JPH0321069Y2 - - Google Patents
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- JPH0321069Y2 JPH0321069Y2 JP1983063300U JP6330083U JPH0321069Y2 JP H0321069 Y2 JPH0321069 Y2 JP H0321069Y2 JP 1983063300 U JP1983063300 U JP 1983063300U JP 6330083 U JP6330083 U JP 6330083U JP H0321069 Y2 JPH0321069 Y2 JP H0321069Y2
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- piezoelectric ceramic
- electrode
- piezoelectric
- terminal
- oscillator
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 17
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は圧電セラミツク発振子に関するもの
である。
である。
各種電子機器の内蔵クロツク発生回路として多
用されている発振器は、第1図に示すように、利
得が1よりも大きい増幅器Aと帰還回路Fとから
なり、該帰還回路Fを通じて上記増幅器Aの出力
の一部を入力側に正帰還することによつて増幅器
Aの出力端子1から発振出力を得る構成になつて
いる。
用されている発振器は、第1図に示すように、利
得が1よりも大きい増幅器Aと帰還回路Fとから
なり、該帰還回路Fを通じて上記増幅器Aの出力
の一部を入力側に正帰還することによつて増幅器
Aの出力端子1から発振出力を得る構成になつて
いる。
従来、上記帰還回路Fに圧電発振素子を使用し
た圧電発振器としては、例えば第1図に示すよう
に、2端子型圧電共振子Xを圧電発振素子として
使用し、その電極2とアースとの間にコンデンサ
C1を、また電極3とアースとの間にコンデンサ
C2を夫々接続することによつて帰還回路Fを構
成し、2端子型圧電共振子Xがその共振周波数r
と反共振周波数aの間の周波数帯で誘導性を呈
し、上記帰還回路Fの等価回路が第2図に示すよ
うに、帰還回路Fの入力端子4と出力端子5との
間に2端子型圧電共振子Xの発振周波数における
抵抗分Reとリクタンス分Lが直列に接続される
と共に、上記入力端子4とアースとの間および出
力端子5とアースとの間にコンデンサC′2(=C2+
増幅器Aの出力容量)およびコンデンサC′1(C1+
増幅器Aの入力容量)が各々接続された回路構成
となることを利用して、一種のコルピツツ型発振
回路を構成するようにしたものが知られている。
た圧電発振器としては、例えば第1図に示すよう
に、2端子型圧電共振子Xを圧電発振素子として
使用し、その電極2とアースとの間にコンデンサ
C1を、また電極3とアースとの間にコンデンサ
C2を夫々接続することによつて帰還回路Fを構
成し、2端子型圧電共振子Xがその共振周波数r
と反共振周波数aの間の周波数帯で誘導性を呈
し、上記帰還回路Fの等価回路が第2図に示すよ
うに、帰還回路Fの入力端子4と出力端子5との
間に2端子型圧電共振子Xの発振周波数における
抵抗分Reとリクタンス分Lが直列に接続される
と共に、上記入力端子4とアースとの間および出
力端子5とアースとの間にコンデンサC′2(=C2+
増幅器Aの出力容量)およびコンデンサC′1(C1+
増幅器Aの入力容量)が各々接続された回路構成
となることを利用して、一種のコルピツツ型発振
回路を構成するようにしたものが知られている。
しかしながら、上記のように2端子型圧電共振
子Xを圧電素子として使用した場合、該2端子型
圧電共振子Xのほかに2個のコンデンサC1およ
びC2が必ず必要となり、帰還回路Fの部品点数
が増加すると共に、コンデンサC1,C2を外付け
するタイプになるので、全体が大型化して組込み
に不便であり製作コストも高くつくという欠点が
ある。
子Xを圧電素子として使用した場合、該2端子型
圧電共振子Xのほかに2個のコンデンサC1およ
びC2が必ず必要となり、帰還回路Fの部品点数
が増加すると共に、コンデンサC1,C2を外付け
するタイプになるので、全体が大型化して組込み
に不便であり製作コストも高くつくという欠点が
ある。
ところで、圧電発振器の圧電発振子として水晶
共振子を用いた場合、発振周波数−温度特性がか
なり優れているが、このような水晶共振子でもさ
らに向上させるには、コンデンサC1やC2として
適当な静電容量−温度特性をもつものを用いて、
