JPS6187124A - マイクロリソグラフイ装置 - Google Patents
マイクロリソグラフイ装置Info
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- JPS6187124A JPS6187124A JP60160045A JP16004585A JPS6187124A JP S6187124 A JPS6187124 A JP S6187124A JP 60160045 A JP60160045 A JP 60160045A JP 16004585 A JP16004585 A JP 16004585A JP S6187124 A JPS6187124 A JP S6187124A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、マイクロリソグラフイＨ置に関し、特；こ、
マイクロリソグラフイＰｉ置か作動する大気の気圧変１
１：によってもたらされる誤差を減少するレンズ技術に
係わる。
マイクロリソグラフイＰｉ置か作動する大気の気圧変１
１：によってもたらされる誤差を減少するレンズ技術に
係わる。
［発明の技術的背景５よぴその問題点］従来から、気圧
変化かレンズの焦点および１８率の特性に影響を与える
事が認識されていたが、かかる影Ｓの１：１正を意図す
ることはめったになく、板金、意図されても、極めて高
価で、複雑な圧力制１ａＪＩ！！置になった０例えば、
米国特許３．４９８゜６９５および同一１．３３１．３
８８において、レンズの内部が重または２密カスで加圧
され、その加圧に伴う屈折率の変化を制御または刊用し
ている。 Ｎ１ｋｏｎ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ、 Ｉｎｃ
、によって製造されたマイクロリソグラフィ装置は米国
特許４．３３１゜３８８に開示された杉式の自動気圧補
正Ｈ置を組み込んでいるものと思われるが、その内部レ
ンズ圧力はコシピユータ制御で調節されている。か７ノ
）る従来技術装置において、基本的なしンズテリイン二
よ、制御装置か意図した如く作動させるためには実質的
に変更されねはならない。
変化かレンズの焦点および１８率の特性に影響を与える
事が認識されていたが、かかる影Ｓの１：１正を意図す
ることはめったになく、板金、意図されても、極めて高
価で、複雑な圧力制１ａＪＩ！！置になった０例えば、
米国特許３．４９８゜６９５および同一１．３３１．３
８８において、レンズの内部が重または２密カスで加圧
され、その加圧に伴う屈折率の変化を制御または刊用し
ている。 Ｎ１ｋｏｎ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ、 Ｉｎｃ
、によって製造されたマイクロリソグラフィ装置は米国
特許４．３３１゜３８８に開示された杉式の自動気圧補
正Ｈ置を組み込んでいるものと思われるが、その内部レ
ンズ圧力はコシピユータ制御で調節されている。か７ノ
）る従来技術装置において、基本的なしンズテリイン二
よ、制御装置か意図した如く作動させるためには実質的
に変更されねはならない。
［発明の目的］
これらの従来技術の方法と明らかな対ｐ、ｑを示すが、
本発明は本質的に大気圧で供給された極めて低密度のカ
スをマイクロリソグラフィ投影レンズの内部空間に充填
することを意図している。当業者にとって理解できるよ
うに、かかるガスは直に極めて近い屈折係数を有し、ガ
ス／ガラス境界の屈折特性における圧力の影響は最小で
ある。
本発明は本質的に大気圧で供給された極めて低密度のカ
スをマイクロリソグラフィ投影レンズの内部空間に充填
することを意図している。当業者にとって理解できるよ
うに、かかるガスは直に極めて近い屈折係数を有し、ガ
ス／ガラス境界の屈折特性における圧力の影響は最小で
ある。
本発明の目的は、マイクロリソグラフィ装置が作動する
