JPH0831549B2 - 部分メッキ付リードフレームの製造方法 - Google Patents
部分メッキ付リードフレームの製造方法Info
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- JPH0831549B2 JPH0831549B2 JP31586889A JP31586889A JPH0831549B2 JP H0831549 B2 JPH0831549 B2 JP H0831549B2 JP 31586889 A JP31586889 A JP 31586889A JP 31586889 A JP31586889 A JP 31586889A JP H0831549 B2 JPH0831549 B2 JP H0831549B2
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- partial plating
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Description
【発明の詳細な説明】 発明の目的 〔産業上の利用分野〕 本発明は、部分メッキ付リードフレームの製造方法に
関するものであり、特にリードフレームへのフレームパ
ターンの形成と、金または銀の部分メッキ処理とを一連
の工程中で行なえるとともに、部分メッキが所定箇所へ
のみ高精度に行えるようにしたものである。
関するものであり、特にリードフレームへのフレームパ
ターンの形成と、金または銀の部分メッキ処理とを一連
の工程中で行なえるとともに、部分メッキが所定箇所へ
のみ高精度に行えるようにしたものである。
リードフレームは、トランジスタ・ICチップ等をボン
ディングするために、ダイパッド（アイラントとも言
う）や外部接続用の多数のリードピン（以下単にピンと
いう）等からなる微細なフレームパターンを有する。該
フレームパターン中で、ボンディングのための所定箇所
には、金または銀の部分メッキが施されている。
ディングするために、ダイパッド（アイラントとも言
う）や外部接続用の多数のリードピン（以下単にピンと
いう）等からなる微細なフレームパターンを有する。該
フレームパターン中で、ボンディングのための所定箇所
には、金または銀の部分メッキが施されている。
この部分メッキ付リードフレームの製造は、従来一般
に、リードフレーム素材（例えば42−A11OYやCu−A11OY
材）に、まず所定形状のフレームパターンを形成し、該
フレームパターンの所定箇所に部分メッキを施すことが
行われている。
に、リードフレーム素材（例えば42−A11OYやCu−A11OY
材）に、まず所定形状のフレームパターンを形成し、該
フレームパターンの所定箇所に部分メッキを施すことが
行われている。
上記製造工程のうち、まず、リードフレーム素材への
フレームパターン形成手段としては、多量生産用として
プレスによる打抜き加工法が広く行われてきた。しかし
近時は、トランジスタ・ICチップ等の超高密度化でリー
ドフレームも多ピン化・微細化が要求され、かつ比較的
少量で多品種の生産が必要となっている。そこで、多ピ
ン化・微細化とコストダウンを目指して、写真技術を応
用してパターンを形成するフォトエッチング法が行われ
ている。
フレームパターン形成手段としては、多量生産用として
プレスによる打抜き加工法が広く行われてきた。しかし
近時は、トランジスタ・ICチップ等の超高密度化でリー
ドフレームも多ピン化・微細化が要求され、かつ比較的
少量で多品種の生産が必要となっている。そこで、多ピ
ン化・微細化とコストダウンを目指して、写真技術を応
用してパターンを形成するフォトエッチング法が行われ
ている。
他面、所定箇所への部分メッキ手段としては、メッキ
必要箇所だけ開口の弾性材製シール材を、リードフレー
ムへ機械的に押圧してメッキ処理を行うもの（例えば特
公昭57−15675号公報参照）や、メッキ必要箇所だけ開
口させた打抜きフィルムを、リードフレームにラミネー
トさせてメッキ処理するもの、あるいはフォトレジスト
インクを、リードフレームの部分メッキ不要箇所に塗布
してメッキ処理するもの（例えば特開昭57−79194号公
報参照）等があった。
必要箇所だけ開口の弾性材製シール材を、リードフレー
ムへ機械的に押圧してメッキ処理を行うもの（例えば特
公昭57−15675号公報参照）や、メッキ必要箇所だけ開
口させた打抜きフィルムを、リードフレームにラミネー
トさせてメッキ処理するもの、あるいはフォトレジスト
インクを、リードフレームの部分メッキ不要箇所に塗布
してメッキ処理するもの（例えば特開昭57−79194号公
報参照）等があった。
しかし、上記の従来手段による部分メッキ付リードフ
レームの製造には、次の問題点があった。
レームの製造には、次の問題点があった。
イ）まず、リードフレーム素材へのフレームパターン形
成に関しては、プレス法では勿論のこと、フォトエッチ
ング法でも、部分メッキ処理とは異質のものであるから
として、別個の分離した工程で行われていた。そのた
め、部分メッキ付リードフレームの製造が、連続処理で
