JPH09232825A - マイクロ波・ミリ波回路装置 - Google Patents
マイクロ波・ミリ波回路装置Info
- Publication number
- JPH09232825A JPH09232825A JP6023796A JP6023796A JPH09232825A JP H09232825 A JPH09232825 A JP H09232825A JP 6023796 A JP6023796 A JP 6023796A JP 6023796 A JP6023796 A JP 6023796A JP H09232825 A JPH09232825 A JP H09232825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric resonator
- microwave
- millimeter wave
- circuit device
- mmic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】小型で性能及び信頼性が高く、しかも低価格で
ある誘電体共振器搭載のマイクロ波・ミリ波回路装置を
提供する。 【解決手段】導電性基体８上に半導体基板１に形成され
たＭＭＩＣを固定する。そして、ＭＭＩＣの結合伝送線
路３上に誘電体共振器７が位置するように誘電体共振器
７を支持体１１を介して導電性基体８上に接着する。
ある誘電体共振器搭載のマイクロ波・ミリ波回路装置を
提供する。 【解決手段】導電性基体８上に半導体基板１に形成され
たＭＭＩＣを固定する。そして、ＭＭＩＣの結合伝送線
路３上に誘電体共振器７が位置するように誘電体共振器
７を支持体１１を介して導電性基体８上に接着する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は誘電体共振器と半導
体モノリシック集積回路とを用いたマイクロ波・ミリ波
回路装置に関するものである。
体モノリシック集積回路とを用いたマイクロ波・ミリ波
回路装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、マイクロ波及びミリ波の発振
器等には、発振周波数の安定化及び低位相雑音化を図る
ために誘電体共振器が装荷される。このような誘電体共
振器装荷発振器をモノリシック半導体集積回路（以下Ｍ
ＭＩＣと記す））を用いて製作するには、例えば図３
（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体基板３１上にト
ランジスタ、帰還回路、整合回路、バイアス回路等から
なる発振回路本体３２と、マイクロストリップ線路のよ
うな誘電体共振器３７との結合線路３３等が形成された
集積回路チップを、パッケージか或いはケースを成す導
電性基体３８に半田３９等を用いて固定して搭載し、誘
電体共振器３７を上記結合線路３３に結合するように、
上記半導体基板３１上に接着剤３０で固定していた。
器等には、発振周波数の安定化及び低位相雑音化を図る
ために誘電体共振器が装荷される。このような誘電体共
振器装荷発振器をモノリシック半導体集積回路（以下Ｍ
ＭＩＣと記す））を用いて製作するには、例えば図３
（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体基板３１上にト
ランジスタ、帰還回路、整合回路、バイアス回路等から
なる発振回路本体３２と、マイクロストリップ線路のよ
うな誘電体共振器３７との結合線路３３等が形成された
集積回路チップを、パッケージか或いはケースを成す導
電性基体３８に半田３９等を用いて固定して搭載し、誘
電体共振器３７を上記結合線路３３に結合するように、
上記半導体基板３１上に接着剤３０で固定していた。
【０００３】尚、３４は終端抵抗であり、ヴィアホール
３５を通じてＡｕメッキ等で形成された放熱体３６に電
気的に接続されて接地される。
３５を通じてＡｕメッキ等で形成された放熱体３６に電
気的に接続されて接地される。
【０００４】しかしながら、このようなＭＭＩＣ発振器
の場合、半導体基板３１は高価なＧａＡｓ半絶縁性基板
等が用いられるため、誘電体共振器３７が搭載される
分、チップサイズが大きくなり、コスト高になる欠点が
あった。
の場合、半導体基板３１は高価なＧａＡｓ半絶縁性基板
等が用いられるため、誘電体共振器３７が搭載される
分、チップサイズが大きくなり、コスト高になる欠点が
あった。
【０００５】また、誘電体共振器搭載共振回路チップと
発振器本体の回路チップとを別々に構成し、図４に示す
ように導電性基体４８上に、誘電体共振器搭載共振回路
チップ４０と発振回路本体である半導体モノリシック集
積回路チップ４２とをそれぞれ異なる基板上に形成し
て、組み合わせる構成を採用することもおこなわれてい
た。
発振器本体の回路チップとを別々に構成し、図４に示す
ように導電性基体４８上に、誘電体共振器搭載共振回路
チップ４０と発振回路本体である半導体モノリシック集
積回路チップ４２とをそれぞれ異なる基板上に形成し
て、組み合わせる構成を採用することもおこなわれてい
た。
【０００６】尚、誘電体共振器搭載共振回路チップ４０
は、例えば、安価なアルミナ基板４１上に結合伝送線路
４３が形成され、その上に誘電体共振器４７が載置した
構造となっている。
は、例えば、安価なアルミナ基板４１上に結合伝送線路
４３が形成され、その上に誘電体共振器４７が載置した
