JPS6395652A - 保護材流出防止用ダムの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以ｒの順Ｔｔに従って本発明を説明する。

Ａ、産業上の利用分野 Ｂ１発明の概要 Ｃ６従来技術［第４１図乃至第６図］ Ｄ１発明が解決しようとする問題点 Ｅ９問題点を解決するための手段 Ｆ９作用 Ｇ２実施例［第１図乃至第３図］ Ｈ０発明の効果 （Ａ、産業上の利用分野） 本発明は保護材流出防止用ダムの形成方法、特に配線基
板表面の電子部品配置領域から電子部品保護材が流出′
１−るのを防１ヒする保護材流出防止用ダムの形成方法
に関する。

（Ｂ、発明の概要） 本発明は、配線基板表面の電子部品配置領域から電子部
品保護材が流出するのを防止する保護材７ｐ出防市用ダ
ムの形成方法において、保護材流出防市川ダムを小さく
形成できるようにし、且つ低コストで形成できるように
するため、 保護材流出防止用ダムをマスクを用いたバターニング技
術を用いて形成するものである。

（Ｃ，従来技術）［第４図乃至第６図］近年、配線基板
上にＩＣ，ＬＳＩ等の半導体チップをチップボンティン
グし、その半導体チップの電極と配線＋１Ｑの端部との
間をワイヤボンデインクする実装技術が（；ヲんに利用
されている。第４図はその一例を示すものである。同図
において。

ａはＰＣＢ等からなるプリント配線、１１（板、ｂは該
保護材ａ上に形成された所定のパターンを任する配線膜
、Ｃは配線膜すの半導体チップボンディング部ｂ′にチ
ップボンデインクされた半導体チップ、ｄは半導体チッ
プＣの７に褌とそれに対応する配線膜すとの間にボンデ
ィングされたワ゛イヤ、ｅは半導体チップＣを湿気等か
ら保護する保護材であり、耐湿性等を有する対重機能を
備えた樹脂からなり、半導体チップＣのボンディングさ
れた部分に半導体チップＣを完全に被覆するように液状
の樹脂をポツティングし、その樹脂を硬化させることに
より形成される。

このように、配線基板ａの、Ｌにボンディングされた半
導体チップＣに対してはそれを保護材ｅによって封止す
ることが不可欠である。

ところで、保護材ｅをポツテングすると保護材ｅは液状
で流動性を有するので半導体チップボンディング部から
周囲に樹脂が流れ、第４図に示すように、樹脂が付着し
た領域が非常に広くなってしまう。このことは配線基板
の実装密度を高くしようとすることの妨げになり、また
流出した樹脂によって他の外付部品等の取付に支障を来
してしまうことも起こり得る。

そこで、第５図に示すように半導体チップボンデインク
領域を囲繞する環状の保護材流出防止用ダムｆを配線基
板ａの表面に接着剤ｇによって接着することが許通に行
われている。第６図は配線基板３表面に接着される保護
材流出防止用ダｌ、ｆを示すものであり、この保護材流
出防止用ダムｆは例えばセラミ・ンク等からなる。

このようにすれば、保護材のポッティングの際の半導体
チップボンディング部からまわりへの流出を保１獲材流
出防止用ダムｆによって木き止めることができ、樹脂が
付着した領域をある程度は狭くすることができる。そし
て、半導体チップボンデインク領域外の外付部品取付部
に樹脂が流れて外付部品の取付に支障を来す虞れもなく
することができる。

（Ｄ、発明が解決しようとする問題点）ところで、従来
における保護材流出防止用ダムｆの形成は、予め保護材
流出防止用ダムｆを配線基板ａと別体の成形品として製
造しておき、それを配線基板３表面に接着するので保護
材流出防止用ダムｆの形成に非常にコストがかかる。そ
して、保護材流出防止用ダムｆを小さくすることに限界
があるので樹脂からなる保護林ｅが保護材流出防止用ダ
ムｆによって塞き止められた領域もある程度までしか狭
くすることができず、配線基板の実装密度を高くするこ
とに限界があった。

本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、保護材流出防止用ダムを小さく形成できるように
し、［Ｌつ低コストで形成できるようにすることをＩＪ
的とするものである。

（Ｅ、問題点を解決するための手段） 本発明保護材流出防止用ダムの形成方法は上記問題点を
解決するため、保護材流出防止用ダムをマスクを用いた
バターニング技術を駆使して形成することを特徴とする
ものである。

