JPS6163037A - 受光素子用ウエ−ハの特性測定装置 - Google Patents
受光素子用ウエ−ハの特性測定装置Info
- Publication number
- JPS6163037A JPS6163037A JP59185757A JP18575784A JPS6163037A JP S6163037 A JPS6163037 A JP S6163037A JP 59185757 A JP59185757 A JP 59185757A JP 18575784 A JP18575784 A JP 18575784A JP S6163037 A JPS6163037 A JP S6163037A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- wafer
- receiving element
- calibration
- measurement
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は５ＰＤ（シリコン・ホトダイオード）などの
受光素子用のウェーハの特性を測定する装置の改良に関
するものである。以下ＳＰＤ用ウェつ八をへ象として説
明する。
受光素子用のウェーハの特性を測定する装置の改良に関
するものである。以下ＳＰＤ用ウェつ八をへ象として説
明する。
第・１図は従来の特性測定装置の構成を中央で縦に破断
して示す斜視図で、（１）は上側基板（１ａ）と下側基
板（１ｂ）とからなる測定器基板、（２）は被測定ウェ
ーハ、（３）は上側基板（ｌａ）に取付行られた発光装
置としての発光ダイオード（ＩＪＤ）、（４）はウェー
ハ測定用接触針、（５）はキャリプレーション（較Ｅ）
用８ＰＤ、（６）は不良マーカーである。
して示す斜視図で、（１）は上側基板（１ａ）と下側基
板（１ｂ）とからなる測定器基板、（２）は被測定ウェ
ーハ、（３）は上側基板（ｌａ）に取付行られた発光装
置としての発光ダイオード（ＩＪＤ）、（４）はウェー
ハ測定用接触針、（５）はキャリプレーション（較Ｅ）
用８ＰＤ、（６）は不良マーカーである。
被測定ウェーハ（２）に均一な所要の光量を得るために
、複数個のＬＥＤ（３１が並べて取り付けられており、
このＬ ＥＤ （３１からの光を被測定ウェーハ（２）
に照射して、ウェーハ測定用接触針（４）を介してウェ
ーハ（２）の特性測定を行なう。そして照射光のキャリ
プレーションは５ＰＤ（５）によって行なうようになっ
ている。測定の結果、ウェーハ（２）の不良部分には不
良マーカー（６）でマークをつける。
、複数個のＬＥＤ（３１が並べて取り付けられており、
このＬ ＥＤ （３１からの光を被測定ウェーハ（２）
に照射して、ウェーハ測定用接触針（４）を介してウェ
ーハ（２）の特性測定を行なう。そして照射光のキャリ
プレーションは５ＰＤ（５）によって行なうようになっ
ている。測定の結果、ウェーハ（２）の不良部分には不
良マーカー（６）でマークをつける。
従来装置は以上のような構成であるので、不良マーカー
（６）が被測定ウェーハ（２）上に影を落し、光量の均
一性を損う。まだ、５ＰＤ（５）によってキャリプレー
ションを行なっているが、被測定ウェーハ（２）とｓｐ
ｖ、ｃ５）とは位置が異なるので、正確なキャリプレー
７ヨンが困難である。
（６）が被測定ウェーハ（２）上に影を落し、光量の均
一性を損う。まだ、５ＰＤ（５）によってキャリプレー
ションを行なっているが、被測定ウェーハ（２）とｓｐ
ｖ、ｃ５）とは位置が異なるので、正確なキャリプレー
７ヨンが困難である。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、発
光装置を不良マーカーの先端に取りつけ不良マーカーに
よる影の発生を防止し、しかも測定に先立って被測定ウ
ェーハを置くべき位置にキャリプレーション用ＳＰＤを
６いて正確なキャリプレーションが行なえるようにして
、適確な特性測定が可能な受光素子用ウェーハの特性測
定装置を提供するものである。
光装置を不良マーカーの先端に取りつけ不良マーカーに
よる影の発生を防止し、しかも測定に先立って被測定ウ
ェーハを置くべき位置にキャリプレーション用ＳＰＤを
６いて正確なキャリプレーションが行なえるようにして
、適確な特性測定が可能な受光素子用ウェーハの特性測
定装置を提供するものである。
第２図はこの発明の一実施例の構成を中央で縦に破断し
て示す斜視図で、第２図（ａ）はそのキャリプレーショ
ン段階、第２図（１））は実際の被測定ウェーハの測定
段階の構成を示す。
て示す斜視図で、第２図（ａ）はそのキャリプレーショ
ン段階、第２図（１））は実際の被測定ウェーハの測定
段階の構成を示す。
この実施例ではＬＥＤ（３）は不良マーカー（６）の先
端部に取りつけられており、第２図（ａ）に示すキャリ
プレーション段階では、ウェーハ測定用接触針（４）の
代りに、キャリプレーション用ＳＰＤソケット（７）を
取りつけ、このソケット（７）にキャリプレーション用
Ｓ Ｐ Ｄ （５）をマウントし、ＳＰＩ］５）の位置
が第２図（１））に示す測定段階において被測定ウェー
ハ（２）を置く位置、すなわち、ウェーハ測定用接触針
（４）の先端の位置と一致するようにしである。測定段
階では第２図（ｂ）に示すように、キャリプレーション
用ＳＰＤソケット（７）を５ｐＤ（５）とともに除去し
て、ソケット方式のウェーハ測定用接触針（４）を取９
つけ、これを被測定ウェーハ（２）Ｋ接触させて所要の
特性測定を行なう。
端部に取りつけられており、第２図（ａ）に示すキャリ
プレーション段階では、ウェーハ測定用接触針（４）の
代りに、キャリプレーション用ＳＰＤソケット（７）を
取りつけ、このソケット（７）にキャリプレーション用
Ｓ Ｐ Ｄ （５）をマウントし、ＳＰＩ］５）の位置
が第２図（１））に示す測定段階において被測定ウェー
ハ（２）を置く位置、すなわち、ウェーハ測定用接触針
（４）の先端の位置と一致するようにしである。測定段
