JPH0265267A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
- Publication number
- JPH0265267A JPH0265267A JP21791488A JP21791488A JPH0265267A JP H0265267 A JPH0265267 A JP H0265267A JP 21791488 A JP21791488 A JP 21791488A JP 21791488 A JP21791488 A JP 21791488A JP H0265267 A JPH0265267 A JP H0265267A
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- JP
- Japan
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- pattern
- electrode
- emitter
- inductance
- dielectric film
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は混成集積回路装置に関し、特に高周波帯で用い
られる混成集積回路装置に関する。
られる混成集積回路装置に関する。
従来、混成集積回路装置において、第2図に示すような
エミッタ抵抗帰還型l・ランジスタ増幅回路を構成する
場合、トランジスタのエミッタ電極部に直列に配置され
た抵抗と、互いに並列接続されたインダクタンスとコン
デンサとの共振回路とを直列に配置する構造として、2
つの構造が提案されている。第1の構造としては、イン
ダクタンスパターンと並列に積層セラミックコンデンサ
等を配置できるようにするものである。また、第2の構
造としては、インダクタンスパターンの裏面にメタライ
ズパターンを配置するものである。
エミッタ抵抗帰還型l・ランジスタ増幅回路を構成する
場合、トランジスタのエミッタ電極部に直列に配置され
た抵抗と、互いに並列接続されたインダクタンスとコン
デンサとの共振回路とを直列に配置する構造として、2
つの構造が提案されている。第1の構造としては、イン
ダクタンスパターンと並列に積層セラミックコンデンサ
等を配置できるようにするものである。また、第2の構
造としては、インダクタンスパターンの裏面にメタライ
ズパターンを配置するものである。
しかしながら、前記第1の構造はインダクタンスパター
ンと積層セラミックコンデンザが並列に配置される構造
であるため、物理的にある一定の距離を必要とし、した
がってパターンのリードインダクタンス分によりコンデ
ンサと直列にインダクタンスが形成され、共振回路の共
振点がずれ°ζ所望の共振特性が得にくいという問題が
ある。
ンと積層セラミックコンデンザが並列に配置される構造
であるため、物理的にある一定の距離を必要とし、した
がってパターンのリードインダクタンス分によりコンデ
ンサと直列にインダクタンスが形成され、共振回路の共
振点がずれ°ζ所望の共振特性が得にくいという問題が
ある。
第2の構造は、インダクタンスパターンに対面する部分
にしか容量を形成することができないため、小面積で数
pF程度の小容量しか得られず、所望の共振回路が得に
くいという問題がある。
にしか容量を形成することができないため、小面積で数
pF程度の小容量しか得られず、所望の共振回路が得に
くいという問題がある。
本発明は大きな容量を得るとともに、所望の共振特性を
得ることができる混成集積回路を提供することを目的と
する。
得ることができる混成集積回路を提供することを目的と
する。
本発明の混成集積回路は、エミッタ抵抗帰還型トランジ
スタ増幅回路を構成する1〜ランジスタのエミッタ電極
に近接した絶縁基板」二にインダクタンスパターンを形
成し、このインダクタンスパターンの一端とエミッタ電
極との間にエミッタ抵抗膜を接続する一方、インダクタ
ンスパターン上に誘電体膜を形成し、かつこの上にイン
ダクタンスパターンの他端と共に一端が接地電極パター
ンに接続される上部電極を形成してLC並列共振回路を
構成している。
スタ増幅回路を構成する1〜ランジスタのエミッタ電極
に近接した絶縁基板」二にインダクタンスパターンを形
成し、このインダクタンスパターンの一端とエミッタ電
極との間にエミッタ抵抗膜を接続する一方、インダクタ
ンスパターン上に誘電体膜を形成し、かつこの上にイン
ダクタンスパターンの他端と共に一端が接地電極パター
ンに接続される上部電極を形成してLC並列共振回路を
構成している。
〔作用]
上述した構成では、インダクタンスパターン。
誘電体膜、及び上部電極でインダクタンスと並列のコン
デンサを構成し、そのり−ISインダクタンスを低減す
る一方で、大面積のコンデンサを構成して容量の増大を
可能とする。
デンサを構成し、そのり−ISインダクタンスを低減す
る一方で、大面積のコンデンサを構成して容量の増大を
可能とする。
〔実施例]
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例における表面パターンを示し
、第2図は第1図の等価回路である。
、第2図は第1図の等価回路である。
これらの図において、1はエミッタ抵抗帰還型トランジ
スタ増幅器を構成するトランジスタであり、そのコレク
タ、ベース、エミッタは絶縁基板上に形成したコレクタ
電極IC,ベース電極IB。
スタ増幅器を構成するトランジスタであり、そのコレク
タ、ベース、エミッタは絶縁基板上に形成したコレクタ
電極IC,ベース電極IB。
エミッタ電極IEに接続される。前記エミッタ電極IE
に近接してインダクタンスパターン3が形成され、この
エミッタ電極IEとインダクタンスパターン3の一端と
の間にエミッタ膜抵抗体2が接続される。また、前記イ
ンダクタンスパターン3の他端は接地電極パターン6に
接続される。そして、インダクタンスパターン3の上に
所要の面積、厚さ及び誘電率の誘電体膜5を形成し、こ
の誘電体膜5の上側でかつ前記接地電極パターン6の一
部とコンタク)4aで接続される上部電極4を形成して
いる。この上部電極4は、前記誘電体膜5とインダクタ
ンスパターン3とで厚膜コンデンサを構成している。
に近接してインダクタンスパターン3が形成され、この
エミッタ電極IEとインダクタンスパターン3の一端と
の間にエミッタ膜抵抗体2が接続される。また、前記イ
ンダクタンスパターン3の他端は接地電極パターン6に
接続される。そして、インダクタンスパターン3の上に
所要の面積、厚さ及び誘電率の誘電体膜5を形成し、こ
の誘電体膜5の上側でかつ前記接地電極パターン6の一
部とコンタク)4aで接続される上部電極4を形成して
いる。この上部電極4は、前記誘電体膜5とインダクタ
ンスパターン3とで厚膜コンデンサを構成している。
この構成により、第2図の等価回路のように、トランジ
スタ1のエミッタにエミッタ抵抗2を接続し、更にこれ
と直列にインダクタンス3とコンデンサ4(5)からな