（Ｆ、作用） 本発明保護材流出防止用ダムの形成方法にょゎば、マス
クを用いたパターニング技術を駆使して保護材流出防止
用ダムを形成するので、小型で且つ高粒度に保護材流出
防止用ダムを形成することかでき、しかも保護材流出防
止用タムを独立した成形品としてつくりそれを接着工程
で接１１するという面倒な作業を要しないので保護材流
出防止用タムの形成コストを著しく低くすることができ
る。

（Ｇ、実施例）［第１１Ａ乃至第３図コ以下、本発明保
護材流出防止用ダムの形成方法を図示実施例に従って詳
細に説明する。

第１図（Ａ）乃至（Ｆ）は本発明保護材流出防止用ダム
の形成方法の一つの実施例を工程順に示すものである。

（Ａ）、（Ｂ）配線基板１に対して第１図（Ａ）、ＣＢ
）に示すようにスクリーン印刷により保護材流出防止用
ダム９を形成する。２は配線基板１の表面−Ｅに形成さ
れた所定のパターンを有する配線膜であり、特に２ａは
配線膜２の半導体チップボンディング部であり、該半導
体チップボンディング部２ａのまわりに保護材流出防止
用ダム９を形成しなければならない。３はスクリーンで
、メツシュ４表面にマスク部５を選択的に形成してなる
ものであり、該スクリーン３−トからペースト状のダム
材７をスキージ８を用いて配線基板１上に刷るとマスク
部５の開口６と対応する部分にダム材７が付着し、保護
材流出防止用タム９が形成されることになる。

（Ｃ）第１図（Ｃ）は刷り終った直後の状態を示す。タ
ム材７としては例えばＵＶ光が照射されて硬化するＵＶ
材を用いるので、印刷された段階では硬度が小さく保護
材流出防止用ダム９は保護材流出防＋ｆ：用ダムとして
機能し得ない。

（Ｄ）そこで、第１図（Ｄ）に示すようにＵＶ光を照射
して保護材流出防止用ダム９を硬化させ保護材流出防止
用ダムとして機能できるようにする。

（Ｅ）その後、半導体チップ１０をチップボンディング
し、次にワイヤボンデインクする。１１はワイヤボンデ
ィングされたワイヤである。第１図（Ｅ）はワイヤボン
ディング後の状態を示す。

（Ｆ）しかる後、樹脂からなる保護材１２を保護材流出
防止用ダム９によって囲繞された領域上にポツテングす
る。

このように、スクリーン印刷により保護材流出防止用ダ
ム９を形成するので、保護材流出防止用ダム９を微小で
高精度に且つ簡ｔｉｔに形成することができる。即ち、
保護材流出防止用ダム９を独立した形成部品としてつく
りこれを配線膜ｌ上に接着する従来の場合だと、保護材
流出防止用ダム９を形成するのに時間がかかり、しかも
微小なものを高精度につくることが非常に難しい。更に
その保護材流出防止用ダム９を配線膜１上にきらんと位
置を決めて接着することも難しく手間がかかるが、木′
Ｘ、施例によればスクリーン印刷と印刷によって形成さ
れた層状の保護材流出防止用ダム９をＵＶ光で照射する
だけで小さくて高精度な保詭材流出防止用ダム９を形成
することができる。

尚、ダム材としてＬＩＶ樹脂に代えて熱娩化性樹脂を用
いるようにしても良い。その場合、ダム材の印刷後ＵＶ
光の照射に代えて加熱処理を施さなければならない。

第２図（Ａ）乃至（Ｈ）は本発明保護材流出防止用ダム
の形成方法の別の実施例を工程順に示すものである。

（Ａ）第２図（Ａ）に示すように表面に配線膜２．２ａ
が形成された配線基板１上にダム材１３を蒸若等により
全面的に形成する。

＜８）第２図（Ｂ）に示すように上記ダム材Ｉ３上にレ
ジストＩＩＡ　１４を塗布する。

（Ｃ）次に、第２（Ｃ）に示すように、所定のマスクパ
ターンを有するフォトマスク１５を介して上記レジスト
Ｉｆ！：ｌ　１４に対して露光処理を施す。

１６はフォトマスク１５の基板を成すガラス板、１７は
該ガラス板１６の裏面に所定のパターンに形成された遮
光用メタルマスク、１８は該メタルマスク１７に環状に
形成された開口である。

