JPS6184024A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6184024A JPS6184024A JP20654384A JP20654384A JPS6184024A JP S6184024 A JPS6184024 A JP S6184024A JP 20654384 A JP20654384 A JP 20654384A JP 20654384 A JP20654384 A JP 20654384A JP S6184024 A JPS6184024 A JP S6184024A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に、コンタク
トホールの形成方法に関する。
トホールの形成方法に関する。
半導体装置の製造工程中で１鮭間絶線膜にコンタクトホ
ールを形成する通常の奔曇６方法を図面により説明する
。第２図（ａ）〜（ｅ）は従来のコンタクトホールの形
成方法を説明するだめの工程順に示した断面図である。
ールを形成する通常の奔曇６方法を図面により説明する
。第２図（ａ）〜（ｅ）は従来のコンタクトホールの形
成方法を説明するだめの工程順に示した断面図である。
先ず、第２図（ａｌに示すように、半導体基板１上にリ
ンケイ酸ガラス膜（以下ＰＳＧ膜と記す）を形成し、次
いで所望のコンタクトパターンを有するホトレジストパ
ターンを形成する、ここでＷＯはホトレジストのコンタ
クト幅である。次に第２図ら）に示すように、ホトレジ
スト３をマスクとして、バラ２アードフ、酸による湿式
エツチングを適宜時間行いＰＳＧ膜の一部を工、テング
除去する。Ｐ８Ｇ膜２はホトレジスト３の下までサイド
エツチングされる。次に第２図（Ｃ）に示すように、異
方性プラズマエツチングによりＰＥＧ膜２を半導体基板
ｌまで工、チングする。次に第２図（ｄｉに示すように
ホトレジスト３ｋｉＵ離すると図示のようなサイドエッ
チ幅ＷＩを上面としホトレジストのコンタクト＠Ｗｏを
下面とするテーパーのついたコンタクトホールが形成で
きる。欠いで、第２図（ｅ）に示すようにアルミニウム
配線４を形成する。
ンケイ酸ガラス膜（以下ＰＳＧ膜と記す）を形成し、次
いで所望のコンタクトパターンを有するホトレジストパ
ターンを形成する、ここでＷＯはホトレジストのコンタ
クト幅である。次に第２図ら）に示すように、ホトレジ
スト３をマスクとして、バラ２アードフ、酸による湿式
エツチングを適宜時間行いＰＳＧ膜の一部を工、テング
除去する。Ｐ８Ｇ膜２はホトレジスト３の下までサイド
エツチングされる。次に第２図（Ｃ）に示すように、異
方性プラズマエツチングによりＰＥＧ膜２を半導体基板
ｌまで工、チングする。次に第２図（ｄｉに示すように
ホトレジスト３ｋｉＵ離すると図示のようなサイドエッ
チ幅ＷＩを上面としホトレジストのコンタクト＠Ｗｏを
下面とするテーパーのついたコンタクトホールが形成で
きる。欠いで、第２図（ｅ）に示すようにアルミニウム
配線４を形成する。
上述した従来の方法によると、ＰＥＧ膜はバッフアート
フッ酸によるエツチング速度がきわめて大きいため、ホ
トレジスト２の下へのサイドエッチ量、すなわちＷ、−
ＷＯが大きくなっ℃しまう。
フッ酸によるエツチング速度がきわめて大きいため、ホ
トレジスト２の下へのサイドエッチ量、すなわちＷ、−
ＷＯが大きくなっ℃しまう。
その結果、このようなコンタクトホールに第２図（ｅ）
に示すようなアルミニウム配線４をつけると、アルミニ
ウム配線コンタクト部の幅Ｍｗケ太きくしなけれはなら
なくなり、素子の微細化に不利に７よるという大きな欠
点となっていた。
に示すようなアルミニウム配線４をつけると、アルミニ
ウム配線コンタクト部の幅Ｍｗケ太きくしなけれはなら
なくなり、素子の微細化に不利に７よるという大きな欠
点となっていた。
またエツチング速度がきわめて太きいためテーパ並びに
深さのコントロールも困難となり均一な製品が得られに
くいという問題点があった。
深さのコントロールも困難となり均一な製品が得られに
くいという問題点があった。
不発ＢＡは上記問題点を解決し、サイドエッチ量の／」
−さな適度のテーパのついたコンタクトホール全均一に
形成することができる半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
−さな適度のテーパのついたコンタクトホール全均一に
形成することができる半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上にリン
ケイ酸ガラス膜と窒化ケイ素膜とホウケイ酸ガラス膜と
