JPS6012793A - セラミツク多層配線基板の製造方法 - Google Patents

セラミツク多層配線基板の製造方法

Info

Publication number
JPS6012793A
JPS6012793A JP11806583A JP11806583A JPS6012793A JP S6012793 A JPS6012793 A JP S6012793A JP 11806583 A JP11806583 A JP 11806583A JP 11806583 A JP11806583 A JP 11806583A JP S6012793 A JPS6012793 A JP S6012793A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
board
substrate
multilayer wiring
green sheet
printed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11806583A
Other languages
English (en)
Inventor
菊池 紀實
江上 春利
柳沢 俊郎
市森 栄吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP11806583A priority Critical patent/JPS6012793A/ja
Publication of JPS6012793A publication Critical patent/JPS6012793A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はセラミック多層配線基板の製造方法に関し、更
に詳しくは電子回路等に用いられるセラミック多層配線
基板の製造方法に関する。
〔発゛明の技術的背景とその問題点〕
最近の電子機器は、あらゆる分野においてl」\型軽量
化とともに高信頼性が要求されており、該機器に用いら
j、ている各部材についてもその要求に応じ高密度化さ
れてきている。例えに、高密度実装回路基板としては、
一つの基板内に多層配線化されたセラミック多層配線基
板が用いられている。
セラミック多層配線基板の製造方法は、主に印刷多層法
とfi1m多層法とに大別される。各製造方法を、最も
汎用度の高いアルミナ質多層配線基板を作成する場合に
ついて、以下に説明する。
印刷多層法は従来、次のようにして製造されていた。す
なわち、まず、アルミナ質の無機側斜の原料を所定部−
に秤量した後、これを一定の粒径・粒区分布になるよう
に粉砕・混合する。次に、得られた混合粉末にバインダ
ー、可塑剤等を、それぞれ所定世添加した後、混練し、
混線物を脱泡してスリップをFjl’il Mする。そ
の後、このスリップにドクターグレード法を適用して、
キャリヤフィルム上に所定の厚さで塗布し、これを順次
、ドクターブレード装散の乾燥部を通過せしめて溶剤等
を飛散せしめ、生シート、いわゆるグリーンシート(未
焼成シート)を作成する。次いで、得ら九たグリーンシ
ート上にタングステン(W)、モリブデン(Mo)等か
らなる導体ペーストを印刷して導体パターンを形成し、
しかる後、該導体ノやターン上の所定個所を除く全面に
アルミナ等の絶縁ペーストを印刷する。この際、導体及
び絶縁ペーストはいずれも基板ノ9ターン内に印刷され
る。再び、同様の導電層及び絶縁層の形成操作を、導体
1?ターンが上下層に亘りスルーホールを介して接続す
るように繰返して、多層化構造とする。
一方、積層多層法は、予めスルーホールが設けられたグ
リーンシートに導体ペーストを1回のみ印刷し、このグ
リーンシートを数層重ねることにより、導体ペーストが
充填さnたスルーホールを介して上下導通が図られた多
層配置!i!基板を製造するものである。
いずれの多層法の場合でも、次に基板を所定形状に分割
し、これを一枚ずつ弱逗元性雰凹気中で焼成する。しか
る後、焼成さnた基板の導体表面にニッケル(Ni)等
の金属をメッキし、必要に応じリードフレームをつける
。更に、金(Au)メッキを施し、基板のダイノぐット
上にIC又はRCをマウントした後、ワイヤポンディン
グすることにより、多ルj配朽基板が製造される。
以上の方法によって得られる小型の珂い基板にあっては
次のような問題点があった。第1に、焼成過柱において
基板が大きく反ってしまうことである。例えは、第1図
に示した状態となる。図中、1はグリーンシート、2は
ダイポンディングパッドである。すなわち、従来は、焼
成後の基板厚が1 am以上で纏れば、許容範囲内の1
00μm71インチ(25=4 na )程度迄、比較
的ffl単に歩留りよく芙現できたのであるが、0.5
調程度の基板厚で100μm71インチ以下の反シに歩
留シよ〈製造することはできなかった。焼成後の基板の
反9が大きい場合は、IC等のチツf部品の自動マウン
ト及びワイヤポンディング等が不可能となり、不良基板
が得られることになる。
第2に、基板を製造するにはセラミックを焼成しなけ九
ばならないのであるが、焼成前後におけるセラミックの
収縮率が通常10〜20チと太きいため、焼成後の個々
の基板間における反フのバラツキが許容範囲の20qb
をはるかに上回ってしまうという問題があった。これは
、第1の問題と同様に、不良基板を製造することに結が
る。
第3に、基板を得る迄の工程数が多いという問題があっ
た。すなわち、基板を所定形状に打抜いた後、これにN
i等の金九メッキを施すのであるが、焼成前のセラミッ
ク基板を打抜く際に生じる切シ屑を丹念に除去しておか
ないと良好なメッキ処理を施せなかった。また、基板を
一枚ずつ焼成しなけれはならないという手間を要した。
〔発明の目的〕
本発明は、印刷多層法において、反υが小さく、かつ焼
成後における基板間の反りのバラツキが頷チ以内で、し
かも基板を得る迄の工程数が少ないセラミック多層配線
基板の製造方法’を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
本発明は、複数個の基板パターンを肩するグリーンシー
ト上に海鼠ペースト及び絶縁ペーストを順次印刷するセ
ラミック多倍前約基板の製造方法において、基板ノやタ
ーンよりも外側の部分にまで絶縁ペーストを印刷し、次
いで該グリーンシートを焼成した後、基板パターンの外
形線に沿って各基板を分割することを特徴とする。
すなわち、本発明の特徴は、第1に絶縁ペーストを基板
パターンよシも外側の部分にまで印刷すること、第2に
基板の分割を焼成後に行うことである。
以下、本発明を更に詳J(flに説明する。
本発明の製造方法社上記した/I:Jaを除き、全て従
来と同一である。以下、工程順に本発明を説す」する。
まず、常法に従い、アルミナ粉末などの所定粒径のセラ
ミック粉末を主成分とする絶縁粉末を常用のバインダー
