JPS6160065A - 光電変換装置 - Google Patents
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- JPS6160065A JPS6160065A JP59181751A JP18175184A JPS6160065A JP S6160065 A JPS6160065 A JP S6160065A JP 59181751 A JP59181751 A JP 59181751A JP 18175184 A JP18175184 A JP 18175184A JP S6160065 A JPS6160065 A JP S6160065A
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- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はファクシミリ装置、インテリジェントコピアや
光ディスクなど各種ＯＡ機器の画像入力部に用いられる
光電変換装置に関するものである。
光ディスクなど各種ＯＡ機器の画像入力部に用いられる
光電変換装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、ファクシミリ装置や各種ＯＡ機器の画像情報入力
装置のＩト型化や画像ひずみの改良を目指ン して原稿と同一寸法の密着型ライセンサを開発し、・こ
れを組込んだ画像読取装置が使用され始めているが、情
報伝達の高速化に伴い、その読取速度を決める光センサ
の応答速度の向上が強く望まれて１．
いる。
装置のＩト型化や画像ひずみの改良を目指ン して原稿と同一寸法の密着型ライセンサを開発し、・こ
れを組込んだ画像読取装置が使用され始めているが、情
報伝達の高速化に伴い、その読取速度を決める光センサ
の応答速度の向上が強く望まれて１．
いる。
； 従来の原稿と同一寸法の密着型ライ
ンセンサを用いた画像読取装置の基本構成を第１図にて
示す。
ンセンサを用いた画像読取装置の基本構成を第１図にて
示す。
すなわち基台１に設置されたＬＥＤなどの光源２から出
た光４１が原稿３に当たシ、その反射光１２が集束性フ
フイパアレイなどの集光系４を通って光導電素子６に当
たる様になっている。６は走査回路部分を示す。
た光４１が原稿３に当たシ、その反射光１２が集束性フ
フイパアレイなどの集光系４を通って光導電素子６に当
たる様になっている。６は走査回路部分を示す。
これの改良の一方法として、特開昭５７−１０１４７１
号公報に示される様にバイアス光１３を光導電素子６の
部分に直接当てている例がある（第２図）。７はバイア
ス光用のスリットである。
号公報に示される様にバイアス光１３を光導電素子６の
部分に直接当てている例がある（第２図）。７はバイア
ス光用のスリットである。
この特開昭６７−１０１４７１号より以前にもすでに、
バイアス光による光導電素子の光応答速度の向上につい
てはたとえば「わかりやすい半導体光物性」（高木、山
田共著、（株）産報、１９６５）の８６頁、１０〜１２
行でその効果が記述されている。
バイアス光による光導電素子の光応答速度の向上につい
てはたとえば「わかりやすい半導体光物性」（高木、山
田共著、（株）産報、１９６５）の８６頁、１０〜１２
行でその効果が記述されている。
従って第１図、第２図の様な構成で、原稿３からの反射
光１２以外に光導電素子６に直接バイアス光１３を当て
る基本構成は公知である。
光１２以外に光導電素子６に直接バイアス光１３を当て
る基本構成は公知である。
−力先導電素子６については、ＣｄＳ −ＣｄＳｅ固溶
体、アモルファスＳｉ、Ｓｔ単結晶を用いたＣＯＤなど
使用したものが発表されている。電流の時間に対する応
答性は第３図に示す様なものである〇すなわち、従来バ
イアス光を当てて光応答を速くするということまでは知
られているが、どの様な光導電素子の場合に特に顕著な
効果が出るかということに関しては全く考えられていな
い。例えば第３図に示す様な波形をもつ光導電素子の場
合初期の立上り特性が急峻であるため、バイアス光を加
えても応答を速くする効果は非常に小さい。
体、アモルファスＳｉ、Ｓｔ単結晶を用いたＣＯＤなど
使用したものが発表されている。電流の時間に対する応
答性は第３図に示す様なものである〇すなわち、従来バ
イアス光を当てて光応答を速くするということまでは知
られているが、どの様な光導電素子の場合に特に顕著な
効果が出るかということに関しては全く考えられていな
い。例えば第３図に示す様な波形をもつ光導電素子の場
合初期の立上り特性が急峻であるため、バイアス光を加
