JPS6182492A - 溶射基板の回路形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は溶射によってハイプリント基板上に回路全形
成する方法に関するものである。

（従来の技術） 金属やセラミフクスをペースとした基板上に回路全形成
する場合、従来においては第：３図、第４図に示す髄に
ＣＵ粒子をマスクを通して基板（ペース）に直接溶射し
ており、基板とその上に形成された導体回路との接着強
度が十分ではなく、使用中に熱履歴を受け、長期間の使
用により、強度が低下し、劣化する欠点があった。

（発明が解決しようとする問題点） 本発明は溶射基板の回路形成法に関する前記従来の欠点
に鑑み提案されたものであり、回路部分の半田濡れ性を
そこなうことなく、基板への接着強度をｌ　Ｋｙ／−以
上に高め、回路基板の耐久性を向上させた新規な回路形
成法を提案せんとするものである。

（問題点を解決するための手段） 本発明の溶射基板の回路形成法は上記従来の問題点を解
決するため、金属あるいはセラミフクスのペース上に所
定のパターンになるようにマスキングを行った後、回路
となるべき部分にあらかじめ、所定のパターンになるよ
うにマスキングを行った後、ＡｌあるいはＭｏｔ−下地
溶射して下地層全形成し、しかる後にその上にＣｕｆｔ
溶射するこ七により所定の導体回路を形成する様にした
ことを特徴とするものである。。

（作用） この発明は上記の様にして溶射基板上に回路を形成する
ものであり、所定のマスキングを行った基板上にあらか
じめＡｌ又はＭＯを下地溶射し、更にその上にＣｕ　ｆ
溶射して基板上に導体回路が形成される。

（構成） 以下、この構成を図面に基づいて説明する。第１図はこ
の発明の工程図であり、図中（ａ）はＡｌ、Ｃｕ、。

Ｆｅ、Ｍｏ等を材質とする金属ベース１を示し、（ｂ）
に示す如く、金属ベース１０片面にプラスト処理を施し
、この金属ベース１の表面に微少な凹凸面２を形成させ
る。次に（ｃ）に示す如く、この凹凸面２上にＡｌ２Ｏ
５、ｍＡｌ２Ｏ３・ｎＳｉＯ２，’ＢｅＯ，５ｉ０２．
Ｍ、ｇｏ等のセラミックスを溶射し、絶縁層３を形成し
、この絶ｍｌ＃３の上に（ｄ）に示す如く、レジストイ
ンキを使用して所定のパターンとなる様にマスキングを
行う。そして、（ｅ）に示す如く、このマスク４を通じ
て基板上にＡｌ又はＭＯの粒子を下地溶射し、Ａｌ又は
ｈｉｏの下地層５を形成させる。なお、この下地層５　
ｉ４３０μ乃至５０μの厚さが適当である。

更に（ｆ）に示す如く、この下地層５の上にＣｕの粒子
ｋｍ射し、導体回路６全形成させ、しかる後（ｇ）に示
す如く、マスク４を除去し溶射基板を完成する。

次に第２図はセラミックスをベースとした工程を示した
ものであり、この場合はセラミンクスペースＴ自体に絶
縁性がある為、金属ベースの場合と異り、絶縁層３を溶
射する工程（Ｃ）が省かれる。

他の工程（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｄ）　、　−（ｅ
）　、　（ｆ）　、　（ｇ）は前述の金属ベースの場合
と全く同じであり、同一符号を付してその説明を省略す
る。なお、この場合セラミック／Ｃべ−ｙ、７としてａ
Ａｌ２Ｏ３，ガラス、　ＢｅＯ，ｍＡＪ２゜ｎ０５８ｉ
０ｇＬ、ｉ″ｇＯ′！Ｊｔ−用いるこ七カテきる。

次に、この発明の実施列及び有効性を確認する為に行っ
た比較列について説明する。

（実施例１） ＡＪ基板（２ｍｍｔＸ５ｍｍＸ５ｍｍ）にアルミナ質の
Ａ−４３８８０のブラスト材を使用して５にシーの圧力
で基板の片ｉｋブラスト処理した。その後プラズマダイ
ン社のプラズマン溶射機（ＳＧ−１００型）で＃６００
のホワイトアルミナを下記条件により溶射し、基板の全
面に厚さ１００μの絶縁層を形成した。

