JP2746240B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に関し、特に高出力且つ高性能電界効果トラ
ンジスタに係る半導体装置及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の半導体装置(以下“従来
例”という)について、図７及び図８を参照して説明す
る。なお、図７は従来例を説明する図であって、このう
ち(Ａ)は従来例の上部平面図であり、(Ｂ)は(Ａ)のＡ−
Ａ’線断面図である。また、図８は、従来例の製造法を
説明する図であって、工程Ａ〜Ｆからなる製造工程順の
要部断面図である。

【０００３】まず、従来例の半導体装置の構造について
説明すると、従来例では、図７(Ａ)，(Ｂ)に示すよう
に、半絶縁性基板１上に導電層を有し、ゲ−ト電極５及
びこのゲ−ト電極５を挟むように２つのオ−ミック電極
６(ソ−ス電極６ａ，ドレイン電極６ｂ)から構成される
半導体素子と、この半導体素子に外部との電気的接続を
行うための引出し電極(ゲ−ト引出し電極７，ソ−ス引
出し電極８，ドレイン引出し電極９)を有している。

【０００４】また、図７(Ｂ)に示すように、ソ−ス引出
し電極８を裏面電極１６と電気的に接合するためにバイ
アホ−ル17と呼ばれる貫通孔を用いている。なお、図７
(Ｂ)中の２はバッファ層、３は第１のｎ型ＧａＡｓ層、
４は第２のｎ型ＧａＡｓ層である。また、11は絶縁膜、
12は配線である。

【０００５】従来例では、前記したバイアホ−ル17を用
いることによって、ソ−ス電極６ａのインダクタンスが
低減でき、半導体装置の利得を大きくすることができ
る。なお、後に詳記する本発明と異なる点は、前記裏面
電極16が平坦であって、表面に形成された半導体素子の
各電極(ゲ−ト電極５，２つのオ−ミック電極６)に対し
て等距離にあることである。

【０００６】次に、従来技術による半導体装置の製造法
(前記従来例の製造法)について、図２(Ａ)，(Ｂ)及び図
８に基づいて説明する。なお、図２(Ａ)，(Ｂ)は、後に
詳記する本発明に係る半導体装置の製造方法及び従来技
術の半導体装置の製造方法のうち、全てに共通するオ−
ミック電極形成までを説明する図(断面図)である。ま
た、図８は、従来の半導体装置(従来例)の製造法を説明
する図であって、図２に続く工程Ａ〜Ｆからなる製造工
程順要部断面図である。

【０００７】従来技術による半導体装置の製造方法は、
まず図２(Ａ)，(Ｂ)に示すように、半絶縁性ＧａＡｓ基
板１上に、この半絶縁性ＧａＡｓ基板１の影響を低減す
るためのバッファ層２，導電層となる第１のｎ型ＧａＡ
ｓ層３及びオ−ミックコンタクト層となる第２のｎ型Ｇ
ａＡｓ層４を連続的に成長する。次に、同じく図２
(Ａ)，(Ｂ)に示すように、電気的な素子分離の形成，第
２のｎ型ＧａＡｓ層４並びに第１のＧａＡｓ層３の一部
をエッチングしたリセスの形成，第１のｎ型ＧａＡｓ層
３上にゲ−ト電極５の形成，第２のｎ型ＧａＡｓ層４上
に導電層とオ−ム性接合をするオ−ミック電極６の形成
を行う。なお、図２(Ａ)，(Ｂ)中の11は絶縁膜である。

【０００８】従来法では、前記図２(Ａ)，(Ｂ)に続いて
図８工程Ａに示すように、配線の交差部分で配線間が短
絡しないように第１の感光材14のパタ−ニングを行い、
次に、図８工程Ｂに示すように、この第１の感光材14を
マスクにして絶縁膜11を反応性ドライエッチング法によ
り開口部を形成する。

