JP2792243B2 - 高周波伝送線路 - Google Patents
高周波伝送線路Info
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- JP2792243B2 JP2792243B2 JP3013681A JP1368191A JP2792243B2 JP 2792243 B2 JP2792243 B2 JP 2792243B2 JP 3013681 A JP3013681 A JP 3013681A JP 1368191 A JP1368191 A JP 1368191A JP 2792243 B2 JP2792243 B2 JP 2792243B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波伝送線路に関す
る。具体的には、本発明は、モノリシックマイクロ波集
積回路において、回路特性に重要な影響を与える伝送線
路の特性インピーダンスを直流のバイアス電圧により制
御できるようにした高周波伝送線路に関する。
る。具体的には、本発明は、モノリシックマイクロ波集
積回路において、回路特性に重要な影響を与える伝送線
路の特性インピーダンスを直流のバイアス電圧により制
御できるようにした高周波伝送線路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７にマイクロストリップラインを有す
るモノリシックマイクロ波集積回路５１を示す。このマ
イクロ波集積回路５１は、ＧａＡｓ等の半導体基板５２
の表面にＡｕ等の金属膜５３を形成し、さらに金属膜５
３の上にＳｉＮｘあるいはＳｉＯ2等からなる誘電体薄
膜５４を形成し、この上にＡｕ等の金属配線５５を設け
たものである。
るモノリシックマイクロ波集積回路５１を示す。このマ
イクロ波集積回路５１は、ＧａＡｓ等の半導体基板５２
の表面にＡｕ等の金属膜５３を形成し、さらに金属膜５
３の上にＳｉＮｘあるいはＳｉＯ2等からなる誘電体薄
膜５４を形成し、この上にＡｕ等の金属配線５５を設け
たものである。
【０００３】製造工程では、この金属膜５３は、Ａｕ等
の蒸着によって半導体基板５２の表面に形成される。誘
電体薄膜５４は、ＳｉＮｘやＳｉＯ2等をＣＶＤ法等に
よって金属膜５３の上に堆積させて形成される。また、
金属配線５５は、誘電体薄膜５４の上にフォトレジスト
膜を印刷した後、露光及び現像によって金属配線パター
ンに沿ってフォトレジスト膜に窓を開口し、この上から
誘電体薄膜５４及びフォトレジスト膜にＡｕ等の金属を
蒸着させた後、フォトレジスト膜を除去してリフトオフ
法により形成されている。
の蒸着によって半導体基板５２の表面に形成される。誘
電体薄膜５４は、ＳｉＮｘやＳｉＯ2等をＣＶＤ法等に
よって金属膜５３の上に堆積させて形成される。また、
金属配線５５は、誘電体薄膜５４の上にフォトレジスト
膜を印刷した後、露光及び現像によって金属配線パター
ンに沿ってフォトレジスト膜に窓を開口し、この上から
誘電体薄膜５４及びフォトレジスト膜にＡｕ等の金属を
蒸着させた後、フォトレジスト膜を除去してリフトオフ
法により形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような構造の伝
送線路にあっては、製造工程における誘電体薄膜の厚さ
や膜質のバラツキ、金属配線の線幅のバラツキ等によっ
て特性インピーダンスにバラツキが発生しており、製造
工程においてその値の制御も困難であった。また、マイ
クロストリップラインの製作時に特性インピーダンスの
値が決まるので、設計の際に特性インピーダンスの値を
厳密に計算しておく必要があり、設計値から外れた場合
の調整は困難であった。
送線路にあっては、製造工程における誘電体薄膜の厚さ
や膜質のバラツキ、金属配線の線幅のバラツキ等によっ
て特性インピーダンスにバラツキが発生しており、製造
工程においてその値の制御も困難であった。また、マイ
クロストリップラインの製作時に特性インピーダンスの
値が決まるので、設計の際に特性インピーダンスの値を
厳密に計算しておく必要があり、設計値から外れた場合
の調整は困難であった。
【０００５】また、この伝送線路によりマッチング用ス
