JPS61234542A - 半導体装置の試験装置 - Google Patents
半導体装置の試験装置Info
- Publication number
- JPS61234542A JPS61234542A JP7718685A JP7718685A JPS61234542A JP S61234542 A JPS61234542 A JP S61234542A JP 7718685 A JP7718685 A JP 7718685A JP 7718685 A JP7718685 A JP 7718685A JP S61234542 A JPS61234542 A JP S61234542A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- laser
- substrate
- wafer
- light rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ウェハース状態の半導体を電気的に測定する
為に使用する装置に関し、特に電気的に測定した結果を
ウェハー状態の半導体装置にレーザーを使用しマークす
る装置に関する。
為に使用する装置に関し、特に電気的に測定した結果を
ウェハー状態の半導体装置にレーザーを使用しマークす
る装置に関する。
従来、この種の半導体試験装置は、プローブカードと称
し、レーザーマークを使用する場合、高性能のレンズを
使用し、ウェハー状態の半導体装置にマークを行ってい
た。
し、レーザーマークを使用する場合、高性能のレンズを
使用し、ウェハー状態の半導体装置にマークを行ってい
た。
上述した従来の装置は電気的に測定した結果をウェハー
上にレーザーでマークする時、レーザービームの発射部
からウェハー上に焦点を結ぶ方式であるため、その距離
が長くなり、焦点合わせの調整が複雑で、その調整に長
時間を有していた。
上にレーザーでマークする時、レーザービームの発射部
からウェハー上に焦点を結ぶ方式であるため、その距離
が長くなり、焦点合わせの調整が複雑で、その調整に長
時間を有していた。
かつ、ウェハー厚のバラツキ等で焦点が狂ってレーザー
マークがうすくなるトラブルも多発するという欠点を有
していた。
マークがうすくなるトラブルも多発するという欠点を有
していた。
本発明は前記問題点を解消した装置を提供するものであ
る。
る。
本発明は半導体装置の電気的測定端子を固定する基板に
レンズを設けたことを特徴とするものである。
レンズを設けたことを特徴とするものである。
次に本発明の実施例を図によって説明する。
第1図(α) 、 (b)において、複数の探針2を有
する基板1上に、レーザーの平行光線4をウェハー5上
に焦点6を結ばせるレンズ3を設ける。
する基板1上に、レーザーの平行光線4をウェハー5上
に焦点6を結ばせるレンズ3を設ける。
本装置を使ってレーザーマークするには、第2図に示す
ように基板1のレンズ3にレーザー光9を照射し、その
レンズ3によシウエハー5上に焦点6を結ばせ、レーザ
ーマークを行う。もしくは凹レンズを有する場合はレー
ザーマーカーの平行光線を発散させ、マークの大きさを
大きくすることも可能である。
ように基板1のレンズ3にレーザー光9を照射し、その
レンズ3によシウエハー5上に焦点6を結ばせ、レーザ
ーマークを行う。もしくは凹レンズを有する場合はレー
ザーマーカーの平行光線を発散させ、マークの大きさを
大きくすることも可能である。
以上説明したように本発明は基板上にレンズを付けるこ
とにより、レーザーマーカーから出た平行光線をレンズ
で通してウェハー上に焦点を結ぶようにするため、焦点
合わせの調整が不要である。
とにより、レーザーマーカーから出た平行光線をレンズ
で通してウェハー上に焦点を結ぶようにするため、焦点
合わせの調整が不要である。
また、レーザーマーカーも平行光線を出すだけでよく、
構造も簡単・で、焦点合わせの調整が不要となり、しか
もマークについてもレンズからウェハー間の距離が短か
く、一定に保ちやすく、再現性のある良質のレーザーマ
ークを行うことができる効果を有するものである。
構造も簡単・で、焦点合わせの調整が不要となり、しか
もマークについてもレンズからウェハー間の距離が短か
く、一定に保ちやすく、再現性のある良質のレーザーマ
ークを行うことができる効果を有するものである。
第1図は本発明の実施例を示すもので、(ωは側面図、
(b)は平面図、第2図は本発明の詳細な説明図である
。 1・・・基板 2・・・探針3・・・レン
ズ 特許出願人 日本電気株式会社 (bン 第1図
(b)は平面図、第2図は本発明の詳細な説明図である
。 1・・・基板 2・・・探針3・・・レン
ズ 特許出願人 日本電気株式会社 (bン 第1図
Claims (1)
- (1)ウエハース状態の半導体装置を電気的に測定する
端子の固定用基板にレンズを設けたことを特徴とする半
導体装置の試験装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7718685A JPS61234542A (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 | 半導体装置の試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7718685A JPS61234542A (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 | 半導体装置の試験装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61234542A true JPS61234542A (ja) | 1986-10-18 |
Family
ID=13626781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7718685A Pending JPS61234542A (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 | 半導体装置の試験装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61234542A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01308041A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Nec Yamagata Ltd | レーザーマーキング装置 |
EP1111668A3 (en) * | 1995-07-21 | 2002-07-24 | Nec Corporation | Semiconductor testing device comprising a light emitting device |
-
1985
- 1985-04-11 JP JP7718685A patent/JPS61234542A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01308041A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Nec Yamagata Ltd | レーザーマーキング装置 |
EP1111668A3 (en) * | 1995-07-21 | 2002-07-24 | Nec Corporation | Semiconductor testing device comprising a light emitting device |
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