きる一連のものとはならず、したがって各処理・検査・
管理等が非能率的であり、かつコストアップにもつなが
っていた。
成に関しては、プレス法では勿論のこと、フォトエッチ
ング法でも、部分メッキ処理とは異質のものであるから
として、別個の分離した工程で行われていた。そのた
め、部分メッキ付リードフレームの製造が、連続処理で
きる一連のものとはならず、したがって各処理・検査・
管理等が非能率的であり、かつコストアップにもつなが
っていた。
ロ）他面、メッキ必要箇所への部分メッキ処理に関し
て、まず弾性材製シール材を用いるものは、第54図で示
す如く特にピン（10）側面とシール材との間隙への液漏
れがあり、そこに置換メッキ（13′）が析出することが
多かった。これは、ピンの厚みが厚い程、表裏からのシ
ール材がピン間に入り難いので液漏れも多かった。この
置換メッキ（13′）の被膜は剥がれ易いため、多ピン化
・微細化でピン間が狭いと隣接のピンに接触してリーク
の原因となった。また多ピン化・微細化でピン長も短く
なり、置換メッキ被膜がパッケージ外まではみ出して、
パッケージ封止の効果を損なうこともあった。
て、まず弾性材製シール材を用いるものは、第54図で示
す如く特にピン（10）側面とシール材との間隙への液漏
れがあり、そこに置換メッキ（13′）が析出することが
多かった。これは、ピンの厚みが厚い程、表裏からのシ
ール材がピン間に入り難いので液漏れも多かった。この
置換メッキ（13′）の被膜は剥がれ易いため、多ピン化
・微細化でピン間が狭いと隣接のピンに接触してリーク
の原因となった。また多ピン化・微細化でピン長も短く
なり、置換メッキ被膜がパッケージ外まではみ出して、
パッケージ封止の効果を損なうこともあった。
次に打抜きフィルムでメッキ不要箇所を被覆するもの
は、フィルムが高価でコスト高になった。
は、フィルムが高価でコスト高になった。
さらに、フォトレジストを用いるものは、塗布時のレ
ジストインクが垂れ膜厚が不均一になったり、各ピンの
角部で膜厚が薄くなったりして、レジスト効果が維持で
きず部分メッキ不要箇所にもメッキが付着することがあ
った。
ジストインクが垂れ膜厚が不均一になったり、各ピンの
角部で膜厚が薄くなったりして、レジスト効果が維持で
きず部分メッキ不要箇所にもメッキが付着することがあ
った。
本発明は、従来の部分メッキ付リードフレームの製造
方法がもつ上記問題点の解決を課題とするものである。
方法がもつ上記問題点の解決を課題とするものである。
本発明の第１の目的は、リードフレームへのフレーム
パターン形成と部分メッキ処理の両工程を、相互に関連
づけることにより、部分メッキ付リードフレームの製造
工程を連続処理可能な一連のものとして、各処理工程・
検査・管理等が能率的に行えるようにし、かつコストダ
ウンを図ることにある。
パターン形成と部分メッキ処理の両工程を、相互に関連
づけることにより、部分メッキ付リードフレームの製造
工程を連続処理可能な一連のものとして、各処理工程・
検査・管理等が能率的に行えるようにし、かつコストダ
ウンを図ることにある。
第２の目的は、トランジスタ・IC等の高密度化で要求
されるリードフレームの多ピン化・微細化に対応して、
メッキ必要箇所へのみ高精度に部分メッキを行えるよう
にし、これにより、従来の置換メッキ等による品質の低
下が防止できる高品質な部分メッキ付リードフレームを
製造しようとするものである。
されるリードフレームの多ピン化・微細化に対応して、
メッキ必要箇所へのみ高精度に部分メッキを行えるよう
にし、これにより、従来の置換メッキ等による品質の低
下が防止できる高品質な部分メッキ付リードフレームを
製造しようとするものである。
発明の構成 〔課題を解決するための手段〕 Ｉ 本発明に係る部分メッキ付リードフレームの製造方
法の内、第１の製造方法は、 リードフレーム素材（１）の表面の全面に銅メッキ
（２）を施し（第２図参照）、 次に、表面の部分メッキ必要箇所（３）とその周辺部
（８）だけが露出すべくシールして、露出箇所に金また
は銀の部分メッキ（４）を施し（第３図・第９図参
照）、 次に、表裏の全面にフレームパターン形成用のフォト
レジスト膜（5a）を形成し（第４図・第10図参照）、 次に、表裏両面からフレームパターン形成用の露光を
して現像し（第５参照）、 次に、先の部分メッキ（４）の中で、部分メッキ不要
箇所（６）へ付着のメッキを剥離させ（第６図参照）、 次に、パターンエッチングしてフレームパターンを形
成し（第７図・第11図・第９図参照）、 次に、残ったフォトレジスト膜（5a）を剥離するとと
もに、露出した銅メッキ（２）を剥離するようにして、
部分メッキ付リードフレームを製造するものである（第
８図・第12図参照）。
法の内、第１の製造方法は、 リードフレーム素材（１）の表面の全面に銅メッキ
（２）を施し（第２図参照）、 次に、表面の部分メッキ必要箇所（３）とその周辺部
（８）だけが露出すべくシールして、露出箇所に金また
は銀の部分メッキ（４）を施し（第３図・第９図参
照）、 次に、表裏の全面にフレームパターン形成用のフォト
