JPH0366202A - マイクロ波デバイス用パッケージ - Google Patents

マイクロ波デバイス用パッケージ

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Publication number
JPH0366202A
JPH0366202A JP1203005A JP20300589A JPH0366202A JP H0366202 A JPH0366202 A JP H0366202A JP 1203005 A JP1203005 A JP 1203005A JP 20300589 A JP20300589 A JP 20300589A JP H0366202 A JPH0366202 A JP H0366202A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cap
microwave
resonator
electrodes
stem
Prior art date
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Pending
Application number
JP1203005A
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English (en)
Inventor
Osahisa Furuya
長久 古谷
Kazuhiro Matsumoto
一宏 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0366202A publication Critical patent/JPH0366202A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔目次〕 概要 産業上の利用分野 従来の技術         (第5〜6図)発明が解
決しようとする課題 課題を解決するための手段 作用 実施例 本発明の第1実施例    (第1図)本発明の第2実
施例    (第2図)本発明の第3実施例    (
第3.4図)発明の効果 〔概要〕 マイクロ波デバイス用パッケージに関し、キャップの有
無によるマイクロ波特性の変化を抑制することができ、
マイクロ波特性調整を極めて容易にすることのできるマ
イクロ波デバイス用パッケージを提供することを目的と
し、内部にマイクロ波回路基板を取付は後、所定のキャ
ップにより蓋をして該マイクロ波回路基板を封止するマ
イクロ波デバイス用パンケージにおいて、前記キャップ
の少なくとも一方の面に所定の所要周波数帯域の中心周
波数に対してλ/2共振器又はλ/4共振器となる電極
を形成するように構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロ波デバイス用パッケージに係り、詳
しくは、該パソケージ内に取り付けられたマイクロ波回
路基板のマイクロ波特性に影響を与えることのないマイ
クロ波デバイス用パッケージのキャップの改良に関する
絶縁基板上に薄膜、厚膜などにより複数個の回路素子を
形成し、素子間を膜により接続して回路としたものが膜
集積回路であり、これに半導体素子等を組み合わせたも
のがハイブリッドICである。一般に、気密容器に封入
した半導体、通常の抵抗素子等を用いた回路ではり一ド
インダクタンス、容器の浮遊容量のため高周波化が容易
でないが、半導体チップ、抵抗膜で構成されるハイブリ
ノドICは回路が小形であり、高周波線路であるス1〜
リップ線路の形状で配線ができるので高周波回路を作成
するのが容易である。そのためマイクロ波回路でもハイ
ブリッドICが用いられ、これを一般にマイクロ波集積
回路(M I C: microwaveintegr
ated circuit)と呼んでいる。
現在マイクロ波帯においてマイクロ波回路のモジュール
化が進められており、モジュール化によってマイクロ波
回路をどんなところにも自由自在に入れ換え、差し換え
して使用することが可能になっている。モジュール化の
ために、各マイクロ波回路のユニット化が図られており
、必要に応して組み合わせ使用して所定の特性を得るよ
うにしている。ここで、ユニット化とは回路パターンの
構成されているアル5す基板をキャリア上にロウ材ある
いは銀(Ag)ペーストを使って固定し所定の機能(増
幅、発振、ミキサ等)を果たす回路を作り、必要に応じ
て組み合わせてマイクロ波としての所定の特性が得られ
るようにすることをいつ。
マイクロ波回路の構成において、その整合回路をマイク
ロ波デバイスの出来るだけ近いところに設けることは、
設計性、広帯域性あるいはデバイスの特性を十分に引き
