JPH03175809A - 圧電振動子並びに該振動子を用いたハイブリッド部品及び表面実装部品 - Google Patents
圧電振動子並びに該振動子を用いたハイブリッド部品及び表面実装部品Info
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- JPH03175809A JPH03175809A JP31434889A JP31434889A JPH03175809A JP H03175809 A JPH03175809 A JP H03175809A JP 31434889 A JP31434889 A JP 31434889A JP 31434889 A JP31434889 A JP 31434889A JP H03175809 A JPH03175809 A JP H03175809A
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
概要
圧電振動子及びその利用形態に関し、
主として、圧電振動子のみの金属パッケージによる気密
封止が不要で且つ共振周波数等の特性が経時劣化しにく
い圧電振動子の提供を目的とし、例えば、圧電体結晶に
厚み振動を生じさせるための金属電極膜を上記圧電体結
晶の表面及び裏面に形成してなる圧電振動子において、
上記圧電体結晶の表面及び裏面のうちいずれか一方の面
の少なくとも上記金属電極膜上に誘電体薄膜を形成して
構成する。
封止が不要で且つ共振周波数等の特性が経時劣化しにく
い圧電振動子の提供を目的とし、例えば、圧電体結晶に
厚み振動を生じさせるための金属電極膜を上記圧電体結
晶の表面及び裏面に形成してなる圧電振動子において、
上記圧電体結晶の表面及び裏面のうちいずれか一方の面
の少なくとも上記金属電極膜上に誘電体薄膜を形成して
構成する。
産業上の利用分野
本発明は圧電振動子並び該振動子を用いたハイブリッド
部品及び表面実装部品に関する。
部品及び表面実装部品に関する。
ＬｉＴａＯ３等の圧電体結晶の表面及び裏面に金属電極
膜を形成して圧電体結晶に厚み振動を生じさせるように
した圧電振動子は、例えば、通信機器においてＶＨＦ帯
、ＵＨＦ帯等の高い周波数帯における発振器の構成要素
として使用される。
膜を形成して圧電体結晶に厚み振動を生じさせるように
した圧電振動子は、例えば、通信機器においてＶＨＦ帯
、ＵＨＦ帯等の高い周波数帯における発振器の構成要素
として使用される。
この種の圧電振動子にあっては、圧電体結晶及び金属電
極膜の形状及び質量等が直接的に共振周波数等の特性に
影響を及ぼずので、極めてデリケートな取り扱いが要求
されるとともに、他の一般的な電子回路部品と同様に装
置の小型化に適したものであることが要求される。
極膜の形状及び質量等が直接的に共振周波数等の特性に
影響を及ぼずので、極めてデリケートな取り扱いが要求
されるとともに、他の一般的な電子回路部品と同様に装
置の小型化に適したものであることが要求される。
従来の技術
上述のように圧電振動子は極めてデリケートな取り扱い
を要求されるから、従来は、圧電振動子のみを金属パッ
ケージで気密封止してこれをプリント配線板等に実装す
ることが一般に行われていた。ところが、近年において
は、圧電振動子を始必としてトランジスタ、コンデンサ
等の電子回路部品をハイブリッド実装し、ｖｃｘｏ機能
さらにはＰ Ｌ Ｌ機能をも有した発振器モジュールや
シンセサイザを小型なハイブリッド部品として提供する
ことが要求されている。
を要求されるから、従来は、圧電振動子のみを金属パッ
ケージで気密封止してこれをプリント配線板等に実装す
ることが一般に行われていた。ところが、近年において
は、圧電振動子を始必としてトランジスタ、コンデンサ
等の電子回路部品をハイブリッド実装し、ｖｃｘｏ機能
さらにはＰ Ｌ Ｌ機能をも有した発振器モジュールや
シンセサイザを小型なハイブリッド部品として提供する
ことが要求されている。
発明が解決しようとする課題
小型なハイブリッド部品を提供するた必に、金属ケース
で気密封止されていない圧電振動子を他の電子部品とと
もにハイブリッド実装した場合、ハイブリッド部品の全
体を気密封止したとしても、その中で圧電振動子と共存
しているモールド部品等から放出された有害ガスの影響
によって、共振周波数等の特性が、金属ケースに気密封
止された場合と比較して、経時的に大きく変化すること
がある。