レジスト膜（5a）を形成し（第４図・第10図参照）、 次に、表裏両面からフレームパターン形成用の露光を
して現像し（第５参照）、 次に、先の部分メッキ（４）の中で、部分メッキ不要
箇所（６）へ付着のメッキを剥離させ（第６図参照）、 次に、パターンエッチングしてフレームパターンを形
成し（第７図・第11図・第９図参照）、 次に、残ったフォトレジスト膜（5a）を剥離するとと
もに、露出した銅メッキ（２）を剥離するようにして、
部分メッキ付リードフレームを製造するものである（第
８図・第12図参照）。
II 本発明に係る部分メッキ付リードフレームの製造方
法の内、第２の製造方法は、 リードフレーム素材（１）の表面の全面に銅メッキ
（２）を施し（第14図参照）、 次に、表裏の全面に部分メッキ必要箇所形成用の１回
目のフォトレジスト膜（5b）を形成し（第15図・第24図
参照）、 次に、表面に部分メッキ必要箇所形成用の１回目の露
光をし現像して、部分メッキ必要箇所（３）を露出させ
（第16図参照）、 次に、上記部分メッキ必用箇所（３）に、金または銀
の部分メッキ（４）を施し（第17図・第23図参照）、 次に、上記フォトレジスト膜（5b）を剥離した後（第
18図参照）、表裏の全面にフレームパターン形成用の２
回目のフォトレジスト膜（5a）を形成し（第19図参
照）、 次に、エッチングで予想されるオーバーハング分だけ
寸法補正したフレームパターン形成用のマスクにて、表
裏両面に２回目の露光をして現像し（第20図参照）、 次に、パターンエッチングしてフレームパターンを形
成し（第21図・第25図・第23図参照）、 次に、上記２回目のフォトレジスト膜（5a）を剥離す
るとともに、露出した銅メッキ（２）を剥離するように
して、部分メッキ付リードフレームを製造するものであ
る（第22図・第26図参照）。
法の内、第２の製造方法は、 リードフレーム素材（１）の表面の全面に銅メッキ
（２）を施し（第14図参照）、 次に、表裏の全面に部分メッキ必要箇所形成用の１回
目のフォトレジスト膜（5b）を形成し（第15図・第24図
参照）、 次に、表面に部分メッキ必要箇所形成用の１回目の露
光をし現像して、部分メッキ必要箇所（３）を露出させ
（第16図参照）、 次に、上記部分メッキ必用箇所（３）に、金または銀
の部分メッキ（４）を施し（第17図・第23図参照）、 次に、上記フォトレジスト膜（5b）を剥離した後（第
18図参照）、表裏の全面にフレームパターン形成用の２
回目のフォトレジスト膜（5a）を形成し（第19図参
照）、 次に、エッチングで予想されるオーバーハング分だけ
寸法補正したフレームパターン形成用のマスクにて、表
裏両面に２回目の露光をして現像し（第20図参照）、 次に、パターンエッチングしてフレームパターンを形
成し（第21図・第25図・第23図参照）、 次に、上記２回目のフォトレジスト膜（5a）を剥離す
るとともに、露出した銅メッキ（２）を剥離するように
して、部分メッキ付リードフレームを製造するものであ
る（第22図・第26図参照）。
III 本発明に係る部分メッキ付リードフレームの製造
方法の内、第３の製造方法は、 リードフレーム素材（１）の表面の全面に銅メッキ
（２）を施し（第28図参照）、 次に、表裏の全面に部分メッキ必要箇所形成用兼フレ
ームパターン形成用のポジ型のフォトレジスト膜（５）
を形成し（第29図・第36図参照）、 次に、表面に部分メッキ必要箇所形成用のマスクで１
回目の露光をし現像して、部分メッキ必要箇所（３）を
露出させ（第30図参照）、 次に、上記部分メッキ必要箇所（３）に、金または銀
の部分メッキ（４）を施し（第31図・第35図参照）、 次に、エッチングで予想されるオーバーハング分だけ
寸法補正したフレームパターン形成用のマスクにて、表
裏両面に２回目の露光をして現像し（32図参照）、 次に、パターンエッチングしてフレームパターンを形
成し（第33図・第37図・第35図参照）、 次に、残ったフォトレジスト膜（５）を剥離するとと
もに、露出した銅メッキ（２）を剥離するようにして、
部分メッキ付リードフレームを製造するものである（第
34図・第38図参照）。
方法の内、第３の製造方法は、 リードフレーム素材（１）の表面の全面に銅メッキ
（２）を施し（第28図参照）、 次に、表裏の全面に部分メッキ必要箇所形成用兼フレ
ームパターン形成用のポジ型のフォトレジスト膜（５）
を形成し（第29図・第36図参照）、 次に、表面に部分メッキ必要箇所形成用のマスクで１
回目の露光をし現像して、部分メッキ必要箇所（３）を
露出させ（第30図参照）、 次に、上記部分メッキ必要箇所（３）に、金または銀
の部分メッキ（４）を施し（第31図・第35図参照）、 次に、エッチングで予想されるオーバーハング分だけ
寸法補正したフレームパターン形成用のマスクにて、表
裏両面に２回目の露光をして現像し（32図参照）、 次に、パターンエッチングしてフレームパターンを形
成し（第33図・第37図・第35図参照）、 次に、残ったフォトレジスト膜（５）を剥離するとと
もに、露出した銅メッキ（２）を剥離するようにして、
部分メッキ付リードフレームを製造するものである（第
34図・第38図参照）。