構造となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法では、上記誘電体共振器搭載共振回路チップ４０と
半導体モノリシック集積回路チップ４２とをボンディン
グワイヤ４９等で接続する必要があり、これによるイン
ダクタンスによって、ミリ波等の高い周波数において
は、設計の精度が確保できず、再現性が悪化し、しかも
組立や調整の手間が増えるという問題が生じていた。
方法では、上記誘電体共振器搭載共振回路チップ４０と
半導体モノリシック集積回路チップ４２とをボンディン
グワイヤ４９等で接続する必要があり、これによるイン
ダクタンスによって、ミリ波等の高い周波数において
は、設計の精度が確保できず、再現性が悪化し、しかも
組立や調整の手間が増えるという問題が生じていた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記に鑑みて成
されたもので、導電性基体上に誘電体共振器と該誘電体
共振器との結合線路を有する半導体モノリシック集積回
路とが載置されたマイクロ波・ミリ波回路装置であっ
て、上記誘電体共振器が直接か若しくは上記誘電体共振
器よりも低比誘電率の誘電体からなる支持部材を介して
上記導電性基体上に固定されているマイクロ波・ミリ波
回路装置を提供するものである。
されたもので、導電性基体上に誘電体共振器と該誘電体
共振器との結合線路を有する半導体モノリシック集積回
路とが載置されたマイクロ波・ミリ波回路装置であっ
て、上記誘電体共振器が直接か若しくは上記誘電体共振
器よりも低比誘電率の誘電体からなる支持部材を介して
上記導電性基体上に固定されているマイクロ波・ミリ波
回路装置を提供するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明を図面に基づいて
説明する。図１（ａ）、（ｂ）は、何れも本発明の第一
の実施形態におけるマイクロ波・ミリ波回路装置を示す
構成図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）はＡ−Ａ線を含
む要部縦断面図である。
説明する。図１（ａ）、（ｂ）は、何れも本発明の第一
の実施形態におけるマイクロ波・ミリ波回路装置を示す
構成図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）はＡ−Ａ線を含
む要部縦断面図である。
【００１０】図において、一方に発振回路本体２が形成
されると共に、該発振回路本体２と電気的に接続され、
一端に終端抵抗４が設けられた結合伝送線路３が形成さ
れた半導体基板１と放熱体６とからなるＭＭＩＣが半田
９を介してパッケージか或いはケースを成す導電性基体
８上に載置固定される。
されると共に、該発振回路本体２と電気的に接続され、
一端に終端抵抗４が設けられた結合伝送線路３が形成さ
れた半導体基板１と放熱体６とからなるＭＭＩＣが半田
９を介してパッケージか或いはケースを成す導電性基体
８上に載置固定される。
【００１１】また、上記導電性基体８上には誘電体共振
器７が支持体１１を介して接着剤１０にて支持固定さ
れ、且つ上記誘電体共振器７の一部が上記結合伝送線路
３上に位置するように構成する。尚、上記支持体１１は
上記誘電体共振器７よりも低比誘電率であり、低損失の
材料であることが望ましい。これによって、例えば、石
英板、サファイア板、アルミナ板、ガラス板、プラスチ
ック板等を用いることができる。
器７が支持体１１を介して接着剤１０にて支持固定さ
れ、且つ上記誘電体共振器７の一部が上記結合伝送線路
３上に位置するように構成する。尚、上記支持体１１は
上記誘電体共振器７よりも低比誘電率であり、低損失の
材料であることが望ましい。これによって、例えば、石
英板、サファイア板、アルミナ板、ガラス板、プラスチ
ック板等を用いることができる。
【００１２】このような構成を採用することによって、
本実施形態においては上記ＭＭＩＣの上記半導体基板１
の大きさを、上記誘電体共振器７の大きさに殆ど影響さ
れずに小さくすることができコストの低減が可能とな
る。また、上記誘電体共振器７をＧａＡｓ等の脆い上記
半導体基板１上ではなく、パッケージか或いはケースを
成す導電性基体８上に載置できるので信頼性が増大す
る。
本実施形態においては上記ＭＭＩＣの上記半導体基板１
の大きさを、上記誘電体共振器７の大きさに殆ど影響さ
れずに小さくすることができコストの低減が可能とな
る。また、上記誘電体共振器７をＧａＡｓ等の脆い上記
半導体基板１上ではなく、パッケージか或いはケースを
成す導電性基体８上に載置できるので信頼性が増大す
る。
【００１３】図２は本発明の第二の実施形態を示す縦断
面図であり、第一の実施形態における誘電体共振器７の
支持体１１を用いる代わりに誘電体共振器７が接着され
る部分の導電性基体８の厚みを略ＭＭＩＣのチップの厚
さ（半導体基板１の厚さと放熱体６の厚さの和）だけ高
くして、そこに誘電体共振器７を直接接着するものであ
る。
面図であり、第一の実施形態における誘電体共振器７の
支持体１１を用いる代わりに誘電体共振器７が接着され
る部分の導電性基体８の厚みを略ＭＭＩＣのチップの厚
さ（半導体基板１の厚さと放熱体６の厚さの和）だけ高
くして、そこに誘電体共振器７を直接接着するものであ
る。
【００１４】
【実施例】以下に本発明の第一の実施形態における具体
的な実施例を示す。これは６０ＧＨｚ帯誘電体共振発振
器における実施例であり、ＧａＡｓ基板上の０．１５μ
ｍゲートＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓヘテロ接合ＦＥＴ
を発振能動素子として用い、チップ幅Ｗ＝０．０５ｍ
ｍ、長さ２ｍｍの発振器本体２と誘電体共振器７との結
合伝送線路３を有するＭＭＩＣを製作した。
的な実施例を示す。これは６０ＧＨｚ帯誘電体共振発振
器における実施例であり、ＧａＡｓ基板上の０．１５μ
ｍゲートＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓヘテロ接合ＦＥＴ
を発振能動素子として用い、チップ幅Ｗ＝０．０５ｍ
ｍ、長さ２ｍｍの発振器本体２と誘電体共振器７との結
合伝送線路３を有するＭＭＩＣを製作した。
【００１５】ここで、ＧａＡｓ基板１は厚さｈ＝０．０
４ｍｍ、Ａｕメッキ放熱体６の厚さは０．０４ｍｍであ
る。そして、このＭＭＩＣチップをＡｕメッキケース８
の底部に半田９を用いて固定した。
４ｍｍ、Ａｕメッキ放熱体６の厚さは０．０４ｍｍであ
る。そして、このＭＭＩＣチップをＡｕメッキケース８
の底部に半田９を用いて固定した。
【００１６】一方、誘電体共振器７は、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔ
ａ）Ｏ3 のセラミックから成る直径１．３ｍｍ、高さ
０．５５ｍｍの円柱型であり、直径１．３ｍｍ、厚さ
０．１ｍｍの石英製の半円板の支持体１１を接着剤１０
で接着した。そして、この誘電体共振器７の端が結合伝
送線路３に結合するように図１のように誘電体共振器７
を設置して、支持体１１を上記Ａｕメッキケース８の底
部に接着剤１０で接着して発振器を製作した。
ａ）Ｏ3 のセラミックから成る直径１．３ｍｍ、高さ
０．５５ｍｍの円柱型であり、直径１．３ｍｍ、厚さ
０．１ｍｍの石英製の半円板の支持体１１を接着剤１０
で接着した。そして、この誘電体共振器７の端が結合伝
送線路３に結合するように図１のように誘電体共振器７
を設置して、支持体１１を上記Ａｕメッキケース８の底
部に接着剤１０で接着して発振器を製作した。
【００１７】この際、誘電体共振器７はＭＭＩＣチップ
とは直接は接しず、空間を介してＭＭＩＣの結合伝送線
路３に結合している。また、誘電体共振器７は低損失の
支持体１１によりＡｕメッキケース８からも支持体１１
の厚さだけ離れているので、負荷Ｑを高くできる。従っ
て、図３に示す従来例よりも位相雑音特性は良好で、し
かも、ＭＭＩＣのチップサイズは、従来例の２ｍｍ角の
ものと比較して１／４に小型化できた。
とは直接は接しず、空間を介してＭＭＩＣの結合伝送線
路３に結合している。また、誘電体共振器７は低損失の
支持体１１によりＡｕメッキケース８からも支持体１１
の厚さだけ離れているので、負荷Ｑを高くできる。従っ
て、図３に示す従来例よりも位相雑音特性は良好で、し
かも、ＭＭＩＣのチップサイズは、従来例の２ｍｍ角の
ものと比較して１／４に小型化できた。
【００１８】尚、誘電体共振器７の支持体の形状は上記
した半円板には限定されず、小さな多点支持体、誘電体
共振器７からはみ出すような四角板等、種々のものが使
用できる。
した半円板には限定されず、小さな多点支持体、誘電体
共振器７からはみ出すような四角板等、種々のものが使
用できる。
【００１９】次に、本発明の第二の実施形態の具体的な
実施例を示す。これは３０ＧＨｚ帯誘電体共振発振器に
おける実施例であり、誘電体共振器７が接着される場所
の導電性基体８の厚みを０．１ｍｍだけ高くして、そこ
に直径２．２ｍｍ、高さ１．４ｍｍの誘電体共振器７を
直接接着した。この場合、図３に示す従来例では、ＭＭ
ＩＣのチップサイズは、３ｍｍ角のものが必要であった
が、本実施例では、幅０．６ｍｍ、長さ３ｍｍと１／５
に縮小できた。
実施例を示す。これは３０ＧＨｚ帯誘電体共振発振器に
おける実施例であり、誘電体共振器７が接着される場所
の導電性基体８の厚みを０．１ｍｍだけ高くして、そこ
に直径２．２ｍｍ、高さ１．４ｍｍの誘電体共振器７を
直接接着した。この場合、図３に示す従来例では、ＭＭ
ＩＣのチップサイズは、３ｍｍ角のものが必要であった
が、本実施例では、幅０．６ｍｍ、長さ３ｍｍと１／５
に縮小できた。
【００２０】以上、本発明を実施形態に基づいて説明し
たが、本発明は上記した実施形態に限定されるものでは
なく、特許請求の範囲に記載した構成を変更しない限
り、どのようにでも実施できる。例えば、上記各実施形
態においては、誘電体共振器との結合線路として、マイ
クロストリップ線路を使用したが、本発明はこれに限定
されることはなく、コプレーナ線路等、種々のものが使
用できる。
たが、本発明は上記した実施形態に限定されるものでは
なく、特許請求の範囲に記載した構成を変更しない限
り、どのようにでも実施できる。例えば、上記各実施形
態においては、誘電体共振器との結合線路として、マイ
クロストリップ線路を使用したが、本発明はこれに限定
されることはなく、コプレーナ線路等、種々のものが使
用できる。
【００２１】また、放熱体も必要に応じて採用されるも
のであって、例えば、小電力のＭＭＩＣの場合は不要で
あり、接地導体と半田による固定用とを兼ねた金属膜が
半導体基板の下面に形成されているだけでも良い。
のであって、例えば、小電力のＭＭＩＣの場合は不要で
あり、接地導体と半田による固定用とを兼ねた金属膜が
半導体基板の下面に形成されているだけでも良い。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明におけるでき
るマイクロ波・ミリ波回路装置においては、半導体基板