で気密封止されていない圧電振動子を他の電子部品とと
もにハイブリッド実装した場合、ハイブリッド部品の全
体を気密封止したとしても、その中で圧電振動子と共存
しているモールド部品等から放出された有害ガスの影響
によって、共振周波数等の特性が、金属ケースに気密封
止された場合と比較して、経時的に大きく変化すること
がある。
第８図は、圧電振動子のみでは気密封止されていない圧
電振動子を他の電子回路部品とともにノ１イブリッド基
板に実装し、このハイブリッド基板を金属ケースで気密
封止してなる発振機能を有するデバイス（例えばｖｃｘ
ｏ＞の７０℃放置によるエージング特性を示すグラフで
ある。縦軸は発振周波数の初期値ｆ。からの増減△ｆを
上記初期値ｆ。で除した値を示し、横軸は経過時間を示
す。
電振動子を他の電子回路部品とともにノ１イブリッド基
板に実装し、このハイブリッド基板を金属ケースで気密
封止してなる発振機能を有するデバイス（例えばｖｃｘ
ｏ＞の７０℃放置によるエージング特性を示すグラフで
ある。縦軸は発振周波数の初期値ｆ。からの増減△ｆを
上記初期値ｆ。で除した値を示し、横軸は経過時間を示
す。
グラフから時間経過に従って発振周波数が低下している
ことが明らかである。この現象が生じている原因は、圧
電振動子の周辺に実装されたモールド部品等から放出さ
れたガス原子又は分子が直接金属電極膜上に付着、蓄積
し、質量負荷となって圧電振動子の共振周波数を低下さ
せていることによるものと考えられる。
ことが明らかである。この現象が生じている原因は、圧
電振動子の周辺に実装されたモールド部品等から放出さ
れたガス原子又は分子が直接金属電極膜上に付着、蓄積
し、質量負荷となって圧電振動子の共振周波数を低下さ
せていることによるものと考えられる。
エージング特性を改善するた必には、圧電振動子にとっ
て有害となるガスの放出が少ない金属ケースにより圧電
振動子のみを気密封止し、これをハイブリッド基板に実
装することが考えられるが、こうすると装置の小型化を
達成することが困難であり、発振周波数の調整は、いき
おい周辺回路部品にたよらざるを得す、部品値のばらつ
きを考慮すれば、周波数調整が容易でなくなるという事
態が生じる。
て有害となるガスの放出が少ない金属ケースにより圧電
振動子のみを気密封止し、これをハイブリッド基板に実
装することが考えられるが、こうすると装置の小型化を
達成することが困難であり、発振周波数の調整は、いき
おい周辺回路部品にたよらざるを得す、部品値のばらつ
きを考慮すれば、周波数調整が容易でなくなるという事
態が生じる。
ところで、圧電振動子を表面実装部品として提供しよう
とする場合、一般に、表面実装部品はモールド部品とし
て製造されるから、小型なハイブリッド部品を提供しよ
うとする場合と同様の問題がこの場合にも生じる。
とする場合、一般に、表面実装部品はモールド部品とし
て製造されるから、小型なハイブリッド部品を提供しよ
うとする場合と同様の問題がこの場合にも生じる。
本発明はこのような事情に鑑みて創作されたもので、圧
電振動子のみの金属パッケージによる気密封止が不要で
、且つ、共振周波数等の特性の経時変化の少ない圧電振
動子の提供を目的としている。
電振動子のみの金属パッケージによる気密封止が不要で
、且つ、共振周波数等の特性の経時変化の少ない圧電振
動子の提供を目的としている。
また、そのような圧電振動子を用いたハイブリッド部品
、表面実装部品の提供も本発明の目的である。
、表面実装部品の提供も本発明の目的である。
課題を解決するた狛の手段
上述した技術的課題を解決することを目的として種々の
実験を行った結果、次の事実が判明した。
実験を行った結果、次の事実が判明した。
即ち、圧電振動子の両面に８１等の誘電体薄膜を形成し
て同じようにエージング特性を測定した結果、時間経過
に従って発振周波数が徐々に高くなることが明らかにな
った。その結果を第９図に示す。尚、この実験は、厚み
が５００〜１０００人程度の金属電極膜が形成されたＬ
ｉＴａＯ３からなる厚みが０．５〜１．０ｍｍ程度の圧
電体結晶に金属電極膜と同程度の膜厚を有するＳ】膜を
蒸着したものについて行った。本発明は、この結果を利
用して、時間経過に従って発振周波数が低くなっていく
現象と時間経過に従って発振周波数が高くなっていく現
象との相殺を図り、第８図に示されたようなエージング
特性を補償するものである。
て同じようにエージング特性を測定した結果、時間経過