IV 本発明に係る部分メッキ付リードフレームの製造方
法の内、第４の製造方法は、 リードフレーム素材（１）の表面の全面に銅メッキ
（２）を施し（第40図参照）、 次に、表裏の全面に部分メッキ必要箇所形成用兼フレ
ームパターン形成用のフォトレジスト膜（５）を形成し
（第41図・第49図参照）、 次に、フレームパターン形成用と部分メッキ必要箇所
形成用の露光をし現像して、フレームパターン用部
（７）と、表面の部分メッキ必要箇所（３）が露出した
その周辺部（８）とに、フォトレジスト膜（５）を残し
（第42図・第48図参照）、 次に、部分メッキ必要箇所（３）とその周辺部（８）
を除きシールして（第43図参照）、部分メッキ必要箇所
（３）に金または銀の部分メッキ（４）を施し（第44図
・第48図参照）、 次に、上記シール状態で、部分メッキ必要箇所（３）
の周辺部（８）の部分メッキ必要箇所形成用のフォトレ
ジスト膜（５）を剥離し（第45図参照）、 次に、シールを解きパターンエッチングしてフレーム
パターンを形成し（第46図・第50図・第48図参照）、 次に、残ったフレームパターン形成用のフォトレジス
ト膜（５）を剥離するとともに、露出した銅メッキ
（２）を剥離して、部分メッキ付リードフレームを製造
するものである（第47図・第51図参照）。
法の内、第４の製造方法は、 リードフレーム素材（１）の表面の全面に銅メッキ
（２）を施し（第40図参照）、 次に、表裏の全面に部分メッキ必要箇所形成用兼フレ
ームパターン形成用のフォトレジスト膜（５）を形成し
（第41図・第49図参照）、 次に、フレームパターン形成用と部分メッキ必要箇所
形成用の露光をし現像して、フレームパターン用部
（７）と、表面の部分メッキ必要箇所（３）が露出した
その周辺部（８）とに、フォトレジスト膜（５）を残し
（第42図・第48図参照）、 次に、部分メッキ必要箇所（３）とその周辺部（８）
を除きシールして（第43図参照）、部分メッキ必要箇所
（３）に金または銀の部分メッキ（４）を施し（第44図
・第48図参照）、 次に、上記シール状態で、部分メッキ必要箇所（３）
の周辺部（８）の部分メッキ必要箇所形成用のフォトレ
ジスト膜（５）を剥離し（第45図参照）、 次に、シールを解きパターンエッチングしてフレーム
パターンを形成し（第46図・第50図・第48図参照）、 次に、残ったフレームパターン形成用のフォトレジス
ト膜（５）を剥離するとともに、露出した銅メッキ
（２）を剥離して、部分メッキ付リードフレームを製造
するものである（第47図・第51図参照）。
上記第１・第２・第３・第４の各製造方法において、
リードフレームの部分メッキ必要箇所（３）とは、ICチ
ップ等をワイヤボンディングする場合は、ダイパッド用
部（９）とピン（10）のボンデイングパッド用部（11）
との両方をいう。しかしボンデイングを例えば導電性の
接着剤で行う場合は、ピン（10）のボンデイングパッド
用部（11）だけが、部分メッキ必要箇所（３）となる。
リードフレームの部分メッキ必要箇所（３）とは、ICチ
ップ等をワイヤボンディングする場合は、ダイパッド用
部（９）とピン（10）のボンデイングパッド用部（11）
との両方をいう。しかしボンデイングを例えば導電性の
接着剤で行う場合は、ピン（10）のボンデイングパッド
用部（11）だけが、部分メッキ必要箇所（３）となる。
フォトレジスト膜（５）（5a）（5b）は、上記第１・
第２・第４の製造方法ではポジ型でもネガ型でもよい
が、第３の製造方法では感光した部分が現像で溶解する
ポジ型のものに限る。
第２・第４の製造方法ではポジ型でもネガ型でもよい
が、第３の製造方法では感光した部分が現像で溶解する
ポジ型のものに限る。
上記本発明に係る第１・第２・第３・第４の部分メッ
キ付リードフレームの製造方法では、いずれもリードフ
レーム素材（１）の部分メッキ必要箇所（３）に金また
は銀の部分メッキ（４）を施してから、フレームパター
ンのパターンエッチングが行われる。
キ付リードフレームの製造方法では、いずれもリードフ
レーム素材（１）の部分メッキ必要箇所（３）に金また
は銀の部分メッキ（４）を施してから、フレームパター
ンのパターンエッチングが行われる。
そのため、部分メッキ工程の段階で、仮に部分メッキ
必要箇所（３）以外の箇所、即ち部分メッキ不要箇所
（６）にメッキが付着しても、後のパターンエッチング
工程の段階でその箇所は除去されるので、メッキは残ら
ない。部分メッキ必要箇所（３）にだけ高精度に部分メ
ッキされたリードフレームが得られる。
必要箇所（３）以外の箇所、即ち部分メッキ不要箇所
（６）にメッキが付着しても、後のパターンエッチング
工程の段階でその箇所は除去されるので、メッキは残ら
ない。部分メッキ必要箇所（３）にだけ高精度に部分メ
ッキされたリードフレームが得られる。
また、リードフレーム素材（１）への部分メッキ工程
とフレームパターン形成工程とは、別個独立したもので
はなく一連の処理工程として連続的に行われる。そのた
め、部分メッキ付リードフレームの製造で、各処理・検
査・管理等の工程は簡略化されている。
とフレームパターン形成工程とは、別個独立したもので
