JPS6159740A - 半導体素子のモ−ルド方法 - Google Patents
半導体素子のモ−ルド方法Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000000465 moulding Methods 0.000 title claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 55
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 14
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920006367 Neoflon Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体素子を樹脂で封止する方法において
、封止部分、特に半導体素子とインナリード接続部分の
樹脂層の厚さを確実にコントロールすることができ、薄
肉７ラツト封止を可能とした半導体素子のモールド方法
に関するものである。
、封止部分、特に半導体素子とインナリード接続部分の
樹脂層の厚さを確実にコントロールすることができ、薄
肉７ラツト封止を可能とした半導体素子のモールド方法
に関するものである。
パッケージの小型軽量化を目的とするフィルムキャリヤ
組立法によるξニサグストレート型半導体装置において
、半導体素子を封止する手段として素子部にエボキツベ
レットをのせ加熱溶融硬化して樹脂封止をするメルトキ
ャスティング法などが用いられており、封止部の樹脂量
や、樹脂層の厚さをフン）ａ−ルするために大きな努力
がはられれている力１、外形的には溶融した樹脂（ある
いは流動状樹脂）の表面張力によって形が定まり。
組立法によるξニサグストレート型半導体装置において
、半導体素子を封止する手段として素子部にエボキツベ
レットをのせ加熱溶融硬化して樹脂封止をするメルトキ
ャスティング法などが用いられており、封止部の樹脂量
や、樹脂層の厚さをフン）ａ−ルするために大きな努力
がはられれている力１、外形的には溶融した樹脂（ある
いは流動状樹脂）の表面張力によって形が定まり。
そのためフラットパッケージとはならない。
“第１図にインナフレームおよびアウタフレームからな
るフィルムキャリヤ１の前記インナフレーム内に位置し
た半導体素子３がフィルムキャリヤ１上のり一ド２のイ
ンナリード部に接続された状態を示す。
るフィルムキャリヤ１の前記インナフレーム内に位置し
た半導体素子３がフィルムキャリヤ１上のり一ド２のイ
ンナリード部に接続された状態を示す。
第２図は第１図の断面を示す図で、第３図は第２図を拡
大して示したもので、封止は半導体装置３、インナリー
ド部２ａ＋ インカフレームＩａ＆含む範囲で行われる
。２ｂは７７タリ一ド部である。
大して示したもので、封止は半導体装置３、インナリー
ド部２ａ＋ インカフレームＩａ＆含む範囲で行われる
。２ｂは７７タリ一ド部である。
第４図、第５図は一般に行われるメルトキャスティング
法によって封止された状態を示す。メルトキャスティン
グ法に用いられる樹脂４は、Ｂステージエポキシ樹脂で
加熱溶融によって封止部を覆ったのち加熱硬化されるが
、樹脂の表面張力によって封止部は盛り上がる。第５図
はその盛り上りを防止し、フラット化するために不織布
に前記Ｂステージ樹脂を含浸したプリプレグ４ａを表面
に置き一体化しである。このよ５Ｋして封止された半導
体素子３はフィルムキャリヤ１の７ウタリ一ド部２ｂの
外側でカットされ、第６図に示すような封止部品となる
。
法によって封止された状態を示す。メルトキャスティン
グ法に用いられる樹脂４は、Ｂステージエポキシ樹脂で
加熱溶融によって封止部を覆ったのち加熱硬化されるが
、樹脂の表面張力によって封止部は盛り上がる。第５図
はその盛り上りを防止し、フラット化するために不織布
に前記Ｂステージ樹脂を含浸したプリプレグ４ａを表面
に置き一体化しである。このよ５Ｋして封止された半導
