JPS6168742A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、情報を光学的に記録再生する光記録媒体に関
する。

（発明の背景） 従来、大容量記録媒体として光ディスクが実用化されて
いる。

この光ディスクは、記録トラックの反射率の変化から記
録情報を再生する方式と、記録トラックに入射した光ビ
ームの偏光面の回転から記録情報を再生する方式の２秒
に大別される。

即ち、反射率の変化を利用した光ディスクにあっては、
記録トラックに記録情報に応じた物理的なビットを形成
するか又は結晶構造を変えておき、記録ピットの有無ま
たは結晶構造の違いによる反射光の強度変化から記録信
号の再生を行なっている。

一方、入射光の偏光面の回転を利用した光ディスクにあ
っては、記録情報に応じて記録トラックの垂直磁化の方
向を変化させ、信号再生は反射光方式にあってはカー効
果による垂直磁化方向に応じた偏光面の回転、透過光方
式にあってはファラデー効果による垂直磁化方向に応じ
た偏光面の回転を検出して信号再生を行なっている。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、このような従来の光ディスクにあっては
、信号再生に用いる光ビームのスポット径が決まると隣
接トラックからのクロストークの許容限界によりトラッ
クピッチをある〜定直以下にすることができない。この
ため、大容量ではあるがトラックピッチで定まる記録密
度を越えることができず記録各社に限界があった。

（問題点を解決丈るための手段） 本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたも
ので、ビームスポット径およびトラックピッチを変更す
ることな〈従来の２倍の記録容量を実現するようにした
光記録媒体を提供することを目的とし、次のように構成
したものである。

即ち、記録情報に基づく垂直磁化方向に応じて入射光の
曜光面を回転させる光磁気信号トラックと、記録情報に
基づく反射率に応じ入射光を反射する光強度信号トラッ
クとを有し、この光磁気信号トラックと光強度信号トラ
ックを交互に並べて配設し、入射光ビームに対し再生ト
ラックとその隣接トラックとは偏光面の回転と反射率に
よる光強度の変化による異なった再生原理をとっている
ことからクロストークの問題がなく、従って、１トラツ
クピツチの間に再生原理の異なる２本のトラックを形成
することができ、これによってビームスボッミル径や各
トラック毎のピッチを変更することなく記録密度を２倍
に引ぎ上げるようにしたものである。

（実施例） 第１図は本発明の光記録媒体におけるトラック記録状態
を部分的に取り出して示した説明図であり、螺旋状また
は同心円状のトラックに、実線で示すビット配列でなる
光強度信号１と破線で示すビット配列でなる光磁気付＠
２を交互のトランク配列をもって記録している。

このようなトラック配列をもつ本発明の記録媒体の構造
は、例えば第１図の■−■断面を表わした第２図に示さ
れる。

第２図において、３は透明プラスチック円板の一方の面
に射出成形等の公知の方法によってトラッキング用の案
内溝を形成した透明基板、４は透明基板３の案内溝の形
成された面にスパッタリング等の公知の方法によって積
層形成された垂直磁化層であり、例えばＧｄ　Ｔｂ　Ｆ
ｅ等のアモルファス磁性膜でなる。５は垂直磁化層４の
上に更にスパッタリング等の公知の方法によってＶｔ層
された保護層であり、例えば３ｉ０２やＡｌｌ、Ｎ等が
使用される。６はガラス、プラスチック、アルミニウム
等の剛性の高い円板状の与板であり、接君剤７による貼
着て一体化され、円板状の光記録媒体を構成する。

このような第２図に示した光記録媒体の構造において、
透明基板３側に面した垂直磁化層４の凸部８が第１図に
示した光強度信号１を記録づる光強度信号１〜ラツクを
形成し、垂直磁化層４の凹部９が第１図に示した光磁気
信号２を記録する光磁気信号トラックを形成している。

ここで、光強度信号トラック及び光磁気信号トラックを
形成する凸部８と凹部９のそれぞれの間のトラックピッ
チ、即ち同一信号のトラック間のトラックピッチは、記
録再生に要求される隣接トラックとのクロストーク量を
′Ｐｊ慮して許される限５１ｉｉ値に設定しており、こ
の結果、凸部８と凹部９の間隔でなる光強度信号トラッ
クと光磁気信号トラックの間隔はクロストークで定まる
トラックピッチの限界値の１／２の値となる。

