JP2649832B2 - ウエハ検査装置 - Google Patents
ウエハ検査装置Info
- Publication number
- JP2649832B2 JP2649832B2 JP63275791A JP27579188A JP2649832B2 JP 2649832 B2 JP2649832 B2 JP 2649832B2 JP 63275791 A JP63275791 A JP 63275791A JP 27579188 A JP27579188 A JP 27579188A JP 2649832 B2 JP2649832 B2 JP 2649832B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- ink
- chip
- defective
- mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
この発明は不良品チップの選別を確実かつ迅速に行な
うことができるウエハ検査装置、特に不良品チップへマ
ークを施すマーキング手段とを備えたウエハ検査装置に
関するものである。
うことができるウエハ検査装置、特に不良品チップへマ
ークを施すマーキング手段とを備えたウエハ検査装置に
関するものである。
一般に、半導体装置の製造工程においては、一枚の結
晶ウエハ上にフォトエッチの技法を用いて多数個の半導
体装置の素子(ウエハチップ)が形成される。そしてウ
エハ上にウエハチップが完成すると、プローブテストと
呼ばれるウエハチップの電気的特性検査が行なわれる。
そして、このプローブテストは電気特性試験機(テス
タ)およびプローブカードを用いて行なわれる。つまり
ウエハチップの電極にプローブカードのプローブを接触
させ、テスタによりウエハチップの電気特性を検査する
ものである。また、チャックでウエハを固定し、間欠送
り機構によりウエハ上の全ウエハチップにわたってプロ
ーブカードのプローブを接触するために、いわゆるウエ
ハプローバが使用される。そして、このプローブテスト
を終えたウエハは個々の半導体装置のウエハチップに切
断、分割され、検査で合格したウエハチップのみが、容
器に装着される。 このような工程において、検査で合格した良品チップ
と不合格の不良品チップとの区別は、一般にプローブテ
スト時に不良品チップ表面に施された不良マークの有無
により行なわれる。 従来、上記不良マークは第2図に示すように、検査ウ
エハ1上のウエハチップ3の電極にプローブカードのプ
ローブ5を接触させ、テスタによりウエハチップ3の電
気特性を検査した後に、ウエハ1上の不良品チップのみ
の表面に、インカ7を用いてインクを打印する方法によ
り実施されていた。
晶ウエハ上にフォトエッチの技法を用いて多数個の半導
体装置の素子(ウエハチップ)が形成される。そしてウ
エハ上にウエハチップが完成すると、プローブテストと
呼ばれるウエハチップの電気的特性検査が行なわれる。
そして、このプローブテストは電気特性試験機(テス
タ)およびプローブカードを用いて行なわれる。つまり
ウエハチップの電極にプローブカードのプローブを接触
させ、テスタによりウエハチップの電気特性を検査する
ものである。また、チャックでウエハを固定し、間欠送
り機構によりウエハ上の全ウエハチップにわたってプロ
ーブカードのプローブを接触するために、いわゆるウエ
ハプローバが使用される。そして、このプローブテスト
を終えたウエハは個々の半導体装置のウエハチップに切
断、分割され、検査で合格したウエハチップのみが、容
器に装着される。 このような工程において、検査で合格した良品チップ
と不合格の不良品チップとの区別は、一般にプローブテ
スト時に不良品チップ表面に施された不良マークの有無
により行なわれる。 従来、上記不良マークは第2図に示すように、検査ウ
エハ1上のウエハチップ3の電極にプローブカードのプ
ローブ5を接触させ、テスタによりウエハチップ3の電
気特性を検査した後に、ウエハ1上の不良品チップのみ
の表面に、インカ7を用いてインクを打印する方法によ
り実施されていた。
しかしながら、この方法では打印されたインクを乾燥
する必要があり、ウエハ検査作業の敏速性を妨げてい
た。また、上記インクの乾燥方法としては、通常多数の
チップを搭載したウエハ全体を高温雰囲気中に置くた
め、不良品チップのみならず良品チップにまで高温によ
る悪影響が及んでしまうという欠点があった。 この発明は、従来の問題点を解決するためになされた
もので、不良品に施されたインクマークを加熱し、良品