出力＝３９Ｖ、　９（ＬＯＡ　、（３７，，７Ｋ”Ｗ）
Ａｒガス圧＝５５ｐｓｉ 補助ガス＜’ｅ）　：　５ａ　ｐｓｉ パウダーガス（Ａｒ）＝１２・０ｐｓｉ溶射距離二９Ｑ
ｃｍ 次に、レジストインク（太陽インク製）を使用し、第５
図番ζ示す通り２　ｍｒｎ’のパント８を相互に５ｍｍ
の間隔金膜けて基板上に印刷し、マスキング金賞った。

そして、形成したマスクを通じて１０５〜３０μのＡ１
粒子を使用して次の条件ＶＣより５０μの厚さで下地溶
射した。

出カニ７００Ａ、３０Ｖ ノ〜ｒガス圧：６０ｐｓｉ 補助ガス圧（１−Ｉｅ）：使用せず パウダーガス：　６０　ｐｓｉ 溶射距離：１３０α 更に、この下地層の上に４４μ〜ｌＯμのＣｕ粒子を下
記条件で厚さが５０μになる様に溶射した。

出カニ　３０Ｖ、７５０Ａ Ａｒガス圧：５Ｑｐｓｉ パウダーガス：　Ａｒ　；　５０　ｐｓｉ溶射距離：１
３０ｍｒｎ Ｃｕ　　粒子の溶射後、マスクをトリクレンで除去（−
た。

（実施例２） 実施例１と同じＡｌ基板に下地としてＭＯ粒子５３〜ｌ
Ｏμを約５０μの厚さで溶射した。プラスト処理方法、
溶射条弁、その他は実施例（１）と全く同じである。

（実施例３） Ａ１２ｏ３　９６％のアルミナ基板（０，６ｍｍ　　Ｘ
５．０８　ｍｍ　Ｘ　５．０８　ｍｍ　）　ｆ　ＳｉＣ
系の４＃８０７）ブラスト材（昭和電工製）を用いて５
にレーΩ圧力で基板の片面をブラスト処理した後、実施
例１と同様、Ａ１粒子及びＣｕ粒子を溶射した。

（実施例４） 実施レリ３と同じアルミナ基板に実施列２と同様にＭＯ
粒子及びＣｕ粒子を溶射した。

（比較例１） 実施例１，２と同じＡＪ基板に下地溶射全せずに直接Ｃ
ｕ粒子１００μを溶射した。そして、これら実施シリ１
乃至４及び比較例１をそれぞれ接着強度、環境試験後の
接着強度及び半田濡れ性の試験に供した。なお、接着強
度の測定方法は２ｍｍ０のバンド８に先端が２ｍｍφの
銅すベツ）’ｔ　６／４半田にて半田付けし、垂直方向
に引張り、その際の強度を測定した。又環境試験は一５
５℃を３０分、＋１２５℃を３０分、交互に１００サイ
クル、繰９返すことにより行った。そしてこれらの試験
結果は表１の通りとなった。

なお、上記接着強度は５ｍｍＸ５ｍｍ即ち２５−当りの
ものであり、それぞれ４で割ると単位面積あたりの接着
強度となる。

（効果） この発明は上述の通り、良好な半田濡れ性を有しながら
、従来のもの釦孔して格段に大きい基板と導体回路との
接着強度を有し、使用過穆での熱履歴をほとんど受けず
、長期間の使用によっても劣化せず、自動車のエンジン
ルーム内環過酷な条件下での使用にも十分耐えることが
できるすぐれた回路基板を形成することができる効果を
有する。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図はこの発明の実施例の工程図、第２図
、第３図は従来例の工程図、第４図はこの発明の実施例
におけるマスキングの状態を示した基板の平面図である
。 １・・・金属ペース、２・・・凹凸部、３・・・絶縁層
、４・・・マスク、５・・・下地層、６・・・導体回路
　７・・・セラミンクスペース 第３図　　　　ｉ１！４図 ｍコ＃ペース）［＝＝：＝＝＝：：＝＝＝＝＝＝＝＝コ
（＜ｙ、ｉ・ｗｆＺ／Ｃ−７）１　　　　　　↓ 第５図 手続補正書（ハ） 昭和６０年３り十日

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 所定のパターンになるようにマスキングを行つた基板上
   にＡｌ又はＭｏを下地溶射して下地層を形成した後、そ
   の上にＣｕを溶射して導体回路を形成することを特徴と
   する溶射基板の回路形成法。