体素子３はフィルムキャリヤ１の７ウタリ一ド部２ｂの
外側でカットされ、第６図に示すような封止部品となる
。
上記メルトキャスティング法においては樹脂４０表面張
力によって外形が凸状となり、また樹脂封止後の形の再
現性も曳くないし、さらにアウタリード部２ｂ等＜（ｔ
７＃ｔ、、た樹脂４の除去が極めて困難であるという欠
点がある。
力によって外形が凸状となり、また樹脂封止後の形の再
現性も曳くないし、さらにアウタリード部２ｂ等＜（ｔ
７＃ｔ、、た樹脂４の除去が極めて困難であるという欠
点がある。
これらの欠点を改善するために第７図〜第９図に７Ｆ、
したよ５［紫外線硬化樹脂で封止する方法もある。すな
わち、第７因はフィルムキャリヤＩＫ半導体素子３が接
続された状態の断面を示すもので、紫外線透過フィルム
（四フフ化エチレンー六フッ化プｐピレン共重合体。ネ
オフロンＦＥＰフィルタ：ダイキン工業製）５で両面か
ら挾みその間に紫外線硬化樹脂６を充填し、紫外線遮蔽
用のマスクＴを用いて部分的に紫外！８を照射する状態
を示す。紫外線により硬化させたのち、紫外線透過フィ
ルム５を除き、紫外線硬化樹脂６の未硬化部分を洗い落
すと＃！８図に示すようＫなり、７ウタリ一ド部２ｂの
外側で切断されて第９図に示すような素子封止部品とさ
れ、プリント基也等の回路に搭載される。
したよ５［紫外線硬化樹脂で封止する方法もある。すな
わち、第７因はフィルムキャリヤＩＫ半導体素子３が接
続された状態の断面を示すもので、紫外線透過フィルム
（四フフ化エチレンー六フッ化プｐピレン共重合体。ネ
オフロンＦＥＰフィルタ：ダイキン工業製）５で両面か
ら挾みその間に紫外線硬化樹脂６を充填し、紫外線遮蔽
用のマスクＴを用いて部分的に紫外！８を照射する状態
を示す。紫外線により硬化させたのち、紫外線透過フィ
ルム５を除き、紫外線硬化樹脂６の未硬化部分を洗い落
すと＃！８図に示すようＫなり、７ウタリ一ド部２ｂの
外側で切断されて第９図に示すような素子封止部品とさ
れ、プリント基也等の回路に搭載される。
しかしながら、上記の紫外線硬化樹脂法においても封止
樹脂層の厚さをコントクールすることが離しく、かつ薄
肉フラットに樹脂封止することは困難で、生産性にも劣
るという問題点がある。
樹脂層の厚さをコントクールすることが離しく、かつ薄
肉フラットに樹脂封止することは困難で、生産性にも劣
るという問題点がある。
この発明は、かかる欠点を排除し、半導体素子を厚さに
対しフラットに、しかも、目的とする素子とフィルムキ
ャリヤのインナリード部を任意の厚さに樹脂で封止する
ことができるようにした半導体素子のモールド方法を提
供するものである。
対しフラットに、しかも、目的とする素子とフィルムキ
ャリヤのインナリード部を任意の厚さに樹脂で封止する
ことができるようにした半導体素子のモールド方法を提
供するものである。
以下、この発明につい′１：説明する。
第１θ図〜第１３図はこの発明の一実施例を示す半導体
素子のモールド方法を説明するための図である。第１０
図はフィルムキャリヤ１に接続された半導体素子３を両
面から紫外線透過フィルム５で挾み、その間に紫外線硬
化樹脂６１に充填したまでは第７図と同じであるが、こ
の実施例はフィルムキャリヤ１のアウタフレーム１ｂの
部分に封止樹脂層の厚さをコントロールするためのフィ
ルム状枠体９を重ね合せる。
素子のモールド方法を説明するための図である。第１０
図はフィルムキャリヤ１に接続された半導体素子３を両
面から紫外線透過フィルム５で挾み、その間に紫外線硬
化樹脂６１に充填したまでは第７図と同じであるが、こ
の実施例はフィルムキャリヤ１のアウタフレーム１ｂの
部分に封止樹脂層の厚さをコントロールするためのフィ
ルム状枠体９を重ね合せる。
フィルムキャリヤ１の厚さは半導体素子３の厚さより薄
く、フィルムキャリヤ１を含めた全体を紫外線硬化樹脂
６で充填し、半導体素子３部分のみを紫外線８を照射す
ることにより硬化し、未硬化部な後工程で除去する。
く、フィルムキャリヤ１を含めた全体を紫外線硬化樹脂
