波発振器を提供するこ
とを目的とする。

〔発明の構成］（問題点を解決するための手段）本発明のマイクロ波発振器は、誘電体共振器および該誘
電体共振器と磁界結合する複数のストリップ線路からな
る共振回路を気密容器の内部に封止し、上記複数のスト
リップ線路にそれぞれ接続された各端子ピンを上記気密
容器を介して外部に導出し、上記各端子ピンを該気密容
器外部のマイクロ半導体素子を具えた回路に接続するよ
うにしている。

（作　用）本発明によれば、共振回路を気密容器内部に封入したた
め、誘電体共振器が湿度変化の影響を受けず、共振周波
数が変動するようなことがない。

（実施例）以下、本発明の実施例を添付図面を参照して詳細に説明
する。

第１図は本発明のマイクロ波発振器の一実施例を示して
おり、シールドケース１の内部に固定された基板２上に
ストリップ線路３およびストリップ線路４を形成し、一
方のストリップ線路３の一端にマイクロ波半導体素子５
を接続し、他方のストリップ線路４の一端に発振出力端
子６をシールＦｌ− ドケース１の孔７を介して接続している。また、上記各
ストリップ線路３および４には気密容器８から導出され
た端子ピン９および端子ピン１０がシールドケース１の
孔１１および孔１２を介して接続されており、各端子ピ
ン９，１０は基板２と同一面上で各ストリップ線路３，
４に直交するような方向にされている。抑え金具１３は
第２図に示すような形状であり、各長形孔２１にシール
ドケース１に螺着された各ネジ１４を貫通させることに
よって支持され、円形孔２２に挿入された円柱形の気密
容器８の縁部を押圧して気密容器８をシールドケース１
の壁面に圧接させている。

第３図（ａ）は第１図に示した気密容器８の線Ａ−Ａ’
による断面を示し、第３図（ｂ）は同図＜ａ）に示した
気密容器８のｌ１Ｂ−Ｂ’　による断面を示し、第３図
（Ｃ）は同図（ａ）に示した気密容器８の線ｃ−ｃ’に
よる断面を示している。

この気密容器８はシェル３１とステム３２を互いに固着
して形成され、ステム３２の上面に円板形の基板３３が
固定されている。この基板３３上には誘電体共振器３４
が支持用誘電体３５を介して取付けられるとともに、誘
電体共振器３４と磁界結合するストリップ線路３６およ
びストリップ線路３７が形成されている。すなわち、気
密容器８の内部には誘電体ノζ振器３４および各ストリ
ップ線路３６．３７からなる共振回路が封入されている
。そして、ストリップ線路３６の一端には終端器３８が
接続され、他端にはステム３２を介して外部に導出され
る端子ピン９が接続されている。

また、ストリップ線路３７の一端にはステム３２を介し
て外部に導出される端子ピン１０が接続されている。

したがって、マイクロ波半導体素子５はストリップ線路
３→端子ピン９→ストリツプ線路３６へと接続されてお
り、上記共振回路が共振し、その共振周波数の発振信号
がストリップ線路３７→端子ピン１０→ストリツプ線路
４→発振出力端子６へと伝送されて、発振出力端子６か
ら発振信号が取出される。

このように誘電体共振器３４および各ストリップ線路３
６．３７からなる共振回路が気密容器８の内部に封入さ
れているので、誘電体共振器３／Ｉが湿度変化の影響を
受けるようなことがない。

ところで、特定の共振周波数で発振条件を満足するため
には、マイクロ波半導体素子５からストリップ線路３６
の磁界結合点までの距離を該半導体素子５の負性抵抗特
性に即して適正に設定しなければならない。しかして、
気密容器８の抑え金具１３が各長形孔２１を貫通する各
ネジ１４によって支持されているため、気密容器８を抑
え金具１３とともに左右に移行して端子ピン９のストリ
ップ線路３への接続位置を変更することが可能であり、
よってマイクロ波半導体素子５と端子ピン９間の距離」
を変更して上記マイクロ波半導体素子５と共振回路との
距離の適正な設定を容易に行うことができる。また、共
振回路を種々の共振周波数に応じてそれぞれ用意し、こ
れらの共振回路を予め各気密容器の内部に封入してお【
づば、共振回路の交換およびマイクロ波半導体素子５と
の距離の適正な設定によって発振周波数の変更を簡単に
行うことができる。