るLC並列共振回路を接続した回路が構成されることに
なる。
スタ1のエミッタにエミッタ抵抗2を接続し、更にこれ
と直列にインダクタンス3とコンデンサ4(5)からな
るLC並列共振回路を接続した回路が構成されることに
なる。
したがって、この構成では、インダクタンスパターン3
.誘電体膜5及び上部電極4で構成される厚膜コンデン
サは、インダクタンスパターン3のパターン上に形成さ
れるため、そのリードインダクタンス分を小さくでき、
共振特性の設計の安定化を図ることができる。また、上
部電極4によりコンデンサの電極面積を大型化でき、容
量を大きなものにできる。
.誘電体膜5及び上部電極4で構成される厚膜コンデン
サは、インダクタンスパターン3のパターン上に形成さ
れるため、そのリードインダクタンス分を小さくでき、
共振特性の設計の安定化を図ることができる。また、上
部電極4によりコンデンサの電極面積を大型化でき、容
量を大きなものにできる。
ここで、インダクタンスパターン3と誘電体膜5及び上
部電極4の上下関係は逆でも機能的には同様であること
は言うまでもない。
部電極4の上下関係は逆でも機能的には同様であること
は言うまでもない。
以上説明したように本発明は、エミッタ抵抗帰還型トラ
ンジスタ増幅回路を構成するトランジスタのエミッタ電
極に接続されるインダクタンスパターン上に誘電体膜を
形成し、更にこの上に上部電極を形成してLC並列共振
回路を構成しているので、インダクタンスパターン、誘
電体膜、及び上部電極で構成されるコンデンサのリード
インダクタンスを低減し、共振特性の設計の安定化を図
ることができる。また、コンデンサ部の電極面積の大型
化により、容量を増大することができる。
ンジスタ増幅回路を構成するトランジスタのエミッタ電
極に接続されるインダクタンスパターン上に誘電体膜を
形成し、更にこの上に上部電極を形成してLC並列共振
回路を構成しているので、インダクタンスパターン、誘
電体膜、及び上部電極で構成されるコンデンサのリード
インダクタンスを低減し、共振特性の設計の安定化を図
ることができる。また、コンデンサ部の電極面積の大型
化により、容量を増大することができる。
更に、コンデンサを厚膜構成としているため、外部に積
層セラミックコンデンサ等の部品を取付ける必要もなく
、資材費や工数を削減することもできる。
層セラミックコンデンサ等の部品を取付ける必要もなく
、資材費や工数を削減することもできる。
第1図は本発明の一実施例の表面パターン図、第2図は
その等価回路図である。 1・・・トランジスタ、IC・・・コレクタ電極、IB
・・・ベース電極、IE・・・エミッタ電極、2・・・
エミッタ抵抗、3・・・インダクタンスパターン、4・
・・上部電極、 5・・・誘電体膜、 6・・・接地電極パターン。
その等価回路図である。 1・・・トランジスタ、IC・・・コレクタ電極、IB
・・・ベース電極、IE・・・エミッタ電極、2・・・
エミッタ抵抗、3・・・インダクタンスパターン、4・
・・上部電極、 5・・・誘電体膜、 6・・・接地電極パターン。
Claims (1)
- 1.エミッタ抵抗帰還型トランジスタ増幅回路を構成す
るトランジスタのエミッタ電極に近接した絶縁基板上に
インダクタンスパターンを形成し、このインダクタンス
パターンの一端と前記エミッタ電極との間にエミッタ抵
抗膜を接続する一方、前記インダクタンスパターン上に
誘電体膜を形成し、更にこの上にインダクタンスパター
ンの他端と共にその一端が接地電極パターンに接続され
る上部電極を形成してLC並列共振回路を構成したこと
を特徴とする混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21791488A JPH0265267A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21791488A JPH0265267A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0265267A true JPH0265267A (ja) | 1990-03-05 |
Family
ID=16711723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21791488A Pending JPH0265267A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0265267A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5110752A (en) * | 1991-07-10 | 1992-05-05 | Industrial Technology Research Institute | Roughened polysilicon surface capacitor electrode plate for high denity dram |
US5378922A (en) * | 1992-09-30 | 1995-01-03 | Rockwell International Corporation | HBT with semiconductor ballasting |
WO2004030001A1 (de) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Ilfa Industrieelektronik Und Leiterplattenfertigu Ng Aller Art Gmbh | Hf-drossel |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP21791488A patent/JPH0265267A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5110752A (en) * | 1991-07-10 | 1992-05-05 | Industrial Technology Research Institute | Roughened polysilicon surface capacitor electrode plate for high denity dram |
US5378922A (en) * | 1992-09-30 | 1995-01-03 | Rockwell International Corporation | HBT with semiconductor ballasting |
WO2004030001A1 (de) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Ilfa Industrieelektronik Und Leiterplattenfertigu Ng Aller Art Gmbh | Hf-drossel |
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