はなく一連の処理工程として連続的に行われる。そのた
め、部分メッキ付リードフレームの製造で、各処理・検
査・管理等の工程は簡略化されている。
特に、上記第１の製造方法では、リードフレーム素材
（１）の部分メッキ必要箇所（３）に施す部分メッキ
（４）は、さほど高精度に行なう必要がない。なぜな
ら、部分メッキ不要箇所（６）に付着したメッキは、後
の部分メッキ剥離工程で除去されるし、かつ上記の如く
パターンエッチング工程でその箇所が除去されるからで
ある。
（１）の部分メッキ必要箇所（３）に施す部分メッキ
（４）は、さほど高精度に行なう必要がない。なぜな
ら、部分メッキ不要箇所（６）に付着したメッキは、後
の部分メッキ剥離工程で除去されるし、かつ上記の如く
パターンエッチング工程でその箇所が除去されるからで
ある。
また上記第２の製造方法では、部分メッキ必要箇所形
成用の１回目のフォトレジスト膜（5b）と別に、フレー
ムパターン形成用の２回目のフォトレジスト膜（5a）を
形成し（第19図参照）、露光・現像している。そのた
め、パターンエッチングで予想されるオーバーハング分
だけ寸法補正したマスクを用いて露光し現像することに
より（第20図参照）、エッチング時のオーバーハングに
よる問題が防止される（第21図・第22図参照）。
成用の１回目のフォトレジスト膜（5b）と別に、フレー
ムパターン形成用の２回目のフォトレジスト膜（5a）を
形成し（第19図参照）、露光・現像している。そのた
め、パターンエッチングで予想されるオーバーハング分
だけ寸法補正したマスクを用いて露光し現像することに
より（第20図参照）、エッチング時のオーバーハングに
よる問題が防止される（第21図・第22図参照）。
なお、この第２の製造方法で部分メッキ不要箇所
（６）に付着したメッキは、上記の如くその箇所が後の
パターンエッチングで除去されるため、不要メッキを剥
離するための工程は省略される。
（６）に付着したメッキは、上記の如くその箇所が後の
パターンエッチングで除去されるため、不要メッキを剥
離するための工程は省略される。
上記第３の製造方法では、フォトレジスト膜（５）を
部分メッキ必要箇所形成用兼フレームパターン形成用と
してポジ型のものを用いている。そのため、１回のフォ
トレジスト膜（５）を形成するだけで、部分メッキ必要
箇所形成用の露光・現像（第30図参照）と、フレームパ
ターン形成用の露光・現像（第32図参照）の両方を行え
るので、部分メッキ付リードフレームの製造工程が簡素
化される。
部分メッキ必要箇所形成用兼フレームパターン形成用と
してポジ型のものを用いている。そのため、１回のフォ
トレジスト膜（５）を形成するだけで、部分メッキ必要
箇所形成用の露光・現像（第30図参照）と、フレームパ
ターン形成用の露光・現像（第32図参照）の両方を行え
るので、部分メッキ付リードフレームの製造工程が簡素
化される。
なお、この第３の製造方法でも、上記第２の製造方法
と同様に、２回目のフレームパターン形成用の露光時
に、パターンエッチングで予測されるオーバーハング分
だけ寸法補正したマスクで露光し現像することで（第32
図参照）、エッチング時のオーバーハングによる問題が
防止される（第33図・第34図参照）。
と同様に、２回目のフレームパターン形成用の露光時
に、パターンエッチングで予測されるオーバーハング分
だけ寸法補正したマスクで露光し現像することで（第32
図参照）、エッチング時のオーバーハングによる問題が
防止される（第33図・第34図参照）。
また、部分メッキ不要箇所（６）に付着したメッキ
は、上記第２の製造方法と同様にその箇所がパターンエ
ッチングで除去されるので、不要メッキを剥離する工程
は必要ない。
は、上記第２の製造方法と同様にその箇所がパターンエ
ッチングで除去されるので、不要メッキを剥離する工程
は必要ない。
上記第４の製造方法では、部分メッキ必要箇所形成と
フレームパターン形成とを、１回のフォトレジスト膜
（５）の形成と１回の露光・現像で行えるようになって
いる。そのため、部分メッキ付リードフレームの製造工
程が、大幅に簡素化される。
フレームパターン形成とを、１回のフォトレジスト膜
（５）の形成と１回の露光・現像で行えるようになって
いる。そのため、部分メッキ付リードフレームの製造工
程が、大幅に簡素化される。
なおこの第４の製造方法でも、上記第２の製造方法と
同様に、部分メッキ不要箇所（６）に付着したメッキ
は、後のパターンエッチングでその箇所が除去されるた
め、不要メッキを剥離する工程は省略される。
同様に、部分メッキ不要箇所（６）に付着したメッキ
は、後のパターンエッチングでその箇所が除去されるた
め、不要メッキを剥離する工程は省略される。
上記の各製造方法での部分メッキ必要箇所（３）は、
後でICチップ等をワイヤポンディングする場合は、ダイ
パッド用部（９）とピン（10）のボンデイングパッド用
部（11）とであり、図示例ではこの両者（９）（11）に
金または銀の部分メッキ（４）を施している。しかしIC
チップ等を導電性をもつ接着剤でボンディングする場合
は、ダイパッド用部（９）だけに部分メッキすればよ
い。
