JPS6180341A - スタテツク・ランダム・アクセス・メモリ装置 - Google Patents

スタテツク・ランダム・アクセス・メモリ装置

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Publication number
JPS6180341A
JPS6180341A JP59201045A JP20104584A JPS6180341A JP S6180341 A JPS6180341 A JP S6180341A JP 59201045 A JP59201045 A JP 59201045A JP 20104584 A JP20104584 A JP 20104584A JP S6180341 A JPS6180341 A JP S6180341A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
bits
parity
bus
data bus
Prior art date
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Pending
Application number
JP59201045A
Other languages
English (en)
Inventor
Eiji Kato
英二 加藤
Isao Domoto
堂本 功
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Hokushin Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yokogawa Hokushin Electric Corp filed Critical Yokogawa Hokushin Electric Corp
Priority to JP59201045A priority Critical patent/JPS6180341A/ja
Publication of JPS6180341A publication Critical patent/JPS6180341A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Detection And Correction Of Errors (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、1ビット・パリティ付のスタテック・ランダ
ム・アクセス・メモリ(以下これを5−RA、Mと略す
)装置に関するものである。
(従来の技術) 例えば8ビット(bit)xnデータ+1bltパリテ
ィのメモリを構成する場合、従来の4KWX1bitの
5−RAMを用いてパリティ記憶回路を構成すると、I
Cの個数が増えるという問題がある。また、大容量の入
出力1ビットの5−RAMの市場供給性は少々く、現在
、入出力8ビットの5−RAMが主流であるが、入出力
8ビットの5−RAMを用いることは使用効率が悪く経
済的でない。
(発明が解決しようとする問題) 本発明け、このような従来技術におけるこれらの問題点
に鑑みてなされたもので、その目的は、簡単な構成で、
大容量の例えば8bltXh+1bltのランダム・ア
クセス・メモリ装置を実現し、実装スペースの削減と回
路設計の簡略化を計うとするものである。
(問題点を解決するための手段) このような問題点を解決するだめの本発明は、下位複数
ビットを除くアドレスラインとデータバスラインとに結
合するスタテック・ランダム・アクセス・メモリで構成
されたパリティ記憶素子、前記アドレスラインの下位複
数ビットの信号をデコードするデコーダ、このデコーダ
からの分割したデコード出力と前記データパスラインの
分割した読み出しデータと書込みパリティデータをそれ
ぞれ入力し読み出しデータのうち該当ビットをパリティ
データに変更した信号とするMl、第2の再書込データ
変換部、この第1.第2の再書込データ変換部からの信
号をそれぞれ一旦記憶し書き込み時に当該信号を前記デ
ータバスを介して前記パリティ記憶素子に書込むラッチ
回路、読み出し時に前記データバス上の読み出しデータ
から前記アドレスラインの下位複数ビットで指定される
1ピツトを選択するデータセレクタを備えた点に構成上
の特徴がある。
(作用) パリティ・データの読出しは、該嶋ビットを含む出力全
ビットを読み出し、データ・セレクタで該当ビットを選
択して行ない、また、書き込みは、該当ビットを含む全
ビットを一旦読み出し、該当ビットのみを書き込みパリ
ティ・データに変更して一旦レジスタに記憶した後、書
込みタイミングでS −RAMのデータバスに出力し、
5−RAMに書込む。
(実施例) 図は本発明に係る装置の一例を示す構成ブロック図であ