に従って発振周波数が徐々に高くなることが明らかにな
った。その結果を第９図に示す。尚、この実験は、厚み
が５００〜１０００人程度の金属電極膜が形成されたＬ
ｉＴａＯ３からなる厚みが０．５〜１．０ｍｍ程度の圧
電体結晶に金属電極膜と同程度の膜厚を有するＳ】膜を
蒸着したものについて行った。本発明は、この結果を利
用して、時間経過に従って発振周波数が低くなっていく
現象と時間経過に従って発振周波数が高くなっていく現
象との相殺を図り、第８図に示されたようなエージング
特性を補償するものである。
第１図に本発明の第１乃至第３の構成を示す。
同図（ａ）に示された第１の構成は、圧電体結晶２に厚
み振動を生じさせるための金属電極膜４を上記圧電体結
晶２の表面及び裏面に形成してなる圧電振動子において
、上記圧電体結晶２０表面及び裏面のうちいずれか一方
の面の少なくとも上記金属電極膜４上に誘電体薄膜６を
形成したものである。
み振動を生じさせるための金属電極膜４を上記圧電体結
晶２の表面及び裏面に形成してなる圧電振動子において
、上記圧電体結晶２０表面及び裏面のうちいずれか一方
の面の少なくとも上記金属電極膜４上に誘電体薄膜６を
形成したものである。
同図（ｂ）に示された第２の構成は、圧電体結晶２に厚
み振動を生じさせるための金属電極膜４を上記圧電体結
晶２の表面及び裏面に形成してなる圧電振動子において
、上記圧電体結晶２と金属電極膜４との間にそれぞれ誘
電体薄膜６を介在させたものである。
み振動を生じさせるための金属電極膜４を上記圧電体結
晶２の表面及び裏面に形成してなる圧電振動子において
、上記圧電体結晶２と金属電極膜４との間にそれぞれ誘
電体薄膜６を介在させたものである。
同図（Ｃ）に示された第３の構成は、圧電体結晶２に厚
み振動を生じさせるための金属電極膜４を上記圧電体結
晶２の表面及び裏面に形成してなる圧電振動子において
、上記圧電体結晶２の表面及び裏面のうちいずれか一方
の面の少なくとも上記金属電極膜４上に第１の誘電体薄
膜６ａを形成し、他方の面と該他方の面上に形成された
金属電極膜４との間に第２の誘電体薄膜６ｂを介在させ
たものである。
み振動を生じさせるための金属電極膜４を上記圧電体結
晶２の表面及び裏面に形成してなる圧電振動子において
、上記圧電体結晶２の表面及び裏面のうちいずれか一方
の面の少なくとも上記金属電極膜４上に第１の誘電体薄
膜６ａを形成し、他方の面と該他方の面上に形成された
金属電極膜４との間に第２の誘電体薄膜６ｂを介在させ
たものである。
作 用
上記第１、第２又は第３の構成によれば、金属電極膜が
空気中に露出している状態と金属電極膜が誘電体薄膜に
接触し或いは金属電極膜が誘電体薄膜に覆われている状
態とが共存するようになるので、時間経過に従って発振
周波数が次第に低くなっていくことと時間経過に従って
発振周波数が次第に高くなっていくこととが相殺し、エ
ージング特性が改善される。よって、本発明の構成によ
れば、圧電振動子のみを金属パッケージにより気密封止
することなしに、共振周波数等の特性が経時変化しにく
くなる。
空気中に露出している状態と金属電極膜が誘電体薄膜に
接触し或いは金属電極膜が誘電体薄膜に覆われている状
態とが共存するようになるので、時間経過に従って発振
周波数が次第に低くなっていくことと時間経過に従って
発振周波数が次第に高くなっていくこととが相殺し、エ
ージング特性が改善される。よって、本発明の構成によ
れば、圧電振動子のみを金属パッケージにより気密封止
することなしに、共振周波数等の特性が経時変化しにく
くなる。
また、本発明の構成によれば、金属電極膜のいずれか一
方或いは両方が露出した形状の圧電振動子が提供される
ので、その露出した金属電極膜に対して蒸着や電解メツ
キ等を施すことによって、容易にその共振周波数、即ち
発振周波数の微調整を行うことができる。
方或いは両方が露出した形状の圧電振動子が提供される
ので、その露出した金属電極膜に対して蒸着や電解メツ
キ等を施すことによって、容易にその共振周波数、即ち
発振周波数の微調整を行うことができる。
第１、第２又は第３の構成を有する圧電振動子を用いて
ハイブリッド部品又は表面実装部品を構０ 成することによって、共振周波数（発振周波数）等の特
性が経時的に変化しにくいハイブリッド部品（発振器モ
ジュール、シンセサイザ等）或いは表面実装型の圧電振
動子の提供が可能になる。
ハイブリッド部品又は表面実装部品を構０ 成することによって、共振周波数（発振周波数）等の特