後でICチップ等をワイヤポンディングする場合は、ダイ
パッド用部（９）とピン（10）のボンデイングパッド用
部（11）とであり、図示例ではこの両者（９）（11）に
金または銀の部分メッキ（４）を施している。しかしIC
チップ等を導電性をもつ接着剤でボンディングする場合
は、ダイパッド用部（９）だけに部分メッキすればよ
い。
フォトレジスト膜（５）（5a）（5b）の形成は、フォ
トレジストインクを塗布・硬化させて行えばよいが、そ
れに限らずドライフィルムを貼付してもよい。
トレジストインクを塗布・硬化させて行えばよいが、そ
れに限らずドライフィルムを貼付してもよい。
またフォトレジスト膜（５）（5a）（5b）は、上記第
３の製造方法でのポジ型を用いるが、第１・第２・第４
の製造方法では、露光時のマスクとの関係でネガ型・ポ
ジ型のいずれを使用してもよい。
３の製造方法でのポジ型を用いるが、第１・第２・第４
の製造方法では、露光時のマスクとの関係でネガ型・ポ
ジ型のいずれを使用してもよい。
上記第１・第４の製造方法で、部分メッキ必要箇所
（３）に部分メッキを施す際のシールは、弾性材製シー
ル板（12）の機械的押圧でよい。しかし打抜きフィルム
をラミネートさせてもよい。
（３）に部分メッキを施す際のシールは、弾性材製シー
ル板（12）の機械的押圧でよい。しかし打抜きフィルム
をラミネートさせてもよい。
なお、第１・第４の製造方法の如く、フレームパター
ンの寸法補正をマスクで行えない場合は、エッチングノ
ズルやエッチング液の流速等の調節で、オーバーハング
の防止を図ればよい。
ンの寸法補正をマスクで行えない場合は、エッチングノ
ズルやエッチング液の流速等の調節で、オーバーハング
の防止を図ればよい。
発明の効果 以上で明らかな如く、本発明に係る部分メッキ付リー
ドフレームの製造方法は、次の効果を奏する。
ドフレームの製造方法は、次の効果を奏する。
ｉ）部分メッキ付リードフレームの製造工程を一連のも
のにでき、各処理・検査・管理等の作業を能率的に行え
るとともに、コストダウンを図ることができる。
のにでき、各処理・検査・管理等の作業を能率的に行え
るとともに、コストダウンを図ることができる。
即ち、従来のリードフレームのパターン形成工程は、
プレス法では勿論のことフォトエッチング法でも、部分
メッキ工程とは処理内容が異質のものとして、別個に分
離して行われていた。そのため、部分メッキ付リードフ
レームの製造工程を、一連のものとして連続処理出来
ず、各処理・検査・管理等が非能率的でロスも多く、ま
たコストアップにつながっていた。
プレス法では勿論のことフォトエッチング法でも、部分
メッキ工程とは処理内容が異質のものとして、別個に分
離して行われていた。そのため、部分メッキ付リードフ
レームの製造工程を、一連のものとして連続処理出来
ず、各処理・検査・管理等が非能率的でロスも多く、ま
たコストアップにつながっていた。
これに対して本発明の部分メッキ付リードフレームの
製造方法はいずれも、上記の如くフレームパターン形成
工程と部分メッキ工程とを相互に関連づけており、連続
した一連の処理工程中で行うことができる。そのため、
部分メッキ付リードフレームの製造で、各処理・検査・
管理等を能率的に行うことができ、かつコストダウンを
図ることができることになる。
製造方法はいずれも、上記の如くフレームパターン形成
工程と部分メッキ工程とを相互に関連づけており、連続
した一連の処理工程中で行うことができる。そのため、
部分メッキ付リードフレームの製造で、各処理・検査・
管理等を能率的に行うことができ、かつコストダウンを
図ることができることになる。
ii）リードフレームへの部分メッキを、メッキ必要箇所
へだけ高精度に行うことができ、かつ置換メッキ等が原
因の不良品の発生を防止できる。
へだけ高精度に行うことができ、かつ置換メッキ等が原
因の不良品の発生を防止できる。
即ち、従来の製造方法による部分メッキ付リードフレ
ームは、弾性材製シール材を押圧させる方法では、シー
ルが不完全なためメッキ液漏れによる置換メッキが析出
することが多く、特に微細化・多ピン化したリードフレ
ームでは、リークやパッケージ封止を損なう原因となっ
ていた。またフォトレジストでシールする方法では、微
細化・多ピン化したりリードフレームでは、レジスト膜
厚が不均一になりレジスト効果を発揮できず、部分メッ
キ不要箇所にもメッキが付着した。
ームは、弾性材製シール材を押圧させる方法では、シー
ルが不完全なためメッキ液漏れによる置換メッキが析出
することが多く、特に微細化・多ピン化したリードフレ
ームでは、リークやパッケージ封止を損なう原因となっ
ていた。またフォトレジストでシールする方法では、微
細化・多ピン化したりリードフレームでは、レジスト膜
厚が不均一になりレジスト効果を発揮できず、部分メッ
キ不要箇所にもメッキが付着した。
これに対して本発明の部分メッキ付リードフレームの
製造方法はいずれも、リードフレーム素材のメッキ必要
箇所に部分メッキを施してから、フレームパターンをエ
ッチング形成するようにしてある。そのため、仮にメッ
キ不要箇所にメッキが付着しても、後のパターンエッチ