【０００９】その後、全面にメッキ通電パス用金属を堆
積し、選択的にＡｕメッキを行い、このＡｕメッキをマ
スクにメッキ通電パス用金属をエッチングしてから前記
第１の感光材14を除去することにより、図８工程Ｃに示
すように、配線12並びに前記各電極と電気的に接続され
たゲ−ト引出し電極(図示せず)，ソ−ス引出し電極８及
びドレイン引出し電極９を形成する。この場合、ゲ−ト
引出し電極７及びソ−ス引出し電極８は、ドレイン引出
し電極９とは導電層を境にして対称の領域に各々設ける
［前掲の図７(Ａ)参照］。

【００１０】次に、図８工程Ｄに示すように、半絶縁性
ＧａＡｓ基板１を機械的及び化学的なエッチングを行
い、続いて図８工程Ｅに示すように、半絶縁性ＧａＡｓ
基板１，バッファ層２，第１のｎ型ＧａＡｓ層３及び第
２のｎ型ＧａＡｓ層４をエッチングすることによってバ
イアホ−ル17を形成する。その後、図８工程Ｆに示すよ
うに、全面にメッキ通電パス用の金属を堆積し、裏面電
極16を形成する。そして、この裏面電極16をマスクに異
方性エッチングにより、前記メッキ通電パス用金属並び
に配線12をエッチングして素子間を切り離し、前掲の図
７(Ｂ)に示す半導体装置を製造する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置(従
来例)では、図７(Ａ)，(Ｂ)に示したように、裏面電極1
6が平坦であって、表面に形成された半導体素子の各電
極(ゲ−ト電極５，２つのオ−ミック電極６)に対して等
距離にある。即ち、半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に形成さ
れたゲ−ト電極５，ドレイン電極６ｂ及びゲ−ト引出し
電極７，ドレイン引出し電極９と、裏面に形成されたソ
−ス引出し電極(裏面電極16)との距離が同一である。こ
のため、従来の半導体装置(従来例)では、ゲ−ト電極５
とソ−ス電極６ａ間の寄生容量よりも、ドレイン電極６
ｂとソ−ス電極６ａ間の寄生容量の方が増加してしま
い、出力側の負荷が大きくなり、その結果、発振が起
き、動作が不安定になるという欠点を有している。

【００１２】本発明は、上記欠点に鑑み成されたもので
あって、その目的(課題)とするところは、ミリ波の寄生
発振を抑制することができ、高性能で高出力の電解効果
トランジスタを提供することにあり、また、この電解効
果トランジスタを高歩留まりで製造することができる製
造方法を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、ゲ−ト電極の
引出し電極及びソ−ス電極の引出し電極が設けられた領
域の半絶縁性基板の厚さを他の領域より薄くすることを
特徴とし、これにより、入力側のインピ−ダンスを独立
に調整することができ、その結果、出力側の負荷に対し
て入力側の負荷を大きくすることができるため、前記し
たとおり、ミリ波の寄生発振を抑制することができ、高
性能で高出力の電解効果トランジスタを高歩留まりで提
供するという前記目的を達成したものである。

【００１４】換言すれば、本発明は、前記した特徴点に
より、 ・半絶縁性基板上に設けられたゲ−ト電極及びゲ−ト電
極の引出し電極とソ−ス電極間の寄生容量、 ・ドレイン電極及びドレイン電極の引出し電極とソ−ス
電極間の寄生容量、をそれぞれ独立に設計することがで
きることから、入力側の負荷に対し出力側の負荷を小さ
くすることができるため、寄生発振を抑止し、安定な動
作を補償した高性能で高出力の電解効果トランジスタを
実現できるものである。

【００１５】即ち、本発明に係る半導体装置は、 「・半絶縁性基板上に導電層を有し、 ・該導電層とオ−ム性接合するソ−ス電極及びドレイン
電極の２つのオ−ミック電極、並びに、該オ−ミック電
極に挟まれるゲ−ト電極からなる半導体素子を有し、 ・前記オ−ミック電極及び前記ゲ−ト電極を電気的に外
部と接続するための引出し電極、並びに、前記オ−ミッ
ク電極及び前記ゲ−ト電極を電気的に接続する配線を有
し、 ・ゲ−ト電極及びソ−ス電極の引出し電極とドレイン電
極の引出し電極が前記導電層を挟む様に配列した、平面
パタ−ンを有する半導体装置において、 ・前記ゲ−ト電極の引出し電極及びソ−ス電極の引出し
電極が配置される領域が、該領域を除く領域よりも半絶
縁性基板膜厚が薄い構造を少なくとも有する、ことを特
徴とする半導体装置。」(請求項１) を要旨とする。