チップに熱影響を及ぼすことなく、迅速にインクを加熱
乾燥できるウエハ検査装置を提供することを目的として
いる。
する必要があり、ウエハ検査作業の敏速性を妨げてい
た。また、上記インクの乾燥方法としては、通常多数の
チップを搭載したウエハ全体を高温雰囲気中に置くた
め、不良品チップのみならず良品チップにまで高温によ
る悪影響が及んでしまうという欠点があった。 この発明は、従来の問題点を解決するためになされた
もので、不良品に施されたインクマークを加熱し、良品
チップに熱影響を及ぼすことなく、迅速にインクを加熱
乾燥できるウエハ検査装置を提供することを目的として
いる。
この発明の請求項1に記載のウエハ検査装置は、ウエ
ハ上の各チップが良品であるか不良品であるかを選別す
る検査手段と、この検査手段により選別された不良品チ
ップにインクでマークを施すマーキング手段と、このマ
ーキング手段によりマークされたチップ部位に光源から
スポット状の光を照射して、インクを加熱乾燥させる乾
燥手段とを有することを特徴とするものである。 また、請求項2に記載のウエハ検査装置は、請求項1
に記載の発明において、インクの乾燥手段の光源がレー
ザ装置である。 また、請求項3に記載のウエハ検査装置は、請求項1
に記載の発明において、インクの乾燥手段の光源がハロ
ゲンランプである。 また、請求項4に記載のウエハ検査装置は、請求項1
〜請求項3のいずれか1項に記載の発明において、チッ
プ部位にスポット状に照射される光が非焦点で集光され
てなるものである。
ハ上の各チップが良品であるか不良品であるかを選別す
る検査手段と、この検査手段により選別された不良品チ
ップにインクでマークを施すマーキング手段と、このマ
ーキング手段によりマークされたチップ部位に光源から
スポット状の光を照射して、インクを加熱乾燥させる乾
燥手段とを有することを特徴とするものである。 また、請求項2に記載のウエハ検査装置は、請求項1
に記載の発明において、インクの乾燥手段の光源がレー
ザ装置である。 また、請求項3に記載のウエハ検査装置は、請求項1
に記載の発明において、インクの乾燥手段の光源がハロ
ゲンランプである。 また、請求項4に記載のウエハ検査装置は、請求項1
〜請求項3のいずれか1項に記載の発明において、チッ
プ部位にスポット状に照射される光が非焦点で集光され
てなるものである。
この発明の請求項1に記載の発明によれば、検査手段
によりウエハ上の各チップについて良品であるか不良品
であるかを選別した後、マーキング手段が検査手段によ
り選別された不良品チップにインクを付してマークを施
す。引き続き、乾燥手段の光源からマーキングされたチ
ップ部位のインクマークにスポット状の光を照射し、照
射部位のみを加熱して他の良品チップに熱影響を及ぼす
ことなくインクマークを迅速に加熱してインクマークの
インクを加熱乾燥させることができる。 また、請求項2または請求項3に記載の発明によれ
ば、請求項1に記載の発明において、インクの乾燥手段
の光源がレーザ装置またはハロゲンランプであるため、
レーザ装置またはハロゲンランプによりマーキングされ
たチップ部位のみを加熱することができる。 また、請求項4に記載の発明によれば、請求項1〜請
求項3のいずれか1項に記載の発明において、チップ部
位にスポット状に照射される光が非焦点で集光されるた
め、光源例えばレーザ光またはハロゲン光によりマーキ
ング領域を照射し、この領域内のインクマークのインク
を確実に加熱乾燥することができる。
によりウエハ上の各チップについて良品であるか不良品
であるかを選別した後、マーキング手段が検査手段によ
り選別された不良品チップにインクを付してマークを施
す。引き続き、乾燥手段の光源からマーキングされたチ
ップ部位のインクマークにスポット状の光を照射し、照
射部位のみを加熱して他の良品チップに熱影響を及ぼす
ことなくインクマークを迅速に加熱してインクマークの
インクを加熱乾燥させることができる。 また、請求項2または請求項3に記載の発明によれ
ば、請求項1に記載の発明において、インクの乾燥手段
の光源がレーザ装置またはハロゲンランプであるため、
レーザ装置またはハロゲンランプによりマーキングされ
たチップ部位のみを加熱することができる。 また、請求項4に記載の発明によれば、請求項1〜請
求項3のいずれか1項に記載の発明において、チップ部
位にスポット状に照射される光が非焦点で集光されるた
め、光源例えばレーザ光またはハロゲン光によりマーキ
ング領域を照射し、この領域内のインクマークのインク
を確実に加熱乾燥することができる。
以下、この発明の一実施例を図面を用いて説明する。