第４図は共振回路の他の例を示しており、第３図に示し
た共振回路に＠電体共振器３４と磁界結合するストリッ
プ線路４１、スｉ・リップ線路４１に接続された可変容
量ダイオード４２、電圧端子４３、ストリップ線路４１
と電圧印加端子４３を接続するバイアス線路４４と設け
て構成される。

この共振回路における電圧端子４３からは制御電圧がバ
イアス線路４４を介して可変容量ダイオード４２に加え
られており、この制御電圧に応じてタイオード４２の容
量が変化する。これにより、共振回路の共振周波数が変
化し、この結束ストリップ線路３７から取出される発振
信号の周波数が変化する。すなわち、電圧端子４３の制
御電圧に応じて発振信号の周波数が変わる電圧制御発振
機能を共振回路に付加することも容易である。。

（発明の効果）以上説明したように本発明によれば、共振回路を気密容
器の内部に封入したため、誘電体共振器が湿度変化の影
響を受けず、共振周波数が変動するようなことがない。

また、共振回路が封入された気密容器を着脱することに
より、共振回路のチェックおよび交換を容易に行うこと
ができる。さらに、マイクロ波半導体素子から共振回路
への距離を変更することにより、発振周波数の調整を簡
単に行うことできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のマイクロ波発振器の一実施例を示す図
、第２図は第１図に示した実施２例における抑え金具を
示す平面図、第３図（ａ）は第１図に示した実施例にお
ける共振回路を封入した気密容器の線Ａ−Ａ’による断
面図、第３図（ｂ）は同図（ａ）に示した共振回路を封
入した気密容器の線Ｂ−８’による断面図、第３図（砧
番ま同図（ａ）に示した共振回路を封入した気密容器の
線ｃ−ｃ’による断面図、第４図は本北門のマイクロ波
発振器における共振回路の他の例を示す図、第５図（ａ
）は従来のマイクロ波発振器を示す図、第５図（ｂ）は
同図（ａ）におｔづる線Ａ−Ａ′による断面図である。１・・・シールドケース、２・・・基板、３，４・・・
ストリップ線、５・・・マイクロ波半導体素子、６・・
・発振出力端子、８・・・気密容器、９，１０・・・端
子ピン、１３・・・抑え金具、１４・・・ネジ、３１・
・・シェル、３２・・・ステム、３３・・・基板、３４
・・・誘導体共振器、３５・・・支持用誘電体、３６．
３７・・・ストリップ線路、３８・・・終端器、４１・
・・ストリップ線路、／１２・・・可変容量ダイオード
、４３・・・電圧端子、４’ｌ・・・バイアス線路。イ（埋入弁理士　則近憲ｆｆ７同　　　山王　− 第３図第２図第４図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）誘電体共振器および該誘電体共振器と磁界結合す
る複数のストリップ線路からなる共振回路にマイクロ波
半導体素子を結合させ、上記共振回路から、共振周波数
の発振信号を出力するマイクロ波発振器において、上記
共振回路を気密容器の内部に封入し、上記複数のストリ
ップ線路にそれぞれ接続された各端子ピンを上記気密容
器を介して外部に導出し、上記各端子ピンを該気密容器
外部の半導体素子を含む回路に接続するようにしたこと
を特徴とするマイクロ波発振器。
（２）上記マイクロ波半導体素子から上記端子ピンまで
の距離を変更し、発振条件の調整が可能となるようにし
たことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のマ
イクロ波発振器。