タブを構成する場合も、スタブの作製後にそのマッチン
グ調整を行なうことは困難であった。また、スタブの調
整を行なう場合もスタブの長さを短くするしか方法がな
く、限られた方向でのみ調整が可能であった。このた
め、通常は目的とする特性インピーダンスの値が得られ
るよう厳密に設計を行う必要があった。また、図示はし
ていないが、半絶縁性のＧａＡｓ基板の裏面に接地用金
属膜を形成し、表面に所定の金属配線を形成した従来例
もあるが、この従来例も同様の欠点を有している。
タブを構成する場合も、スタブの作製後にそのマッチン
グ調整を行なうことは困難であった。また、スタブの調
整を行なう場合もスタブの長さを短くするしか方法がな
く、限られた方向でのみ調整が可能であった。このた
め、通常は目的とする特性インピーダンスの値が得られ
るよう厳密に設計を行う必要があった。また、図示はし
ていないが、半絶縁性のＧａＡｓ基板の裏面に接地用金
属膜を形成し、表面に所定の金属配線を形成した従来例
もあるが、この従来例も同様の欠点を有している。
【０００６】本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは誘電体薄膜に
代えてショットキー障壁による空乏層を用いることによ
り、特性インピーダンスの調整を可能にすることにあ
る。
れたものであり、その目的とするところは誘電体薄膜に
代えてショットキー障壁による空乏層を用いることによ
り、特性インピーダンスの調整を可能にすることにあ
る。
【０００７】本発明の高周波伝送線路は、半導体活性層
と、前記半導体活性層の下方に形成された、半導体活性
層よりも高キャリア濃度の半導体層と、前記半導体活性
層の上に形成されたショットキー障壁をもつ、信号伝送
用の金属配線と、前記高キャリア濃度の半導体層と導通
した接地導体とを備え、ショットキー障壁によって半導
体活性層に空乏層を形成され、前記金属配線と接地導体
の間に印加されるバイアス電圧によって空乏層の領域が
制御されるようにしたことを特徴としている。
と、前記半導体活性層の下方に形成された、半導体活性
層よりも高キャリア濃度の半導体層と、前記半導体活性
層の上に形成されたショットキー障壁をもつ、信号伝送
用の金属配線と、前記高キャリア濃度の半導体層と導通
した接地導体とを備え、ショットキー障壁によって半導
体活性層に空乏層を形成され、前記金属配線と接地導体
の間に印加されるバイアス電圧によって空乏層の領域が
制御されるようにしたことを特徴としている。
【０００８】この高周波伝送線路にあっては、金属配線
と接地導体の間に印加する直流のバイアス電圧を制御す
ることにより空乏層の領域を変化させることができる。
従って、バイアス電圧を制御することによって金属配線
の下の空乏層の静電容量（実効誘電率）を変化させるこ
とができ、伝送線路の特性インピーダンスを変化させる
ことができる。また、半導体活性層の下方には、接地導
体と導通した高キャリア濃度半導体層を設けているの
で、金属配線の下方に安定した接地電位を形成すること
ができ、金属配線の下方に生じる空乏層を縦方向（深さ
方向）に成長させることができる。さらに、半導体活性
層はその下の高キャリア濃度半導体層と比較してキャリ
ア濃度の低い層となっているので、小さなバイアス電圧
によって大きく空乏層を生成させることができる。よっ
て、小さな電圧変化で空乏層を大きく変化させることが
でき、特性インピーダンスを効果的に調整できる。
と接地導体の間に印加する直流のバイアス電圧を制御す
ることにより空乏層の領域を変化させることができる。
従って、バイアス電圧を制御することによって金属配線
の下の空乏層の静電容量（実効誘電率）を変化させるこ
とができ、伝送線路の特性インピーダンスを変化させる
ことができる。また、半導体活性層の下方には、接地導
体と導通した高キャリア濃度半導体層を設けているの
で、金属配線の下方に安定した接地電位を形成すること
ができ、金属配線の下方に生じる空乏層を縦方向（深さ
方向）に成長させることができる。さらに、半導体活性
層はその下の高キャリア濃度半導体層と比較してキャリ
ア濃度の低い層となっているので、小さなバイアス電圧
によって大きく空乏層を生成させることができる。よっ
て、小さな電圧変化で空乏層を大きく変化させることが