えても応答を速くする効果は非常に小さい。
効果の定量的比較は後述することにする。
ＣｄＳ −ＣｄＳｅ固溶体を光導電素子として用いた密
着型ラインセンサは、大きな光電流が得られて、フィル
ムリードを用いたマトリックス配線ができ、回路設計が
容易であるなど数々の長所をもっているが、光応答時間
が遅いという欠点がある。この材料でのラインセンサは
Ａ４版用１７２８ビットの場合、１０ｏｌｕｘの光照射
下で１０〜２０ｍ５ｅｃ／６ｉｎｅの走査速度である。
着型ラインセンサは、大きな光電流が得られて、フィル
ムリードを用いたマトリックス配線ができ、回路設計が
容易であるなど数々の長所をもっているが、光応答時間
が遅いという欠点がある。この材料でのラインセンサは
Ａ４版用１７２８ビットの場合、１０ｏｌｕｘの光照射
下で１０〜２０ｍ５ｅｃ／６ｉｎｅの走査速度である。
発明の目的 ゛
本発明は以上の様な光電流の光応答速度が遅いという欠
点を解決し、高速応答の光電変換装置を可能にし、高速
の画像情報入力装置の実現を目的とするものである。
点を解決し、高速応答の光電変換装置を可能にし、高速
の画像情報入力装置の実現を目的とするものである。
発明の構成
本発明は第４図に示す様に、光電流の立上り特性がＳ字
形の光電変換素子ならびにバイアス光を用いることを特
徴とする。すなわち、絶縁性透明基板の上に順次形成さ
れた、主走査方向に並ぶ光導電素子群と、それら各光導
電素子上に形成された対向電極群と、洛４４→−ζ各電
極を結ぶマトリックス結線部とから成シ、原稿かの反射
光が導光系を通して光導電素子に当たる構成で成る光電
変換装置において、光電流の時間に対する応答がＳ字形
の立上り特性を示す光導電素子を用い、かつ原稿を照射
するための光源を有し、光導電素子群を直接照明するた
めに、前記光源の一部の光をバイアス光として利用する
様にしたあるいは別個のバイアス光源を有する様にした
ことを特徴とする光電変換装置である。
形の光電変換素子ならびにバイアス光を用いることを特
徴とする。すなわち、絶縁性透明基板の上に順次形成さ
れた、主走査方向に並ぶ光導電素子群と、それら各光導
電素子上に形成された対向電極群と、洛４４→−ζ各電
極を結ぶマトリックス結線部とから成シ、原稿かの反射
光が導光系を通して光導電素子に当たる構成で成る光電
変換装置において、光電流の時間に対する応答がＳ字形
の立上り特性を示す光導電素子を用い、かつ原稿を照射
するための光源を有し、光導電素子群を直接照明するた
めに、前記光源の一部の光をバイアス光として利用する
様にしたあるいは別個のバイアス光源を有する様にした
ことを特徴とする光電変換装置である。
実施例の説明
第６図忙示す様に、バイアス用光源８により直接光導電
素子群５にバイアス光１３を与えておき、別の光源２に
より原稿３に１１を照射して、その反射光１２を導光系
４を通して光導電素子群５上に導き、光信号を電気信号
に変換する。原稿照射光の一部をバイアス光として利用
する場合については第２図のようにすればよい。バイア
ス光源８は直流すなわち常時照射の方が低照度で効果が
大きい。
素子群５にバイアス光１３を与えておき、別の光源２に
より原稿３に１１を照射して、その反射光１２を導光系
４を通して光導電素子群５上に導き、光信号を電気信号
に変換する。原稿照射光の一部をバイアス光として利用
する場合については第２図のようにすればよい。バイア
ス光源８は直流すなわち常時照射の方が低照度で効果が
大きい。
なお、光電流がＳ字形の立上シを示すというのは第４図
に示した様に、光電流ＩＰの時間先に対する増加率すな
わち微分係数ｄＪｐ／ｄｔ がｔ＝ｔ０〉ｏで最大値
を有しているものを云う。これに対して第３図に示した
様な立上り特性を示すものでは、ｄｌｐ／ ｄｔの最大
値は１＝０にある。
に示した様に、光電流ＩＰの時間先に対する増加率すな
わち微分係数ｄＪｐ／ｄｔ がｔ＝ｔ０〉ｏで最大値
を有しているものを云う。これに対して第３図に示した
様な立上り特性を示すものでは、ｄｌｐ／ ｄｔの最大
値は１＝０にある。
本発明に用いる光導電素子としては、光電流がＳ字形の
立上り特性を有するものなら何でも良いが、光電流が大
きくて電気信号処理の容易な「−■化合物半導体で成る
ものが好ましい。なかでもＣｄ５−ＣｄＳｅ 固溶体
を主体として成るものは、ｎ−Ｖｌ族半導体のなかでも
特に光電流が大きく、しかも可視光全域に感度をもたせ
ることができるのでさらに好ましいものである。Ｃｄ５
−ＣｄＳｅのではバイアス光の効果が特に大きい。［［
−Ｖｌ族化合物、特にＣｄ５−ＣｄＳｅ 固溶体で成
る光導電素子は、光導電特性すなわち光電流の大きさや