次に、光磁気信号トラック及び光強度信号トラックのそ
れぞれに対する信号記録の方法は公知であり、次のよう
にして行なわれる。

まず光磁気信号の記録は、記録媒体に外部から磁場を印
加しておき、この状態で光ビームを照射して光磁気信号
トラックの一部分をキューリイ温度以上に加熱し、垂直
磁化層４の磁化方向を反転することで記録する。また一
旦、磁化方向の反転で記録した内容は消去及び再書込み
が可能であり、従って本発明の記録媒体における光磁気
信号トラックは書込みと読出しが可能である所ＦＦＪ　
ＲＷ　Ｍ（Ｒｅａｄ　−１７Ｖｒｉｔｅ　　Ｍｅｍｏｒ
ｙ　）としての記憶機能を有する。

一方、光強度信号の記録は光磁気信号の記録時に照射し
た再生時より高い出力の光ビームを光強度信号トラック
に照射してアモルファス状態にある垂直磁化層４を結晶
状態に相転移させることで反射率を変化させる。この結
晶状態への相転移による記録は、一度アモルファスから
結晶状態に変えると元に戻すことができないため、情報
を固定的に記録する所謂ＲＯＭ　（Ｒｅａｄ　０ｎｌｙ
　Ｍｅｍｏｒｙ　）としての機能をもつ。

第３図は第１．２図に示した本発明の光記録媒体に使用
される再生回路の一実施例を光学系と共に示した説明図
であり、４５度差動法として知られる再生方式を使用し
ている。

第３図において、１０は第１，２図に示した本発明の光
記録媒体であり、図示しない駆＠装置により回転駆動さ
れる。光記録媒体１０には半導体レーザを使用したレー
ザ光源１１からの直線偏光出力がビームスプリッタ−１
２で一部を透過し残りを反射し、この反射光を対物レン
ズ１３で光の回折限界程度まで絞り込んだ後にビームス
ポットとして光記録媒体１０に照射している。

光記録媒体１０における光強度信号トラックを形成する
第２図の凸部８にビームスポットを照射したときの反射
光は、光強度信号トラックが記録情報に応じたアモルフ
ァス状態と結晶状態の相転移をもち、その相転移によっ
て反射率が異なることから、反（ト）率に応じた強度を
もつ反射光を得る。

この反射光には両側の光磁気信号トラックを形成する凹
部９からのクロストーク成分、即ちカー効果により垂直
磁化方向に応じて偏光面が回転した反射成分を含んでい
る。

一方、光記録媒体１０で光磁気信号トラックを形成する
第２図の凹部９にビームスポットを照射したときの反射
光は、カー効果により垂直磁化方向に応じて偏光面が回
転した反射光となり、同じく両側の光強度信号トラック
からのクロストーク成分、即ち反射光の強度変動を含ん
でいる。

このような光磁気媒体１０からの反射光はビームスプリ
ッタ−１２を透過してλ／２板（但し、λはレーザ光源
１１の光出力の波長）１４に入射する。λ／１２板１４
は偏光面の回転機能を有する光学素子であり、その回転
によって偏光ビームスプリッタ−１５へ入射する光束の
偏光面を回転しており、基準面に対する両側の回転角を
いずれも４５度に調整しておくことで、光電変換素子１
６及び１７への光量が等しくなるように振り分ける。こ
こで、偏光ビームスプリッタ−１５はＳａ光の入射光を
全反射、Ｐ偏光の入射光は全透過する機能をもつ光学素
子であり、換言すれば基準面に対する入射光の偏光面の
回転変位を光強度に変換する光学素子である。

偏光ど−ムスブリッタ−１５で撮り分けられた光束は、
光電変換素子１６．１７で光強度に応じた電流に変換さ
れ、バッフ１アンプ１８．１９で電圧信号に変換される
。バッフ７アンプ１８の出力２０はｐＨｉ光の出力であ
り、差動アンプ２２の正入力端子及び加暉アンプ２３の
一方の正入力端子に印加され、一方、バッファアンプ１
９の出力２１はＳ偏光の出力であり、差動アンプ２２の
負入力端子及び加算アンプ２３の他方の正入力端子に印
加される。