でき、特性インピーダンスを効果的に調整できる。
【０００９】このため設計段階及び製造工程において特
性インピーダンスが要求される値から外れていても、バ
イアス電圧を調整することにより目的とする特性インピ
ーダンスの値を得ることができる。また、設計段階や製
造工程においては、従来のように厳密な特性インピーダ
ンスの値が要求されないので、設計及び製造が容易にな
る。
性インピーダンスが要求される値から外れていても、バ
イアス電圧を調整することにより目的とする特性インピ
ーダンスの値を得ることができる。また、設計段階や製
造工程においては、従来のように厳密な特性インピーダ
ンスの値が要求されないので、設計及び製造が容易にな
る。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図に基づいて詳
述する。図１及び図２は、本発明の一実施例を示す断面
図及び平面図であって、ＧａＡｓ基板を用いたモノリシ
ックマイクロ波集積回路における伝送線路１を示してい
る。２はｎ+−ＧａＡｓ層であって、ｎ+−ＧａＡｓ層２
の上には配線パターンに沿ってｎ-−ＧａＡｓ層３が形
成されている。ｎ-−ＧａＡｓ層３の上にはショットキ
ー接合による金属配線４が設けられており、金属配線４
の下面のｎ-−ＧａＡｓ層３にはショットキー接合によ
って空乏層６が形成されている。さらに、ｎ-−ＧａＡ
ｓ層３の両側において、ｎ+−ＧａＡｓ層２の表面には
オーミック接合による金属製の接地導体５が配線されて
いる。従って、この実施例では、コプレナラインに似た
構成の伝送線路１となっている。
述する。図１及び図２は、本発明の一実施例を示す断面
図及び平面図であって、ＧａＡｓ基板を用いたモノリシ
ックマイクロ波集積回路における伝送線路１を示してい
る。２はｎ+−ＧａＡｓ層であって、ｎ+−ＧａＡｓ層２
の上には配線パターンに沿ってｎ-−ＧａＡｓ層３が形
成されている。ｎ-−ＧａＡｓ層３の上にはショットキ
ー接合による金属配線４が設けられており、金属配線４
の下面のｎ-−ＧａＡｓ層３にはショットキー接合によ
って空乏層６が形成されている。さらに、ｎ-−ＧａＡ
ｓ層３の両側において、ｎ+−ＧａＡｓ層２の表面には
オーミック接合による金属製の接地導体５が配線されて
いる。従って、この実施例では、コプレナラインに似た
構成の伝送線路１となっている。
【００１１】しかして、上記のような構造においては、
接地導体５をアースするとｎ+−ＧａＡｓ層２がアース
電位となり、金属配線４と接地導体５との間に印加する
直流のバイアス電圧を変化させることにより空乏層６の
厚さｈを変化させることができる。このため、バイアス
電圧の制御により空乏層容量を変化させ、金属配線４と
接地導体５の間の実効誘電率を変化させることができ、
伝送線路の特性インピーダンスを変化させることができ
る。従って、バイアス電圧によって特性インピーダンス
を変化させ、回路のマッチングを簡単に調整することが
できる。また、製作過程において厳密な特性インピーダ
ンスを得る必要がなく、製作後にバイアス電圧を調整す
ることによって必要な特性インピーダンスを得ることが
できるので、製品の許容度が広くなり、歩留りが向上す
る。
接地導体５をアースするとｎ+−ＧａＡｓ層２がアース
電位となり、金属配線４と接地導体５との間に印加する
直流のバイアス電圧を変化させることにより空乏層６の
厚さｈを変化させることができる。このため、バイアス
電圧の制御により空乏層容量を変化させ、金属配線４と
接地導体５の間の実効誘電率を変化させることができ、
伝送線路の特性インピーダンスを変化させることができ
る。従って、バイアス電圧によって特性インピーダンス
を変化させ、回路のマッチングを簡単に調整することが
できる。また、製作過程において厳密な特性インピーダ
ンスを得る必要がなく、製作後にバイアス電圧を調整す
ることによって必要な特性インピーダンスを得ることが
できるので、製品の許容度が広くなり、歩留りが向上す
る。
【００１２】例えば、ｎ-−ＧａＡｓ層３のキャリア濃
度を３×１０14ｃｍ-3、ｎ+−ＧａＡｓ層２のキャリア
濃度を２×１０18ｃｍ-3とし、ｎ-−ＧａＡｓ層の厚さ
Ｈを５μｍ、金属配線４の幅Ｗを２.５μｍとし、接地