その立上シ、立下りなどの応答時間に関して不純物とし
ての０１やＣｕの影響もかなり大きい。Ｃｄ５−ＣｄＳ
ｅ固溶体の場合、Ｃｕ ｆＩｋ度が高くなると光電流の
立下シ時間は短くなるが、その立上り時間は長くなる。
立上り特性を有するものなら何でも良いが、光電流が大
きくて電気信号処理の容易な「−■化合物半導体で成る
ものが好ましい。なかでもＣｄ５−ＣｄＳｅ 固溶体
を主体として成るものは、ｎ−Ｖｌ族半導体のなかでも
特に光電流が大きく、しかも可視光全域に感度をもたせ
ることができるのでさらに好ましいものである。Ｃｄ５
−ＣｄＳｅのではバイアス光の効果が特に大きい。［［
−Ｖｌ族化合物、特にＣｄ５−ＣｄＳｅ 固溶体で成
る光導電素子は、光導電特性すなわち光電流の大きさや
その立上シ、立下りなどの応答時間に関して不純物とし
ての０１やＣｕの影響もかなり大きい。Ｃｄ５−ＣｄＳ
ｅ固溶体の場合、Ｃｕ ｆＩｋ度が高くなると光電流の
立下シ時間は短くなるが、その立上り時間は長くなる。
これは立上り特性が顕著なＳ字形を示す様になるからで
ある。Ｃｕａ度がｏ、０１モルチを越えるものでこのバ
イアス効果が特に著しい。
ある。Ｃｕａ度がｏ、０１モルチを越えるものでこのバ
イアス効果が特に著しい。
光導電素子を直接照射するバイアス光１３の光強度は、
原稿からの反射光１２が導光系を通って光導電素子群に
達する光強度の最大値（原稿の白地に対応）を１ｏｏと
した場合、５以上であれば効果が見られるが特に１０以
上で効果が大きく、２０．３０と大きくなるに従って応
答時間特に立上シ時間が短くなり、１００を越え°ても
なお応答時間は短くなるが電気信号の処理上は１ｏｏ位
までが好ましい。
原稿からの反射光１２が導光系を通って光導電素子群に
達する光強度の最大値（原稿の白地に対応）を１ｏｏと
した場合、５以上であれば効果が見られるが特に１０以
上で効果が大きく、２０．３０と大きくなるに従って応
答時間特に立上シ時間が短くなり、１００を越え°ても
なお応答時間は短くなるが電気信号の処理上は１ｏｏ位
までが好ましい。
この様に光導電素子群に原稿からの間接的な信号光によ
る電気信号に、この光導電素子群を直接照射するバイア
ス光によるバイアス信号が重畳するので、本発明におい
てはこのバイアス信号をキャンセルするための回路が必
要である。また当然ながら、光導電素子の特性が温度変
化を示す場合には、その変化分を補償する回路を必要と
する。
る電気信号に、この光導電素子群を直接照射するバイア
ス光によるバイアス信号が重畳するので、本発明におい
てはこのバイアス信号をキャンセルするための回路が必
要である。また当然ながら、光導電素子の特性が温度変
化を示す場合には、その変化分を補償する回路を必要と
する。
以上の様に、Ｓ字形の立上り特性を有する光導電素子群
に信号光のほかバイアス光を重畳して照射すると応答時
間が短くなるが、バイアス光を照射しなから印加電圧を
高くするとさらに応答時間を短くすることが可能である
。信号光とバイアス光との重畳光電流が印加電圧を高く
した場合に飽和現象を示すが、この飽和電圧の６０−以
上の電圧を印加すると効果が現れる。
に信号光のほかバイアス光を重畳して照射すると応答時
間が短くなるが、バイアス光を照射しなから印加電圧を
高くするとさらに応答時間を短くすることが可能である
。信号光とバイアス光との重畳光電流が印加電圧を高く
した場合に飽和現象を示すが、この飽和電圧の６０−以
上の電圧を印加すると効果が現れる。
以下具体実施例によって本発明の詳細な説明する。
ガラス基板９（コーニング７０５９．２３ｏ×２ｓｘ１
．２．ｄ）上に、０．Ｑ１モ／Ｌ１％のＣｕを含んだ厚
さ４０００人のＣｄ Ｓ ｏ 、 ２ Ｓ １１ ｏ
、ｓの蒸着膜１ｏを形成しく第６図ａ）、フォトレジス
トによシバターンを形成した後、ドライエツチングして
主走査方向に島状（９０μｍ Ｘ ３５’ ０μｍ）に
、８ピット／ｌｔｒｍで１７２８ビツト配置する（第６
図ｂ）ｏこの島状のＣｄ５ｏ、２Ｓｅｏ、８膜１ｏをア
ルミ製ボート１１内で５００℃でＣｄＣｌ２の飽和蒸気
中で加熱処理して光電的に活性化する。１２はＣｄ（Ｊ
２蒸発源である（第６図Ｃ）。
．２．ｄ）上に、０．Ｑ１モ／Ｌ１％のＣｕを含んだ厚
さ４０００人のＣｄ Ｓ ｏ 、 ２ Ｓ １１ ｏ
、ｓの蒸着膜１ｏを形成しく第６図ａ）、フォトレジス
トによシバターンを形成した後、ドライエツチングして
主走査方向に島状（９０μｍ Ｘ ３５’ ０μｍ）に
、８ピット／ｌｔｒｍで１７２８ビツト配置する（第６
図ｂ）ｏこの島状のＣｄ５ｏ、２Ｓｅｏ、８膜１ｏをア
ルミ製ボート１１内で５００℃でＣｄＣｌ２の飽和蒸気
中で加熱処理して光電的に活性化する。１２はＣｄ（Ｊ