いわゆる温度補償を行なう必要があり、調整コス
トが増加するという問題がある。
共振子を用いた場合、発振周波数−温度特性がか
なり優れているが、このような水晶共振子でもさ
らに向上させるには、コンデンサC1やC2として
適当な静電容量−温度特性をもつものを用いて、
いわゆる温度補償を行なう必要があり、調整コス
トが増加するという問題がある。
一方、圧電セラミツク共振子は安価であるが、
温度特性が悪いため、いままでは発振子としては
殆んど用いられていなかつた。
温度特性が悪いため、いままでは発振子としては
殆んど用いられていなかつた。
ところが、近年温度特性が優れた圧電セラミツ
ク共振子が開発されてきており、そこで水晶共振
子に代えてこの圧電セラミツク共振子を発振回路
に用いることが考えられた。
ク共振子が開発されてきており、そこで水晶共振
子に代えてこの圧電セラミツク共振子を発振回路
に用いることが考えられた。
しかし、圧電セラミツク共振子の温度特性が向
上したとしても、コンデンサC1,C2が外付けさ
れる構造であれば、圧電セラミツク共振子を発振
回路として実用化できるようにするためには、圧
電セラミツク共振子とコンデンサの温度特性を勘
案して発振周波数の変動が最小となるような対策
を講じなければならないという問題がある。
上したとしても、コンデンサC1,C2が外付けさ
れる構造であれば、圧電セラミツク共振子を発振
回路として実用化できるようにするためには、圧
電セラミツク共振子とコンデンサの温度特性を勘
案して発振周波数の変動が最小となるような対策
を講じなければならないという問題がある。
このような問題を解消するためには、コンデン
サC1やC2を圧電セラミツク共振子と同一材料で
作成してやればよく、発振周波数が従来の外付式
コンデンサを用いた場合に比し容易に安定にな
る。
サC1やC2を圧電セラミツク共振子と同一材料で
作成してやればよく、発振周波数が従来の外付式
コンデンサを用いた場合に比し容易に安定にな
る。
この事実にもとづき、コンデンサと圧電セラミ
ツク共振子を同一材料で作成した圧電セラミツク
発振子はすでに提案されており、圧電セラミツク
基板の一方の面に共通電極を形成すると共に、基
板の他方の面に、共通電極と対向する2つの分割
電極を形成し、一方分割電極と共通電極によつて
挾まれた部分の分極の向きと他方分割電極と共通
電極によつて挾まれた部分の分極の向きが互いに
逆向きとなるように前記基板を分極させた3端子
型圧電共振子によつて、2端子型圧電共振子とコ
ンデンサとからなる帰還回路と等価な帰還回路を
構成するようにしたものである。
ツク共振子を同一材料で作成した圧電セラミツク
発振子はすでに提案されており、圧電セラミツク
基板の一方の面に共通電極を形成すると共に、基
板の他方の面に、共通電極と対向する2つの分割
電極を形成し、一方分割電極と共通電極によつて
挾まれた部分の分極の向きと他方分割電極と共通
電極によつて挾まれた部分の分極の向きが互いに
逆向きとなるように前記基板を分極させた3端子
型圧電共振子によつて、2端子型圧電共振子とコ
ンデンサとからなる帰還回路と等価な帰還回路を
構成するようにしたものである。
ところで、一枚の圧電セラミツク基板に対して
逆方向の分極部分を形成するには、圧電セラミツ
ク基板に先ず一様の分極を施こした後、必要な電
極間に直接高圧電界を印加して、一様の上記方向
とは逆の方向に分極させねばならないので、分極
のための加工に手数を要し、コストアツプになる
という欠点がある。
逆方向の分極部分を形成するには、圧電セラミツ
ク基板に先ず一様の分極を施こした後、必要な電
極間に直接高圧電界を印加して、一様の上記方向
とは逆の方向に分極させねばならないので、分極
のための加工に手数を要し、コストアツプになる
という欠点がある。
この考案は上記のような欠点を解消するために
なされたものであり、コンデンサ等の外付部品を
取付ける必要がなく、温度補償も不要であり、し
かも分極に要する加工コストの低減をはかること
ができる圧電セラミツク発振子を提供することを
目的とする。
なされたものであり、コンデンサ等の外付部品を
取付ける必要がなく、温度補償も不要であり、し
かも分極に要する加工コストの低減をはかること
ができる圧電セラミツク発振子を提供することを
目的とする。
この考案は、厚み方向に分極された2枚の圧電
セラミツク基板を共通アース電極を挾んで分極方
向が同方向となるように積層して圧電基板積層体
を形成し、この圧電基板積層体の両主面のほぼ全
面に対向するように第1の振動電極及び第2の振
動電極を設けたコルピツツ型発振回路用圧電セラ
ミツク発振子において、上記圧電セラミツク発振
子の上記第1及び第2の振動電極で広がり、長さ