次に、第３図に示した再生回路の動作を、第４゜５図の
信号波形図を参照して説明する。

第４図は本発明の光記録媒体における光強度信号トラッ
ク（第２図の凸部８）を光ビームスポットがトレースし
ているときの再生信号波形を示し、また第５図は光磁気
信号トラック（第２図の凹部９）を光ビームスポットが
トレースしているときの再生信号波形を示しており、第
４，５図（ａ　）（ｂ　）　　（ｃ　）　　（ｄ　）は
共にバッフ７アンプ１８の出力信号波形、バッフ７アン
プ１９の出力信号波形、加算アンプ２３の出力信号波形
、更に差動アンプ２２の出力信号波形を示す。ここで、
第４゜５図において主再生信号成分とクロストーク信号
成分とを図示にて区別するため、光磁気信号の信号周波
数を光強度信号の信号周波数より高い周波数としている
が、勿論クロストークが少ないことと、後述説明で明ら
かにする理由により両信号に周波数の制限は全くない。

まず、光磁気記録媒体１０における光強度信号トラック
を光ビームスポットがトレースしているとき、第３図に
示す再生回路の光電変換素子１６゜１７には光強度信号
トラックにおけるアモルファスと結晶状態の相転移によ
る光強度信号が主信号として得られ、更に両側の光磁気
信号トラックによるクロストーク成分が含まれ、それぞ
れバッフ７アンプ１８．１９で電圧信号に変換され、第
４図（ａ　＞　　（ｂ　）に示す出力（ｇ号波形が１９
られる。

即ち、第４図（ａ　）　　（ｂ　）のバッフ１アンプ出
力には、周波数の低い主信号となる光強度信号に周波数
の高いクロストーク成分となる光磁気信号が重畳した信
号波形となる。

ここで、クロストーク成分となる偏光面の回転に依存し
た光磁気信号のバッフ１アンプ出力２０゜２１は１８０
度位相がずれた逆相成分であるため、７Ｊ１　ｎアンプ
２３において逆相成分となる光磁気信号によるクロスト
ーク成分は打ち消され、同相成分となる光強廓信号の加
算出力のみが第４図（Ｃ）に示すように再生される。

一方、差動アンプ２２においては、同相成分となる光強
度信号は相殺され、逆相成分となるクロストーク成分の
加算出力を第４図（ｄ　）に示すように得るが、この信
号は光強度信号トラックの両側に位置する光磁気信号ト
ラックからの再生信号であり、且つ両方の光磁気信号が
混合されているため再生信号としては使用しない。

次に、本発明の光記録媒体１０における光磁気信号トラ
ック（第２図の四部９）を光ビームスポットがトレース
しているとき、第３図に示す再生回路の光電変換素子１
６．１７にはそれぞれ光磁気信号トラックにおける垂直
磁化方向による偏光面の回転を光の強度に変換してｉｑ
られた主信号としての光磁気信号と、両側の光強度信号
トラックから１！Ｉられたクロストーク成分が含まれて
おり、バッファアンプ１８．１９で電圧信号に変換され
、第５図（ａ）、（ｂ）に示す出力信号波形となるっ即
ち、第５図（ａ）、（ｂ）に示すバッファアンプ１８．
１９の出力信号波形は、１８０度位相が異なった逆相成
分となる周波数の高い光磁気信号に、両側の光強度信号
トラックからの周波数の低いクロストーク成分が含まれ
ている。

バッファアンプ１８．１９の出力は差動アンプ２２及び
加算アンプ２３に印加され、差動アンプ２２では同相成
分となる光強度信号トラックによるクロストーク成分は
打ち消され、逆相成分となる光磁気信号のみが加算され
て第５図（ｄ　＞に示すように再生される。ここで、差
動アンプ２２より出力される光磁気信号は同相成分によ
って極く僅かＡＭ変調をされるが、磁気ビットの有無や
ピッ１〜の長さを検出判定づるには何ら支障はない。

一方、加算アンプ２３においては、逆相成分とな゛　る
光磁気信号は打ち消され、第５図（Ｃ）に示すクロスト
ーク成分となる光強度信号が再生されるが、この再生信
号は両側の光強度信号１〜ラツクからのものであり、し
かも両側のトラック信号が混合されているため、再生信
号としては使用しない。