ングの段階でその箇所を不要メッキとともに除去でき
る。それゆえ、部分メッキ必要箇所にだけ高精度にメッ
キされたリードフレームを製造することができる。
製造方法はいずれも、リードフレーム素材のメッキ必要
箇所に部分メッキを施してから、フレームパターンをエ
ッチング形成するようにしてある。そのため、仮にメッ
キ不要箇所にメッキが付着しても、後のパターンエッチ
ングの段階でその箇所を不要メッキとともに除去でき
る。それゆえ、部分メッキ必要箇所にだけ高精度にメッ
キされたリードフレームを製造することができる。
iii）本発明の部分メッキ付リードフレームの製造方法
のうち、特に上記第１の製造方法では、後の剥離処理や
パターンエッチングにより、メッキ不要箇所のメッキを
除去する。そのため、部分メッキ必要箇所へのメッキを
さほど高精度に行わずとも、高精度な部分メッキ付リー
ドフレームを製造できる。
のうち、特に上記第１の製造方法では、後の剥離処理や
パターンエッチングにより、メッキ不要箇所のメッキを
除去する。そのため、部分メッキ必要箇所へのメッキを
さほど高精度に行わずとも、高精度な部分メッキ付リー
ドフレームを製造できる。
iv）また特に上記第２の製造方法では、パターンエッチ
ングによるオーバーハングを補正できる。即ち、部分メ
ッキ必要箇所の形成とは別に、フレームパターン形成用
として２回目のフォトレジスト膜を形成し、露光・現像
する。そのため、予測されるオーバーハング分だけ寸法
補正したマスクにより露光することによって、エッチン
グ時のオーバーハングを補正でき、寸法精度が優れた部
分メッキ付リードフレームを製造できる。
ングによるオーバーハングを補正できる。即ち、部分メ
ッキ必要箇所の形成とは別に、フレームパターン形成用
として２回目のフォトレジスト膜を形成し、露光・現像
する。そのため、予測されるオーバーハング分だけ寸法
補正したマスクにより露光することによって、エッチン
グ時のオーバーハングを補正でき、寸法精度が優れた部
分メッキ付リードフレームを製造できる。
しかも、メッキ不要箇所に付着したメッキは、その付
着箇所がパターンエッチングで除去されるので、不要メ
ッキを剥離する工程を省略できる。
着箇所がパターンエッチングで除去されるので、不要メ
ッキを剥離する工程を省略できる。
ｖ）また特に上記第３の製造方法では、部分メッキ必要
箇所形成用の露光・現像と、フレームパターン形成用の
露光・現像を行うが、フォトレジスト膜の形成は両者を
共通させて、単にポジ型のものを１回形成するだけでよ
いようにしてある。そのため、部分メッキ付リードフレ
ームの製造工程を簡素化できる。
箇所形成用の露光・現像と、フレームパターン形成用の
露光・現像を行うが、フォトレジスト膜の形成は両者を
共通させて、単にポジ型のものを１回形成するだけでよ
いようにしてある。そのため、部分メッキ付リードフレ
ームの製造工程を簡素化できる。
しかも、上記第２の製造方法と同様にしてオーバーハ
ングを補正できるし、不要メッキ剥離工程を省略するこ
とができる。
ングを補正できるし、不要メッキ剥離工程を省略するこ
とができる。
vii）また特に第４の製造方法では、メッキ必要箇所の
形成とフレームパターンの形成とを、１回のフォトレジ
スト膜の形成と１回の露光・現像で行うことができるよ
うにしてある。そのため、部分メッキ付リードフレーム
の製造工程を大幅に簡略化できる。
形成とフレームパターンの形成とを、１回のフォトレジ
スト膜の形成と１回の露光・現像で行うことができるよ
うにしてある。そのため、部分メッキ付リードフレーム
の製造工程を大幅に簡略化できる。
しかも、上記第２の製造方法と同様に、メッキ不要箇
所に付着したメッキは、その付着箇所がパターンエッチ
ングで除去されるので、不要メッキの剥離工程を省略で
きる。
所に付着したメッキは、その付着箇所がパターンエッチ
ングで除去されるので、不要メッキの剥離工程を省略で
きる。
第１図・第２図・第３図・第４図・第５図・第６図・第
７図・第８図は、本発明に係る第１の製造方法の実施例
を工程順に示すリードフレームの一部拡大縦断面図で、
第９図は部分メッキ状態を示す一部拡大平面図、第10図
は第４図のＡ−Ａ断面図、第11図は第７図のＢ−Ｂ断面
図、第12図は第８図のＣ−Ｃ断面図であり、第13図・第
14図・第15図・第16図・第17図・第18図・第19図・第20
図・第21図・第22図は、本発明に係る第２の製造方法の
実施例を工程順に示すリードフレームの一部拡大縦断面
図で、第23図は部分メッキ状態を示す一部拡大平面図、
第24図は第15図のＤ−Ｄ断面図、第25図は第21図のＥ−
Ｅ断面図、第26図は第22図のＦ−Ｆ断面図であり、27図
・第28図・第29図・第30図・第31図・第32図・第33図・
第34図は、本発明に係る第３の製造方法の実施例を工程
順に示すリードフレームの一部拡大縦断面図で、第35図
は部分メッキ状態を示す一部拡大平面図、第36図は第29
図のＧ−Ｇ断面図、第37図は第33図のＨ−Ｈ断面図、第
38図は第34図のＩ−Ｉ断面図であり、第39図・第40図・
第41図・第42図・第43図・第44図・第45図・第46図・第