、可塑剤及び溶剤等とともに十分混線してスリップを得
、しかる後、例えはドクターブレード法を適用してグリ
ーンシートを作成する。次に、得られたグリーンシート
の複数個(2以上でろれば上限り問わない)の基板パタ
ーン内に所定の導電ペーストを印刷し、しかる後、該基
板AIエタノン内側全面(但し、スルーホール部を除く
)と外側に一体的に絶縁ペーストを印刷する、この操作
を数回繰返し、導電層及び絶縁層が父互に積層された多
層配線ノぐターンを形成する。なお、各絶縁層は、全て
の層につき絶縁ペーストが基板パターンの外側に壕で同
一面積で印刷されていることが好ましいが、これに格別
限定されず、例えば1層のみが基板パターンの外側にま
で形成されていてもよい。また、絶縁ペーストは、少く
とも基板パターンの外形線よル外側に印刷されてい九ば
差支えないが、例えばグリーンシートの厚さが1.0〜
1.51+III+である場合は、外形線よシも5咽以
上外側にまで印刷されていることが好ましい。グリーン
シートがそれ以上厚くなる場合は、一般に反シが少くな
るため、徐々に外側に印刷する面積を減少することがで
きる。
次に、配線パターンが形成さノtだグリーンシートを弱
還元性雰囲気中で焼成する。焼成は、例えば、水素10
〜20容量チ、窒素80〜90容量チの弱還元′訃界囲
気中、1400〜1600℃で行う。焼成後に得られる
基板の概略図を第2図に示した。ト1中、1はグリーン
シート、3は基板パターン、4は絶縁層である。本発明
においては、焼成後であっても、絶縁ペーストを印刷し
た絶縁層4は平坦であり、その外周部において反りが生
じるのみである。
次いで、該基板を基板パターンに沿ってレーザー等の公
知手段により切断又は打抜く。しかる後、各基板に金属
メッキを施し、IC等をマウント後、ワイヤボンディン
グすることにより、多層配線基板が製造される。
なお、第2図では、各基板パターン3の間に間隔を開け
て印刷しているが、9枚の基板ノ臂。ターン3を相互に
接f独させて印刷しても同様の効果が得られる。
〔発明の効果〕
本発明によn、は、1祁厚以下の基板でめっても、10
0μml 1インチ以下の許容範囲内に反りを抑えるこ
とができ、歩留夛のよい多層配線基板の製造が可能とな
る。また、個々の基板間における反シのバラツキを20
%以内とすることができる。
その結果、IC等のチップ部品の自動マ☆ント及びワイ
ヤポンディング等を精度良〈実施すること−が可能とな
る。更に、本発明では、焼成後の基板 、を個々の基板
パターンに切断するため、焼成前の柔軟な基板を切断す
る場合と異なシ、切シ屑はほとんど生じることがなく、
しかも、基板を一枚づつ焼成する必要もない。その結果
、工程数の省略及び操作の簡素化が図れる。
〔発明の実施例〕
実施例 酸化アルミニウム(Al2O2) 92重量%、無水ケ
イ酸(8102) 5重量%、酸化マグネシウム(Mg
O)1.5重量%及び酸化カルシウム(CaO) 1.
5重量%をそれぞれ秤量し、振動ミルによって平均粒径
が1.6μmとなるように粉砕・混合した後、乾燥した
次に、この混合粉末の一部に、アルミナ粉末100重量
部、トリクロロエチレン20重量部、n−ブタノール1
0重量部、テトラクロロエチレン8重量部、ポリビニル
ブチラール5重量部及びトリノチルホスフエー) (T
BP)2重量部のバインダー、可塑剤及び溶剤を添加し
、脱泡機を用いてスリップを調製した3、このスリップ
にドクターブレード法を適用して、厚さ0.5咽のグリ
ーンシートを得た。しかる後、とわ、を110X80m
mに切断し、iπ2図に示したグリーンシート1とした
次いで、グリーンシート1上のそれぞれ20×15閾の
9イ同の基板パターン2内に、スクリーン印刷4.F、
Iを用いてタングステン(W)系導電ペーストを印刷し
た。しかる後、各基板パターン3よシも広く、前す己グ
リーンシートと同一成分の絶縁ペーストを印刷した。更
に、その上に、導体及び絶縁ペーストの印刷を繰返し、
導体三層の多層配線基板を形成した。なお、各絶縁す中
には、上下尋体層を結ぶスルーホールが穿設されている
。次に、これを1500℃の弱還元性焼成炉で焼成し、
第2図の如き焼成基板を得た。
この焼成基板の反シを、小板技研(株)製の万能形状測
定器(3E3C)を用いて測定したところ、1.5〜2
mであったが、各基板ノリーンに沿いレーザ分割して得
られた9枚の基板の平均の反pは、長さ20twa方向
では、平均50μm、長さ15調方向では平均40μm
であった。すなわち、約70μm/ 1インチの反9で
ある。また、各基板の反りのバラツキ社、20%以内で
あった。
比較例 実施例と同様にして、グリーンシート上に多層印刷し、
基板パターンに沿い金型で外形切断した後、それぞれの
基板ごとに焼成した。
各焼成基板の平均の反りは、長さ20+e+及び15■
方向で、1〜1.7鱈、すなわち1.3〜2.9■/1
インチであった。また、各基板のバラツキは、80〜1
00%であった。
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来の多層配線基板製造方法によシ各基板を
焼成した場合の反りの状Hを示す多層配線基板の概略図
、g2図は、本発明方法により焼成した場合の反りの状
態を示す各基板ツクターン分割前のグリーンシートの概
略図である。 1・・・グリーンシート、2・・・ダイがンデイングパ
ッド、3・・・基板ノぐターン、4・・・絶縁層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数個の基板ノ平ターンを有するグリーンシート上に導
    電ペースト及び絶縁イーストを順次印刷するセラミック
    多層配線基板の製造方法において、基板パターンよりも
    外側の部分にまで絶縁ペーストを印刷し、次いで該グリ
    ーンシートを焼成した後、基板グリーンの外形線に沿っ
    て各基板を分割することを特徴とするセラミック多層配
    線基板の製造方法。
JP11806583A 1983-07-01 1983-07-01 セラミツク多層配線基板の製造方法 Pending JPS6012793A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11806583A JPS6012793A (ja) 1983-07-01 1983-07-01 セラミツク多層配線基板の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11806583A JPS6012793A (ja) 1983-07-01 1983-07-01 セラミツク多層配線基板の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6012793A true JPS6012793A (ja) 1985-01-23