２蒸発源である（第６図Ｃ）。
次にこの島状の膜の各々に対向電極１３Ａ。
１３Ｂを形成する（第６図ｄ）。電極形成後の様子は第
７図の概略図によって示されている。すなわち１７２８
ピツトの島状Ｃｄ５０．２Ｓｅｏ、８膜１Ｑを３２ピツ
トずつ１ブロツクとしてグループ化し、１ブロツク毎に
島状Ｃｄ５０．２Ｓｅｏ、８膜１０の一方の側を共通接
続した共通電極群１３Ａと、前記島状Ｃｄ５０．２Ｓｅ
ｏ、８膜の各々の他方の側に１プロツを周期とした形状
の個別電極群１３Ｂを形成する。対向電極のギャップは
６０μｍである。１４は基板９上に設置されたフィルム
状絶縁膜、１５はフィルムリードで、第６図ｄは第７図
のｘ−ｘ’線断面図である。
７図の概略図によって示されている。すなわち１７２８
ピツトの島状Ｃｄ５０．２Ｓｅｏ、８膜１Ｑを３２ピツ
トずつ１ブロツクとしてグループ化し、１ブロツク毎に
島状Ｃｄ５０．２Ｓｅｏ、８膜１０の一方の側を共通接
続した共通電極群１３Ａと、前記島状Ｃｄ５０．２Ｓｅ
ｏ、８膜の各々の他方の側に１プロツを周期とした形状
の個別電極群１３Ｂを形成する。対向電極のギャップは
６０μｍである。１４は基板９上に設置されたフィルム
状絶縁膜、１５はフィルムリードで、第６図ｄは第７図
のｘ−ｘ’線断面図である。
この様にして作製した光導電素子群のうち、１素子を選
んで、ＤＣｌＱｖを印加し、１−で点滅（０，６ｓｅｃ
ずつ）する緑色（５５５ｎ ｍ ） Ｌ Ｅ Ｄを用い
、受光面での光強度を１００ ｌｕｘとして光をさらに
付加し、バイアス光を加えた場合の波形シ特性とするこ
とが可能となる。バイアス光用光源としては信号光と同
種のＬＥＤを用い、受光面での光強度を４．Ｏｌｕｘと
した。バイアス光があると応答時間が短くなることは明
らかであるが、印加電圧を高くするとさらに応答は早く
なる。これ、らの効果を第１０図にまとめて示す。
んで、ＤＣｌＱｖを印加し、１−で点滅（０，６ｓｅｃ
ずつ）する緑色（５５５ｎ ｍ ） Ｌ Ｅ Ｄを用い
、受光面での光強度を１００ ｌｕｘとして光をさらに
付加し、バイアス光を加えた場合の波形シ特性とするこ
とが可能となる。バイアス光用光源としては信号光と同
種のＬＥＤを用い、受光面での光強度を４．Ｏｌｕｘと
した。バイアス光があると応答時間が短くなることは明
らかであるが、印加電圧を高くするとさらに応答は早く
なる。これ、らの効果を第１０図にまとめて示す。
Ａ、Ｃはそれぞれバイアス光なし、バイアス光あシの場
合の立上り時間で、信号光電流が０からその飽和値の６
０％に上がるまでの時間、Ｂ、Ｄはそれぞれバイアス光
なし、バイアス光ありの場合の立下り時間で、信号光電
流がその飽和値からｓｏ％に下がるまでの時間である。
合の立上り時間で、信号光電流が０からその飽和値の６
０％に上がるまでの時間、Ｂ、Ｄはそれぞれバイアス光
なし、バイアス光ありの場合の立下り時間で、信号光電
流がその飽和値からｓｏ％に下がるまでの時間である。
例えば印加電圧１０Ｖでバイアス光ありの場合を見ると
、バイアス光なしの場合に比べて、立下り時間は余り変
らないが、立上り時間は１／′７に大巾に短縮されてい
る。
、バイアス光なしの場合に比べて、立下り時間は余り変
らないが、立上り時間は１／′７に大巾に短縮されてい
る。
比較のために従来用いられているＣ ｄ Ｓ’ ｅが４
０モルチのＣｄＳ Ｓｅ ： Ｃｕ膜を用いて
上記０．６ ０．４ と同じ条件で作製した光導電素子の場合の結果を第１１
図にて示す。バイアス光、電圧増加による立上り時間短
縮の効果は先述のＣｄ５０．２ ＳｅＯ，８：Ｃｕ膜の
場合より小さい。
０モルチのＣｄＳ Ｓｅ ： Ｃｕ膜を用いて
上記０．６ ０．４ と同じ条件で作製した光導電素子の場合の結果を第１１
図にて示す。バイアス光、電圧増加による立上り時間短
縮の効果は先述のＣｄ５０．２ ＳｅＯ，８：Ｃｕ膜の
場合より小さい。
またＣｄＳ Ｓｅ ：Ｃｕ膜のＣｕ量を変え０
．６ ０．４ た場合のバイアス光効果の違いを次表に掲げる。
．６ ０．４ た場合のバイアス光効果の違いを次表に掲げる。
測定条件はＤＣ１ｏＶ 、 １００ ｌｕｘでバイアス
光は４０ ｌｕｘである。
光は４０ ｌｕｘである。
以下余白
り
Ｃ
次にＣｄ５−ＣｄＳｅ 固溶体の組成比、すなわちＣ
ｄ５１−ｘＳｅｘ のＸを変えた場合の光応答特性の
変化を調べた。その結果を第１２図にて示す。Ａるまで
の立下り時間、Ｃは０からｓｏ％に上がるまでの立上り
時間τ工、。−６゜、Ｄは１００からｓｏ％に下がるま
での立上り時間τｄ、１゜。−６゜である。
ｄ５１−ｘＳｅｘ のＸを変えた場合の光応答特性の
変化を調べた。その結果を第１２図にて示す。Ａるまで