このように光ビームスポットが光磁気媒体における光強
度信号トラックをトレースしているときには、光強度信
号を両側の光磁気信号トラックからのクロスドーグ成分
から分離して再生することができ、一方、光磁気信号ト
ラックをトレースしているときには、両側の光強度信号
トラックからのクロストークから分離して光磁気信号を
再生することができる。更に第３図に示す再生回路は、
記録媒体の垂直磁化に依存した偏光面の回転を利用した
通常の光磁気記録媒体に用いる４５度差動法による再生
回路に、加算アンプ２３を付加しただけの簡単な回路で
あり、これによって充分なりロストークの除去が可能で
ある。また第４．５図では、光磁気信号を光強度信号よ
り高い周波数信号としているが、上述の説明で明らかな
ように不要の信号は位相の違いにより相殺づるのでこれ
に限定されず、両信号の周波数帯域の制約は全くない。

更にまた、第２図の媒体構造にあっては、垂直磁化層４
の凸部８を光強度信号１ヘラツクに割り当て、凹部９を
光磁気信号トラックに割り肖てているが、この逆となる
トラック割り当てであっても全く差し支えない。

更に、光記録磁気媒体に対する光強度信号の記録方法と
して、垂直磁化層のアモルファス状態と結晶状態の相転
移を利用しているが、これに限定されることなく信号状
態に応じて反射率が変わる方法であれば適宜の方法をと
ることができ、例えば大出力の光ビームスポットを照射
して光記録媒体を物理的に変形させ、例えば穴を形成す
ることで反射率、即ち反射光量を変えて光強度信号を１
するようにしても良い。

第６図は本発明の光記録媒体に用いられる再生回路の更
に具体的な実施例を示したもので、光記録媒体の光強度
信号トラックと、光磁気信号トラックの切換えを含むト
ラッキング制御及びそのときの再生信号の切換えを具体
化したブロック図である。

第６図に４３いて、２４は光学系ブロックであり、第３
図に示した光学系及び再生回路を基本的に含んでおり、
光学系としてはレーザ光源１１．ビームスプリッタ−１
２，対物レンズ１３．λ／２板１４、偏光ビームスプリ
ッタ−１５及びグレーディング（回折格子）２５よりな
る。このグレーディング２５と３分割充電検出器３０の
機能は後の動作説明で更に明らかにされる。

３分割光電検出器３０における光電変換素子２６は、第
３図の再生回路における光電変換素子１７に相当し、バ
ッファアンプ１９で変ＩＩＡ電流を電圧信号に変換し、
差動アンプ２２によってバッフ７アンブ１８．１９の出
力から光磁気信号を再生し、また加算アンプ２３により
光強度信号２７を再生する。

バッファアンプ３１．３２は３分割光電検出器３０にお
ける光電変換素子２７．２８のそれぞれで４９られる光
電変換電流を電圧信号に変換し、差動アンプ３３に印加
してトラッキング制御信号３４を作り出す。３５．３６
は切換器であり、切換器３５には差動アンプ３３からの
トラッキング制御信号３４とインバータ３７で反転され
たトラッキング制御信号が入力されており、また切換器
３６には差動アンプ２２からの光磁気信号２６と加算ア
ンプ２３からの光強度信号２７が与えられ、切換器３５
．３６のそれぞれは光強度信号トラックと光磁気信号ト
ラックとのトラック切換信号４１によりスイッチ接点を
切換え、且つ切換器３５゜３６は連動して切換えられる
。切換器３５の切換出力はサーボアンプ３８に与えられ
、切換器３５より出力されるトラッキング制御信号に応
じて光記録媒体１０に対する光ビームスポットをトラッ
キング方向に移動させるトラッキング機構４０に駆動信
号を与え、光ビームスポットを常に目的とする１〜ラツ
クの中心に位置するように制御する。

次に、第６図の実施例によるトラッキング制御及び（コ
号切換を説明する。

まず、第７図は公知となっているトラッキングｆｌｉ＋
制御の１方式である２ビーム法を説明するための光記録
媒体におけるトラック説明図であり、同心円または螺旋
状に配置される１〜ラック数本を光ビームの照射側から
示し、合せてトラック形成のための断面構造を示す。

叩も、第７図の断面構造において、凸部８となる光強度
信号トラック８ａを斜線部で示し、凹部９となる光磁気
信号トラック９ａが斜線部の間に形成される。

このようなトラック配列に対し２ビーム法では３つの光
ビームスポット４０．５０，６．０がトラック上に照射
され、この３つのビームスポット４０．５０及び６０の
形成は通常単一の光ビームからグレーディング（回折格
子）を用いて０次光。