を順次形成する工程と、所望のパターンのホトレジスト
をマスクとし℃前記ホウケイ酸ガラスを少なくとも湿式
エツチングする工程と、前記窒化ケイ素膜と前記リンケ
イ酸ガラス膜をプラズマエツチングする工程とを含んで
構成される。
ケイ酸ガラス膜と窒化ケイ素膜とホウケイ酸ガラス膜と
を順次形成する工程と、所望のパターンのホトレジスト
をマスクとし℃前記ホウケイ酸ガラスを少なくとも湿式
エツチングする工程と、前記窒化ケイ素膜と前記リンケ
イ酸ガラス膜をプラズマエツチングする工程とを含んで
構成される。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。第１図（ａｔ〜（ｅｌは本発明の一実施例を説明す
るために、工程順に示した断面図である。
る。第１図（ａｔ〜（ｅｌは本発明の一実施例を説明す
るために、工程順に示した断面図である。
先ず、第１図（ａ）に示すように、半導体基板５上にり
／ケイ酸ガラス膜６．窒化ケイ素膜７．ホウケイ酸ガラ
ス膜（以下ＢＡＧ膜と記す）８を順次形成する。次いで
、所望のパターン、パターン幅Ｗ０のホトレジスト９を
形成する。
／ケイ酸ガラス膜６．窒化ケイ素膜７．ホウケイ酸ガラ
ス膜（以下ＢＡＧ膜と記す）８を順次形成する。次いで
、所望のパターン、パターン幅Ｗ０のホトレジスト９を
形成する。
次に、第１図（′ｂ）に示すように、ホトレジスト９を
マスクとしてバッフアートフッ酸によりＢＡＧ膜を湿式
エツチングする。ＢＡＧのバッフアートフッ酸中でのエ
ツチング速度はＰＥＧのそれと比べて極めて低く、図示
されているようにサイドエッチ量Ｗ、−ＷｏはＰ２Ｏの
それと比べてきわめ℃小さくなる。なお、ここでＷｌは
ウェットエツチングによる最大開孔幅である。
マスクとしてバッフアートフッ酸によりＢＡＧ膜を湿式
エツチングする。ＢＡＧのバッフアートフッ酸中でのエ
ツチング速度はＰＥＧのそれと比べて極めて低く、図示
されているようにサイドエッチ量Ｗ、−ＷｏはＰ２Ｏの
それと比べてきわめ℃小さくなる。なお、ここでＷｌは
ウェットエツチングによる最大開孔幅である。
また、窒化けい素膜はバッフアートフッ酸によるエツチ
ングレートが極めて低いため、その下のＰＳＧ膜６は全
くエツチングされない。
ングレートが極めて低いため、その下のＰＳＧ膜６は全
くエツチングされない。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、異方性プラズマエツ
チングによって、窒化ケイ素膜７およびＰＳＧ膜６を異
方性エツチングする。窒化ケイ素膜７とＰＥＧ膜６のプ
ラズマエツチングは同一装置で可能である。
チングによって、窒化ケイ素膜７およびＰＳＧ膜６を異
方性エツチングする。窒化ケイ素膜７とＰＥＧ膜６のプ
ラズマエツチングは同一装置で可能である。
次に、第１図（ｄ）に示すように、ホトレジスト９剥離
する。しかるときは、主としてホウケイ酸ガラス膜に適
度のテーパーのついたコンタクトホールが形成される。
する。しかるときは、主としてホウケイ酸ガラス膜に適
度のテーパーのついたコンタクトホールが形成される。
次に、第１図（ｅｌに示すように、アルミニウム配線１
０を形成する。このときアルミニウム配線のコンタクト
部の幅Ｍｗは小さくおさえることが可能である。
０を形成する。このときアルミニウム配線のコンタクト
部の幅Ｍｗは小さくおさえることが可能である。
なおりＳＧ膜はバッフアートフッ酸に対するエツチング
レートがおそいのでテーパーのコントロールが自由であ
り均一なコンタクトホールを形成できる。
レートがおそいのでテーパーのコントロールが自由であ
り均一なコンタクトホールを形成できる。
以上説明したとおり、本発明によれば、サイドエツチン
グ量の小さい、適度なテーパーのついた形状のよいコン
タクトホールが形成され、アルミニウム配線のコンタク
ト部の幅を従来に比べて小さくすることができ、半導体
装置の微細化、高集積化が可能となる。
グ量の小さい、適度なテーパーのついた形状のよいコン
タクトホールが形成され、アルミニウム配線のコンタク
ト部の幅を従来に比べて小さくすることができ、半導体
装置の微細化、高集積化が可能となる。
第１図（ａｌ〜（ｅｌは本発明の一実施例を説明するた
めに工程順に示した断面図、第２図（ａｔ〜（ｅｌは従
来の半導体装置のコンタクトホール形成方法の一例を説
明するために工程順に示した断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・リンケイ酸
ガラス膜、３・・・・・・ホトレジスト、４・・・・・
・アルミニウム配線、５・・・・・・半導体基板、６・
・・・・・リンケイ酸ガラス膜、７・・・・・・窒化ケ