出す上において必然的な方向であるため、従来パソケー
ジの外に構成していた回路をステム内に構成することが
行なわれてきている。
〔従来の技術] 従来のこの種のマイクロ波デバイス用パッケージとして
は、例えば第5図に示すようなものがある。第5図(a
)において、1は筐体部1aを有するステム(マイクロ
波デハ゛イス用パソケージ)であり、ステム1の筐体部
la内にはマイクロ波回路基+5.2〜4が取り付けら
れ、マイクロ波回路基板2〜4上にはパスコン5〜7お
よびマイクロ波デバイス8.9が形成されている。なお
、10はマイクロ波信号用電極、IL 12はマイクロ
波回路基板2〜4に載せられたデバイスを駆動するため
のバイアスを供給するためのバイアス供給電極である。
内部にマイクロ波回路基板2〜4が取り付けられた筐体
部1aは第5図(b)に示す全面メタライズされたメタ
ルキャップ13あるいは第5図(C)に示す絶縁体セラ
ミックからなるセラ旦ツクキャップ14により密閉され
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、このような従来のマイクロ波デバイス用
パッケージにあっては、ステムl内に整合回路を構成し
た場合、キャップの有無によりマイクロ波特性(RF特
性)が変化し、キャップがない場合にRF特性が仕様を
十分満足していてもキャップした場合にはRF特性の劣
化を惹き起こし仕様からはずれてしまうという問題点が
あった。
すなわち、第6〜8図を用いて具体的に説明すると、第
6図において、21はステム(マイクロ波デバイス用パ
ッケージ)、22はステム21上に載置されたアルミナ
基板、マイクロ波回路電極パターン23ばアルミナ基板
22上に形成された金属のストリソプラインからなるマ
イクロ波回路電極パターンである。第6図に示すように
マイクロ波回路電極パターン23にマイクロ波が通って
いるものとするとキャップがない場合における電界分布
24は図示の如く示され、ステム21にキャップをしな
い場合には電界分布24はアース側であるステム21に
集まる。この状態でマイクロ波特性調整をされたアルミ
ナ基板22に第 図に示すようにメタルキャップ25の
蓋をするとステム21内の電界分布26が変化し、マイ
クロ波特性が変化する。メタルキャップ25は一般にス
テム21にアースされており、メタルキャップ25をし
た場合における電界分布26はアースされているメタル
キャップ25側にも集められる。
また、第8図に示すようにセラミンクキャップ27によ
るキャップをすると、メタルキャップ25に較べるとは
るかに少ない量ではあるがセラミックキャップ27側に
も電界が集まり電界分布28が変化する。何れにしても
、キャップをすることによりマイクロ波特性が変化する
ため調整時に相当の困難が生しる欠点があった。
そこで本発明は、キヤ・ノブの有無によるマイクロ波特
性の変化を抑制することができ、マイクロ波特性調整を
極めて容易にすることのできるマイクロ波デバイス用パ
ッケージを提供することを目的としている。
〔課題を解決するための手段] 本発明によるマイクロ波デバイス用パッケージは上記目
的達成のため、内部にマイクロ波回路基板を取付は後、
所定のキャップにより蓋をして該マイクロ波回路基板を
封止するマイクロ波デバイス用パッケージにおいて、前
記キャップの少なくとも一方の面に所定の所要周波数帯
域の中心周波数に対してλ/2共振器又はλ/4共振器
となる電極を形成するようにしたことを特徴とするマイ
クロ波デハ′イス用パッケージを備えている。
〔作用〕
本発明では、キヤ・7プの一方の面が全面メタライズ面
とされ、他方の面には所定の所要周波数41+域の中心
周波数に対してλ/2共振器又はλ/4共振器となる電
極が形成される。
したがって、該キャップをステムに固定しても、マイク
ロ波的にはキャップが無い状態と略等価となる。このた
め、キャップの有無がマイクロ波特性に影響を与えるこ
とがなくなるため、マイクロ波特性調整が極めて容易に
なる。
(実施例〕 以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明に係るマイクロ波デバイス用パンケージ
の第1実Mi例を示す図である。
キャップの有無によるマイクロ波特性の変化はステム内
の電磁界分布の変化に起因する。この電磁界分布の変化
を抑えるためにキャップの構造のみが従来のものと異っ
ている。したがって、ステム1およびその筐体部1aは
第5図に示した従来例と同一構成であるため、キャップ
の構造のみを説明する。まず、構成を説明する。第1図
(a)はキャップの上面図、第1図(b)はキャップの
側面図、第1図(C)はキャップの裏面を示す図である