導体５をアースした場合、金属配線４に−２Ｖの直流バ
イアス電圧を印加すると、空乏層６の厚さｈは３.４μ
ｍ程度となり、１０ＧＨｚの高周波信号に対して５０Ω
の特性インピーダンスを得た。また、バイアス電圧を０
〜−３Ｖの範囲で変化させると、空乏層６の厚さｈは
１.５〜４μｍと変化し、１０ＧＨｚの高周波信号に対
して特性インピーダンスは約３７〜５８Ωの範囲で変化
した。
度を３×１０14ｃｍ-3、ｎ+−ＧａＡｓ層２のキャリア
濃度を２×１０18ｃｍ-3とし、ｎ-−ＧａＡｓ層の厚さ
Ｈを５μｍ、金属配線４の幅Ｗを２.５μｍとし、接地
導体５をアースした場合、金属配線４に−２Ｖの直流バ
イアス電圧を印加すると、空乏層６の厚さｈは３.４μ
ｍ程度となり、１０ＧＨｚの高周波信号に対して５０Ω
の特性インピーダンスを得た。また、バイアス電圧を０
〜−３Ｖの範囲で変化させると、空乏層６の厚さｈは
１.５〜４μｍと変化し、１０ＧＨｚの高周波信号に対
して特性インピーダンスは約３７〜５８Ωの範囲で変化
した。
【００１３】図３に示すものは、本発明の別な実施例を
示す断面図であり、コプレナライン構成の伝送線路１１
である。この実施例では、ｎ+−ＧａＡｓ層１２の上に
ｎ-−ＧａＡｓ層１３が形成され、さらにその上に半絶
縁ＧａＡｓ層１４が形成され、半絶縁ＧａＡｓ層１４の
表面に配線パターンに沿ってショットキー接合による金
属配線１５が設けられている。また、金属配線１５の両
側では、イオン注入により半絶縁ＧａＡｓ層１４からｎ
+−ＧａＡｓ層にかけて高キャリア濃度のｎ+領域１６が
設けられており、ｎ+領域１６の表面には金属配線１５
から距離ｂを隔ててオーミック接合による金属の接地導
体１７が設けられている。
示す断面図であり、コプレナライン構成の伝送線路１１
である。この実施例では、ｎ+−ＧａＡｓ層１２の上に
ｎ-−ＧａＡｓ層１３が形成され、さらにその上に半絶
縁ＧａＡｓ層１４が形成され、半絶縁ＧａＡｓ層１４の
表面に配線パターンに沿ってショットキー接合による金
属配線１５が設けられている。また、金属配線１５の両
側では、イオン注入により半絶縁ＧａＡｓ層１４からｎ
+−ＧａＡｓ層にかけて高キャリア濃度のｎ+領域１６が
設けられており、ｎ+領域１６の表面には金属配線１５
から距離ｂを隔ててオーミック接合による金属の接地導
体１７が設けられている。
【００１４】しかして、接地導体１７をアースすると、
ｎ+領域１６を介してｎ+−ＧａＡｓ層１２がアース電位
となる。金属配線１５の下のｎ-−ＧａＡｓ層１３には
空乏層１８が生成されており、金属配線１５と接地導体
１７との間にバイアス電圧を印加すると空乏層１８の厚
さが変化し、伝送線路の特性インピーダンスが変化す
る。また、金属配線１５と接地導体１７との距離ｂは、
金属配線１５とｎ+−ＧａＡｓ層１２の間隔ａよりも大
きくしてある。これは、バイアス電圧による電界のほと
んどを厚さ方向に印加し、空乏層厚さの変化で有効に特
性インピーダンスを変化させるには、ｂ＞ａとする必要
があるためである。さらに、半絶縁ＧａＡｓ層１４は、
金属配線１５とｎ-−ＧａＡｓ層１３との電界強度を弱
め、厚さ方向の電界強度（金属配線１５とｎ+−ＧａＡ
ｓ層１２の間の電界強度）を強め、空乏層１８の厚さの
変化によって特性インピーダンスを有効に変化させるた
めに設けられている。
ｎ+領域１６を介してｎ+−ＧａＡｓ層１２がアース電位
となる。金属配線１５の下のｎ-−ＧａＡｓ層１３には
空乏層１８が生成されており、金属配線１５と接地導体
１７との間にバイアス電圧を印加すると空乏層１８の厚
さが変化し、伝送線路の特性インピーダンスが変化す
る。また、金属配線１５と接地導体１７との距離ｂは、
金属配線１５とｎ+−ＧａＡｓ層１２の間隔ａよりも大
きくしてある。これは、バイアス電圧による電界のほと
んどを厚さ方向に印加し、空乏層厚さの変化で有効に特
性インピーダンスを変化させるには、ｂ＞ａとする必要
があるためである。さらに、半絶縁ＧａＡｓ層１４は、
金属配線１５とｎ-−ＧａＡｓ層１３との電界強度を弱
め、厚さ方向の電界強度（金属配線１５とｎ+−ＧａＡ
ｓ層１２の間の電界強度）を強め、空乏層１８の厚さの
変化によって特性インピーダンスを有効に変化させるた
めに設けられている。
【００１５】なお、図１及び図３の各実施例において