の立下り時間、Ｃは０からｓｏ％に上がるまでの立上り
時間τ工、。−６゜、Ｄは１００からｓｏ％に下がるま
での立上り時間τｄ、１゜。−６゜である。
この図から分る様ＴＩＣ，ｘが増大すると、すなわちＣ
ｄＳｅの分量が増えるとＡ、Ｂ、Ｄは減少するが、Ｃす
なわち５０チまでの立上り時間は逆に増大している。こ
のτ０．。−６゜の増大は第８図に示した様に立上初期
において、ゆるやかな立上りすなわらＳ字形の立上り特
性を示すためである。ＣｄＳｅつ分量増大に伴い、トラ
ップ準位も増大するためと考えられる。
ｄＳｅの分量が増えるとＡ、Ｂ、Ｄは減少するが、Ｃす
なわち５０チまでの立上り時間は逆に増大している。こ
のτ０．。−６゜の増大は第８図に示した様に立上初期
において、ゆるやかな立上りすなわらＳ字形の立上り特
性を示すためである。ＣｄＳｅつ分量増大に伴い、トラ
ップ準位も増大するためと考えられる。
立上り、立下り時間を特に５０％にしたのは次下の理由
による。すなわち白黒２値で信号を読取る場合、飽和光
電流の６５％以上を白とし、６５チ以下を黒と判定する
様にＩＣを設計したが、持回測定の容易な５０％の値を
用いても対応上不都合が生じないことを確認したからで
ある０実際、試作した様なＡ４版用総計１７２８ビ、ソ
トのラインセンサの場合、５ ｍ５ｅｃ ／ １ｉｎｅ
の白黒２値で読取る場合には、立上り時間τ２．。
による。すなわち白黒２値で信号を読取る場合、飽和光
電流の６５％以上を白とし、６５チ以下を黒と判定する
様にＩＣを設計したが、持回測定の容易な５０％の値を
用いても対応上不都合が生じないことを確認したからで
ある０実際、試作した様なＡ４版用総計１７２８ビ、ソ
トのラインセンサの場合、５ ｍ５ｅｃ ／ １ｉｎｅ
の白黒２値で読取る場合には、立上り時間τ２．。
−６０’立下り時間τｄ、１゜。−５゜がともに３ｍ５
ｅｃ以内であれば良いことを確認した。同様に１ ｍ
ｔＩｅｃ／ １ｉｎｅ を実現するにはｒｒ、ｏ−５
０” ａ、１ｏｏ−ｓｏ ＜０・６ｍＢｅｃであること
を必要とする。普通、τ７．。−５゜がτｄ、１００−
５゜より大きくて走査速度を上げる上での障害となって
いるが、本発明はこのτ１．。−６゜を特に改善するも
のである０ さて、第７図に示す様に上記の光導電素子群１０の共通
側の電極１３Ａと、個別側では各ブロック内の対応する
ビットの電極１３Ｂを結ぶ様にフィルムリード１５を取
付け、マトリックス結線した。
ｅｃ以内であれば良いことを確認した。同様に１ ｍ
ｔＩｅｃ／ １ｉｎｅ を実現するにはｒｒ、ｏ−５
０” ａ、１ｏｏ−ｓｏ ＜０・６ｍＢｅｃであること
を必要とする。普通、τ７．。−５゜がτｄ、１００−
５゜より大きくて走査速度を上げる上での障害となって
いるが、本発明はこのτ１．。−６゜を特に改善するも
のである０ さて、第７図に示す様に上記の光導電素子群１０の共通
側の電極１３Ａと、個別側では各ブロック内の対応する
ビットの電極１３Ｂを結ぶ様にフィルムリード１５を取
付け、マトリックス結線した。
なお、この光導電素子の光電流にはバイアス光による直
流成分が常に重畳してくるので、第１３図に示す様なバ
イアス成分のキャンセル回路を設けて、出力には信号成
分だけが取出せ゛る様に回路を構成した。
流成分が常に重畳してくるので、第１３図に示す様なバ
イアス成分のキャンセル回路を設けて、出力には信号成
分だけが取出せ゛る様に回路を構成した。
１５は信号入力部、１６は増巾部、１７は信号出力部、
１８はバイアス成分キャンセル部、１９は負電圧（−１
２Ｖ）端子、２２は正電圧（＋１２ン Ｖ）端子である。この様にして作製したライセンサを第
５図に示す様な構成で、原稿を読取ると、従来の方法に
比べ、１／１ｏ以下の時間で読取ることができる。
１８はバイアス成分キャンセル部、１９は負電圧（−１
２Ｖ）端子、２２は正電圧（＋１２ン Ｖ）端子である。この様にして作製したライセンサを第
５図に示す様な構成で、原稿を読取ると、従来の方法に
比べ、１／１ｏ以下の時間で読取ることができる。
発明の効果
本発明は光応答速度（光電流の立上り時間、立下り時間
）の極めて速い光センサ、またそれを用いての高速画像
読取装置の実現に大きく寄与するものである。
）の極めて速い光センサ、またそれを用いての高速画像
読取装置の実現に大きく寄与するものである。
第１図は密着型ラインセンサの読取構成図、第２図は従
来例のバイアス光を用いる場合の密着型ラインセンサの
読取構成図、第３図は従来例の光センサの光電流の光応
答特性図、第４図は本発明で用いる光センサの光電流の
光応答特性図、第５図は本発明で用いるバイアス光照射
用密着型ラインセンサの読取構成図、第６図（−）〜（