６で充填し、半導体素子３部分のみを紫外線８を照射す
ることにより硬化し、未硬化部な後工程で除去する。
上記方法においては、第７図に示した状態でも封止の目
的は達せられるが、半導体素子３部分の上下の樹脂厚さ
の調節はできない。このため、この実施例ではフィルム
キャリヤ（ポリイミド）厚さ０．２ミリのアウタフレー
ム１ｂ上に０．２ミリ厚さのポリ塩化ビニル製の封止厚
さ１ｉ１４Ｉｌｉ用のフィルム状枠体９ｔ−重ね合せる
ととによって半導体素子３を下方の紫外線透過フィルム
５に押しつけたのち紫外線硬化樹脂６を充填し表面を紫
外線透過フィルム５で覆った後、上記の工程により樹脂
封止したものである。このようにして半導体素子３の接
続部を封止する樹脂層の厚さを０．１！Ｍ！Ｊにセット
し、後述の条件で部分的に樹脂を硬化させた・封止後の
半導体装置を第１２図、第１３図に示す。
的は達せられるが、半導体素子３部分の上下の樹脂厚さ
の調節はできない。このため、この実施例ではフィルム
キャリヤ（ポリイミド）厚さ０．２ミリのアウタフレー
ム１ｂ上に０．２ミリ厚さのポリ塩化ビニル製の封止厚
さ１ｉ１４Ｉｌｉ用のフィルム状枠体９ｔ−重ね合せる
ととによって半導体素子３を下方の紫外線透過フィルム
５に押しつけたのち紫外線硬化樹脂６を充填し表面を紫
外線透過フィルム５で覆った後、上記の工程により樹脂
封止したものである。このようにして半導体素子３の接
続部を封止する樹脂層の厚さを０．１！Ｍ！Ｊにセット
し、後述の条件で部分的に樹脂を硬化させた・封止後の
半導体装置を第１２図、第１３図に示す。
これらの半導体装置は厚さは約０．４４！Ｊであった。
この発明による方法では、第１０図に示す紫外′線遮蔽
用のマースフ７によって半導体素子３とフィルムキャリ
ヤ１のインナフレーム１ａの部分のみに紫外線８を照射
して紫外線硬化樹脂６を硬化させるので、フィルムキャ
リヤ１に重ね合せる封止厚さ調整用のフィルム状枠体９
は紫外線硬化樹脂６に直接触れることがなく、また加熱
硬化樹脂の場合のよ５に硬化過程で高温にさらされるこ
ともないため実施例で示したポリ塩化ビニルでも良く、
そのほかのポリエチレ／、ポリプロピレンのような材質
であっても同じような効果が発揮できる。
用のマースフ７によって半導体素子３とフィルムキャリ
ヤ１のインナフレーム１ａの部分のみに紫外線８を照射
して紫外線硬化樹脂６を硬化させるので、フィルムキャ
リヤ１に重ね合せる封止厚さ調整用のフィルム状枠体９
は紫外線硬化樹脂６に直接触れることがなく、また加熱
硬化樹脂の場合のよ５に硬化過程で高温にさらされるこ
ともないため実施例で示したポリ塩化ビニルでも良く、
そのほかのポリエチレ／、ポリプロピレンのような材質
であっても同じような効果が発揮できる。
この発明で用いた紫外線硬化樹脂６は、エピコート８２
８ （ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）９８部、ＰＫ
ＨＨ（フェノキシ樹脂、ユニオンカーバイト社製）２部
、グリセリンｌＯ部、７−メドキシジ７ゾニウムテトラ
フルオクボレート２部からなる。
８ （ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）９８部、ＰＫ
ＨＨ（フェノキシ樹脂、ユニオンカーバイト社製）２部
、グリセリンｌＯ部、７−メドキシジ７ゾニウムテトラ
フルオクボレート２部からなる。
紫外線源として、２．５ＫＷ高圧水銀灯（三菱電機ＨＲ
Ｈ２５−υＶｈ）を光源とし照射距離１５ｃＩＬで２０
秒間照射して硬化させた。未硬化樹脂は７セトン：トル
エン ｌ：１の混合溶剤で洗い落し・た。
Ｈ２５−υＶｈ）を光源とし照射距離１５ｃＩＬで２０
秒間照射して硬化させた。未硬化樹脂は７セトン：トル
エン ｌ：１の混合溶剤で洗い落し・た。
なお、上記の実施例ではフィルムキャリヤ１の上に封止
厚さ調節用のフィルム状枠体９を重ねたが、半導体素子
３の厚さとフィルムキャリヤ１の厚さの関係から半導体
素子３の厚さが厚く、フィルムキャリヤ１の厚さが薄い