は、ｎ+−ＧａＡｓ層に代えてオーミック金属を用いて
もよい。
は、ｎ+−ＧａＡｓ層に代えてオーミック金属を用いて
もよい。
【００１６】図４に示すものは、本発明のさらに別な実
施例を示す断面図であり、マイクロストリップライン構
成の伝送線路２１である。この実施例では、ｎ+−Ｇａ
Ａｓ層２２の上にｎ-−ＧａＡｓ層２３が形成され、さ
らにその上に半絶縁ＧａＡｓ層２４が形成されている。
さらに、半絶縁ＧａＡｓ層２４の上面には、配線パター
ンに沿ってショットキー接合による金属配線２５が設け
られており、ｎ+−ＧａＡｓ層２２の下面には接地導体
２６が設けられている。
施例を示す断面図であり、マイクロストリップライン構
成の伝送線路２１である。この実施例では、ｎ+−Ｇａ
Ａｓ層２２の上にｎ-−ＧａＡｓ層２３が形成され、さ
らにその上に半絶縁ＧａＡｓ層２４が形成されている。
さらに、半絶縁ＧａＡｓ層２４の上面には、配線パター
ンに沿ってショットキー接合による金属配線２５が設け
られており、ｎ+−ＧａＡｓ層２２の下面には接地導体
２６が設けられている。
【００１７】この実施例でも、金属配線２５と接地導体
２６との間に印加するバイアス電圧を変化させることに
より、金属配線２５の下の空乏層２７の厚さを変化させ
ることができ、この結果特性インピーダンスを調整する
ことができる。
２６との間に印加するバイアス電圧を変化させることに
より、金属配線２５の下の空乏層２７の厚さを変化させ
ることができ、この結果特性インピーダンスを調整する
ことができる。
【００１８】また、図示しないが、図１及び図２の実施
例のようにｎ-−ＧａＡｓ層をｎ+−ＧａＡｓ層の上に部
分的に設けた構成において、接地導体をｎ+−ＧａＡｓ
層の下面に設け、マイクロストリップ構成とすることも
できる。
例のようにｎ-−ＧａＡｓ層をｎ+−ＧａＡｓ層の上に部
分的に設けた構成において、接地導体をｎ+−ＧａＡｓ
層の下面に設け、マイクロストリップ構成とすることも
できる。
【００１９】また、上記各実施例において、ｎ-−Ｇａ
Ａｓ層にキャリア濃度分布をもたせることにより、バイ
アス電圧による空乏層の形状や厚さの変化の様子を設計
することができ、特性インピーダンスのバイアス電圧に
対する変化曲線を設定することができる。
Ａｓ層にキャリア濃度分布をもたせることにより、バイ
アス電圧による空乏層の形状や厚さの変化の様子を設計
することができ、特性インピーダンスのバイアス電圧に
対する変化曲線を設定することができる。
【００２０】図５に示すものは応用例であって、本発明
の高周波伝送線路をスタブとして用いたものである。図
５において、３１は本発明の高周波伝送線路を用いたス
タブ、３２は高周波信号を伝送する高周波回路要素（例
えば従来の伝送線路）である。３３はスタブ３１として
用いられている高周波伝送線路の金属配線に直流のバイ
アス電流を供給するためのチョークコイルであり、他の
部分あるいは他の手段によってスタブ３１にバイアス電
流を供給（あるいはバイアス電圧を印加）できる場合に
はなくてもよい。また、３４は直流電流阻止用のキャパ
シタであり、高周波回路要素３２に直流が乗ってもかま
わない場合には不要である。また、別な位置にキャパシ
タ３４を設けてもよい。
の高周波伝送線路をスタブとして用いたものである。図
５において、３１は本発明の高周波伝送線路を用いたス
タブ、３２は高周波信号を伝送する高周波回路要素（例
えば従来の伝送線路）である。３３はスタブ３１として
用いられている高周波伝送線路の金属配線に直流のバイ
アス電流を供給するためのチョークコイルであり、他の
部分あるいは他の手段によってスタブ３１にバイアス電
流を供給（あるいはバイアス電圧を印加）できる場合に
はなくてもよい。また、３４は直流電流阻止用のキャパ
シタであり、高周波回路要素３２に直流が乗ってもかま
わない場合には不要である。また、別な位置にキャパシ
タ３４を設けてもよい。
【００２１】このスタブ３１は、バイアス電圧によって
特性インピーダンスの調整が可能であるので、バイアス
電圧によりスタブ３１のマッチング調整が可能である。
つまり、設計時に、０バイアス時の特性インピーダンス
及びバイアス電圧印加による特性インピーダンスの変化
