JPS61118629A - 半導体レ−ザ素子の測定装置 - Google Patents
半導体レ−ザ素子の測定装置Info
- Publication number
- JPS61118629A JPS61118629A JP24101084A JP24101084A JPS61118629A JP S61118629 A JPS61118629 A JP S61118629A JP 24101084 A JP24101084 A JP 24101084A JP 24101084 A JP24101084 A JP 24101084A JP S61118629 A JPS61118629 A JP S61118629A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- wavelength
- monochrometer
- laser beam
- wavelength sensor
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/0014—Monitoring arrangements not otherwise provided for
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザ累子の測定に関し、特に半導体レ
ーザ素子の光波長測定装置に関する。
ーザ素子の光波長測定装置に関する。
従来、半導体レーザ素子（以下ＬＤ素子という）の発振
波長特性を測定する装置として、第２図に示すように、
例えば発振波長の異なる場合は、受光センサ金交換して
、ＬＤ素子の特性を測定する装置が用いられている。
波長特性を測定する装置として、第２図に示すように、
例えば発振波長の異なる場合は、受光センサ金交換して
、ＬＤ素子の特性を測定する装置が用いられている。
第２図において、ＬＤ駆動定電流電源１に、ＬＤ素子２
が規定光出力を出すための動作電流を流し、ＬＤ素子２
から発光するレーザ光を集光部３全通し、モノクロメー
タ５に入射させ、モノクロメータ５から出射した単一波
長成分をファイバ・レセプタクル１４に焦点を結び、コ
ネクタ付ファイバ１５に裏って、測定する波長範囲に合
った受光センサに接続し、受光センサにセンサ・バイア
ス電源１１から印加して、二次元アナログ表示部１３で
発振波長特性を検出されるように構成されている。
が規定光出力を出すための動作電流を流し、ＬＤ素子２
から発光するレーザ光を集光部３全通し、モノクロメー
タ５に入射させ、モノクロメータ５から出射した単一波
長成分をファイバ・レセプタクル１４に焦点を結び、コ
ネクタ付ファイバ１５に裏って、測定する波長範囲に合
った受光センサに接続し、受光センサにセンサ・バイア
ス電源１１から印加して、二次元アナログ表示部１３で
発振波長特性を検出されるように構成されている。
ＬＤ累素子の発振波長特性は、例えば第３図に示したよ
うな彫金しており、あらかじめスケール校正されて騒る
、二次元アナログ表示部１３（Ｃよって、第３図に示す
ような光出力対波長分布図が得られる。
うな彫金しており、あらかじめスケール校正されて騒る
、二次元アナログ表示部１３（Ｃよって、第３図に示す
ような光出力対波長分布図が得られる。
こうして得られた分布図からピーク波長および波長の半
値幅が求められ規格値と比較され、ＬＤ累素子の良・不
良が決定される。
値幅が求められ規格値と比較され、ＬＤ累素子の良・不
良が決定される。
上述した従来のＬＤ累子測定装置は、ＬＤ素子の発振波
長が異なる場合には、コネクタ付ファイバによる、６受
光センサの切替にエリ、取り外しを行なうためファイバ
ーのコネクタとファイバレセプタクルの摩耗による光軸
の位置ズレを生じ測定精度全低下させる欠点がある。ま
た、ファイノくや受光センサによごれやゴミなどが入り
込み、光強度が著しく減衰すると同じに電気回路の切替
が別にあるため、誤操作が起り、作業能率の低下をまね
くという欠点もある。
長が異なる場合には、コネクタ付ファイバによる、６受
光センサの切替にエリ、取り外しを行なうためファイバ
ーのコネクタとファイバレセプタクルの摩耗による光軸
の位置ズレを生じ測定精度全低下させる欠点がある。ま
た、ファイノくや受光センサによごれやゴミなどが入り
込み、光強度が著しく減衰すると同じに電気回路の切替
が別にあるため、誤操作が起り、作業能率の低下をまね
くという欠点もある。
本発明の目的は、上記欠点全除去し、測定精度および測
定能率の向上した半導体レーザ素子の測定装置を提供す
ることにある。
定能率の向上した半導体レーザ素子の測定装置を提供す
ることにある。
本発明の半導体レーザ素子の測定装置は、モノクロメー
タの出射スリットにより単一波長成分に選択され、出射
スリットの幅によって波長分解能が決まる。スリットか
ら出た光スペクトルは放物面鏡によって反射され、さら
にハーフ・ミラーによって光音二方向に分割します。こ
こで分割された光は各センサ部に点状に絞りこまれるよ
うに設計されである。受光センサには波長特性があるた
め、一方では長波長用センナに入射し、もう一方では短
波長用センサに入射する工すに位置してあり、各センサ
で光電気変換された信号は加算回路をへて、アナログ表
示部で光レベル対波長表示する工う構成される。
タの出射スリットにより単一波長成分に選択され、出射
スリットの幅によって波長分解能が決まる。スリットか
ら出た光スペクトルは放物面鏡によって反射され、さら
にハーフ・ミラーによって光音二方向に分割します。こ
こで分割された光は各センサ部に点状に絞りこまれるよ
うに設計されである。受光センサには波長特性があるた
め、一方では長波長用センナに入射し、もう一方では短
波長用センサに入射する工すに位置してあり、各センサ
で光電気変換された信号は加算回路をへて、アナログ表
示部で光レベル対波長表示する工う構成される。
次゛に本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の構成図である。ＬＤ駆動定
電流源１ｖｒ−よって、ＬＤ素子２が規定光出力を出す
ための動作電流を与える。ＬＤ素子２か ｊら
発するレーザ光は集光部３を通り数１０μｍに絞られた
入射スリット４に入り、モノクロメータ５の光路を通過
する。ここで、モノクロメータ５で設定された単一波長
成分のみが選択され、数１０μｍに絞られた出射スリッ
ト６に表われる。この光スペクトルを放物面鏡７で反射
させ、ハーフ・ミラー８によってレーザ光を二方向に分
割させる。