場合には３１１１４図に示したよう罠、フィルムキャリ
ヤ１の下側にもフィルム状枠体９ａを置き高さ関係を調
整できることはいうまでもない。
厚さ調節用のフィルム状枠体９を重ねたが、半導体素子
３の厚さとフィルムキャリヤ１の厚さの関係から半導体
素子３の厚さが厚く、フィルムキャリヤ１の厚さが薄い
場合には３１１１４図に示したよう罠、フィルムキャリ
ヤ１の下側にもフィルム状枠体９ａを置き高さ関係を調
整できることはいうまでもない。
半導体素子３の封止は半導体素子３とリード２の接続部
を保護することにあり、半導体素子３のリード２の接続
部の反対側は封止樹脂がなくても良く、特に薄さを要求
される半導体装置においてはこの発明のよ５に、必要と
する封止部分のみを最小限忙封止することは非常ＣＸ＊
である。この発明の実施例では厚さの寸法精度と封止後
の厚さの平滑性は再現性良く実現できるが、封止部分の
外周、すなわち紫外線照射の境界部分は金型によるモー
ルドの場合のよ５に厳密な直線性、端部形状とはならな
いか、半導体装置として回路基板に実装する上では障害
とはならない。
を保護することにあり、半導体素子３のリード２の接続
部の反対側は封止樹脂がなくても良く、特に薄さを要求
される半導体装置においてはこの発明のよ５に、必要と
する封止部分のみを最小限忙封止することは非常ＣＸ＊
である。この発明の実施例では厚さの寸法精度と封止後
の厚さの平滑性は再現性良く実現できるが、封止部分の
外周、すなわち紫外線照射の境界部分は金型によるモー
ルドの場合のよ５に厳密な直線性、端部形状とはならな
いか、半導体装置として回路基板に実装する上では障害
とはならない。
またこの発明は、メルトキャスティング法による封止に
おけるＢステージ樹脂のような高粘度樹脂を用いないた
め半導体素子３とフィルムキャリヤ１のリード部分を損
傷する心配もなく、任意の厚さく封止できるが、このと
きフィルムキャリヤ１のリード２部分を半導体素子３に
対し傾斜させて封止することも容易であり、例えば第１
５図に示すよ５に、封止半導体装置を回路基板１０に塔
載し、全体を充填剤１２で覆った場合、半導体素子３と
回路基也１０上の回路１１とを接続するリード１３をＵ
字形の断面形状となし得るので、熱的１機械的な応力に
よる変形に対しても直接ｙ−ド１３を直線的に引張るこ
とも避は得る効果も期待できる。なお、１４は半導体集
積回路装置の外装材である。
おけるＢステージ樹脂のような高粘度樹脂を用いないた
め半導体素子３とフィルムキャリヤ１のリード部分を損
傷する心配もなく、任意の厚さく封止できるが、このと
きフィルムキャリヤ１のリード２部分を半導体素子３に
対し傾斜させて封止することも容易であり、例えば第１
５図に示すよ５に、封止半導体装置を回路基板１０に塔
載し、全体を充填剤１２で覆った場合、半導体素子３と
回路基也１０上の回路１１とを接続するリード１３をＵ
字形の断面形状となし得るので、熱的１機械的な応力に
よる変形に対しても直接ｙ−ド１３を直線的に引張るこ
とも避は得る効果も期待できる。なお、１４は半導体集
積回路装置の外装材である。
以上説明したようにこの発明は、所望の厚さにトリミン
グされたフィルム状枠体を前記フィルム千ヤリャを構成
するアウタフレーム上に重ね合わせ、両面から紫−外線
透過フィルムで挾持し、内部に紫外線硬化樹脂を充填し
た後、所定部分に紫外線を照射して前記紫外線硬化樹脂
を硬化せしめて樹脂封止するよ５ＫＬ、たので、小形薄
肉の封止をフラットにしかも素子接続部分の樹脂層の厚
さを所定の厚さに容易Ｋ１１ｌ１節して封止することの
できる利点が得られる。
グされたフィルム状枠体を前記フィルム千ヤリャを構成
するアウタフレーム上に重ね合わせ、両面から紫−外線
透過フィルムで挾持し、内部に紫外線硬化樹脂を充填し
た後、所定部分に紫外線を照射して前記紫外線硬化樹脂
を硬化せしめて樹脂封止するよ５ＫＬ、たので、小形薄
肉の封止をフラットにしかも素子接続部分の樹脂層の厚
さを所定の厚さに容易Ｋ１１ｌ１節して封止することの
できる利点が得られる。