る。図において、IC1はパリティ記憶素子で、8キロ
ワード(KW) X 8 bitの5−RAMが使用さ
れている。このパリティ記憶素子ICIのアドレスは、
アドレスバスABの下位3bttヲ除く13ビットが接
続され、また、データ線(8本)は、データバスDBに
接続されている。IC2はアドレスバスABの下位3 
bitが端子A、 B、 Cに印加されるデコーダ、I
C3、IC4はいずれも同一回路構成の例えばFPT、
A (フィールド・プログラマブル・ロジック・アレイ
)を用いた再書込データ変換部で、第1の再書込データ
変換部rc3は、デコーダIC2からの下位4 bit
デコード出力0〜3(LowActive ) 、デー
タバスDBの下位4bltO−3及び書込みバリテ(・
データwpを入力している。
まだ、第2の再書込データ変換部IC4は、デコーダI
C2からの上位4 bitデコード出力4〜7、データ
バスDBの上位4bit4〜7及び書込みパリティ・デ
ータwpを入力している。IC5は第1゜第2の再書込
データ変換部IC3,IC4からの信号をラッチするラ
ッチ回路で、その出力はデータバスDBに接続されてい
る。IC6はデータバスDBに接続され、セレクト端子
ABCに印加されるアドレス下位3 bitによって、
該当データを選択し読み出すデータセレクタである。
第1.第2の再書込データ変換部IC3、IC4は、デ
コーダIC2からのデコード出力、書込みパリティデー
タWPをそれぞれ反転するインバータエ、〜I4.Ip
、インバータ11〜工4からのインバート信号と、イン
バータエ、からのインバート信号を入力するアンドゲー
トA1〜A4、デコーダIC2からのデコード出力とデ
ータバスDBからの対応するデータとを入力するアンド
ゲートB1〜B4、及び各アンドゲートA1〜A4と各
アンドゲートB1〜B4の各デコーダ端子に対応する2
つのゲート同志の出力を入力するオアゲートC□〜C4
を含んで構成されている。
このように構成した装置の動作を、次に読み出し動作と
、書き込み動作とに分けて説明する。
(読み出し動作) S −RAMで構成されているパリティ記ml子IC1
において、WE端子にII HI+レベルの信号を加え
、アドレスとチップセレクト(CE)を与える。これに
よって、パリティ記憶素子ICIからは、読み出しアク
セス時間後に、データバスラインに読み出しデータが出
力される。この時、データセレクタIC6のセレクト端
子A、 B、 Cには、アドレスの下位3ビ、トが接続
されているので、データバスDB上の読み出しデータの
うち、この3ビットで指定される1ビットが選択され、
これがW端子に出力される。これが読み出されたパリテ
ィ・データである。
ここで、パリティ記憶素子MCIに与えられるアドレス
は、アドレスバスABの下位3ビットを除いた残シ13
ビットであって、アドレスの下位3ビットが如何なる値
をとろうとも、パリティ記憶素子ICIからは同一デー
タを出力する。以上によって、パリティデータの読み出
しが行なわれる。
(書込み動作) 書込みは、一度読出しを行なった後に行なう。
いま、読み出し動作が終了し、データバスDB上には、
パリティ記憶素子ICIからデータが出力されている。
デコーダIC2のデコーダ入力A、 B、 Cには、ア
ドレスの下位3ビットが与えられているため、出力Yの
うちA、 B、 Cで指定されるビットが゛LIルベル
を出力する。このデコーダIC2のデコード出力は、書
込みパリティ・データwpとともに、第1.第2の再書
込データ変換部IC3,IC4に入力される。
第1.第2の再書込データ変換部IC3,IC4におい
て、アンドゲートA1〜A4のうち、書込みパリティデ
ータ■1がアクティブであり、デコーダICで指定さる
アンドゲートのみから°’H”レベルの信号を出力する
。また、アンドゲートB□〜B4は、データバスDB上
の各出力と、デコーダIC2からのデコード出力とを入
力しており、デコード出力で指定されるゲートが禁止さ
れる。オアゲートC〜Cは、各アンドゲートA□〜A4
.B□〜B4のうち、デコーグIC2の各出力端子に対
応するアンドゲート同志(A□、B□) 、(A21 
B2 )の出力を入力し、両信号の論理和をとるもので
、これにより、デコーダIC2で指定されるビット(即
ち、アドレスの下位3ビットで指定されるビット)のみ
を書込みデータに変更した信号をつくる。各オアゲート
c1〜C4からの信号は、各信号が定まった後に印加さ
れる書き込み・データ・ラッチタイミングLTによって
、ラッチ回路IC5でラッチされる。
次に、パリティ記憶素子IC1のWE端子を・+L ”
レベルとして書込みモードにした後、ラッチ回路IC5
の書き込みデータ送出タイミング面を°L°。
レベルにして、書き込みデータをデータバスDB上に送
出し、パリティ記憶素子ICIに書込む。