電流源１ｖｒ−よって、ＬＤ素子２が規定光出力を出す
ための動作電流を与える。ＬＤ素子２か ｊら
発するレーザ光は集光部３を通り数１０μｍに絞られた
入射スリット４に入り、モノクロメータ５の光路を通過
する。ここで、モノクロメータ５で設定された単一波長
成分のみが選択され、数１０μｍに絞られた出射スリッ
ト６に表われる。この光スペクトルを放物面鏡７で反射
させ、ハーフ・ミラー８によってレーザ光を二方向に分
割させる。
放物面鏡７で絞りこまれたレーザ光は長波長用センサ９
および短波長用センサ１０に入射する。
および短波長用センサ１０に入射する。
各々のセンサに入射したレーザ光はセンサで光電気変換
される、更に電気信号は加算回路１１′ｆｔへて、二次
元アナログ表示部１２に接続される。ここで各センサか
らの信号は垂直軸方向に接続され、モノクロメータ５か
らの波長周期信号は二次元アナログ表示部１２の水平軸
方向に接続される。二次元アナログ表示部１２でＬＤ累
素子の波長特性を描く。
される、更に電気信号は加算回路１１′ｆｔへて、二次
元アナログ表示部１２に接続される。ここで各センサか
らの信号は垂直軸方向に接続され、モノクロメータ５か
らの波長周期信号は二次元アナログ表示部１２の水平軸
方向に接続される。二次元アナログ表示部１２でＬＤ累
素子の波長特性を描く。
上述のよう［ＬＤ累素子波長特性の測定は全て受光セン
サの切替を行なわないため、従来の測定装置のようなフ
ァイバの切替接続及び電気回路の切替による誤差がなく
、高精度でしかも迅速に行なうことができる。測定装置
の保守も簡単となり、更に加算回路によって光出力の損
失がきわめて少なく、鏡の使用によって異なる波長に対
する屈折率の依存性がなく、作業能率は向上したものと
なる。
サの切替を行なわないため、従来の測定装置のようなフ
ァイバの切替接続及び電気回路の切替による誤差がなく
、高精度でしかも迅速に行なうことができる。測定装置
の保守も簡単となり、更に加算回路によって光出力の損
失がきわめて少なく、鏡の使用によって異なる波長に対
する屈折率の依存性がなく、作業能率は向上したものと
なる。
以上詳細に説明したように、本発明ＶＩ−よれば測定精
度および測定能率の向上した半導体レーザ素子の測定装
置が得られるので、その効果は大きい。
度および測定能率の向上した半導体レーザ素子の測定装
置が得られるので、その効果は大きい。
第１図は本発明の半導体レーザ索子測定装置の一実施例
の構成図、第２図は従来の測定装置の構成図で、第３図
はレーザダイオードの光出力射波最分布を示すグラフで
ある。 １・・・・・・ＬＤ駆動定電流源、２・・・・・・ＬＤ
素子、３・・・・・ビーム集光部、４・・・・・・入射
スリット、５・・・・・・モノクロメータ、６・・・・
・・出射スリット、７・・・・・・放物面鏡、８・・・
・・・ノ・−フ・ミラー、９・・・・・・長波長用セン
サ、１０・・・・・・短波長用センサ、１１・・・・・
・センサ・バイアス電源、１２・・・・・・信号加算回
路、１３・・・・・・二次元アナログ表示部、１４・・
・・・ファイバ・レセプタクル、１５・・・・・コネク
タ付ファイバ。 休 創代り−一
の構成図、第２図は従来の測定装置の構成図で、第３図
はレーザダイオードの光出力射波最分布を示すグラフで
ある。 １・・・・・・ＬＤ駆動定電流源、２・・・・・・ＬＤ
素子、３・・・・・ビーム集光部、４・・・・・・入射
スリット、５・・・・・・モノクロメータ、６・・・・
・・出射スリット、７・・・・・・放物面鏡、８・・・
・・・ノ・−フ・ミラー、９・・・・・・長波長用セン
サ、１０・・・・・・短波長用センサ、１１・・・・・
・センサ・バイアス電源、１２・・・・・・信号加算回
路、１３・・・・・・二次元アナログ表示部、１４・・
・・・ファイバ・レセプタクル、１５・・・・・コネク
タ付ファイバ。 休 創代り−一
Claims (1)
- 半導体レーザ素子を発振動作させる定電流電源と、該半
導体レーザ素子からのレーザ光ビームを集光する集光部
と、該集光部で集光されたレーザ光ビームから単一波長
成分を引き出すモノクロメータと、該レーザ光の単一波
長成分を受ける長波長用センサおよび短波長用センサと
、これらセンサからの電気信号を合成して表示する２次
元アナログ表示部とを有することを特徴とする半導体レ
ーザ素子の測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24101084A JPS61118629A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 半導体レ−ザ素子の測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24101084A JPS61118629A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 半導体レ−ザ素子の測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61118629A true JPS61118629A (ja) | 1986-06-05 |
Family
ID=17067985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24101084A Pending JPS61118629A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 半導体レ−ザ素子の測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61118629A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022090835A (ja) * | 2020-12-08 | 2022-06-20 | アンリツ株式会社 | 波形観測装置、及び波形観測方法 |
-
1984
- 1984-11-15 JP JP24101084A patent/JPS61118629A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022090835A (ja) * | 2020-12-08 | 2022-06-20 | アンリツ株式会社 | 波形観測装置、及び波形観測方法 |
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