階では第２図（ｂ）に示すように、キャリプレーション
用ＳＰＤソケット（７）を５ｐＤ（５）とともに除去し
て、ソケット方式のウェーハ測定用接触針（４）を取９
つけ、これを被測定ウェーハ（２）Ｋ接触させて所要の
特性測定を行なう。
勿論この測定装置は受光素子チップばかりのウェーハの
みならず、他の半導体素子と受光素子との集積回路チッ
プのウェーハの測定にも一＃ｐ＃ 用いることかできる
。
みならず、他の半導体素子と受光素子との集積回路チッ
プのウェーハの測定にも一＃ｐ＃ 用いることかできる
。
以上説明したようにこの発明の受光素子用ウェーハの特
性測定装置ではウェーノーに光を照射する発光装置を不
良マーカーの先端部に取りつけたので、不良マーカーに
よる影の発生を防止でき、しかも測定に先立って被測定
ウエーノ嶌を置くべき位置にキャリプレーション用受光
装置を置いて正確に光量をキャリプレーションできるよ
うにしたので適確な特性測定が可能である。
性測定装置ではウェーノーに光を照射する発光装置を不
良マーカーの先端部に取りつけたので、不良マーカーに
よる影の発生を防止でき、しかも測定に先立って被測定
ウエーノ嶌を置くべき位置にキャリプレーション用受光
装置を置いて正確に光量をキャリプレーションできるよ
うにしたので適確な特性測定が可能である。
第１図は従来の特性測定装置の構成を中央で縦に破断し
て示す斜視図、第２図はこの発明の一実施例の構成を中
央で縦に破断して示す斜視図で、第２図（ａ）はそのキ
ャリプレーション段階、第２図（１））はその実際の被
測定ウェーハの測定段階の構成を示す。 図忙おいて、（２）は半導体（被測定）ウェーノ・、′
（３）は発光装置、（４）は測定用接触針、（５）はキ
ャリプレーション用受光素子（ＳＰＤ ）、（６）は不
良マーカー、（７）はキャリプレーション用受光素子の
ソケットである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す０
て示す斜視図、第２図はこの発明の一実施例の構成を中
央で縦に破断して示す斜視図で、第２図（ａ）はそのキ
ャリプレーション段階、第２図（１））はその実際の被
測定ウェーハの測定段階の構成を示す。 図忙おいて、（２）は半導体（被測定）ウェーノ・、′
（３）は発光装置、（４）は測定用接触針、（５）はキ
ャリプレーション用受光素子（ＳＰＤ ）、（６）は不
良マーカー、（７）はキャリプレーション用受光素子の
ソケットである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す０
Claims (2)
- （１）受光素子が作り込まれた半導体ウェーハに発光装
置からの光を照射するとともに、上記半導体ウェーハに
測定用接触針を接触させてその特性を測定するように構
成され、上記測定の結果の不良部分にはマークをつける
不良マーカーを備えたものにおいて、上記発光装置を上
記不良マーカーの先端部分に取りつけるとともに、上記
半導体ウェーハの測定に先立つて上記測定時に上記半導
体ウェーハが存在する位置にキャリプレーション用受光
素子を配置し、上記発光装置からの照射光量を較正する
ようにしたことを特徴とする受光素子用ウェーハの特性
測定装置。 - （２）測定時の測定用接触針と照射光量較正時のキャリ
プレーション用受光素子を装着したソケットとを挿し替
え可能にしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の受光素子用ウェーハの特性測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59185757A JPS6163037A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 受光素子用ウエ−ハの特性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59185757A JPS6163037A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 受光素子用ウエ−ハの特性測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6163037A true JPS6163037A (ja) | 1986-04-01 |
Family
ID=16176331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59185757A Pending JPS6163037A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 受光素子用ウエ−ハの特性測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6163037A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006310333A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Sony Corp | 受光デバイス測定装置および方法 |
-
1984
- 1984-09-03 JP JP59185757A patent/JPS6163037A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006310333A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Sony Corp | 受光デバイス測定装置および方法 |
| JP4650084B2 (ja) * | 2005-04-26 | 2011-03-16 | ソニー株式会社 | 受光デバイス測定装置および方法 |
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