JPS6134744Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案はマイクロ波帯発振器に関する。

一般に、マイクロ波帯発振器として、誘電体共
振器をトランジスタと結合させる形式の小型且つ
軽量のトランジスタ発振器が知られている。この
種のトランジスタ発振器においては、発振周波数
が8GHz以上になると、発振器を構成する素子の
浮遊インダクタンス及び寄生容量の影響が大きく
なつて、トランジスタと誘電体共振器との結合状
態の調整が非常に困難になる。このため、スプリ
アス発振や雑音増加等を招くことがある。

本考案の目的はこれらの欠点を除去し、特に、
8GHz以上の超高周波帯において有効なマイクロ
波帯発振器を提供することである。

本考案によれば、誘電体共振器にトランジスタ
の一部のみをも覆えるように、一直線状のスリツ
トを設け、そのスリツトに沿つて摺動させること
ができるから、誘電体共振器とトランジスタとの
電気的結合度を精密且つ連続的に制御することが
できる。よつて、誘電体共振器とトランジスタと
の間の結合を密にすることにより、トランジスタ
のリード、線路等の浮遊インダクタンス、寄生容
量の影響を軽減したマイクロ波帯発振器が得られ
る。具体的に言えば、本考案では、トランジスタ
を覆うように誘電体共振器を配置した構成を有す
るマイクロ波帯発振器が得られる。

しかも、スリツト内にトランジスタの少なくと
も一部を嵌装することにより、振動等による誘電
体共振器自体のズレを防ぐことができるから、ト
ランジスタの平担面上に単に誘電体共振器を固定
させた場合に比べ、より高い耐振性を得ることが
できる。

以下、図面を参照して、本考案を説明する。

第１図及び第２図を参照すると、本考案の一実
施例に係るマイクロ波帯発振器はマイクロ波帯発
振用トランジスタ１０、入力ストリツプ線路１
１、及び出力ストリツプ線路１２とを備え、出力
信号は出力ストリツプ線路１２を通して取り出さ
れる。トランジスタ１０は入力ストリツプ線路１
１の一端にトランジスタ１０のリードを介して接
続されている。入力ストリツプ線路１１の他端に
は、直流ブロツク用コンデンサ１４を介して終端
器１５が接続されている。

この実施例では、トランジスタ１０と、入力ス
トリツプ線路１１との接続部の真上に誘電体共振
器１６が設置されており、トランジスタ１０の一
部はそのリードと共に誘電体共振器１６によつて
覆われている。したがつて、トランジスタ１０と
誘電体共振器１６とは、入力ストリツプ線路１１
のインダクタンス等の影響を受けることなく、直
接的に結合される。

第２図に示すように、トランジスタ１０は導電
性のサポート１７上に支持されており、他方、入
出力ストリツプ線路１１は絶縁性基板１８上に搭
載されている。絶縁性基板１８は導電性のサブキ
ヤリア１９に固定され、このサブキヤリア１９は
金属ケース上にサポート１７と共に固定されてい
る。金属ケース上には金属カバーが載置され、こ
れらケース及びカバーにより、ハウジング２０を
形成する。第１図及び第２図からも明らかな通
り、誘電体共振器１６のトランジスタ１０と対向
する側には、トランジスタ１０を収容するのに十
分な大きさの溝が設けられている。尚、トランジ
スタ１０の１つのリードには、外部からバイアス
電圧を加えるためのバイアス端子（図示せず）が
接続されている。

上に述べた実施例では、誘電体共振器１６とト
ランジスタ１０との間の間隔が短く、両者は電気
的に密に結合されている。発振周波数がより高く
なると、誘電体共振器１６を第１図及び第２図の
位置から左方向に変位させ、トランジスタ１０の
真上近くに位置付ける。これにより、誘電体共振
器１６とトランジスタ１０との結合をより密に
し、浮遊インダクタンス等の影響を最小限に留め
ることができる。この場合、誘電体共振器１６は
トランジスタ１０を完全に覆う状態で設置され
る。

いずれにしても、本考案に係る発振器では、誘
電体共振器１６がトランジスタ１０を少なくとも
一部において覆つていることがわかる。

第３図を参照すると、本考案で使用できる誘電
体共振器１６の一例が示されている。この共振器
１６は高さＬを有する円柱状の誘電体チツプ２１
からなり、チツプ２１の一端には、トランジスタ
１０を覆うことができる幅ｔを有するスリツト２
２が設けられている。このスリツト２２は円柱状
チツプ２１の中心軸を横切るように穿設されてお
り、且つ、チツプ２１の一端と他端との間に、中
間面を形成している。このようなスリツト２２を
設けることにより、トランジスタ１０をチツプ２
１で覆うことができると共にトランジスタ１０の
リードをスリツト２２を通して外部に引き出すこ
とがができる。ここで、誘電体チツプ２１の直径
Ｄは所望発振周波数に応じて決定され、スリツト
２２の幅ｔはトランジスタ１０の形状に応じて定
められる。本考案者の実験によれば、ε〓＝39の
誘電体を使用した場合、8GHzならば、Ｄ＝6.6
mm、Ｌ＝2.6mm、及びｔ＝４mmのチツプが適当で
あり、且つ、10GHzならば、Ｄ＝5.3mm、Ｌ＝2.1
mm、及びｔ＝４mmのチツプが適当であることが確
認された。

第４図を参照すると、本考案の他の実施例に係
る誘電体共振器１６は円柱状の誘電体チツプ２３
上に、チツプ２３より誘電率の小さな一対のサポ
ート２４を間隔を置いて配置し、これにより、両
サポート２４間にスリツト２５を形成している。

第３図及び第４図に示した誘電体共振器１６は
トランジスタ１０を覆つた状態で基板１７上に接
着又は上部からの圧着により固定される。

上に述べた実施例では、円柱状の誘電体チツプ
を用いた例について説明したが、本考案は何等こ
れに限定されることなく、種々の変形が可能であ
る。例えば、誘電体チツプは矩形形状を持つてい
てもよく、且つ、筒状のものでもよい。また、ト
ランジスタを収容するための誘電体共振器１６の
空間としては、スリツトに限定されることなく、
チツプに段差等を設けることによつても、同様の
効果を上げることができる。

以上説明したように、本考案による誘電体共振
器を用いることにより、周波数が高い場合でも、
トランジスタと誘電体共振器との結合が密にな
る。したがつて、従来実現困難とされていた周波
数8GHz以上でも容易に発振器を実現でき、本考
案の実用的効果は非常に大である。

また、本考案によれば、８〜12GHzの発振器20
mm、横20mm、高さ25mm程度の大きさにでき、小
型、軽量の発振器を構成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案による実施例を示す構成図、第
２図は第１図の２−２線に沿つて断面したときの
構造図、第３図は本考案による誘電体共振器の構
造図、及び第４図は本考案による別の誘電体共振
器の構造図である。 図において、１０……トランジスタ、１１……
入力ストリツプ線路、１２……出力ストリツプ線
路、１４……DCブロツクコンデンサ、１５……
終端器、１６……誘電体共振器、１７……サポー
ト、１８……絶縁性基板、１９……サブキヤリ
ア、２０……ハウジング。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. マイクロ波発振用トランジスタと、該トランジ
   スタに結合される誘電体共振器とを含むマイクロ
   波帯発振器において、前記トランジスタを収納で
   きる大きさのスリツトを前記誘電体共振器に一直
   線状に設け、該スリツトに沿つて前記誘電体共振
   器を摺動させることにより前記トランジスタとの
   結合度を制御することができることを特徴とする
   マイクロ数帯発振器。