第1図はこの発明のウエハ検査装置を使用したマーキン
グの様子を表わす。 図において、テストヘッド(図示せず)のヘッドプレ
ート20にはリングインサート10が固定され、このリング
インサート10の端面にプローブ31を有するプローブカー
ド30が取付けられている。ウエハ40はチャック50に保持
されて矢印方向に上下移動し、ウエハチップ41のパッド
(電極)42にプローブカード30のプローブ31を接触さ
せ、テスタによりウエハチップ41の電気特性を検査され
る。そして、ウエハ検査装置は上記チャック50でウエハ
40を固定し、X−Y駆動装置90からなる間欠送り機構に
より、ウエハ40上の全ウエハチップにわたってプローブ
カード30のプローブ31を接触する。 上記リングインサート10に、取付装置を介してインク
によるマークを施すマーキング手段51が取り付けられて
いる。このマーキング手段51は、従来使用されているイ
ンカであることができる。上記マーキング手段51は、イ
ンクを吐出するニードル53と、このニードル53を保持す
るシリンダ55と、インクを貯留しておくインク溜め57と
を有している。 上記のウエハ検査装置において、この発明は以下のイ
ンクの乾燥手段を備えている。 本実施例においてインクの乾燥手段81は、取付装置を
介してリングインサート10に取り付けられたレーザ装置
であり、レーザ装置はレーザ発振装置83と、この先端に
取り付けられ、ウエハ40に搭載したウエハチップ41の上
部にセットされたレーザヘッド85とを有している。レー
ザ発振装置83から出射されたレーザビームは、上記イン
カによってウエハチップ41上に形成されたマークよりも
やや大きめのスポット状に非焦点で集光された連続ビー
ムである。なお乾燥温度の制御は、レーザ光の出力のみ
ならず、上記ビームの焦点距離の調節によって行なうこ
ともできる。このビームはウエハチップ41上に形成され
たマークに向けられており、チャック50に保持されたウ
エハ40の移動により、ウエハ40面に対して相対的に移動
してマークの形成された位置を照射する。87は、レーザ
装置のレーザ発振装置83を制御する制御装置である。 この実施例のウエハ検査装置は次のように動作する。 テスタからブローブカード30のプローブ31を通じてウ
エハチップ41のパッド42へ信号が送られて、ウエハチッ
プの電気特性が検査され、もしその結果が不良の場合、
マーキング手段51に信号が送られて不良品チップに不良
マークが表示される。 その後レーザ発振装置83から出射されたレーザビーム
が、上記マーキング手段51によってウエハチップ41上に
形成されたマークよりもやや大きめのスポット状に非焦
点で集光され、マークを形造っているインク上を照射し
てその部位のみ加熱し、インクを迅速に乾燥する。 このようにマーキング手段51及びスポット状の光を照
射する乾燥手段81を用いることにより、不良品チップの
周辺を汚染することなく、不良品チップのみにインクマ
ークを施し、その不良品チップ部位のインクマークを迅
速に乾燥させることができる。 この工程で得られる不良品チップ上の不良マークは、
非常に明瞭なものであった。 また上記実施例においては、インクの乾燥手段81とし
てレーザ装置を使用したが、ハロゲンランプ等であって
もよく、スポット状にマーク部分のみ照射できるもので
あれば適宜使用することができる。
第1図はこの発明のウエハ検査装置を使用したマーキン
グの様子を表わす。 図において、テストヘッド(図示せず)のヘッドプレ
ート20にはリングインサート10が固定され、このリング
インサート10の端面にプローブ31を有するプローブカー
ド30が取付けられている。ウエハ40はチャック50に保持
されて矢印方向に上下移動し、ウエハチップ41のパッド
(電極)42にプローブカード30のプローブ31を接触さ
せ、テスタによりウエハチップ41の電気特性を検査され
る。そして、ウエハ検査装置は上記チャック50でウエハ
40を固定し、X−Y駆動装置90からなる間欠送り機構に
より、ウエハ40上の全ウエハチップにわたってプローブ
カード30のプローブ31を接触する。 上記リングインサート10に、取付装置を介してインク
によるマークを施すマーキング手段51が取り付けられて
いる。このマーキング手段51は、従来使用されているイ
ンカであることができる。上記マーキング手段51は、イ
ンクを吐出するニードル53と、このニードル53を保持す
るシリンダ55と、インクを貯留しておくインク溜め57と
を有している。 上記のウエハ検査装置において、この発明は以下のイ