大気の圧力変化の影響を減少するマイクロリソグラフィ
のレンズ技術を提供すること、細心な圧力制Ｗ装置を下
心・要とするかかる技術を提供すること、マイクロリソ
ゲラブイレンズ系における倍率および焦点の高安定性を
与えるかかる技術を提供すること、レンズデザ、インに
実質的に拘束されないかかる装置を提供す菖こと、高信
頼性てあり、比較的Ｉｉ！ｉ素、１！！価な構造で、容
易に設備可能なかＶ）る技術を提供する二とてＳ’Ｓ。
大気の圧力変化の影響を減少するマイクロリソグラフィ
のレンズ技術を提供すること、細心な圧力制Ｗ装置を下
心・要とするかかる技術を提供すること、マイクロリソ
ゲラブイレンズ系における倍率および焦点の高安定性を
与えるかかる技術を提供すること、レンズデザ、インに
実質的に拘束されないかかる装置を提供す菖こと、高信
頼性てあり、比較的Ｉｉ！ｉ素、１！！価な構造で、容
易に設備可能なかＶ）る技術を提供する二とてＳ’Ｓ。
Ｉｌｌ！の目的ど特徴は以下；こおいて部分的に明らか
になり、部分的；ご指摘される。
になり、部分的；ご指摘される。
［発明の概要］
二のような目的を達成するために本発明のマイクロリソ
グラフィ装置によれば、レチクルの画像を半導体ウェハ
の表面に投影して該半導体ウェハ上に回路パターンを生
成するマイクロリソグラフィＨｅにおいて、レチクルホ
ルダとウェハステージとを有する光学系を備え、前記光
学系は、前記レチクルホルダと、ウェハステージとの間
に、複数個の隔置され光透過性の屈折素子からなるレン
ズと、前ｉｄ禦子を支持し、かつ囲繞するレンズホルダ
、「０段と、このホルダ（−ｆＪは前記素ｊ′−のうも
２個の最も端の水子に本質的に密閉されており、該２個
の最も端の素子に続く本Ｆの閏の内部空間はたがいここ
通気されており、さらにｉｑ記光学系は面記ホルｙから
・＼リウムガスを通気する手段を含みｌ＼リウムカスの
ルｊｉａｌＩされた流れを前記内部空間を通って供給す
る手段を有するものである。また、レチクルの縮小画を
象を半導体ウェハの表面に投影して該半導体ウェハ上に
回路パターンを生成するマイクロリソグラフィＢＢにお
いて、レチクルホルダと、前記レチクルホルダに整置さ
れたウェハステージとを有する光学系を備え、前記光学
系は、前記レチクルホルダとウェハステージとの間の軸
線上に、複数個の１７１置され光透過性の屈折素子から
なるレンズと、前記素子を支持し、かつ囲繞するレンズ
ホルダ手段と、このホルダ手段は前記素子のうち２個の
最も端の素子に本質的に密閉されており、該２Ｍの最も
端の素子ここ続く素子の間の内部空間はたがいに通気さ
れており、さらに前記光学系は、前記ホルダ手段の内部
と連通する第１、第２のボート手段と、）＼リウムカス
のル制御された流れを前記第１のボート手段に供給する
手段と、ｉｉＱ記ホルダからヘリウムガスを前記第２の
ボート手段を通って通気す；５手段とを有し、該レンズ
とレチクルホルダとの空間および該レンズとウェハステ
ージとの空間ｚｉ大気に開放し、かつ気圧変１ヒを受け
°Ｃいろものである。
グラフィ装置によれば、レチクルの画像を半導体ウェハ
の表面に投影して該半導体ウェハ上に回路パターンを生
成するマイクロリソグラフィＨｅにおいて、レチクルホ
ルダとウェハステージとを有する光学系を備え、前記光
学系は、前記レチクルホルダと、ウェハステージとの間
に、複数個の隔置され光透過性の屈折素子からなるレン
ズと、前ｉｄ禦子を支持し、かつ囲繞するレンズホルダ
、「０段と、このホルダ（−ｆＪは前記素ｊ′−のうも
２個の最も端の水子に本質的に密閉されており、該２個
の最も端の素子に続く本Ｆの閏の内部空間はたがいここ
通気されており、さらにｉｑ記光学系は面記ホルｙから
・＼リウムガスを通気する手段を含みｌ＼リウムカスの
ルｊｉａｌＩされた流れを前記内部空間を通って供給す
る手段を有するものである。また、レチクルの縮小画を
象を半導体ウェハの表面に投影して該半導体ウェハ上に