±１次光の３つの光ビームスポットを１ｑている。

３つのビームスポットの内、ビームスポット４０が再生
信号用の光ビームスポットであり、回折格子から得られ
た０次光を使用する。またビームスポット５０．６０は
トラッキング制御用の光ビームスポットであり、それぞ
れ回折格子から得られた＋１次光及び−１次光を使用す
る。

第８図は第７図の２ビーム法においてトラッキング制御
信号を１専るための検出器の構成を示した説明図であり
、３分割充電検出器３０を構成する３つの光電変換素子
２６．２７及び２８と、トラッキング制御信号３４を得
るための差動アンプ３３をもち、この回路の再生回路に
そのまま含まれている（但し、バッファアンプ３１．３
２は省略している）。３分割光電検出器３ｏの光電変換
素子２６．２８．２７には、第７図に示したビームスポ
ット４０．５０．６０の反射光４０ａ、５０ａ及び６０
ａのそれぞれが結像し、電気信号に変換されている。

いま、１７図に示す矢印Ａの向きにビームスポット４０
．５０．６０を移動した第８図の３分割光電検出器３０
における反射光４０８．５０ａ及び６０ａの光量はそれ
ぞれトラッキング案内溝による回折の影響を受けて変化
し、その内、反射光５０ａと６０ａの充電変換素子２７
．２８による充電変換出力から差動アンプ３３で得た信
号が第９図に示すトラッキング制御信号３４となる。即
ち、第９図のトラッキング制御信号３４は、第７図の矢
印六方向にビームスポットを移動したときのトラック通
過時刻をＴａ、Ｔｂ、・・・Ｔｆとした場合、トラック
中心位置で零電圧となり、凸部８と凹部９の境界で正、
また凹部９と凸部８の境界で負となる極性の信号波形を
もつ。従って、第７図に示すように再生信号用の光ビー
ムスポット４０が光強度信号トラック（凸部８）の中央
にトレースされた状態では、差動アンプ３３より出力さ
れるトラッキング制御信号は零となる。即ち、第７図の
ようにトラッキング制御用の光ビームスポット５０．６
０がトラッキング案内溝のエツジにかかっている割合が
等しいとき、光ビームスポット５０．６０の反則光量は
等しく、その結果、差動アンプ３３の出力は零となる。

同様に再生信号用の光ビームスポット４０が光磁気信号
１−ラック（凹部９）の中心にトレースされているとき
にもトラッキング制御信号３４は零となる。

このように２ビーム法では第９図に示したように光強度
信号トラック（凸部８）と光磁気信号トラック（凹部９
）では極性の反転したトラッキング制御信号３４が１８
られ、このトラッキング制り１１信号３４を利用して第
６図に示すサーボアンプ３８及びトラッキング機構４０
でなるサーボ制ｉ卸回路が構成される。このサーボ制御
回路は制御対象物を一定の状態に保つため、即ち第６図
の実施例では光ビームスポットの位置をトラック中央に
保つために、常にトラッキング制御信号を参照しながら
ネガティブフィードバックループを構成している。とこ
ろが、第９図で示したとおり、光強度信号トラックと光
磁気信号トラックとではトラッキング検出信号３４の極
性が反転しているので、第６図の実施例にあっては、イ
ンバータ３７でトラッキング制御信号３４を反転し、切
換器３５によりトラッキング制御信号３４と反転された
トラック制御信号を切換え、トラック切換でトラッキン
グ制御信号３４の極性が逆転しても常にネガティブフィ
ートバックル、−プが構成できるようにしている。また
、切換器３５に連動して光磁気信号２６と光強度付＠２
７のいずれか一方を選択する切換器３６を切換えている
ため、それぞれのトラックに対応した再生信号を１りる
ことができる。

尚、第６図の実施例ではトラッキング検出信号を１７る
ために２ビーム法を用いたが、これに限定されることな
く、第９図に示すようなトラッキング制御信号が得られ
るならば、適宜の方式を適用することができる。

また、上述の実施例は全てトラッキング案内溝を備えた
ディスク構造を例にとるものであったが、案内溝のない
ディスクについても適用可能である。

例えば、まず最初に何も記録されていないディスクに機
械的な送りによって同心円または渦巻き状に光強度信号
を記録しておけ・ば、光強度信号の記録は固定的なもの
であることから、光強度信号トラックの再生信号を利用
してドラッギング案内溝がなくてもビームスポットのト
ラッキング制御が可能である。勿論、トラッキング検出
信号を得るために光磁気信号トラックを用いても良い。