第１図はフィルムキャリヤにリードを介して接続された
半導体素子の状態を示す平面図、ｊＲ２図は第１図の断
面図、第３図は第２図の拡大図、第４図、第５図は従来
の樹脂封止の方法を説明するための図、第６図は封止後
の半導体装置の斜視図、第７図は紫外線硬化樹脂を用い
た樹脂封止方法を説明する断面図、第８図は紫外線硬化
をしたのちから切り離した封止半導体装置を示す断面図
、第１０図はこの発明の一５Ａ施例の樹脂封止方法を説
明するための断面図、第１１図は紫外線照射後、未硬化
樹脂を洗い落した状態な示す断面図、第１２図、第１３
図は封止後、フィルムキャリヤから７部 クタリー円外側で切り離した封止半導体装置な示す断面
図および斜視図、鶏１４図はこの発明の他の樹脂封止方
法を説明するための断面図、第１５図はこの発明の樹脂
樹上方法により封止した半導体装置の使用態様を示す断
面図である。 図中、１はフィルムキャリヤ、１ａはインナフレーム、
１ｂはアウタフレーム、２はフィルムキャリヤ上のリー
ド、２ａはインナリード部、２ｂは７ウタリード部、３
は半導体素子、４はメルトキャスティング用の樹脂、５
は紫外線透過フィルム、６は紫外線硬化樹脂、７は紫外
線遮蔽用のマスク、８は紫外線、Ｌｓ暑はフィルＡ状枠
体である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第１図 第２図 ？ 第４図 ム 第５図 第６図 り 第７図 第８図 第９図 ｈ 第１２図 ｈ 第１３図 第１４図 第１５図 昭和 年 月 日 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者片山仁八部 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５
、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面６、補正の内
容 （１）明細書第３頁８行の「樹脂」を、「樹脂４と補正
する。 （２）同じく第４頁１０行の「紫外線」を、「紫外ｓ８
」と補正する。 （３）図面の第５図、第１０図、第１４図を別紙のよう
に補正する。 以 上 第 ５ 図 第１０図 第１４図 １）Ｊ
半導体素子の状態を示す平面図、ｊＲ２図は第１図の断
面図、第３図は第２図の拡大図、第４図、第５図は従来
の樹脂封止の方法を説明するための図、第６図は封止後
の半導体装置の斜視図、第７図は紫外線硬化樹脂を用い
た樹脂封止方法を説明する断面図、第８図は紫外線硬化
をしたのちから切り離した封止半導体装置を示す断面図
、第１０図はこの発明の一５Ａ施例の樹脂封止方法を説
明するための断面図、第１１図は紫外線照射後、未硬化
樹脂を洗い落した状態な示す断面図、第１２図、第１３
図は封止後、フィルムキャリヤから７部 クタリー円外側で切り離した封止半導体装置な示す断面
図および斜視図、鶏１４図はこの発明の他の樹脂封止方
法を説明するための断面図、第１５図はこの発明の樹脂
樹上方法により封止した半導体装置の使用態様を示す断
面図である。 図中、１はフィルムキャリヤ、１ａはインナフレーム、
１ｂはアウタフレーム、２はフィルムキャリヤ上のリー
ド、２ａはインナリード部、２ｂは７ウタリード部、３
は半導体素子、４はメルトキャスティング用の樹脂、５
は紫外線透過フィルム、６は紫外線硬化樹脂、７は紫外
線遮蔽用のマスク、８は紫外線、Ｌｓ暑はフィルＡ状枠
体である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第１図 第２図 ？ 第４図 ム 第５図 第６図 り 第７図 第８図 第９図 ｈ 第１２図 ｈ 第１３図 第１４図 第１５図 昭和 年 月 日 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者片山仁八部 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５
、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面６、補正の内