。第1図(a)〜(C)において、31は図示しないス
テムに蓋をするための板状のキャップであり、キャップ
31の上面(表面)おまひ側面は第1図(a)  (b
)に示すように金属により全面メタライズされ、裏面は
第1図(C)に示すように裏面パターンアース部31a
として枠部分がノタライズされるとともに、同図(c)
ハ・ノチング部分に示すように、裏面パターンアース部
31aにλ/2共振器となる電極32〜36かパクーニ
ングされる。なお、同図(C)に示す空白部分は絶縁体
(例えば、セラくソク)が剥き出しになっている部分で
ある。したがって、キャップ31がステムに固定される
と、キャップ31の」二面部、側面部および裏面パター
ンアース部31aはステムにアースされた状態となる。
以上の構成において、所要周波数帯域の中心周波数f。
でλ/2共振器となる電極32〜36が形成されたキャ
ップ31をステムに固定すると、電極32〜36の中央
付近は開放端と同し境界条件を呈することとなるため、
分布定数でいうオープンとなりキャップ3Tが無い状態
と等価に近い状態になる。
0 したがって、キャップ31の有無がRF特性に与える影
響が抑制され、ステム内にマイクロ波回路を構成した場
合にマイクロ波特性調整が極めて容易になる。ここで、
キャップ31は周波数特性を持つことになるが、f、を
中心として極めて広帯域にその効果があることから実用
上十分に有効なものとなっている。
なお、本実施例では電極32〜36の数を5本としたが
、勿論これには限定されないことは言うまでもない。
以上述べたように、従来のパソケージングの方法ではマ
イクロ波回路をパソケージ内に構成した場合、キャップ
の有無によるマイクロ波特性の変化に伴って特性調整が
非常に困難であったものが、本実施例のように所要周波
数帯域ムこ中心周波数f。
に対してλ/2共振器となる電極32〜36を形成した
キャップ31を使用することにより、キャップ31で蓋
をした場合であってもマイクロ波的にはオープン状態と
なりキャップ31の有無によるマイクロ波特性の変化を
抑えることができ、マイクロ波特性調整を極めて容易に
することができる。
第2図は本発明に係るマイクロ波デバイス用パッケージ
の第2実施例を示す図である。第2図(a)〜(C)に
おいて、41はステムに蓋をするためのキャップであり
、キャップ41の上面(表面)および側面は第2図Ll
)  (b)に示すように金属により全面メタライズさ
れ、裏面は第2図(C)に示すように裏面ンくターンア
ース部41aとして枠部分がメクライズされるとともに
、同図(C)ハソチング部分に示すように裏面パターン
アース部41aにλ/2共振器となる電極42.43が
形成される。
したがって、本実施例にあっても第1実施例と同様の効
果を得ることができる。本実施例の電極42.43は第
1実施例の電極32〜36の較べて長いため、使用する
所要周波数帯域の中心周波数f。によって第1実施例で
はλ/2共振器からなる電極が形成し難い場合に適用し
て有効である。
なお、第1および第2実施例とも裏面パターンアース部
41aに電極が直交する態様のものを示し1 1ま たが、foに対して1/2共振器を形成する電極であれ
ば、裏面パターンアース部41aに斜に交わる態様の電
極であってもよい。
第3.4図は本発明に係るマイクロ波デバイス用パッケ
ージの第3実施例を示す図であり、キャップの上面図、
側面図は前述した第1図および第2図と同様であるため
キャップの裏面を示す図のみを掲げる。
第3図は第1図(C)に対応する図であり、この図にお
いて、キャップ51の裏面には裏面パターンアース部5
1aおよび所要周波数帯域の中心周波数f。に対してλ
/4共振器となる電極52〜61が形成されている。
一方、第4図は第2図(c)に対応する図であり、この
図において、キャップ71の裏面には裏面パターンアー
ス部71aおよび中心周波数f。に対してλ/4共振器
となる電極72〜75が形成されている。
したがって、本実施例で−はλ/4共振器となる電極5
2〜6172〜75が形成されたキャップ51.71を
使用しているため、キャップ51.71をステムに固定
した場合に、マイクロ波的にはオープン状態になり、キ
ャップ5■、71が無い状態と略等価となる。したがっ
て、第1および第2実施例と同様にキャップの有無によ
るRF特性に与える影響が抑制される。特に、第1およ
び第2実施例にあってはステムの大きさによってキャッ
プにλ/2共振器電極を形成しようとすると電極の長さ
に制約を受LJることかあるが、本実施例によればステ
ムの大きさに拘らずより弾力的に電極を形成することが