の大きさを誘電体共振器の大きさに殆ど影響されずに小
さくすることができコストの低減が可能となる。また、
誘電体共振器をＧａＡｓ等の脆い半導体基板上ではな
く、パッケージか或いはケースを成す導電性基体上に載
置できるので信頼性が増大する等、多大な効果を奏す
る。
るマイクロ波・ミリ波回路装置においては、半導体基板
の大きさを誘電体共振器の大きさに殆ど影響されずに小
さくすることができコストの低減が可能となる。また、
誘電体共振器をＧａＡｓ等の脆い半導体基板上ではな
く、パッケージか或いはケースを成す導電性基体上に載
置できるので信頼性が増大する等、多大な効果を奏す
る。
【図１】（ａ）、（ｂ）は、何れも本発明の第一の実施
形態におけるマイクロ波・ミリ波回路装置を示してお
り、（ａ）は斜視図、（ｂ）はＡ−Ａ線を含む要部縦断
面図である。
形態におけるマイクロ波・ミリ波回路装置を示してお
り、（ａ）は斜視図、（ｂ）はＡ−Ａ線を含む要部縦断
面図である。
【図２】本発明の第二の実施形態におけるマイクロ波・
ミリ波回路装置を示す要部縦断面図である。
ミリ波回路装置を示す要部縦断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、何れも従来のマイクロ波・
ミリ波回路装置における誘電体共振器装荷モノリシック
発振器を示しており、（ａ）は斜視図、（ｂ）はＢ−Ｂ
線を含む要部縦断面図である。
ミリ波回路装置における誘電体共振器装荷モノリシック
発振器を示しており、（ａ）は斜視図、（ｂ）はＢ−Ｂ
線を含む要部縦断面図である。
【図４】従来の誘電体共振器搭載回路基板と半導体モノ
リシック集積回路とを用いたマイクロ波・ミリ波回路装
置を示す斜視図である。
リシック集積回路とを用いたマイクロ波・ミリ波回路装
置を示す斜視図である。
１ 半導体基板 ２ 発振回路本体 ３ 結合伝送線路 ４ 終端抵抗 ５ ヴィアホール ６ 放熱体 ７ 誘電体共振器 ８ 導電性基体 ９ 半田 １０ 接着剤 １１ 支持体
Claims (1)
- 【請求項１】 導電性基体上に誘電体共振器と該誘電体
共振器との結合線路を有する半導体モノリシック集積回
路とが載置されたマイクロ波・ミリ波回路装置であっ
て、 上記誘電体共振器が直接か若しくは上記誘電体共振器よ
りも低比誘電率の誘電体からなる支持部材を介して上記
導電性基体上に固定されていることを特徴とするマイク
ロ波・ミリ波回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6023796A JPH09232825A (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | マイクロ波・ミリ波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6023796A JPH09232825A (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | マイクロ波・ミリ波回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232825A true JPH09232825A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=13136373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6023796A Pending JPH09232825A (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | マイクロ波・ミリ波回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232825A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1184967A3 (en) * | 2000-07-11 | 2002-08-14 | Hitachi, Ltd. | RF oscillator apparatus and transceiver apparatus |
| US6842077B2 (en) | 1999-10-27 | 2005-01-11 | Nec Corporation | Voltage controlled oscillator for use in a phase locked loop |
| JP2008312112A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Hitachi Ltd | 誘電体共振器型発振器及びそれを用いたレーダシステム |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5553907A (en) * | 1978-10-17 | 1980-04-19 | Hitachi Ltd | Microwave oscillator |
| JPS5675705A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-23 | Fujitsu Ltd | Dielectric resonator |
| JPS61123203A (ja) * | 1984-11-02 | 1986-06-11 | Fujitsu Ltd | 誘電体共振器の実装方法 |