又は幅振動モードを励振させ、上記共通アース電
極と上記第1の振動電極で第1の容量部、上記共
通アース電極と上記第2の振動電極で第2の容量
部を構成することを特徴とする圧電セラミツク発
振子である。
セラミツク基板を共通アース電極を挾んで分極方
向が同方向となるように積層して圧電基板積層体
を形成し、この圧電基板積層体の両主面のほぼ全
面に対向するように第1の振動電極及び第2の振
動電極を設けたコルピツツ型発振回路用圧電セラ
ミツク発振子において、上記圧電セラミツク発振
子の上記第1及び第2の振動電極で広がり、長さ
又は幅振動モードを励振させ、上記共通アース電
極と上記第1の振動電極で第1の容量部、上記共
通アース電極と上記第2の振動電極で第2の容量
部を構成することを特徴とする圧電セラミツク発
振子である。
以下、この考案の実施例を添付図面の第3図乃
至第7図に基づいて説明する。
至第7図に基づいて説明する。
第3図に示すように、3端子型圧電セラミツク
発振子X′は、分極B方向が一様な二枚の圧電セ
ラミツク基板11と12を、分極B方向を同一に
した状態で対応面間にグランド電極13を挾んで
重ね合わせ、一方圧電セラミツク基板11の外面
に入力電極14と他方圧電セラミツク基板12の
外面に出力電極15を設けて形成し、例えば長
さ、幅、広がり振動モードのうち一つを用いるよ
うにしたものである。
発振子X′は、分極B方向が一様な二枚の圧電セ
ラミツク基板11と12を、分極B方向を同一に
した状態で対応面間にグランド電極13を挾んで
重ね合わせ、一方圧電セラミツク基板11の外面
に入力電極14と他方圧電セラミツク基板12の
外面に出力電極15を設けて形成し、例えば長
さ、幅、広がり振動モードのうち一つを用いるよ
うにしたものである。
第4図、第5図は上記圧電セラミツク発振子
X′におけるグランド電極13の具体的な引出し
の例を示し、何れも入力電極14の側縁における
中間部に切欠部分16を設け、グランド電極13
の引出電極17を一方基板11の端縁から切欠部
16内に引出すようにしたものである。
X′におけるグランド電極13の具体的な引出し
の例を示し、何れも入力電極14の側縁における
中間部に切欠部分16を設け、グランド電極13
の引出電極17を一方基板11の端縁から切欠部
16内に引出すようにしたものである。
第4図は圧電セラミツク基板11,12が正方
形の広がり振動モードを利用する例、第5図は同
じく長方形に形成され、長さまたは幅振動モード
を利用した場合を示しており、グランド電極13
の引出電極17は何れの場合も、振幅の最も小さ
い基板の中央位置に設けられているので、発振周
波数に何ら支障を与えることはない。
形の広がり振動モードを利用する例、第5図は同
じく長方形に形成され、長さまたは幅振動モード
を利用した場合を示しており、グランド電極13
の引出電極17は何れの場合も、振幅の最も小さ
い基板の中央位置に設けられているので、発振周
波数に何ら支障を与えることはない。
なお、圧電セラミツク基板11,12は図示の
ような角形に限らず、円板を用いて径方向振動モ
ードを利用するようにしてもよい。
ような角形に限らず、円板を用いて径方向振動モ
ードを利用するようにしてもよい。
3端子型圧電セラミツク発振子X′を上記のよ
うな構成とすれば、第6図に示すような等価回路
を得ることができる。
うな構成とすれば、第6図に示すような等価回路
を得ることができる。
第6図において、グランド電極端子13aと入
力電極端子14aとの間に接続されたコンデンサ
Cabはグランド電極13と入力電極14との間の
静電容量、グランド電極端子13aと出力電極端
子15aとの間に接続されたコンデンサCacはグ
ランド電極13と出力電極15との間の静電容
量、入力電極端子14aと出力電極端子15aと
の間に接続されたコンデンサCbcは入力電極14
と出力電極15との間の静電容量である。
力電極端子14aとの間に接続されたコンデンサ
Cabはグランド電極13と入力電極14との間の
静電容量、グランド電極端子13aと出力電極端
子15aとの間に接続されたコンデンサCacはグ
ランド電極13と出力電極15との間の静電容
量、入力電極端子14aと出力電極端子15aと
の間に接続されたコンデンサCbcは入力電極14
と出力電極15との間の静電容量である。
一方、R0,L0およびC0は、上記出力電極端子
15aとグランド電極端子13aを短絡して入力
電極端子14aとグランド電極端子13aを両端
子とする2端子型圧電セラミツク共振子とみなし
た場合の電気的等価定数で、R0は等価抵抗、L0
は等価質量、C0は等価コンプライアンスであり、
これら等価抵抗R0、等価質量L0および等価コン
プライアンスC0は、入力電極端子14aと変成
比がnの理想変成器Tの巻線L1との間に直列に