回路パターンを生成するマイクロリソグラフィＢＢにお
いて、レチクルホルダと、前記レチクルホルダに整置さ
れたウェハステージとを有する光学系を備え、前記光学
系は、前記レチクルホルダとウェハステージとの間の軸
線上に、複数個の１７１置され光透過性の屈折素子から
なるレンズと、前記素子を支持し、かつ囲繞するレンズ
ホルダ手段と、このホルダ手段は前記素子のうち２個の
最も端の素子に本質的に密閉されており、該２Ｍの最も
端の素子ここ続く素子の間の内部空間はたがいに通気さ
れており、さらに前記光学系は、前記ホルダ手段の内部
と連通する第１、第２のボート手段と、）＼リウムカス
のル制御された流れを前記第１のボート手段に供給する
手段と、ｉｉＱ記ホルダからヘリウムガスを前記第２の
ボート手段を通って通気す；５手段とを有し、該レンズ
とレチクルホルダとの空間および該レンズとウェハステ
ージとの空間ｚｉ大気に開放し、かつ気圧変１ヒを受け
°Ｃいろものである。
［発明の好まし・い実らセ例］
以下、本発明の好ましい実施例を図面により説明する。
なお、企図において対応する符号は対応する部分を示す
。
。
本発明のマイクロリソグラフィ装置は、第１図：こ示す
ように、レチクルホルダ１１を有している。
ように、レチクルホルダ１１を有している。
典型的ここは、半導体テハイスの製造に使用されるマイ
クロリソグラフィ装置は自動レチクル交換装置１３を１
史用し・でいる。二の交換装置は、例えば持顎昭５９−
１０４３８１号（特開昭 −号）に詳細に開示されて
いる形式のものでもよい。この交換装置は、マガジン１
４から必要なレチクルを週択し・、その週択されたレチ
クルをホルダＩｆに搬送する機能を持つ。
クロリソグラフィ装置は自動レチクル交換装置１３を１
史用し・でいる。二の交換装置は、例えば持顎昭５９−
１０４３８１号（特開昭 −号）に詳細に開示されて
いる形式のものでもよい。この交換装置は、マガジン１
４から必要なレチクルを週択し・、その週択されたレチ
クルをホルダＩｆに搬送する機能を持つ。
ホルダ１１に筺持されたレチクルを照射する光源−集光
レンズ装置１７か設けられている。一つの適当な光源か
米国特許４，２０６．４９４に開示されている。精密投
影レンズ２１が設けられてホルダ１１にぢけるしチクル
の縄小画橡をウェハステージ２５上に保持されたウェハ
２３上に形成する。
レンズ装置１７か設けられている。一つの適当な光源か
米国特許４，２０６．４９４に開示されている。精密投
影レンズ２１が設けられてホルダ１１にぢけるしチクル
の縄小画橡をウェハステージ２５上に保持されたウェハ
２３上に形成する。
図示されたマイクロリソグラフィ装置は、好まし・くは
、殆との高密度半導体製品を製造するため現今用いられ
ている所謂ステップアントリピート方式のものである。
、殆との高密度半導体製品を製造するため現今用いられ
ている所謂ステップアントリピート方式のものである。
そのようなＨ置では慣用であるか、ステージ２５は精密
なＸ軸−）′軸移動能力を持ち、そのＸ軸サーボ装置は
２７で示す。二のようなステップアントリピート露光装
置はアメリカａ衆国、Ｍａｓｓａｃｈｕｓｅｔ、ｔ、ｓ
、 Ｂｅｄｆｏｒｄ 在の ＧＣＡＣｏｒｐｏｒａｔ
ｉｏｎにより商ｔ＝ ”ｏｓｖ”として販売されている
。このような装置においては、ウェハ表面の一部のみを
一度に露光し、モしてウェハ表面を全面的に使用するた
めに、当該レチクルの繰り返し・画像を後続する露光の
ためウェハ面を横切って定まったパターンで形成する。
なＸ軸−）′軸移動能力を持ち、そのＸ軸サーボ装置は
２７で示す。二のようなステップアントリピート露光装
置はアメリカａ衆国、Ｍａｓｓａｃｈｕｓｅｔ、ｔ、ｓ
、 Ｂｅｄｆｏｒｄ 在の ＧＣＡＣｏｒｐｏｒａｔ
ｉｏｎにより商ｔ＝ ”ｏｓｖ”として販売されている
。このような装置においては、ウェハ表面の一部のみを
一度に露光し、モしてウェハ表面を全面的に使用するた