ｄ）は試料作製の工程を示す断面図、第７図は電極形成
後の様子を示す概略図、第８図はＣｄ５０．２Ｓｅ０．
８を主成分とする光導電素子の光電流の実際の光応答特
性を示す波形図、第９図はバイアス光を当てた場合のＣ
ｄＳ Ｓｅ を主成分とする光導電素子の０．
２ ０．８ 光電流の実際の光応答特性を示す波形図、第１０図はＣ
ｄＳ Ｓｅ を主成分とする光導電素子０．２
０．８ の応答特性のバイアス光による変化と印加電圧重畳によ
る変化との様子を示す図、第１１図はＣｄＳ Ｓｅ
を主成分とする光導電素子の応０．６ ０．４ 答特性のバイアス光による変化と印加電圧重畳による変
化との様子を示す図、第１２図はＣｄ５−ＣｄＳｅ
固溶体を主成分とする光導電素子の組成比による光応答
特性の変化の様子を示す図、第１３図はバイアス光キャ
ンセル回路図である。 １・・・・・・基台、２・・・・・・光源、３・・・・
・・原稿、４・・・・・・集光系、７・・・・・・バイ
アス光用スリット、８・・・・・・バイアス光源、９・
・・・・・ガラス基板、１０・・・・・・Ｃｄ５Ｓｅ蒸
着膜、１１・・・・・・アルミナ製ポート、１２・・・
・・・ｃｄＣ１２蒸発源、１３Ａ、１３Ｂ・・川・電極
、１４・・・・・・絶縁膜、１６・・・・・・フィルム
リード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ノｌ 第２ ＩＩ 、。 第３図 Ｑ ５ １０
； 時間 （什匙
又度）第 ４ｒ２１ Ｊｌ 間 （イ士償ｂχｊｊｃ）ｔ／第５図 第６図 ３Ａ 第 ７ 図 ３Ａ 第８図 ０ ５ ヌリ ふｇ ６ｔ
。 特開（電ｓｅり尤 第 ９１２１ Ｊ奇聞（ｇＬｓｅｔｚ） 第１０図 ０ ２０ ４ｔ） ６０
９０Ｆｐ力［【圧ＣＶ） 第１１図 （１２０４０６θ ８゜ ｆＰ７［ｖＡ ＣＶ） 第１２図
来例のバイアス光を用いる場合の密着型ラインセンサの
読取構成図、第３図は従来例の光センサの光電流の光応
答特性図、第４図は本発明で用いる光センサの光電流の
光応答特性図、第５図は本発明で用いるバイアス光照射
用密着型ラインセンサの読取構成図、第６図（−）〜（
ｄ）は試料作製の工程を示す断面図、第７図は電極形成
後の様子を示す概略図、第８図はＣｄ５０．２Ｓｅ０．
８を主成分とする光導電素子の光電流の実際の光応答特
性を示す波形図、第９図はバイアス光を当てた場合のＣ
ｄＳ Ｓｅ を主成分とする光導電素子の０．
２ ０．８ 光電流の実際の光応答特性を示す波形図、第１０図はＣ
ｄＳ Ｓｅ を主成分とする光導電素子０．２
０．８ の応答特性のバイアス光による変化と印加電圧重畳によ
る変化との様子を示す図、第１１図はＣｄＳ Ｓｅ
を主成分とする光導電素子の応０．６ ０．４ 答特性のバイアス光による変化と印加電圧重畳による変
化との様子を示す図、第１２図はＣｄ５−ＣｄＳｅ
固溶体を主成分とする光導電素子の組成比による光応答
特性の変化の様子を示す図、第１３図はバイアス光キャ
ンセル回路図である。 １・・・・・・基台、２・・・・・・光源、３・・・・
・・原稿、４・・・・・・集光系、７・・・・・・バイ
アス光用スリット、８・・・・・・バイアス光源、９・
・・・・・ガラス基板、１０・・・・・・Ｃｄ５Ｓｅ蒸
着膜、１１・・・・・・アルミナ製ポート、１２・・・
・・・ｃｄＣ１２蒸発源、１３Ａ、１３Ｂ・・川・電極
、１４・・・・・・絶縁膜、１６・・・・・・フィルム
リード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ノｌ 第２ ＩＩ 、。 第３図 Ｑ ５ １０
； 時間 （什匙
又度）第 ４ｒ２１ Ｊｌ 間 （イ士償ｂχｊｊｃ）ｔ／第５図 第６図 ３Ａ 第 ７ 図 ３Ａ 第８図 ０ ５ ヌリ ふｇ ６ｔ
。 特開（電ｓｅり尤 第 ９１２１ Ｊ奇聞（ｇＬｓｅｔｚ） 第１０図 ０ ２０ ４ｔ） ６０
９０Ｆｐ力［【圧ＣＶ） 第１１図 （１２０４０６θ ８゜ ｆＰ７［ｖＡ ＣＶ） 第１２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）絶縁性透明基板の上に順次形成された、主走査方
向に並ぶ複数個の光導電素子群と、それら各光導電素子
上に形成された対向電極群と、各電極を結ぶマトリック
ス結線部とから成り、原稿からの反射光が導光系を通し
て光導電素子に当たる構成を有し、光電流の時間に対す
る応答がＳ字形の立上り特性を示す光導電素子を用い、
かつ原稿を照射する光源を有し、さらに光導電素子群を
直接照射するためのバイアス光源を有する様にしたこと
を特徴とする光電変換装置。 （２）光導電素子群がII−VI族化合物半導体を主体とし