なお、上記の説明では、パリティ記憶素子ICIとして
、8KfX 8 bitのものを用いるとともに、アド
レスバスは16 bit 、データバスは8 bitの
ものを用いた場合であるが、これらは他のものを用いて
もよい。データバスを8 bit以外とした場合、デー
タセレクタIC6には、このデータバス上のデータのう
ち、1bit を選択するに必要なアドレス信号をアド
レスバスの下位ビット側より入力させればよい。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明によれば、第1゜第20書
込データ変換部IC3,IC4を同一回路構成のものを
使用することができ、また、パリティ記憶素子とデータ
記憶素子を同一品種のものが使用出来る。従って、本発
明によれば、簡単な構成で、実装スペースの削減と回路
設計のタイミング計算等の簡略化が行なえる1ビットパ
リテイ付のスタテック・ランダム・アクセス・メモリ装
置が実現できる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明に係る装置の一例を示す構成ブロック図であ
る。 工C1・・・ハリティ記憶素子、IC2・・・デコーダ
、IC3゜IC4・・・再書込データ変換部、IC5・
・・ラッチ回路、IC6・・・データセレクタ、AB・
・・アドレスバス、DB・・・データバス。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)下位複数ビットを除くアドレスラインとデータバ
    スラインとに結合するスタテック・ランダム・アクセス
    ・メモリで構成されたパリティ記憶素子、前記アドレス
    ラインの下位複数ビットの信号をデコードするデコーダ
    、このデコーダからの分割したデコード出力と前記デー
    タバスラインの分割した読み出しデータと書込みパリテ
    ィデータをそれぞれ入力し読み出しデータのうち該当ビ
    ットをパリティデータに変更した信号とする第1、第2
    の再書込データ変換部、この第1、第2の再書込データ
    変換部からの信号をそれぞれ一旦記憶し書き込み時に当
    該信号を前記データバスを介して前記パリティ記憶素子
    に書込むラッチ回路、読み出し時に前記データバス上の
    読み出しデータから前記アドレスラインの下位複数ビッ
    トで指定される1ビットを選択するデータセレクタを備
    えたスタテック・ランダム・アクセス・メモリ装置。
  2. (2)第1、第2の再書込データ変換部をフィールド・
    プログラマブル・ロジック・アレイで構成した特許請求
    の範囲第1項記載のスタテック・ランダム・アクセス・
    メモリ装置。
JP59201045A 1984-09-26 1984-09-26 スタテツク・ランダム・アクセス・メモリ装置 Pending JPS6180341A (ja)

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JP59201045A JPS6180341A (ja) 1984-09-26 1984-09-26 スタテツク・ランダム・アクセス・メモリ装置

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ID=16434494

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JP59201045A Pending JPS6180341A (ja) 1984-09-26 1984-09-26 スタテツク・ランダム・アクセス・メモリ装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62276650A (ja) * 1986-05-26 1987-12-01 Yokogawa Electric Corp スタテツク・ランダム・アクセス・メモリ装置
JPS6442751A (en) * 1987-08-10 1989-02-15 Fujitsu Ltd Memory control system
JPH02226433A (ja) * 1989-02-28 1990-09-10 Fuji Facom Corp 奇偶検査方式

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57117198A (en) * 1981-01-13 1982-07-21 Omron Tateisi Electronics Co Memory system with parity

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