めに、当該レチクルの繰り返し・画像を後続する露光の
ためウェハ面を横切って定まったパターンで形成する。
当業者にとって理解出来るように、各半導体チップ上に
なるべく多くの数の電子素子を配置するという要求によ
り、半導体工業界はウェハ表面上に回路素子を形成する
マイクロリソグラフィ装置−こおいてなるへく微細寸法
化を゛追及している。現在、二のような寸（五１Ｌ；ま
、汐りえば、１ 、 （１ｌｔ ｍもの徹細なものＣ５
す、厳しい光学限界に追い込まれている。１だって、α
めて複雑なレンズか要求されて画像を所望の精密度てウ
ェハの表面に形成しなけれはならず、また歪または倍率
および焦点誤差の各原因か検討され、画像を形成し、か
つ次々に偵重ねていく精度を増大するのである。これは
ＩＣの製造における後続する工程で要求されるものであ
る。
なるべく多くの数の電子素子を配置するという要求によ
り、半導体工業界はウェハ表面上に回路素子を形成する
マイクロリソグラフィ装置−こおいてなるへく微細寸法
化を゛追及している。現在、二のような寸（五１Ｌ；ま
、汐りえば、１ 、 （１ｌｔ ｍもの徹細なものＣ５
す、厳しい光学限界に追い込まれている。１だって、α
めて複雑なレンズか要求されて画像を所望の精密度てウ
ェハの表面に形成しなけれはならず、また歪または倍率
および焦点誤差の各原因か検討され、画像を形成し、か
つ次々に偵重ねていく精度を増大するのである。これは
ＩＣの製造における後続する工程で要求されるものであ
る。
本発明のｖｊｌ置：こ従えは、マイクロリソグラフィＨ
ａか作動している大気圧の気圧変化によってもたらされ
る誤差は極めて簡素な態様で有効に減少される。特に、
しシス２１内の素子間の全ての空間には流動〕＼ツリウ
ム充填される。二の目的のため、レンズ２１はレンズ基
の内部と連通ずる第１のボート３１、第２のボート３２
を備えている。
ａか作動している大気圧の気圧変化によってもたらされ
る誤差は極めて簡素な態様で有効に減少される。特に、
しシス２１内の素子間の全ての空間には流動〕＼ツリウ
ム充填される。二の目的のため、レンズ２１はレンズ基
の内部と連通ずる第１のボート３１、第２のボート３２
を備えている。
第１のボート３１は配管３５、流量制御弁３９を／ｌ
ＵてＩ＼リウム源、例えばタンク３７に接続されている
。第２のボート３２は配管４１を介して通気機４３に接
続されている。通気機４３は流出・°・。
ＵてＩ＼リウム源、例えばタンク３７に接続されている
。第２のボート３２は配管４１を介して通気機４３に接
続されている。通気機４３は流出・°・。
リウＪ、をマイクロリソグラフィ装置から離れた点へ通
気する。
気する。
理解できるように、本発明により意図されたマイクロリ
ソグラフィ装置の型式は、典型的には、クリーン状態お
よび温度さえも管理するが密閉されていない環境ＩＩ
１ａｌｌ室内に位置されるものである。
ソグラフィ装置の型式は、典型的には、クリーン状態お
よび温度さえも管理するが密閉されていない環境ＩＩ
１ａｌｌ室内に位置されるものである。
従って、マイクロリソグラフィ装置は、典型的には、気
圧変化を受けており、かつレンズ２１とレチクルホルダ
１１との空間およびレンズとウェハステージとの空間を
充填する大気内で作動する。
圧変化を受けており、かつレンズ２１とレチクルホルダ
１１との空間およびレンズとウェハステージとの空間を
充填する大気内で作動する。
レンズ２１のデザインは第２図に詳しく示されている。
前記のように、典型的には、比較的複雑なレンズが要求
されてＩＣの製造に所望な精密度を達成する。この特定
なレンズデザインは１４個のカラス屈折素子５１−６４
を使用する０図示された特定なレンズデザインはＮｅｗ
Ｙｏｒｋ、 Ｂｕｆｆａｌ。
されてＩＣの製造に所望な精密度を達成する。この特定
なレンズデザインは１４個のカラス屈折素子５１−６４
を使用する０図示された特定なレンズデザインはＮｅｗ
Ｙｏｒｋ、 Ｂｕｆｆａｌ。