て成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
電変換装置。 （３）光導電子群がＣｄＳ−ＣｄＳｅ固溶体を主体とし
て成ることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の光
電変換装置。 （４）ＣｄＳｅの分量が４０モル％以上であることを特
徴とする特許請求の範囲第３項記載の光電変換装置。 （５）Ｃｕの含有量が０．０１モル％以上であることを
特徴とする特許請求の範囲第２項〜第４項の何れかに記
載の光電変換装置。 （６）光導電素子群を直接照射するバイアス光の光強度
が、原稿からの反射光が導光系を通って光導電素子群に
達する光強度の最大値を１００として、５〜１００であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第５項の何
れかに記載の光電変換装置。（７）光導電素子を直接照
射するバイアス光によるバイアス信号をキャンセルする
ための回路を有することを特徴とする特許請求の範囲第
１項〜第６項の何れかに記載の光電変換装置。 （８）光導電素子に流れる光電流が印加電圧に対して飽
和する電圧の６０％以上の電圧を印加することを特徴と
する特許請求の範囲第１項〜第７項の何れかに記載の光
電変換装置。 （９）原稿を照射する光源をバイアス光源として用い、
前記原稿を照射する光源の一部の光をバイアス光として
利用することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光電変換装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181751A JPS6160065A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 光電変換装置 |
| US07/191,783 US4920394A (en) | 1984-08-31 | 1988-05-04 | Photo-sensing device with S-shaped response curve |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181751A JPS6160065A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6160065A true JPS6160065A (ja) | 1986-03-27 |
| JPH0255954B2 JPH0255954B2 (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=16106245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59181751A Granted JPS6160065A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 光電変換装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4920394A (ja) |
| JP (1) | JPS6160065A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008172336A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Omron Corp | 光電センサ、光電センサの受光ユニットおよび光電センサの投光ユニット |
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| JPS5766622A (en) * | 1980-10-13 | 1982-04-22 | Ricoh Co Ltd | Formation of cdte film |
| JPS57101471A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-24 | Fujitsu Ltd | Read-in system |
| JPS5840856A (ja) * | 1981-09-03 | 1983-03-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光センサアレイ |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2651700A (en) * | 1951-11-24 | 1953-09-08 | Francois F Gans | Manufacturing process of cadmium sulfide, selenide, telluride photoconducting cells |