でき、設計がより一層容易なものとなる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、キャップの有無によるマイクロ波特性
の変化を抑制することかでき、マイクロ波特性調整を極
めて容易にすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るマイクロ波デバイス用パッケージ
の第1実施例を示すキャップの構成図、3 4 第2図は本発明に係るマイクロ波デバイス用パッケージ
の第2実施例を示すキャップの構成図、第3.4図は本
発明に係るマイクロ波デバイス用パッケージの第3実施
例を示す図であり、第3図はそのキャップの構成図、 第4図はそのキャップの構成図、 第5〜8図は従来のマイクロ波デバイス用パンケージを
示す図であり、 第5図はそのマイクロ波デバイス用パッケージの全体構
成図、 第6図はそのキャップがない場合における電界分布を説
明するための図、 第7図はそのメタルキャップをした場合における電界分
布を説明するための図、 第8図はそのセラごンクキャップをした場合における電
界分布を説明するための図である。 1・・・・・・ステム、 1a・・・・・・筐体部、 2〜4・・・・・・マイクロ波回路基板、5 5ん7・・・・・・パスコン、 8.9・・・・・・マイクロ波デバイス、10・・・・
・・マイクロ波信号用電極、11.12・・・・・・バ
イアス供給電極、21・・・・・・ステム、 22・・・・・・アルξす基牟反、 23・・・・・・マイクロ波回路電極パターン、3L 
41・・・・・・キャップ、 31a、41a・・・・・・裏面パターンアース部、3
2〜36.42.43 ・・・・・・電極(λ/2共振器となる電極)、51.
71・・・・・・キャップ、 51a、71a・・・・・・裏面パターンアース部、5
2〜61、T2〜75 ・・・・・・電極(λ/4共振器となる電極)。 6 ′ト、?嘲 特開平3 66202 (7)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  内部にマイクロ波回路基板を取付け後、所定のキャッ
    プにより蓋をして該マイクロ波回路基板を封止するマイ
    クロ波デバイス用パッケージにおいて、 前記キャップの少なくとも一方の面に所定の所要周波数
    帯域の中心周波数に対してλ/2共振器又はλ/4共振
    器となる電極を形成するようにしたことを特徴とするマ
    イクロ波デバイス用パッケージ。
JP1203005A 1989-08-04 1989-08-04 マイクロ波デバイス用パッケージ Pending JPH0366202A (ja)

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JP1203005A JPH0366202A (ja) 1989-08-04 1989-08-04 マイクロ波デバイス用パッケージ

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JP1203005A JPH0366202A (ja) 1989-08-04 1989-08-04 マイクロ波デバイス用パッケージ

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Publication Number Publication Date
JPH0366202A true JPH0366202A (ja) 1991-03-20

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ID=16466756

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JP1203005A Pending JPH0366202A (ja) 1989-08-04 1989-08-04 マイクロ波デバイス用パッケージ

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JP (1) JPH0366202A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06115502A (ja) * 1980-03-26 1994-04-26 Mead Corp:The 物品の包装装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06115502A (ja) * 1980-03-26 1994-04-26 Mead Corp:The 物品の包装装置

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