在のＧＣＡ Ｃｏｒｐｏｒａｔ、ｉｏｎ のＴｒｏｐ
ｅｌ Ｄｉｖｉｓｉｏｎにより製造された５７６８ｘ
レンズである。
ｅｌ Ｄｉｖｉｓｉｏｎにより製造された５７６８ｘ
レンズである。
レンズ素子はレンスホルダ膚たはバレル（筒）６７で支
持され、かつ囲繞され゛ている。各素子５１−６ ｌは
しンスホル’ＩＧ７の内部上のそれぞれのリング８１−
９４に装着されている。理解できろように、これらのリ
ングは、典型的には、円筒状のレンズケーシンクの内部
に螺子込められて係合している。なお、この譚子は第２
図に示されていない。
持され、かつ囲繞され゛ている。各素子５１−６ ｌは
しンスホル’ＩＧ７の内部上のそれぞれのリング８１−
９４に装着されている。理解できろように、これらのリ
ングは、典型的には、円筒状のレンズケーシンクの内部
に螺子込められて係合している。なお、この譚子は第２
図に示されていない。
前記のよつに、２個の最も端の素子５１．６，１はレン
ズホルダ６７に本υ的に密閉されており、その中間の全
てのリングは通気されている。第２図において、この通
気手段は各リングを通る孔７１によって図示されている
が、典型的には、慣用の装着リングを用い、別個の通気
孔を要することなく、これらを密閉しないように容易に
組み立てることができる。理解できるように、通気手段
は比較的簡素である。けたし、ヘリウムは軽く、極めて
流動性のカスであり、これを密閉しないことよりも効果
的に密閉することがより困難であるからである。
ズホルダ６７に本υ的に密閉されており、その中間の全
てのリングは通気されている。第２図において、この通
気手段は各リングを通る孔７１によって図示されている
が、典型的には、慣用の装着リングを用い、別個の通気
孔を要することなく、これらを密閉しないように容易に
組み立てることができる。理解できるように、通気手段
は比較的簡素である。けたし、ヘリウムは軽く、極めて
流動性のカスであり、これを密閉しないことよりも効果
的に密閉することがより困難であるからである。
多重レンズ素子を間の内部空間の全てがヘリウムで充填
されるのを保証するために、一定のガス流かレンズ系に
与んられる。前記のよ−）に、この流れは流量制御弁３
９により計量される。前述の１蓬来特許に教示されたも
のと反対に、レンズ某台体２１内でヘリウムガスの圧力
を正確に制御する必要はないか、寧ろその流れは、例え
ば第２のボート３２、配管４１およＵ外部の通気機４３
を介して大ス二こ単に通気てきる。従って、レンズ；こ
おける圧力は本質的と二大気となり、大気圧の圧力変化
を追従する傾向を呈する。
されるのを保証するために、一定のガス流かレンズ系に
与んられる。前記のよ−）に、この流れは流量制御弁３
９により計量される。前述の１蓬来特許に教示されたも
のと反対に、レンズ某台体２１内でヘリウムガスの圧力
を正確に制御する必要はないか、寧ろその流れは、例え
ば第２のボート３２、配管４１およＵ外部の通気機４３
を介して大ス二こ単に通気てきる。従って、レンズ；こ
おける圧力は本質的と二大気となり、大気圧の圧力変化
を追従する傾向を呈する。
他方、細心の圧力側′ｍ：よ不必要であるか、レンズ２
１の内部空間を充填する場合にヘリウムを使用すること
により、実際上の目的から、マイクロリソクラフイ装置
が作動する大気環境における圧力変化の影響を著し・く
減少し、かつ効果的に解消する。例えは、前述のＴｒｏ
ｐｅｌ ５７６ｇｘレンズては、水銀柱５０ ｍｍ、即
ち７１０ｍｍ〜７６０ｍｍでの大気圧変化は−５，９７
μｎ１のバック焦点変化をもたらし、これに対し、ヘリ
ウムをレンズに充填し・た場合の変化は僅か−１，０６
μｎｌてあった。同様に、対物レンズから１１ｍｍの基
°４点の横方向の移動についての１８率変化はり 、
−１２μｎｌから０． １５μｍに減少された。ヘリウ
ムの導入はレンズの公称焦点距離および倍率を多少変化
させるが、その変化は、比較的小さく、かつ典型的には