| BE543274A (ja) * | 1954-12-03 | |||
| NL122459C (ja) * | 1960-05-13 | |||
| US3447234A (en) * | 1964-10-12 | 1969-06-03 | Singer General Precision | Photoconductive thin film cell responding to a broad spectral range of light input |
| US3443103A (en) * | 1966-03-16 | 1969-05-06 | Weston Instruments Inc | Photoconductive cell having high stability and dark resistance |
| US3602721A (en) * | 1967-11-20 | 1971-08-31 | Malsushita Electric Ind Co Ltd | Photoelectric device with enhanced photoconductive sensitivity and storage effect of input radiation |
| US3864721A (en) * | 1973-06-18 | 1975-02-04 | Us Army | Tunneling electroluminescent diode with voltage variable wavelength output |
| US3975306A (en) * | 1974-10-30 | 1976-08-17 | Xerox Corporation | Method for improving the photo-induced discharge characteristics of certain cadmium chalcogenides |
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| DE2839976A1 (de) * | 1977-09-16 | 1979-03-29 | Murata Manufacturing Co | Halbleiterkeramik fuer grenzschichtkondensatoren |
| JPS54134994A (en) * | 1978-04-12 | 1979-10-19 | Fujitsu Ltd | Manufacture of photoconductive film |
| JPS57198967A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-06 | Hitachi Ltd | Air conditioner |
| JPS6066479A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光導電セル |
| JPS6184860A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置 |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP59181751A patent/JPS6160065A/ja active Granted
-
1988
- 1988-05-04 US US07/191,783 patent/US4920394A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5749263A (en) * | 1980-09-09 | 1982-03-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of close contact type image sensor |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0255954B2 (ja) | 1990-11-28 |
| US4920394A (en) | 1990-04-24 |
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