容 （１）明細書第３頁８行の「樹脂」を、「樹脂４と補正
する。 （２）同じく第４頁１０行の「紫外線」を、「紫外ｓ８
」と補正する。 （３）図面の第５図、第１０図、第１４図を別紙のよう
に補正する。 以 上 第 ５ 図 第１０図 第１４図 １）Ｊ
Claims (1)
- インナフレームおよびアウタフレームからなるフィル
ムキャリヤの前記インナフレーム内に位置し、リードが
接続された半導体素子を紫外線硬化樹脂で封止する方法
において、所望の厚さにトリミングした封止厚さ調整用
のフィルム状枠体を前記フィルムキャリヤのアウタフレ
ーム上に重ね合せ、両面から紫外線透過フィルムで挾持
し、内部に紫外線硬化樹脂を充填した後、所定部分に紫
外線を照射して前記紫外線硬化樹脂を硬化せしめて所望
の厚さの樹脂封止を行うことを特徴とする半導体素子の
モールド方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18301584A JPS6159740A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体素子のモ−ルド方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18301584A JPS6159740A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体素子のモ−ルド方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159740A true JPS6159740A (ja) | 1986-03-27 |
Family
ID=16128244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18301584A Pending JPS6159740A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体素子のモ−ルド方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6159740A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH065744A (ja) * | 1992-04-21 | 1994-01-14 | Sliontec:Kk | Ｌｓｉパッケージング方法 |
| JP2012149265A (ja) * | 2012-03-16 | 2012-08-09 | Hitachi Chemical Co Ltd | フィルム状回路接続材料の製造方法 |
| JP2012156526A (ja) * | 2012-03-16 | 2012-08-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 電極の接続方法 |
-
1984
- 1984-08-30 JP JP18301584A patent/JPS6159740A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH065744A (ja) * | 1992-04-21 | 1994-01-14 | Sliontec:Kk | Ｌｓｉパッケージング方法 |
| JP2012149265A (ja) * | 2012-03-16 | 2012-08-09 | Hitachi Chemical Co Ltd | フィルム状回路接続材料の製造方法 |
| JP2012156526A (ja) * | 2012-03-16 | 2012-08-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 電極の接続方法 |
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