、レンズ素子それ自体の典型的な製造公差について為れ
ろ調整と同様な技法でその軸線に沿って該素子の開隔の
調整をすることにより対処できるものである。従って、
重カスが利用され、総てのレンズデザインが圧力側１ａ
ｌＩ装置で作動する仕様の装置と異なり、本発明ではレ
ンズデザインが本質的に自由にてきる。
１の内部空間を充填する場合にヘリウムを使用すること
により、実際上の目的から、マイクロリソクラフイ装置
が作動する大気環境における圧力変化の影響を著し・く
減少し、かつ効果的に解消する。例えは、前述のＴｒｏ
ｐｅｌ ５７６ｇｘレンズては、水銀柱５０ ｍｍ、即
ち７１０ｍｍ〜７６０ｍｍでの大気圧変化は−５，９７
μｎ１のバック焦点変化をもたらし、これに対し、ヘリ
ウムをレンズに充填し・た場合の変化は僅か−１，０６
μｎｌてあった。同様に、対物レンズから１１ｍｍの基
°４点の横方向の移動についての１８率変化はり 、
−１２μｎｌから０． １５μｍに減少された。ヘリウ
ムの導入はレンズの公称焦点距離および倍率を多少変化
させるが、その変化は、比較的小さく、かつ典型的には
、レンズ素子それ自体の典型的な製造公差について為れ
ろ調整と同様な技法でその軸線に沿って該素子の開隔の
調整をすることにより対処できるものである。従って、
重カスが利用され、総てのレンズデザインが圧力側１ａ
ｌＩ装置で作動する仕様の装置と異なり、本発明ではレ
ンズデザインが本質的に自由にてきる。
ヘリウム充填の中性効果が、当業者にとって理解できる
ように、ガス充填とインターフェースする光学素子の湾
曲（そり）の関数であるので、中性光学素子、例えば薄
膜は本発明の実施に際し、特に、全体のレンズの最も端
の素子に容易−２利用できる。この薄膜は、それに入る
光の一部を反対し、残りの光を透過するから中性）℃学
素子として機能し、池の光学素子のように円曲したレン
ズ面を持たないようにてきる。
ように、ガス充填とインターフェースする光学素子の湾
曲（そり）の関数であるので、中性光学素子、例えば薄
膜は本発明の実施に際し、特に、全体のレンズの最も端
の素子に容易−２利用できる。この薄膜は、それに入る
光の一部を反対し、残りの光を透過するから中性）℃学
素子として機能し、池の光学素子のように円曲したレン
ズ面を持たないようにてきる。
炊上に鑑み、本発明の星つかの目的か達成され、曲の利
点か得られる。
点か得られる。
晟つかの変形例か本発明の範囲から逸脱することなく上
記構造から案出てきるが、炊上の説明；こ含まれ、図面
に図示された総ての事項は例示的なものと解釈されるへ
さて、限定的なものではない。
記構造から案出てきるが、炊上の説明；こ含まれ、図面
に図示された総ての事項は例示的なものと解釈されるへ
さて、限定的なものではない。
第１図は本発明による半導体ウェハを露光し、光学系の
使用に適したマイクロリソクラフイ１％’ ＦＥの説明
図、第２図は本発明の実施に際し使用；こ連したマイク
ロリソグラフィ投影レンズ系の断面図である。 １１・・・・・・・・・・・・レチクルホルダ２５・・
・・・・・・・・・・ウェハステージ２１・・・・・・
・・・・・・レンズ ５１−６４・・・素子 （５１，６４・・・最も端の素子） ６７・・・・・・・・・・・・レンズホルダ手９段３１
．３５．３９．３７・・・ヘリウムガスの制御された流
れを内部空間を通って供給す る手段 ３２．４１．４３・・・ヘリウムガスを通気する手段：
３１．３２・・・第１．第２のボート手段：３５、；３
９、；３７・・・ノ＼リウムカスの制御された流れを第
１のボート手段に供給する手 段
使用に適したマイクロリソクラフイ１％’ ＦＥの説明
図、第２図は本発明の実施に際し使用；こ連したマイク
ロリソグラフィ投影レンズ系の断面図である。 １１・・・・・・・・・・・・レチクルホルダ２５・・
・・・・・・・・・・ウェハステージ２１・・・・・・
・・・・・・レンズ ５１−６４・・・素子 （５１，６４・・・最も端の素子） ６７・・・・・・・・・・・・レンズホルダ手９段３１