量の設定が可能であるので、調整の自由度が大きくな
り、かつ調整も容易に行えるようになる。
特性インピーダンスの調整が可能であるので、バイアス
電圧によりスタブ３１のマッチング調整が可能である。
つまり、設計時に、０バイアス時の特性インピーダンス
及びバイアス電圧印加による特性インピーダンスの変化
量の設定が可能であるので、調整の自由度が大きくな
り、かつ調整も容易に行えるようになる。
【００２２】図６に示すものは、本発明の高周波伝送線
路をλ／４変成器に応用した例である。図６において、
４１は変成器として用いられる本発明の高周波伝送線路
であって、高周波信号の波長λの１／４の線路長を有し
ている。また、４２及び４３はそれぞれ特性インピーダ
ンスＺ1及びＺ2をもった従来構造の伝送線路である。変
成器として用いるためには、高周波伝送線路４１の特性
インピーダンスＺ0は、Ｚ1・Ｚ2＝Ｚ0 2の関係を満足し
なければならないが、本発明の高周波伝送線路４１では
バイアス電圧によって特性インピーダンスＺ0を調整す
ることができるので、前記の関係を満たすように特性イ
ンピーダンスＺ0を調整し、容易に変成器を構成でき
る。特に、設計時と特性インピーダンスＺ0がずれた場
合でも、バイアス電圧により特性インピーダンスＺ0を
調整して変成器を構成することが可能である。
路をλ／４変成器に応用した例である。図６において、
４１は変成器として用いられる本発明の高周波伝送線路
であって、高周波信号の波長λの１／４の線路長を有し
ている。また、４２及び４３はそれぞれ特性インピーダ
ンスＺ1及びＺ2をもった従来構造の伝送線路である。変
成器として用いるためには、高周波伝送線路４１の特性
インピーダンスＺ0は、Ｚ1・Ｚ2＝Ｚ0 2の関係を満足し
なければならないが、本発明の高周波伝送線路４１では
バイアス電圧によって特性インピーダンスＺ0を調整す
ることができるので、前記の関係を満たすように特性イ
ンピーダンスＺ0を調整し、容易に変成器を構成でき
る。特に、設計時と特性インピーダンスＺ0がずれた場
合でも、バイアス電圧により特性インピーダンスＺ0を
調整して変成器を構成することが可能である。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、両金属配線に印加され
るバイアス電圧を制御することにより空乏層容量もしく
は等価誘電率を変化させることができ、伝送線路の特性
インピーダンスを変化させることができる。このため設
計段階及び製造工程において特性インピーダンスが要求
される値からずれていても、バイアス電圧を調整するこ
とにより目的とする特性インピーダンスの値を得ること
ができる。また、設計段階や製造工程においては、従来
のように厳密な特性インピーダンスの値が要求されない
ので、設計及び製造を容易にすることができ、製造の歩
留りを向上させることができる。
るバイアス電圧を制御することにより空乏層容量もしく
は等価誘電率を変化させることができ、伝送線路の特性
インピーダンスを変化させることができる。このため設
計段階及び製造工程において特性インピーダンスが要求
される値からずれていても、バイアス電圧を調整するこ
とにより目的とする特性インピーダンスの値を得ること
ができる。また、設計段階や製造工程においては、従来
のように厳密な特性インピーダンスの値が要求されない
ので、設計及び製造を容易にすることができ、製造の歩
留りを向上させることができる。
【００２４】また、本発明の高周波伝送線路をスタブや
変成器に用いれば、容易に特性インピーダンスを調整で
きるので、スタブや変成器として動作するように特性イ
ンピーダンスを容易かつ正確に調整することができる。
変成器に用いれば、容易に特性インピーダンスを調整で
きるので、スタブや変成器として動作するように特性イ
ンピーダンスを容易かつ正確に調整することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】同上の実施例の平面図である。
【図３】本発明の別な実施例のコプレナライン構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】本発明のさらに別な実施例のマイクロストリッ
プライン構成を示す断面図である。