ンクの乾燥手段を備えている。 本実施例においてインクの乾燥手段81は、取付装置を
介してリングインサート10に取り付けられたレーザ装置
であり、レーザ装置はレーザ発振装置83と、この先端に
取り付けられ、ウエハ40に搭載したウエハチップ41の上
部にセットされたレーザヘッド85とを有している。レー
ザ発振装置83から出射されたレーザビームは、上記イン
カによってウエハチップ41上に形成されたマークよりも
やや大きめのスポット状に非焦点で集光された連続ビー
ムである。なお乾燥温度の制御は、レーザ光の出力のみ
ならず、上記ビームの焦点距離の調節によって行なうこ
ともできる。このビームはウエハチップ41上に形成され
たマークに向けられており、チャック50に保持されたウ
エハ40の移動により、ウエハ40面に対して相対的に移動
してマークの形成された位置を照射する。87は、レーザ
装置のレーザ発振装置83を制御する制御装置である。 この実施例のウエハ検査装置は次のように動作する。 テスタからブローブカード30のプローブ31を通じてウ
エハチップ41のパッド42へ信号が送られて、ウエハチッ
プの電気特性が検査され、もしその結果が不良の場合、
マーキング手段51に信号が送られて不良品チップに不良
マークが表示される。 その後レーザ発振装置83から出射されたレーザビーム
が、上記マーキング手段51によってウエハチップ41上に
形成されたマークよりもやや大きめのスポット状に非焦
点で集光され、マークを形造っているインク上を照射し
てその部位のみ加熱し、インクを迅速に乾燥する。 このようにマーキング手段51及びスポット状の光を照
射する乾燥手段81を用いることにより、不良品チップの
周辺を汚染することなく、不良品チップのみにインクマ
ークを施し、その不良品チップ部位のインクマークを迅
速に乾燥させることができる。 この工程で得られる不良品チップ上の不良マークは、
非常に明瞭なものであった。 また上記実施例においては、インクの乾燥手段81とし
てレーザ装置を使用したが、ハロゲンランプ等であって
もよく、スポット状にマーク部分のみ照射できるもので
あれば適宜使用することができる。
以上説明したようにこの発明の請求項1〜請求項4に
記載の発明によれば、マーキング手段によりマークされ
たチップ部位に光源からスポット状の光を照射して、イ
ンクを加熱乾燥させる乾燥手段を有するため、不良品に
施されたインクマークを加熱し、良品チップに熱影響を
及ぼすことなく、迅速にインクマークのインクを乾燥で
きるウエハ検査装置を提供することができる。
記載の発明によれば、マーキング手段によりマークされ
たチップ部位に光源からスポット状の光を照射して、イ
ンクを加熱乾燥させる乾燥手段を有するため、不良品に
施されたインクマークを加熱し、良品チップに熱影響を
及ぼすことなく、迅速にインクマークのインクを乾燥で
きるウエハ検査装置を提供することができる。
第1図は、この発明のウエハ検査装置の一実施例を示す
要部断面図、第2図は従来例の不良マーキングの状態を
示す要部断面図である。 40……ウエハ、41……ウエハチップ 81……乾燥手段、83……レーザ発振装置
要部断面図、第2図は従来例の不良マーキングの状態を
示す要部断面図である。 40……ウエハ、41……ウエハチップ 81……乾燥手段、83……レーザ発振装置
Claims (4)
- 【請求項1】ウエハ上の各チップが良品であるか不良品
であるかを選別する検査手段と、この検査手段により選
別された不良品チップにインクでマークを施すマーキン
グ手段と、このマーキング手段によりマークされたチッ
プ部位に光源からスポット状の光を照射して、インクを
加熱乾燥させる乾燥手段とを有することを特徴とするウ
エハ検査装置。 - 【請求項2】インクの乾燥手段の光源がレーザ装置であ
る請求項1記載のウエハ検査装置。 - 【請求項3】インクの乾燥手段の光源がハロゲンランプ
である請求項1記載のウエハ検査装置。 - 【請求項4】チップ部位にスポット状に照射される光が
非焦点で集光されてなるものである請求項1〜請求項3
のいずれか1項に記載のウエハ検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63275791A JP2649832B2 (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | ウエハ検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63275791A JP2649832B2 (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | ウエハ検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02122536A JPH02122536A (ja) | 1990-05-10 |