| JPH04326607A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発振回路 |
-
1996
- 1996-02-23 JP JP6023796A patent/JPH09232825A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5553907A (en) * | 1978-10-17 | 1980-04-19 | Hitachi Ltd | Microwave oscillator |
| JPS5675705A (en) * | 1979-11-26 | 1981-06-23 | Fujitsu Ltd | Dielectric resonator |
| JPS61123203A (ja) * | 1984-11-02 | 1986-06-11 | Fujitsu Ltd | 誘電体共振器の実装方法 |
| JPH04326607A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発振回路 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6842077B2 (en) | 1999-10-27 | 2005-01-11 | Nec Corporation | Voltage controlled oscillator for use in a phase locked loop |
| EP1184967A3 (en) * | 2000-07-11 | 2002-08-14 | Hitachi, Ltd. | RF oscillator apparatus and transceiver apparatus |
| JP2008312112A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Hitachi Ltd | 誘電体共振器型発振器及びそれを用いたレーダシステム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0858126A2 (en) | Monolithic antenna | |
| US20010020879A1 (en) | Millimeter wave module and radio apparatus | |
| JP2000278009A (ja) | マイクロ波・ミリ波回路装置 | |
| CN101142708A (zh) | 天线部件 | |
| US20030062963A1 (en) | Planar circuit | |
| JPH09321215A (ja) | マイクロ波回路用パッケージ | |
| JP5377096B2 (ja) | 高周波パッケージ装置およびその製造方法 | |
| US6204739B1 (en) | Dielectric resonant apparatus | |
| US20080074204A1 (en) | High-Frequency Oscillator Circuit and Transmitter-Receiver | |
| US7394334B2 (en) | Dielectric resonance apparatus, oscillation apparatus, and transmission/reception apparatus | |
| US6778041B2 (en) | Millimeter wave module and radio apparatus | |
| US4871983A (en) | Electronically tuned dielectric resonator stabilized oscillator | |
| EP0996188A2 (en) | Microwave-millimeter wave circuit apparatus and fabrication method thereof having a circulator or isolator | |
| JP2003204211A (ja) | マイクロ波・ミリ波回路装置 | |
| JPH09232825A (ja) | マイクロ波・ミリ波回路装置 | |
| US20020017663A1 (en) | Millimeter wave module and radio apparatus | |
| JP3914401B2 (ja) | 発振器、送受信モジュール、及びレーダ装置 | |
| US6384691B1 (en) | Millimeter wave low phase noise signal source module | |
| JP2002026655A (ja) | 発振装置および送受信装置ならびにその製造方法 | |
| JP3885826B2 (ja) | 誘電体共振器装置、発振器および送受信装置 | |
| JPH07193423A (ja) | モノリシック・アンテナ・モジュール | |
| US20070057738A1 (en) | Oscillator device and transmission and reception device | |
| JP3916988B2 (ja) | 高周波モジュール | |
| JP3183459B2 (ja) | マイクロ波・ミリ波回路装置 | |
| JP2691520B2 (ja) | マイクロ波・ミリ波回路装置およびその製造方法 |