性が経時的に変化しにくいハイブリッド部品（発振器モ
ジュール、シンセサイザ等）或いは表面実装型の圧電振
動子の提供が可能になる。
実 施 例
以下本発明の詳細な説明する。
第２図は第１の構成の実施例を示す圧電振動子の斜視図
、第３図はその■−■線に沿った断面図である。この圧
電振動子は、円盤状の圧電体結晶１２の表面及び裏面の
相対する部分に、圧電体結晶１２と同心状の径が同一な
２つの金属電極膜１４をそれぞれ形成し、一方の金属電
極膜１４を覆うように誘電体薄膜１６を形成して構成さ
れている。１５は金属電極膜１４の外周の一部から圧電
体結晶１２の縁部に延在するリードパターンであり、金
属電極膜１４と同一の製造プロセスにより形成される。
、第３図はその■−■線に沿った断面図である。この圧
電振動子は、円盤状の圧電体結晶１２の表面及び裏面の
相対する部分に、圧電体結晶１２と同心状の径が同一な
２つの金属電極膜１４をそれぞれ形成し、一方の金属電
極膜１４を覆うように誘電体薄膜１６を形成して構成さ
れている。１５は金属電極膜１４の外周の一部から圧電
体結晶１２の縁部に延在するリードパターンであり、金
属電極膜１４と同一の製造プロセスにより形成される。
圧電体結晶１２の材質としては、ＬＩ ＴａＯ：＋ 、
Ｌ Ｉ ＮｂＣ）＋ 、Ｌ １２Ｂ４０７ 、水晶等の
圧電体の単結晶を用いることができる。また、金属電極
膜１４及びリードパターン１５はＡｕ及びＡｇ等の良導
体から形成される。誘電体薄膜１６の材質は例えばＳｌ
であり、この場合スパッタリング、電子ビーム蒸着法等
の通常の方法により膜形成することができる。誘電体薄
膜１６は圧電体結晶１２に比べて十分薄く形成されてい
ることが望ましい。誘電体薄膜１６が厚くなると複合型
振動子が形成されて所望の特性を得ることが困難になる
からである。誘電体薄膜１６が十分薄くてもエージング
特性改善の効果があることは、前述の実験から明らかで
ある。
Ｌ Ｉ ＮｂＣ）＋ 、Ｌ １２Ｂ４０７ 、水晶等の
圧電体の単結晶を用いることができる。また、金属電極
膜１４及びリードパターン１５はＡｕ及びＡｇ等の良導
体から形成される。誘電体薄膜１６の材質は例えばＳｌ
であり、この場合スパッタリング、電子ビーム蒸着法等
の通常の方法により膜形成することができる。誘電体薄
膜１６は圧電体結晶１２に比べて十分薄く形成されてい
ることが望ましい。誘電体薄膜１６が厚くなると複合型
振動子が形成されて所望の特性を得ることが困難になる
からである。誘電体薄膜１６が十分薄くてもエージング
特性改善の効果があることは、前述の実験から明らかで
ある。
第２図及び第３図に示した圧電振動子を用いて構成され
る発振器モジュール等のハイブリッド部品の組立て斜視
図を第４図に示す。このハイブリッド部品は、第２図及
び第３図に示した圧電振動子１８とトランジスタ、キャ
パシタ、インダクタ等の他の電子回路部品２０とをセラ
ミックス等からなるハイブリッド基板２２に実装して発
振回路その他の電子回路を構成し、この電子回路を外部
と接続するための金属リード２４又は図示しないガラス
端子を備えたベース２７とケース２６とにより上記ハイ
ブリッド基板２２を気密封止して構成されいてる。ハイ
ブリッド部品を表面実装部品として提供しようとする場
合には、基板２２の上面から側面を介して下面にまで延
在するように導体パターンを形成し、この基板２２の電
子回路実装側をセラミックパッケージ等により気密封止
してもよい。
る発振器モジュール等のハイブリッド部品の組立て斜視
図を第４図に示す。このハイブリッド部品は、第２図及
び第３図に示した圧電振動子１８とトランジスタ、キャ
パシタ、インダクタ等の他の電子回路部品２０とをセラ
ミックス等からなるハイブリッド基板２２に実装して発
振回路その他の電子回路を構成し、この電子回路を外部
と接続するための金属リード２４又は図示しないガラス
端子を備えたベース２７とケース２６とにより上記ハイ
ブリッド基板２２を気密封止して構成されいてる。ハイ
ブリッド部品を表面実装部品として提供しようとする場
合には、基板２２の上面から側面を介して下面にまで延
在するように導体パターンを形成し、この基板２２の電
子回路実装側をセラミックパッケージ等により気密封止
してもよい。
第５図は圧電振動子１８の実装部の側面図である。この
実施例では、圧電振動子１８をそのリードパターン１５
の部分にて金属板をコの字型に形成してなるホルダ２８