【００１６】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
は、 「(1) 半絶縁性基板上に導電層を有し、該導電層とオ−
ム性接合するソ−ス電極及びドレイン電極の２つのオ−
ミック電極、並びに、前記オ−ミック電極に挟まれるゲ
−ト電極からなる半導体素子を形成する工程、(2) 前記
オ−ミック電極及び前記ゲ−ト電極を電気的に外部と接
続するための配線、並びに、前記各電極の引出し電極
を、ゲ−ト電極及びソ−ス電極の引出し電極とドレイン
電極の引出し電極とが、前記導電層を挟む様に配列させ
て形成する工程、(3) ゲ−ト引出し電極及びソ−ス引出
し電極が配置される領域を選択的に前記半絶縁性基板の
膜厚を薄くする工程、(4) 貫通孔(バイアホ−ル)を形成
する工程、を少なくとも含むことを特徴とする半導体装
置の製造方法。」(請求項２) を要旨とする。

【００１７】さらに、本発明に係る半導体装置の製造方
法は、前記製造方法において、引出し電極を形成する前
に、バイアホ−ル領域の導電層及び半絶縁性基板をエッ
チングする工程を少なくとも含むことを特徴とする(請
求項３)。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
すると、本発明は、前記したとおり、表面に形成された
ソ−ス電極，ゲ−ト電極及びドレイン電極、並びに、外
部と電気的に接続するための前記各電極の引出し電極を
有する半導体装置に関し、特に、前記ゲ−ト電極及びソ
−ス電極の各引出し電極が設けられた領域の半絶縁性基
板の厚さを他の領域より薄くすることを特徴とする。

【００１９】具体的には、本発明で特に限定するもので
はないが、半絶縁性基板として半絶縁性ＧａＡｓ基板を
用い、ゲ−ト引出し電極及びソ−ス引出し電極を有する
領域の半絶縁性ＧａＡｓ基板膜厚を15μｍ程度とし、他
の領域の厚を20〜50μｍ(好ましくは30μｍ程度)とする
のが望ましい。

【００２０】

【実施例】次に、本発明に係る半導体装置についての実
施例を挙げ、本発明を具体的に説明するが、本発明は、
以下の実施例にのみ限定されるものではなく、前記した
本発明に係る半導体装置及びその製造方法の要旨の範囲
内で種々の変形、変更が可能である。

【００２１】（実施例１）図１は、本発明に係る半導体
装置の一実施例(実施例１)を示す図であって、そのうち
(Ａ)は、その半導体装置の上部平面図であり、(Ｂ)は、
(Ａ)のＡ−Ａ’線縦断面図(半導体装置の主要部を示す
縦断面図)である。

【００２２】本実施例１に係る半導体装置は、図１(Ｂ)
に示すように、半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、この半絶
縁性ＧａＡｓ基板１の影響を低減するためのバッファ層
２，導電層となる第１のｎ型ＧａＡｓ層３及びオ−ミッ
クコンタクト層となる第２のｎ型ＧａＡｓ層４を有する
半導体基板からなる。

【００２３】そして、同じく図１(Ｂ)に示すように、第
１のｎ型ＧａＡｓ層３上にゲ−ト電極５，第２のｎ型Ｇ
ａＡｓ層４上に前記導電層(第１のｎ型ＧａＡｓ層３)と
オ−ム性接合をするオ−ミック電極６［ソ−ス電極６
ａ，ドレイン電極６ｂ：図１(Ａ)参照］を有する。ま
た、これら各電極(ゲ−ト電極５，ソ−ス電極６ａ，ド
レイン電極６ｂ)と電気的に接続された引出し電極(ゲ−
ト引出し電極７，ソ−ス引出し電極８，ドレイン引出し
電極９)を有する［図１(Ａ)参照］。