イ素膜、８・・・・・・ホウケイ酸ガラス膜、９・・・
・・・ホトレジスト、１０・・・・・アルミニウム配線
。 第 ／Ｉ！１
めに工程順に示した断面図、第２図（ａｔ〜（ｅｌは従
来の半導体装置のコンタクトホール形成方法の一例を説
明するために工程順に示した断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・リンケイ酸
ガラス膜、３・・・・・・ホトレジスト、４・・・・・
・アルミニウム配線、５・・・・・・半導体基板、６・
・・・・・リンケイ酸ガラス膜、７・・・・・・窒化ケ
イ素膜、８・・・・・・ホウケイ酸ガラス膜、９・・・
・・・ホトレジスト、１０・・・・・アルミニウム配線
。 第 ／Ｉ！１
Claims (1)
- 半導体基板上にリンケイ酸ガラス膜と窒化ケイ素膜と
ホウケイ酸ガラス膜とを順次形成する工程と、所望のパ
ターンのホトレジストをマスクとして、前記ホウケイ酸
ガラスを少なくとも湿式エッチングする工程と、前記窒
化ケイ素膜と前記リンケイ酸ガラス膜をプラズマエッチ
ングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20654384A JPS6184024A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20654384A JPS6184024A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184024A true JPS6184024A (ja) | 1986-04-28 |
Family
ID=16525115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20654384A Pending JPS6184024A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184024A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5145801A (en) * | 1992-02-07 | 1992-09-08 | Micron Technology, Inc. | Method of increasing the surface area of a mini-stacked capacitor |
| US5368682A (en) * | 1993-03-02 | 1994-11-29 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for forming contact hole in highly integrated semiconductor device |
| US5374591A (en) * | 1991-03-22 | 1994-12-20 | Sony Corporation | Method of making a metal plug |
| CN1072636C (zh) * | 1998-03-28 | 2001-10-10 | 陶其德 | 降低甘油的皂化当量——甘油生产法 |
-
1984
- 1984-10-02 JP JP20654384A patent/JPS6184024A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5374591A (en) * | 1991-03-22 | 1994-12-20 | Sony Corporation | Method of making a metal plug |
| US5145801A (en) * | 1992-02-07 | 1992-09-08 | Micron Technology, Inc. | Method of increasing the surface area of a mini-stacked capacitor |
| US5368682A (en) * | 1993-03-02 | 1994-11-29 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for forming contact hole in highly integrated semiconductor device |
| CN1072636C (zh) * | 1998-03-28 | 2001-10-10 | 陶其德 | 降低甘油的皂化当量——甘油生产法 |
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