により両端支持し、このホルダ２８をハイブリッド基板
２２上に形成された配線パターン２２ａに半田付けして
いる。この構成によると、圧電振動子１８の金属電極膜
１４が形成されている部分が宙に浮く形になるので、安
定した振動が可能になるとともに、エージング特性の補
償を良好に行うことができるようになる。
実施例では、圧電振動子１８をそのリードパターン１５
の部分にて金属板をコの字型に形成してなるホルダ２８
により両端支持し、このホルダ２８をハイブリッド基板
２２上に形成された配線パターン２２ａに半田付けして
いる。この構成によると、圧電振動子１８の金属電極膜
１４が形成されている部分が宙に浮く形になるので、安
定した振動が可能になるとともに、エージング特性の補
償を良好に行うことができるようになる。
また、圧電振動子の圧電体結晶１２の線熱膨張係数とハ
イブリッド基板２２の線熱膨張係数とが異３ なり、このハイブリッド部品に温度変化が与えられて圧
電振動子１８に不所望な熱応力が加わる恐れがある場合
でも、ホルダ２８が弾性的に変形することによって上記
熱応力が緩和される。
イブリッド基板２２の線熱膨張係数とが異３ なり、このハイブリッド部品に温度変化が与えられて圧
電振動子１８に不所望な熱応力が加わる恐れがある場合
でも、ホルダ２８が弾性的に変形することによって上記
熱応力が緩和される。
このようなハイブリッド部品に用いられる電子回路部品
は樹脂等を用いてモールド成型されたものが多く、ケー
ス２６により気密封止したとしても、その内部には圧電
振動子の表面にとって有害となるガスが充満してくる。
は樹脂等を用いてモールド成型されたものが多く、ケー
ス２６により気密封止したとしても、その内部には圧電
振動子の表面にとって有害となるガスが充満してくる。
本実施例においては、片面にのみ誘電体薄膜１６が形成
された圧電振動子１８を用いており、そのエージング特
性は補償されているから、特性が極めて安定した電子回
路の実現が可能になる。
された圧電振動子１８を用いており、そのエージング特
性は補償されているから、特性が極めて安定した電子回
路の実現が可能になる。
第６図は本発明の圧電振動子を用いて構成される表面実
装部品の組立て斜視図であり、第７図はその■−■線に
沿った断面図である。この表面実装部品は、セラミック
ス等からなる絶縁体基板３０と、絶縁体基板３０の上面
から側面を介して下面にまで延在するように設けられた
少なくとも２つくこの実施例では２つ）の導体パターン
３２と、４ その金属電極膜が導体パターン３２にそれぞれ接続され
るように絶縁体基板３０七に固定された発明の第１の構
成に係る圧電振動子１８′と、絶縁体基板３０の圧電振
動子側を気密封止するパッケージ部材３４とを備えて構
成されている。圧電振動子１８′が前実施例における圧
電振動子１８と異なる点は、圧電体結晶の形状が円盤状
ではなく長方形板状である点のみであり、機能上実質的
に同一の部分には圧電振動子１８における符号と同一の
符号が付されている。圧電振動子の金属電極膜１４を導
体パターン３２にそれぞれ接続するために、圧電振動子
１８′の縁部を絶縁体基板３０に図示しない接着剤によ
り固定するとともに、リードパターン１５と導体パター
ン３２とを銀ペースト等の導電剤にて導通させている。
装部品の組立て斜視図であり、第７図はその■−■線に
沿った断面図である。この表面実装部品は、セラミック
ス等からなる絶縁体基板３０と、絶縁体基板３０の上面
から側面を介して下面にまで延在するように設けられた
少なくとも２つくこの実施例では２つ）の導体パターン
３２と、４ その金属電極膜が導体パターン３２にそれぞれ接続され
るように絶縁体基板３０七に固定された発明の第１の構
成に係る圧電振動子１８′と、絶縁体基板３０の圧電振
動子側を気密封止するパッケージ部材３４とを備えて構
成されている。圧電振動子１８′が前実施例における圧
電振動子１８と異なる点は、圧電体結晶の形状が円盤状
ではなく長方形板状である点のみであり、機能上実質的
に同一の部分には圧電振動子１８における符号と同一の
符号が付されている。圧電振動子の金属電極膜１４を導
体パターン３２にそれぞれ接続するために、圧電振動子
１８′の縁部を絶縁体基板３０に図示しない接着剤によ
り固定するとともに、リードパターン１５と導体パター
ン３２とを銀ペースト等の導電剤にて導通させている。
この実施例によると、発明の第１の構成に係る圧電振動