【００２４】本実施例１に係る半導体装置では、ゲ−ト
引出し電極７及びソ−ス引出し電極８は、図１(Ａ)に示
すＢ−Ｂ’線から見た場合同一方向に配置され、ドレイ
ン引出し電極９は、前記ゲ−ト引出し電極７及びソ−ス
引出し電極８とＢ−Ｂ’線を境に反対側の領域に位置す
る。

【００２５】本実施例１に係る半導体装置において、そ
の構造の特徴とするところは、図１(Ｂ)に示すように、
ゲ−ト引出し電極(図示せず)及びソ−ス引出し電極８を
有する領域の半絶縁性ＧａＡｓ基板１の膜厚を選択的に
小さくし、他の領域のその厚を大きくした点にある(こ
の点で前記した従来例と相違する)。具体的には、前者
の厚を15μｍとし、後者の厚を30μｍとするものであ
る。

【００２６】（実施例２）本発明に係る半導体装置の製
造方法の一実施例(実施例２)について、図２〜図４に基
づいて説明する。なお、図２は、本発明に係る半導体装
置の製造方法及び従来技術の半導体装置の製造方法のう
ち、全てに共通するオ−ミック電極形成までを説明する
図であって、そのうち(Ａ)は、オ−ミック電極形成後の
絶縁膜成長後における前掲の図１(Ａ)に示すＢ−Ｂ’線
断面図であり、(Ｂ)は、同じくオ−ミック電極形成後の
絶縁膜成長後における前掲の図１(Ａ)に示すＡ−Ａ’線
断面図である。また、図３は、本発明に係る半導体装置
の製造方法の一実施例(実施例２)を説明する図であっ
て、図２に続く工程Ａ〜工程Ｆからなる製造工程順断面
図であり、図４は、図３工程Ｆに続く工程Ｇ〜工程Ｊか
らなる製造工程順断面図である。

【００２７】本実施例２では、まず従来技術と同様図２
(Ａ)，(Ｂ)に示すように、半絶縁性ＧａＡｓ基板１上
に、この半絶縁性ＧａＡｓ基板１の影響を低減するため
のバッファ層２，導電層となる第１のｎ型ＧａＡｓ層３
及びオ−ミックコンタクト層となる第２のｎ型ＧａＡｓ
層４を分子線エピタキシャル成長法により連続的に成長
する。なお、この連続成長法として、金属気相成長法を
用いることもできる。次に、同じく図２(Ａ)，(Ｂ)に示
すように、選択的なホウ素イオン注入による電気的な素
子分離の形成，選択的に第２のｎ型ＧａＡｓ層４並びに
第１のｎ型ＧａＡｓ層３の一部をエッチングしたリセス
の形成，第１のｎ型ＧａＡｓ層３上にゲ−ト電極５の形
成，第２のｎ型ＧａＡｓ層４上に導電層とオ−ム性接合
をするオ−ミック電極６の形成を行う。

【００２８】なお、図２(Ａ)，(Ｂ)中の11は絶縁膜であ
る。そして、この図２(Ａ)及び(Ｂ)は、前記したとお
り、オ−ミック電極６形成後に絶縁膜11を前面に成長し
た状態の断面図であって、このうち図２(Ａ)は、前掲の
図１(Ａ)で示したＢ−Ｂ’線断面図であり、図２(Ｂ)
は、同図１(Ａ)で示したＡ−Ａ’線断面図である。

【００２９】本実施例２では、前記図２に続いて図３工
程Ａに示すように、配線の交差部分で配線間が短絡しな
いように第１の感光材14のパタ−ニングを行い、次に、
図３工程Ｂに示すように、この第１の感光材14をマスク
にして絶縁膜11を反応性ドライエッチング法により開口
部を形成する。

【００３０】その後、メッキ通電パス用金属を全面にス
パッタ法により堆積し、選択的にＡｕメッキを行い、こ
のＡｕメッキをマスクにメッキ通電パス用金属をエッチ
ングしてから前記第１の感光材14を除去することによ
り、図３工程Ｃに示すように、また、前掲の図１(Ａ)に
示したように、配線12並びに前記各電極と電気的に接続
されたゲ−ト引出し電極７，ソ−ス引出し電極８及びド
レイン引出し電極９が形成される。この場合、ゲ−ト引
出し電極７及びソ−ス引出し電極８は、ドレイン引出し
電極９とは導電層を境にして対称の領域に各々設ける。