更に、上記の実施例は円板状の光記録媒体を例にとるも
のであったが、本発明の記録媒体は外形形状に限定され
ず、記録再生用の光ビームと媒体が相対的に移動できれ
ば良く、例えばカード状の光記録媒体としても良い。

更にまた、本発明の光記録媒体にあっては、光強度信号
のトラック記録内容が固定される所謂不揮発性メモリで
あるため、例えばＰ−ＲＯＭとして使用し、一方、光磁
気信号トラックは情報の消去、再書込みが可能であるた
め、ＲＷＭとして使用するとができ、この特徴を利用し
て、例えば計算機の外部記憶装置どして使用する場合に
は、書換えを必要としないソフトウェアやＯ８、更には
言みＢプロセッサ等を光強度信号トラックに記録してお
き、一方、ユーザプログラムやデータのように書換えを
必要するソフトウェア等は、光磁気信号トラックに記録
するという所謂複合記録を行なうことができる。勿論、
光記録媒体の記録容量は２（８の記録容量となっている
ことから、Ｐ−ＲＯＭ及びＲＷＭの複合メモリとした。

場合にも、充分な記録容量が確保できる。

（発明の効果） 以上説明してぎたように本発明によれば、記録情報に基
づく垂直磁化方向に応じて入射光の偏光面を回転させる
光磁気（６号トラックと、記録情報に曇づく反射率に応
じ入射光を反射する光強度信号トラックとを有し、この
光磁気信号トラックと光強度信号トラックとを交互に並
べて配設するようにしたため、クロストークに応じて定
まる従来の１トラツクピツチの中に光磁気信号トラック
と光強度信号トラックの２本のトラックを形成すること
ができ、その結果、光記録媒体の記録密度を２イ８に増
加させ記録容■を大幅に引き上げることができる。

更に、光強度信号トラックの記録は固定的であり、これ
に対し光磁気信号トラックは消去、再劇込みが可能であ
るため、Ｐ−ＲＯＭとＲＷＭの異なったメモリ懇能を単
一の光記録媒体で実現でき、それぞれの記録容はは従来
の光ディスクに相当づる容量であるため、複合メモリと
して浸れた利用価値を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光記録媒体におけるトラック構造の実
施例を情報記録状態にて示した説明図、第２図は第１図
のＩｒ−ＩＩ断面図、第３図は本発明の光記録媒体に用
いられる再生回路の一実施例を光学系と共に示した回路
図、第４図は光強度信号トラックをトレースしたときに
１ｑられる第３図の再生回路における各部の信号波形図
、第５図は光磁気信号トラックをトレースしたときに１
ｑられる第３図の再生回路における各部の信号波形図、
第６図はトラッキング制御及び再生信号を得るためのト
ラック切換機能を備えた再生回路の他の実施例を示した
回路図、第７図はｖＡ６図の実施例で用いる２ビーム法
によるトラッキング制御の光ビームスポットの状態を示
した説明図、第８図は第７図の２ビーム法による光ビー
ムスポットからトラッキング制御信号を得る検出部の一
例を示した回路図、第９図は第７図で光ビームスポット
を矢印Ａの方向に移動したときに得られる１−ラッキン
グ制御信号を示した信号波形図である。 １：光強度信号 ２：光磁気信号 ３：透明基板 ４：垂直磁化方向 ５；保護層 ６：基板 ７：接着剤 １０：光記録媒体 １１；半導体レーデ １２：ビームスブリツタ− １５：偏光ビームスプリッタ− １３：対物レンズ １４：λ／２仮 １６．１７．２６．２７．２８：光電変換素子１８．１
９，３１，３２：バッファアンプ２２．３３：差手カア
ンプ ２３：加算アンプ ２４：光学系ブロック ２５：プレーディング ３ｏ：３分割充電検出器 ３５．３６：切換器 ３７：インバータ ３８：サーボアンプ ４０ニドラッキング機梠

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 記録情報に基づく垂直磁化方向に応じて入射光の偏光面
   を回転させる光磁気信号トラックと、記録情報に基づく
   反射率に応じ入射光を反射する光強度信号トラックとを
   有し、該光磁気信号トラックと光強度信号トラックを交
   互に並べて配設したことを特徴とする光記録媒体。