Family

ID=14727139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11806583A Pending JPS6012793A (ja) 1983-07-01 1983-07-01 セラミツク多層配線基板の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6012793A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS622695A (ja) * 1985-06-28 1987-01-08 東京プリント工業株式会社 プリント配線板の製造方法
JPH05206524A (ja) * 1992-08-25 1993-08-13 Stanley Electric Co Ltd 光半導体用モールド樹脂

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS622695A (ja) * 1985-06-28 1987-01-08 東京プリント工業株式会社 プリント配線板の製造方法
JPH0143479B2 (ja) * 1985-06-28 1989-09-20 Tokyo Print Kogyo Co Ltd
JPH05206524A (ja) * 1992-08-25 1993-08-13 Stanley Electric Co Ltd 光半導体用モールド樹脂

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3026465B2 (ja) セラミック薄膜混成配線基板および製造方法
JP2006140537A (ja) 配線基板およびその製造方法
JP2006108529A (ja) セラミックス多層基板およびその製造方法
JP2955442B2 (ja) セラミックス回路基板の製造方法
JPS6012793A (ja) セラミツク多層配線基板の製造方法
JPH0613755A (ja) セラミック多層配線基板とその製造方法
JPS6250077B2 (ja)
JP3188086B2 (ja) セラミック配線基板とその製造方法及びその実装構造
JP2006041242A (ja) セラミック配線基板
JP3273113B2 (ja) 多層配線基板
JP2002076628A (ja) ガラスセラミック基板の製造方法
JPH06244559A (ja) セラミックス多層基板の製造方法
JPH0250494A (ja) 積層セラミック基板の製造方法
JP3902603B2 (ja) 多層セラミック基板の製造方法および拘束シート
JPH04290492A (ja) 低誘電率セラミックス回路基板の製造方法
JP2515165B2 (ja) 多層配線基板の製造方法
JPH0484494A (ja) 多層回路基板
JPH10294561A (ja) 高脱バインダ性多層配線基板およびその製法
JPH01202405A (ja) ビア・ホール形成方法
JP2006228777A (ja) 導体ペースト及び配線基板の製造方法
JPH05139849A (ja) セラミツク多層基板の製造方法
JP3241945B2 (ja) ガラスセラミック多層回路基板およびその製造方法
JPS59181597A (ja) 多層セラミツク基板の製造方法
JPH0451059B2 (ja)
JPH0653354A (ja) 回路基板