プライン構成を示す断面図である。
【図５】本発明の応用例を示す概略平面図である。
【図６】本発明の別な応用例を示す概略平面図である。
【図７】従来例の断面図である。
２ ｎ+−ＧａＡｓ層 ３ ｎ-−ＧａＡｓ層 ４ 金属配線 ５ 接地導体 ６ 空乏層
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/337 - 21/338 H01L 27/095 H01L 27/098 H01L 29/775 - 29/778 H01L 29/80 - 29/812 H01L 27/04 H01L 21/822
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体活性層と、前記半導体活性層の下
方に形成された、半導体活性層よりも高キャリア濃度の
半導体層と、前記半導体活性層の上に形成されたショッ
トキー障壁をもつ、信号伝送用の金属配線と、前記高キ
ャリア濃度の半導体層と導通した接地導体とを備え、シ
ョットキー障壁によって半導体活性層に空乏層を形成さ
れ、前記金属配線と接地導体の間に印加されるバイアス
電圧によって空乏層の領域が制御されるようにした高周
波伝送線路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3013681A JP2792243B2 (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 高周波伝送線路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3013681A JP2792243B2 (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 高周波伝送線路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04239140A JPH04239140A (ja) | 1992-08-27 |
| JP2792243B2 true JP2792243B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=11839928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3013681A Expired - Fee Related JP2792243B2 (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 高周波伝送線路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2792243B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5559359A (en) * | 1994-07-29 | 1996-09-24 | Reyes; Adolfo C. | Microwave integrated circuit passive element structure and method for reducing signal propagation losses |
| JP5463812B2 (ja) * | 2009-09-10 | 2014-04-09 | ソニー株式会社 | 半導体装置および通信装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6444652U (ja) * | 1987-09-09 | 1989-03-16 | ||
| JPH04297103A (ja) * | 1991-01-10 | 1992-10-21 | Nec Corp | コプレーナ線路 |
-
1991
- 1991-01-11 JP JP3013681A patent/JP2792243B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04239140A (ja) | 1992-08-27 |
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