（Ｄ）上述したようにフォトマスク１５を介してレジス
トＩ＋！！　ｔ　４に光線を照射するとレジスト膜１４
の開口１８と対応する部分か感光し、硬化する（但し、
レジストＩＩ！；Ｊ、１４がネガ型の場合）。第４図Ｃ
Ｄ）は露光処理を終了した後の状態を示し、１４ａはレ
ジスト１１！２１４の感光して硬化した部分を示す。

（Ｅ）その後、現象処理によりレジスト膜１４の感光し
なかった部分を除去する。第２図（Ｅ）は現象処理後の
状態を示す。

（Ｆ）その後、レジスト膜１４の感光部分１４ａをマス
クとしてダム材１３をエツチングすることにより感光部
分１４ａ下にのみダム材を残存させて、保護材流出防止
用ダム１９とする。第２図。

（Ｆ）はエツチング終了後の状態を示す。

（Ｇ）その後、第２図に示すようにレジスト膜感光部分
１４ａを除去する。

（Ｈ）しかる後、第１図に示した実施例の場合と同様に
半導体チップ１０のチップボンデインク、ワイヤボンデ
ィングを行い、その後半導体チップ１０を封止する保護
材１９をポツティングする。

このようにすれば、第１図に示したスクリーン印刷技術
を駆使した場合よりも微小で高精度に保護材流出防止用
ダムをつくることができ、延いては保護材流出防止用ダ
ムで囲繞する領域を狭くすることができる。従って、実
装密度の顕著な向上を図ることができる。

尚、上記各実施例は本発明を半導体チップ１０をフェイ
スアップにしてホンディングし、半環体チ・ツブ１０の
電極と配線膜１２との間をボンデインクワイヤ１１によ
り接続することにより実装した配線基板１の保護材流出
防止用ダムの形成に適用したものであったが、本発明は
第３図に示すように半導体チップ１０をフェイスダウン
ボンディングにより実装した配線基板１の保護材流出防
止用ダム１９の形成にも適用することができる。同図に
おいて２０は電極である。このように半導体チップ１０
をフェイスダウンボンディングにより実装した場合には
、フェイスアップボンデインクの場合のようにワイ・ヤ
が半４ダ体チップ１０から外側に出るということかない
ので保護材流出防止用ダム１９の径をより小さくするこ
とかでき、延いてはより実装密度を高くすることができ
る。

（Ｈ，発明の効果） 以上に述べたように、本発明保護材流出防止用ダムの形
成方法は、保護材流出防止用ダムをマスクを用いたパタ
ーニング技術を駆使して形成することを特徴とするもの
である。

従って、本発明保護材流出防止用ダムの形成方法によれ
ば、小型で且つ高粒度に保護材流出防止用ダムを形成す
ることができ、しかも保護材流出防止用ダムを独立した
成形品としてつくりそれを接着工程で接着するという面
倒な作業を要しないので保護材流出防止用ダムの形成コ
ストを著しく低くすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）乃至（Ｆ）は本発明保護材流出防止用ダム
の形成方法の一つの実施例を工程順に示す断面図、第２
図（Ａ）乃至（Ｈ）は本発明保護材流出防止用ダムの形
成方法の別の実施例を工程順に示す断面図、第３図は本
発明保護材流出防止用ダムの形成方法の別の適用例を示
す断面図、第４図は一つの従来技術を示す断面図、第５
図は別の従来技術を示す断面図、第６図は第５図に示す
技術において使用された保護材流出防止用ダムを示す斜
視図である。 符号の説明 ■・・・配線基板、２・・・配線膜、 ３・・・マスク、７・・・ダム材、 ９・・・保護材流出防止用ダム、 １０・・・電子部品、 １２・・・保護材、１３・・・ダム材、１５・・・マス
ク、 １９・・・保護材流出防止用ダム。 別の穴方＠数りぞ工ｆ呈ｊ頃に示を断面図第２図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）配線基板の所定パターンの配線膜が形成された表
   面の上記配線膜と電極を介して電気的に接続される電子
   部品が配置される電子部品配置領域の周囲に、電子部品
   保護材ポッティング時に保護材が上記電子部品配置領域
   から外側に流れ出るのを防止する環状の保護材流出防止
   用ダムを形成する保護材流出防止用ダムの形成方法にお
   いて、上記保護材流出防止用ダムを、ダム材を配線基板
   表面上に層状に形成する際あるいは形成後にマスクを用
   いてパターニングすることにより所望形状になるように
   する ことを特徴とする保護材流出防止用ダムの形成方法。