【００３１】次に、図３工程Ｄに示すように、半絶縁性
ＧａＡｓ基板１を機械的及び化学的なエッチングを行
い、半絶縁性ＧａＡｓ基板１を30μｍの厚さにする。こ
の場合、20〜50μｍの半絶縁性ＧａＡｓ基板の厚さまで
の範囲で有効である。

【００３２】続いて、図３工程Ｅに示すように、ゲ−ト
引出し電極(図示せず)及びソ−ス引出し電極８を設けた
領域を、半絶縁性ＧａＡｓ基板１を選択的にエッチング
して半絶縁性ＧａＡｓ基板１の膜厚を部分的に15μｍと
する。その後、図３工程Ｆに示すように、半絶縁性Ｇａ
Ａｓ基板１の裏面より有機材料13を塗布し、150〜200℃
の温度にてベ−クを行ってこの有機材料13を硬化させ、
さらに、図４工程Ｇに示すように、第２の感光材15を塗
布し、60〜100℃の温度にてベ−クを行い、この第２の
感光材15を硬化させ、パタ−ニングを行う。

【００３３】そして、ソ−ス引出し電極８と後述する裏
面電極16とを電気的に接続するための貫通孔(バイアホ
−ル17)を形成する領域の有機材料13を、酸素を少なく
とも含む反応性ガスを用いた異方性エッチング法によ
り、第２の感光材15をマスクにエッチングする。次に、
図４工程Ｈに示すように、有機材料13及び第２の感光材
15をマスクに半絶縁性ＧａＡｓ基板１，バッファ層２，
第１のｎ型ＧａＡｓ層３及び第２のｎ型ＧａＡｓ層４を
エッチングすることによってバイアホ−ル17を形成す
る。

【００３４】続いて、有機材料13及び第２の感光材15を
除去し、図４工程Ｉに示すように、全面にメッキ通電パ
ス用の金属を堆積し、裏面電極16を選択的に電解メッキ
法により形成する。そして、前記裏面電極16をマスクに
異方性エッチングにより、前記メッキ通電パス用金属並
びに配線12をエッチングして素子間を切り離し、図４工
程Ｊに示すような半導体装置を製造する。

【００３５】（実施例３）図５は、本発明に係る半導体
装置の製造方法の他の実施例(実施例３)を説明する図で
あって、図２に続く工程Ａ〜工程Ｆからなる製造工程順
断面図であり、図６は、図５工程Ｆに続く工程Ｇ〜工程
Ｊからなる製造工程順断面図である。

【００３６】本実施例３では、まず前記実施例１と同
様、図２(Ａ)，(Ｂ)に示すように、半絶縁性ＧａＡｓ基
板１上に、この半絶縁性ＧａＡｓ基板１の影響を低減す
るためのバッファ層２，導電層となる第１のｎ型ＧａＡ
ｓ層３及びオ−ミックコンタクト層となる第２のｎ型Ｇ
ａＡｓ層４を分子線エピタキシャル成長法により連続的
に成長する。なお、この連続成長法としては、金属気相
成長法を用いることもできる。次に、同じく図２(Ａ)，
(Ｂ)に示すように、選択的なホウ素イオン注入による電
気的な素子分離の形成，選択的に第２のｎ型ＧａＡｓ層
４並びに第１のｎ型ＧａＡｓ層３の一部をエッチングし
たリセスの形成，第１のｎ型ＧａＡｓ層３上にゲ−ト電
極５の形成，第２のｎ型ＧａＡｓ層４上に導電層とオ−
ム性接合をするオ−ミック電極６の形成を行う。

【００３７】なお、図２(Ａ)，(Ｂ)中の11は絶縁膜であ
る。そして、この図２(Ａ)及び(Ｂ)は、前記したとお
り、オ−ミック電極６形成後に絶縁膜11を前面に成長し
た状態の断面図であって、このうち図２(Ａ)は、前掲の
図１(Ａ)で示したＢ−Ｂ’線断面図であり、図２(Ｂ)
は、同図１(Ａ)で示したＡ−Ａ’線断面図である。