．３５．３９．３７・・・ヘリウムガスの制御された流
れを内部空間を通って供給す る手段 ３２．４１．４３・・・ヘリウムガスを通気する手段：
３１．３２・・・第１．第２のボート手段：３５、；３
９、；３７・・・ノ＼リウムカスの制御された流れを第
１のボート手段に供給する手 段
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レチクルの画像を半導体ウェハの表面に投影して該
半導体ウェハ上に回路パターンを生成するマイクロリソ
グラフイ装置において、レチクルホルダとウェハステー
ジとを有する光学系を備え、前記光学系は、前記レチク
ルホルダと、ウェハステージとの間に、複数個の隔置さ
れ光透過性の屈折素子からなるレンズと、前記素子を支
持し、かつ囲繞するレンズホルダ手段とを有し、このホ
ルダ手段は前記素子のうち２個の最も端の素子に本質的
に密閉されており、該２個の最も端の素子に続く素子の
間の内部空間はたがいに通気されており、さらに前記光
学系は前記ホルダからヘリウムガスを通気する手段を含
みヘリウムガスの制御された流れを前記内部空間を通つ
て供給する手段を有することを特徴とするマイクロリソ
グラフィ装置。 ２、レチクルの縮小画像を半導体ウェハの表面に投影し
て該半導体ウェハ上に回路パターンを生成するマイクロ
リソグラフィ装置において、レチクルホルダと前記レチ
クルホルダに整置されたウェハステージとを有する光学
系を備え、前記光学系は、前記レチクルホルダとウェハ
ステージとの間の軸線上に、複数個の隔置され光透過性
の屈折素子からなるレンズと、前記素子を支持し、かつ
囲繞するレンズホルダ手段とを有し、このホルダ手段は
前記素子のうち２個の最も端の素子に本質的に密閉され
ており、該２個の最も端の素子に続く素子の間の内部空
間はたがいに通気されており、さらに前記光学系は、前
記ホルダ手段の内部に連通する第１、第２のボート手段
と、ヘリウムガスの制御された流れを前記第１のボート
手段に供給する手段と、前記ホルダからヘリウムガスを
前記第２のボート手段を通つて通気する手段とを有し、
該レンズとレチクルホルダとの空間および該レンズとウ
ェハステージとの空間は大気に開放し、かつ気圧変化を
受けていることを特徴とするマイクロリソグラフイ装置
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/632,449 US4616908A (en) | 1984-07-19 | 1984-07-19 | Microlithographic system |
| US632449 | 1984-07-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187124A true JPS6187124A (ja) | 1986-05-02 |
| JPH0638388B2 JPH0638388B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=24535569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60160045A Expired - Lifetime JPH0638388B2 (ja) | 1984-07-19 | 1985-07-19 | マイクロリソグラフイ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4616908A (ja) |
| JP (1) | JPH0638388B2 (ja) |
| DE (1) | DE3524533A1 (ja) |
| FR (1) | FR2568025A1 (ja) |
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