接続されている。
15aとグランド電極端子13aを短絡して入力
電極端子14aとグランド電極端子13aを両端
子とする2端子型圧電セラミツク共振子とみなし
た場合の電気的等価定数で、R0は等価抵抗、L0
は等価質量、C0は等価コンプライアンスであり、
これら等価抵抗R0、等価質量L0および等価コン
プライアンスC0は、入力電極端子14aと変成
比がnの理想変成器Tの巻線L1との間に直列に
接続されている。
上記理想変成器Tは圧電セラミツク基板11,
12の電気−機械系のエネルギー変換を表わすも
のであつて、上記巻線L1の他端はグランド電極
端子13aに接続される一方、いま一つの巻線
L2が出力電極端子15aとグランド電極端子1
3aとの間に接続されている。
12の電気−機械系のエネルギー変換を表わすも
のであつて、上記巻線L1の他端はグランド電極
端子13aに接続される一方、いま一つの巻線
L2が出力電極端子15aとグランド電極端子1
3aとの間に接続されている。
上記理想変成器Tの変成比nは両圧電セラミツ
ク基板11と12の厚みによつて左右され、厚み
を揃えると変成比は1:1となるが、厚みの2倍
波がスプリアスとして励振しやすくなるので、両
基板11,12の厚みを変えることにより、厚み
スプリアスを抑圧することができる。
ク基板11と12の厚みによつて左右され、厚み
を揃えると変成比は1:1となるが、厚みの2倍
波がスプリアスとして励振しやすくなるので、両
基板11,12の厚みを変えることにより、厚み
スプリアスを抑圧することができる。
第6図の等価回路から明らかなように、等価抵
抗R0、等価質量L0、等価コンプライアンスC0お
よび静電容量Cbcからなる回路は、第1図の2端
子型圧電共振子Xの等価回路と同一となるため、
3端子型圧電共振子X′が第3図と等価となる周
波数が存在することになる。
抗R0、等価質量L0、等価コンプライアンスC0お
よび静電容量Cbcからなる回路は、第1図の2端
子型圧電共振子Xの等価回路と同一となるため、
3端子型圧電共振子X′が第3図と等価となる周
波数が存在することになる。
この場合、CabはC1に、CacはC2にそれぞれ対
応させることができ、第2図に示す帰還回路Fの
外付コンデンサC1およびC2は、静電容量Cabおよ
びCacで置換することができ、従つて第3図のよ
うに圧電セラミツク基板11,12を積層した3
端子型圧電共振子X′を圧電発振素子として使用
すれば、上記コンデンサC1およびC2を省略でき
ることがわかる。
応させることができ、第2図に示す帰還回路Fの
外付コンデンサC1およびC2は、静電容量Cabおよ
びCacで置換することができ、従つて第3図のよ
うに圧電セラミツク基板11,12を積層した3
端子型圧電共振子X′を圧電発振素子として使用
すれば、上記コンデンサC1およびC2を省略でき
ることがわかる。
上記3端子型圧電共振子X′を圧電発振素子と
して使用するには、第7図に示すように入出力電
極端子14aおよび15aを増幅器Aの入力側お
よび出力側に接続する一方、グランド電極端子1
3aを接地すればよく、このようにすれば上記静
電容量CabおよびCacが各3端子型圧電共振子
X′においてバラツキが規定の範囲に入つている
限り、各圧電発振器の発振周波数のバラツの範囲
も所定の範囲に納まり、発振周波数の調整作業を
省略することができる。
して使用するには、第7図に示すように入出力電
極端子14aおよび15aを増幅器Aの入力側お
よび出力側に接続する一方、グランド電極端子1
3aを接地すればよく、このようにすれば上記静
電容量CabおよびCacが各3端子型圧電共振子
X′においてバラツキが規定の範囲に入つている
限り、各圧電発振器の発振周波数のバラツの範囲
も所定の範囲に納まり、発振周波数の調整作業を
省略することができる。
なお、圧電セラミツク基板11と12の分極方
向は、第3図とは逆方向になるようにしてもよい
と共に、第7図において入力電極端子14aおよ
び出力電極端子15aとは逆に増幅器Aの出力側
および入力側に夫々接続するようにしてもよい。
向は、第3図とは逆方向になるようにしてもよい
と共に、第7図において入力電極端子14aおよ
び出力電極端子15aとは逆に増幅器Aの出力側
および入力側に夫々接続するようにしてもよい。
以上のように、この考案によると、分極方向が
一様な二つの圧電セラミツク基板を対応面間に共
通アース電極を挾んで重ね合わせ、一方基板の外
面に入力電極と他方基板の外面に出力電極を各々
設けるようにしたので、圧電セラミツク基板を用
い、従来のように外付けのコンデンサ等を使用せ
ずに、一個の3端子型圧電共振子によつて圧電発
振子を構成することができ、外付けコンデンサの