【００３８】本実施例３では、前記図２に続いて図５工
程Ａに示すように、絶縁膜11を選択的にエッチングして
開口部を形成し、次に、図５工程Ｂに示すように、第１
の感光材14によりパタ−ニングを行ってバイアホ−ル領
域の第１のｎ型ＧａＡｓ層３，バッファ層２及び半絶縁
性ＧａＡｓ層基板１を20μｍエッチングし、図５工程Ｃ
に示すように、前記第１の感光材14を除去する。

【００３９】続いて、図５工程Ｄに示すように、配線の
交差部分で配線間が短絡しないようにレジスト14’のパ
タ−ニングを行い、全面にメッキ通電パス用金属をスパ
ッタ法により堆積し、選択的にＡｕメッキを行う。この
場合、このレジスト14’としては、ネガレジストを用い
る。その後、前記Ａｕメッキをマスクにメッキ通電パス
用金属をエッチングしてから前記レジスト14’を除去す
ることにより、図５工程Ｅに示すように、また前掲の図
１(Ａ)に示すように、配線12並びに前記各電極と電気的
に接続されたゲ−ト引出し電極７，ソ−ス引出し電極８
及びドレイン引出し電極９が形成される。この場合、ゲ
−ト引出し電極７及びソ−ス引出し電極８は、ドレイン
引出し電極９とは導電層を境にして対称の領域に各々設
ける。

【００４０】次に、図５工程Ｆに示すように、半絶縁性
ＧａＡｓ基板１を機械的及び化学的なエッチングを行
い、半絶縁性ＧａＡｓ基板１を30μｍの厚さにする。こ
の場合、20〜50μｍの半絶縁性ＧａＡｓ基板の厚さまで
の範囲で有効である。続いて、図６工程Ｇに示すよう
に、ゲ−ト引出し電極(図示せず)及びソ−ス引出し電極
８を設けた領域を、半絶縁性ＧａＡｓ基板１を選択的に
エッチングして半絶縁性ＧａＡｓ基板１の膜厚を部分的
に15μｍとする。

【００４１】エッチングすることによってバイアホ−ル
17が形成できる。その後、図６工程Ｈに示すように、全
面にメッキ通電パス用の金属を堆積し、裏面電極16を選
択的に電解メッキ法により形成し、続いて図６工程Ｉに
示すように、この裏面電極16をマスクに異方性エッチン
グにより前記メッキ通電パス用金属並びに配線12をエッ
チングし、素子間を切り離して半導体装置を製造する。

【００４２】

【発明の効果】本発明は、以上詳記したとおり、表面に
形成されたソ−ス電極，ゲ−ト電極及びドレイン電極、
並びに、外部と電気的に接続するための前記各電極の引
出し電極を有する半導体装置に関し、ゲ−ト電極の引出
し電極及びソ−ス電極の引出し電極が設けられた領域の
半絶縁性ＧａＡｓ基板の厚さを他の領域より薄くするこ
とを特徴とし、これにより、入力側のインピ−ダンスを
独立に調整することができ、その結果、出力側の負荷に
対して入力側の負荷を大きくすることができるため、ミ
リ波の寄生発振を抑制することができ、高性能で高出力
の電解効果トランジスタを高歩留まりで実現できるとい
う顕著な効果を有する。

【００４３】換言すれば、本発明は、上記した特徴を有
する半導体装置であるから、入力側の寄生容量を出力側
の寄生容量よりも増加されることにより、使用周波数に
おける利得を低下させることなく半導体装置の最大発振
周波数を低減し、ミリ波の寄生発振を抑制することがで
きる効果を有する。また、本発明に係る製造方法によれ
ば、上記した特徴を有する半導体装置を高歩留まりで実
現できるという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体装置の一実施例(実施例１)
を示す図であって、そのうち(Ａ)は、その上部平面図、
(Ｂ)は、(Ａ)のＡ−Ａ’線縦断面図(半導体装置の主要
部を示す縦断面図)。