JP2649832B2 true JP2649832B2 (ja) | 1997-09-03 |
Family
ID=17560462
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63275791A Expired - Lifetime JP2649832B2 (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | ウエハ検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2649832B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002190504A (ja) | 2000-12-22 | 2002-07-05 | Umc Japan | マーク形成方法、マーク形成装置および解析装置 |
JP5966959B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2016-08-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体検査方法 |
JP7458744B2 (ja) * | 2019-10-31 | 2024-04-01 | 第一実業ビスウィル株式会社 | 印刷装置 |
-
1988
- 1988-10-31 JP JP63275791A patent/JP2649832B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02122536A (ja) | 1990-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112255532B (zh) | 一种芯片失效定位方法及夹具 | |
JP2649832B2 (ja) | ウエハ検査装置 | |
US6403386B1 (en) | Method and apparatus for identifying failure sites on IC chips | |
JP4180325B2 (ja) | レーザーマーキング装置およびレーザーマーキング方法 | |
US6580282B1 (en) | Machine for testing electronic chips | |
JP3745918B2 (ja) | レーザトリミング装置及び方法 | |
KR20180021996A (ko) | 프로브 본딩장치 및 이를 이용한 프로브 본딩방법 | |
JPS60153138A (ja) | 自動プロ−バのウエハアライメント機構 | |
US4572886A (en) | Optical method for integrated circuit bar identification | |
JPH11326461A (ja) | プローブ針のレーザクリーニング方法とその装置 | |
JP2000306865A (ja) | ウェーハ切断方法およびその装置 | |
JPS621247B2 (ja) | ||
JPS6024031A (ja) | 半導体ウエハプロ−バ | |
JPH01179315A (ja) | レーザアニール装置 | |
JPH05206242A (ja) | 半導体ウエハーのボイド検出装置 | |
JP2002190504A (ja) | マーク形成方法、マーク形成装置および解析装置 | |
JPS638132Y2 (ja) | ||
JPH11121531A (ja) | 電子部品の実装方法および実装装置 | |
JPH0715921B2 (ja) | 多チツプ同時測定用マ−キング装置 | |
JPH0249649B2 (ja) | ||
JPS63232438A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JPS62118691U (ja) | ||
JP2598905B2 (ja) | プローブ装置 | |
JPH07312381A (ja) | プローブ装置 | |
JPH072433B2 (ja) | 放電マ−キング装置および放電マ−キング方法 |