子１８′が用いられているから、エージング特性を改善
するための金属ケースの使用が不要になり、パッケージ
部材３４を例えば表面実装部品に適したモールド成型に
より形成することができるようになる。
子１８′が用いられているから、エージング特性を改善
するための金属ケースの使用が不要になり、パッケージ
部材３４を例えば表面実装部品に適したモールド成型に
より形成することができるようになる。
第４図及び第５図に示したハイブリッド部品並びに第６
図及び第７図に示した表面実装部品にあっては、ケース
２６或いはパッケージ部材３４により基板を気密封止す
るのに先立って圧電振動子についての精密な周波数調整
が可能である。即ち、ケース２６或いはパッケージ部材
３４を設ける前には、圧電振動子の上面の金属電極膜１
４が露出しているので、その形状、厚み等を例えば電解
メツキ法や真空蒸着法を用いて調整することにより、所
望の特性に設定し得るものである。
図及び第７図に示した表面実装部品にあっては、ケース
２６或いはパッケージ部材３４により基板を気密封止す
るのに先立って圧電振動子についての精密な周波数調整
が可能である。即ち、ケース２６或いはパッケージ部材
３４を設ける前には、圧電振動子の上面の金属電極膜１
４が露出しているので、その形状、厚み等を例えば電解
メツキ法や真空蒸着法を用いて調整することにより、所
望の特性に設定し得るものである。
以上説明した実施例では、発明の第１の構成に係る圧電
振動子を用いているが、発明の第２又は第３の構成に係
る圧電振動子を用いて同様にしてハイブリッド部品又は
表面実装部品を提供することもできる。
振動子を用いているが、発明の第２又は第３の構成に係
る圧電振動子を用いて同様にしてハイブリッド部品又は
表面実装部品を提供することもできる。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、圧電振動子のみの
金属パッケージによる気密封止が不要で且つ共振周波数
等の特性が経時劣化しにくい圧電振動子の提供が可能に
なるという効果を奏する。
金属パッケージによる気密封止が不要で且つ共振周波数
等の特性が経時劣化しにくい圧電振動子の提供が可能に
なるという効果を奏する。
この圧電振動子を用いることによって、小型化、低背化
に適したハイブリッド部品、表面実装部品の提供が可能
になる。
に適したハイブリッド部品、表面実装部品の提供が可能
になる。
第１図は本発明の第１乃至第３の構成を示す図、第２図
は第１の構成の実施例を示す圧電振動子の斜視図、 第３図は第２図における■−■線に沿った断面図、 第４図は第１の構成の圧電振動子を用いたハイブリッド
部品の組立て斜視図、 第５図はその圧電振動子の実装部の側面図、第６図は第
１の構成の圧電振動子を用いた表面実装部品の組立て斜
視図、 第７図は第６における■−■線に沿った断面図、第８図
は従来の圧電振動子のエージング特性を示すグラフ、 ７ 第９図は両面にＳｉ薄膜を形成した圧電振動子のエージ
ング特性を示すグラフである。 １２・・・圧電体結晶、 １４・・・金属電極膜、 １６・・・誘電体薄膜、 ａ・・・第１の誘電体薄膜、 ｂ・・・第２の誘電体薄膜、 ８．１８’・・・圧電振動子。
は第１の構成の実施例を示す圧電振動子の斜視図、 第３図は第２図における■−■線に沿った断面図、 第４図は第１の構成の圧電振動子を用いたハイブリッド
部品の組立て斜視図、 第５図はその圧電振動子の実装部の側面図、第６図は第
１の構成の圧電振動子を用いた表面実装部品の組立て斜
視図、 第７図は第６における■−■線に沿った断面図、第８図
は従来の圧電振動子のエージング特性を示すグラフ、 ７ 第９図は両面にＳｉ薄膜を形成した圧電振動子のエージ
ング特性を示すグラフである。 １２・・・圧電体結晶、 １４・・・金属電極膜、 １６・・・誘電体薄膜、 ａ・・・第１の誘電体薄膜、 ｂ・・・第２の誘電体薄膜、 ８．１８’・・・圧電振動子。
Claims (5)
- １．圧電体結晶（２）に厚み振動を生じさせるための金
属電極膜（４）を上記圧電体結晶（２）の表面及び裏面
に形成してなる圧電振動子において、上記圧電体結晶（
２）の表面及び裏面のうちいずれか一方の面の少なくと
も上記金属電極膜（４）上に誘電体薄膜（６）を形成し
たことを特徴とする圧電振動子。 - ２．圧電体結晶（２）に厚み振動を生じさせるための金
属電極膜（４）を上記圧電体結晶（２）の表面及び裏面