【図２】本発明に係る半導体装置の製造方法及び従来技
術の半導体装置の製造方法のうち、すべてに共通するオ
−ミック電極形成までを説明する図であって、そのうち
(Ａ)は、オ−ミック電極形成後の絶縁膜成長後における
前掲の図１(Ａ)に示すＢ−Ｂ’線断面図であり、(Ｂ)
は、同じくオ−ミック電極形成後の絶縁膜成長後におけ
る前掲の図１(Ａ)に示すＡ−Ａ’線断面図。

【図３】本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施例
(実施例２)を説明する図であって、図２に続く工程Ａ〜
工程Ｆからなる製造工程順断面図。

【図４】図３工程Ｆに続く工程Ｇ〜工程Ｊからなる製造
工程順断面図。

【図５】本発明に係る半導体装置の製造方法の他の実施
例(実施例３)を説明する図であって、図２に続く工程Ａ
〜工程Ｆからなる製造工程順断面図。

【図６】図５工程Ｆに続く工程Ｇ〜工程Ｊからなる製造
工程順断面図。

【図７】従来の半導体装置(従来例)を説明する図であっ
て、このうち(Ａ)は、その上部平面図、(Ｂ)は(Ａ)のＡ
−Ａ’線断面図。

【図８】従来の半導体装置(従来例)の製造法を説明する
図であって、図２に続く工程Ａ〜Ｆからなる製造工程順
断面図。

【符号の説明】

１ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 ２ バッファ層 ３ 第１のｎ型ＧａＡｓ層 ４ 第２のｎ型ＧａＡｓ層 ５ ゲ−ト電極 ６ オ−ミック電極 ６ａ ソ−ス電極 ６ｂ ドレイン電極 ７ ゲ−ト引出し電極 ８ ソ−ス引出し電極 ９ ドレイン引出し電極 １１ 絶縁膜 １２ 配線 １３ 有機材料 １４ 第１の感光材 １４’レジスト １５ 第２の感光材 １６ 裏面電極 １７ バイアホ−ル

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半絶縁性基板上に導電層を有し、該導電
   層とオ−ム性接合するソ−ス電極及びドレイン電極の２
   つのオ−ミック電極、並びに、該オ−ミック電極に挟ま
   れるゲ−ト電極からなる半導体素子を有し、前記オ−ミ
   ック電極及び前記ゲ−ト電極を電気的に外部と接続する
   ための引出し電極、並びに、前記オ−ミック電極及び前
   記ゲ−ト電極を電気的に接続する配線を有し、ゲ−ト電
   極及びソ−ス電極の引出し電極とドレイン電極の引出し
   電極が前記導電層を挟む様に配列した平面パタ−ンを有
   する半導体装置において、前記ゲ−ト電極の引出し電極
   及びソ−ス電極の引出し電極の配置される領域が、該領
   域を除く領域よりも半絶縁性基板膜厚が薄い構造を少な
   くとも有することを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 (1) 半絶縁性基板上に導電層を有し、該
   導電層とオ−ム性接合するソ−ス電極及びドレイン電極
   の２つのオ−ミック電極、並びに、前記オ−ミック電極
   に挟まれるゲ−ト電極からなる半導体素子を形成する工
   程、(2) 前記オ−ミック電極及び前記ゲ−ト電極を電気
   的に外部と接続するための配線、並びに、前記各電極の
   引出し電極を、ゲ−ト電極及びソ−ス電極の引出し電極
   とドレイン電極の引出し電極とが、前記導電層を挟む様
   に配列させて形成する工程、(3) ゲ−ト引出し電極及び
   ソ−ス引出し電極の配置される領域を選択的に前記半絶
   縁性基板の膜厚を薄くする工程、(4) 貫通孔(バイアホ
   −ル)を形成する工程、を少なくとも含むことを特徴と
   する半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項２の半導体装置の製造方法におい
   て、引出し電極を形成する前に、バイアホ−ル領域の導
   電層及び半絶縁性基板をエッチングする工程を少なくと
   も含むことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製
   造方法。