温度特性とのバラツキによる発振周波数のバラツ
キ発生がなく、従つて発振周波数の調整工程を省
略することができ、全体の小型化が可能になる。
一様な二つの圧電セラミツク基板を対応面間に共
通アース電極を挾んで重ね合わせ、一方基板の外
面に入力電極と他方基板の外面に出力電極を各々
設けるようにしたので、圧電セラミツク基板を用
い、従来のように外付けのコンデンサ等を使用せ
ずに、一個の3端子型圧電共振子によつて圧電発
振子を構成することができ、外付けコンデンサの
温度特性とのバラツキによる発振周波数のバラツ
キ発生がなく、従つて発振周波数の調整工程を省
略することができ、全体の小型化が可能になる。
また、分極方向が一様な二枚の圧電セラミツク
基板を積層するだけでよいので、分極工程が簡略
化でき、製作コストを削減することができる。
基板を積層するだけでよいので、分極工程が簡略
化でき、製作コストを削減することができる。
第1図は従来の圧電発振器の回路図、第2図は
同上における圧電発振器の帰還回路の等価回路
図、第3図はこの考案に係る圧電セラミツク発振
子の縦断面図、第4図と第5図は発振子の異なつ
た振動モードの例を示す斜視図、第6図は第3図
の圧電セラミツク発振子の等価回路図、第7図は
同上の回路図である。 11,12……圧電セラミツク基板、13……
グランド電極、13a……グランド電極端子、1
4……入力電極、14a……入力電極端子、15
……出力電極、15a……出力電極端子。
同上における圧電発振器の帰還回路の等価回路
図、第3図はこの考案に係る圧電セラミツク発振
子の縦断面図、第4図と第5図は発振子の異なつ
た振動モードの例を示す斜視図、第6図は第3図
の圧電セラミツク発振子の等価回路図、第7図は
同上の回路図である。 11,12……圧電セラミツク基板、13……
グランド電極、13a……グランド電極端子、1
4……入力電極、14a……入力電極端子、15
……出力電極、15a……出力電極端子。
Claims (1)
- 厚み方向に分極された2枚の圧電セラミツク基
板を共通アース電極を挾んで分極方向が同方向と
なるように積層して圧電基板積層体を形成し、こ
の圧電基板積層体の両主面のほぼ全面に対向する
ように第1の振動電極及び第2の振動電極を設け
たコルピツツ型発振回路用圧電セラミツク発振子
において、上記圧電セラミツク発振子の上記第1
及び第2の振動電極で広がり、長さ又は幅振動モ
ードを励振させ、上記共通アース電極と上記第1
の振動電極で第1の容量部、上記共通アース電極
と上記第2の振動電極で第2の容量部を構成する
ことを特徴とする圧電セラミツク発振子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6330083U JPS59169125U (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | 圧電セラミツク発振子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6330083U JPS59169125U (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | 圧電セラミツク発振子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59169125U JPS59169125U (ja) | 1984-11-12 |
JPH0321069Y2 true JPH0321069Y2 (ja) | 1991-05-08 |
Family
ID=30193498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6330083U Granted JPS59169125U (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | 圧電セラミツク発振子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59169125U (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5564135U (ja) * | 1970-02-06 | 1980-05-01 |
-
1983
- 1983-04-25 JP JP6330083U patent/JPS59169125U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59169125U (ja) | 1984-11-12 |
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