に形成してなる圧電振動子において、上記圧電体結晶（
２）と金属電極膜（４）との間にそれぞれ誘電体薄膜（
６）を介在させたことを特徴とする圧電振動子。 - ３．圧電体結晶（２）に厚み振動を生じさせるための金
属電極膜（４）を上記圧電体結晶（２）の表面及び裏面
に形成してなる圧電振動子において、上記圧電体結晶（
２）の表面及び裏面のうちいずれか一方の面の少なくと
も上記金属電極膜（４）上に第１の誘電体薄膜（６ａ）
を形成し、 他方の面と該他方の面上に形成された金属電極膜（４）
との間に第２の誘電体薄膜（６ｂ）を介在させたことを
特徴とする圧電振動子。 - ４．請求項１乃至３のいずれかに記載の圧電振動子及び
他の電子回路部品からなる発振回路その他の電子回路の
構成要素がハイブリッド実装されたハイブリッド基板（
２２）と、 該ハイブリッド基板（２２）が搭載され、上記電子回路
を外部と接続するための金属リード（２４）が設けられ
たベース（２７）と、 該ベース（２７）の上記ハイブリッド基板（２２）の側
を気密封止するケース（２６）とを備えたことを特徴と
するハイブリッド部品。 - ５．絶縁体基板（３０）と、 該絶縁体基板（３０）の上面から側面を介して下面にま
で延在するように設けられた少なくとも２つの導体パタ
ーン（３２）と、 その金属電極膜が上記導体パターン（３２）にそれぞれ
接続されるように上記絶縁体基板（３０）上に固定され
た請求項１乃至３のいずれかに記載の圧電振動子と、 上記絶縁体基板（３０）を気密封止するパッケージ部材
（３４）とを備えたことを特徴とする表面実装部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31434889A JPH03175809A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 圧電振動子並びに該振動子を用いたハイブリッド部品及び表面実装部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31434889A JPH03175809A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 圧電振動子並びに該振動子を用いたハイブリッド部品及び表面実装部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03175809A true JPH03175809A (ja) | 1991-07-30 |
Family
ID=18052244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31434889A Pending JPH03175809A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 圧電振動子並びに該振動子を用いたハイブリッド部品及び表面実装部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03175809A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7432785B2 (en) | 2003-09-09 | 2008-10-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film resonator, method for making thin film resonator and filter having thin film resonators |
-
1989
- 1989-12-05 JP JP31434889A patent/JPH03175809A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7432785B2 (en) | 2003-09-09 | 2008-10-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film resonator, method for making thin film resonator and filter having thin film resonators |
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