JPS61234542A - 半導体装置の試験装置 - Google Patents

半導体装置の試験装置

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Publication number
JPS61234542A
JPS61234542A JP7718685A JP7718685A JPS61234542A JP S61234542 A JPS61234542 A JP S61234542A JP 7718685 A JP7718685 A JP 7718685A JP 7718685 A JP7718685 A JP 7718685A JP S61234542 A JPS61234542 A JP S61234542A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lens
laser
substrate
wafer
light rays
Prior art date
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Pending
Application number
JP7718685A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazutoshi Kamibayashi
和利 上林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS61234542A publication Critical patent/JPS61234542A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ウェハース状態の半導体を電気的に測定する
為に使用する装置に関し、特に電気的に測定した結果を
ウェハー状態の半導体装置にレーザーを使用しマークす
る装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体試験装置は、プローブカードと称
し、レーザーマークを使用する場合、高性能のレンズを
使用し、ウェハー状態の半導体装置にマークを行ってい
た。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の装置は電気的に測定した結果をウェハー
上にレーザーでマークする時、レーザービームの発射部
からウェハー上に焦点を結ぶ方式であるため、その距離
が長くなり、焦点合わせの調整が複雑で、その調整に長
時間を有していた。
かつ、ウェハー厚のバラツキ等で焦点が狂ってレーザー
マークがうすくなるトラブルも多発するという欠点を有
していた。
本発明は前記問題点を解消した装置を提供するものであ
る。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は半導体装置の電気的測定端子を固定する基板に
レンズを設けたことを特徴とするものである。
〔実施例〕
次に本発明の実施例を図によって説明する。
第1図(α) 、 (b)において、複数の探針2を有
する基板1上に、レーザーの平行光線4をウェハー5上
に焦点6を結ばせるレンズ3を設ける。
本装置を使ってレーザーマークするには、第2図に示す
ように基板1のレンズ3にレーザー光9を照射し、その
レンズ3によシウエハー5上に焦点6を結ばせ、レーザ
ーマークを行う。もしくは凹レンズを有する場合はレー
ザーマーカーの平行光線を発散させ、マークの大きさを
大きくすることも可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は基板上にレンズを付けるこ
とにより、レーザーマーカーから出た平行光線をレンズ
で通してウェハー上に焦点を結ぶようにするため、焦点
合わせの調整が不要である。
また、レーザーマーカーも平行光線を出すだけでよく、
構造も簡単・で、焦点合わせの調整が不要となり、しか
もマークについてもレンズからウェハー間の距離が短か
く、一定に保ちやすく、再現性のある良質のレーザーマ
ークを行うことができる効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示すもので、(ωは側面図、
(b)は平面図、第2図は本発明の詳細な説明図である
。 1・・・基板       2・・・探針3・・・レン
ズ 特許出願人  日本電気株式会社 (bン 第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ウエハース状態の半導体装置を電気的に測定する
    端子の固定用基板にレンズを設けたことを特徴とする半
    導体装置の試験装置。
JP7718685A 1985-04-11 1985-04-11 半導体装置の試験装置 Pending JPS61234542A (ja)

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JPS61234542A true JPS61234542A (ja) 1986-10-18

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JP7718685A Pending JPS61234542A (ja) 1985-04-11 1985-04-11 半導体装置の試験装置

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JP (1) JPS61234542A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01308041A (ja) * 1988-06-06 1989-12-12 Nec Yamagata Ltd レーザーマーキング装置
EP1111668A3 (en) * 1995-07-21 2002-07-24 Nec Corporation Semiconductor testing device comprising a light emitting device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01308041A (ja) * 1988-06-06 1989-12-12 Nec Yamagata Ltd レーザーマーキング装置
EP1111668A3 (en) * 1995-07-21 2002-07-24 Nec Corporation Semiconductor testing device comprising a light emitting device

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