47図は、本発明に係る第４の製造方法の実施例を工程順
に示すリードフレームの一部拡大縦断面図で、第48図は
部分メッキ状態を示す一部拡大平面図、第49図は第41図
のＪ−Ｊ線断面図、第50は第46図のＫ−Ｋ断面図、第51
図は第47図のＬ−Ｌ断面図であり、第52図は本発明に係
る製造方法により製造した部分メッキ付リードフレーム
の一例を示す一部拡大斜視図、第53図は本発明に係る製
造方法により製造した部分メッキ付リードフレームのピ
ンの一例を示す一部拡大斜視図、第54図は従来の製造方
法により製造した部分メッキ付リードフレームのピンの
一例を示す一部拡大斜視図である。 図面符号 （１）……リードフレーム素材 （２）……銅メッキ （３）……部分メッキ必要箇所 （４）……部分メッキ （５）……フォトレジスト膜 （5a）……フォトレジスト膜 （5b）……フォトレジスト膜 （６）……部分メッキ不要箇所 （７）……フレームパターン用部 （８）……周辺部 （９）……ダイパッド用部 （10）……ピン （11）……ボンディングパッド用部 （12）……シール材 （13′）……置換メッキ
７図・第８図は、本発明に係る第１の製造方法の実施例
を工程順に示すリードフレームの一部拡大縦断面図で、
第９図は部分メッキ状態を示す一部拡大平面図、第10図
は第４図のＡ−Ａ断面図、第11図は第７図のＢ−Ｂ断面
図、第12図は第８図のＣ−Ｃ断面図であり、第13図・第
14図・第15図・第16図・第17図・第18図・第19図・第20
図・第21図・第22図は、本発明に係る第２の製造方法の
実施例を工程順に示すリードフレームの一部拡大縦断面
図で、第23図は部分メッキ状態を示す一部拡大平面図、
第24図は第15図のＤ−Ｄ断面図、第25図は第21図のＥ−
Ｅ断面図、第26図は第22図のＦ−Ｆ断面図であり、27図
・第28図・第29図・第30図・第31図・第32図・第33図・
第34図は、本発明に係る第３の製造方法の実施例を工程
順に示すリードフレームの一部拡大縦断面図で、第35図
は部分メッキ状態を示す一部拡大平面図、第36図は第29
図のＧ−Ｇ断面図、第37図は第33図のＨ−Ｈ断面図、第
38図は第34図のＩ−Ｉ断面図であり、第39図・第40図・
第41図・第42図・第43図・第44図・第45図・第46図・第
47図は、本発明に係る第４の製造方法の実施例を工程順
に示すリードフレームの一部拡大縦断面図で、第48図は
部分メッキ状態を示す一部拡大平面図、第49図は第41図
のＪ−Ｊ線断面図、第50は第46図のＫ−Ｋ断面図、第51
図は第47図のＬ−Ｌ断面図であり、第52図は本発明に係
る製造方法により製造した部分メッキ付リードフレーム
の一例を示す一部拡大斜視図、第53図は本発明に係る製
造方法により製造した部分メッキ付リードフレームのピ
ンの一例を示す一部拡大斜視図、第54図は従来の製造方
法により製造した部分メッキ付リードフレームのピンの
一例を示す一部拡大斜視図である。 図面符号 （１）……リードフレーム素材 （２）……銅メッキ （３）……部分メッキ必要箇所 （４）……部分メッキ （５）……フォトレジスト膜 （5a）……フォトレジスト膜 （5b）……フォトレジスト膜 （６）……部分メッキ不要箇所 （７）……フレームパターン用部 （８）……周辺部 （９）……ダイパッド用部 （10）……ピン （11）……ボンディングパッド用部 （12）……シール材 （13′）……置換メッキ
Claims (4)
- 【請求項１】リードフレーム素材（１）の表面の全面に
銅メッキ（２）を施し、 次に、表面の部分メッキ必要箇所（３）とその周辺部
（８）だけが露出すべくシールして、露出箇所に金また
は銀の部分メッキ（４）を施し、 次に、表裏の全面にフレームパターン形成用のフォトレ
ジスト膜（5a）を形成し、 次に、表裏両面からフレームパターン形成用の露光をし
て現像し、 次に、先の部分メッキ（４）の中で、部分メッキ不要箇
所（６）へ付着のメッキを剥離させ、 次に、パターンエッチングしてフレームパターンを形成
し、 次に、残ったフォトレジスト膜（5a）を剥離するととも
に、露出した銅メッキ（２）を剥離するようにした、部
分メッキ付リードフレームの製造方法。 - 【請求項２】リードフレーム素材（１）の表面の全面に
銅メッキ（２）を施し、 次に、表裏の全面に部分メッキ必要箇所形成用の１回目
のフォトレジスト膜（5b）を形成し、 次に、表面に部分メッキ必要箇所形成用の１回目の露光
をし現像して、部分メッキ必要箇所（３）を露出させ、 次に、上記部分メッキ必要箇所（３）に、金または銀の
部分メッキ（４）を施し、 次に、上記フォトレジスト膜（5b）を剥離した後、表裏
の全面にフレームパターン形成用の２回目のフォトレジ
スト膜（5a）を形成し、 次に、エッチングで予想されるオーバーハング分だけ寸
法補正したフレームパターン形成用のマスクで、表裏両
面に２回目の露光をして現像し、 次に、パターンエッチングしてフレームパターンを形成
し、 次に、上記２回目のフォトレジスト膜（5a）を剥離する
とともに、露出した銅メッキ（２）を剥離するようにし
た、部分メッキ付リードフレームの製造方法。 - 【請求項３】リードフレーム素材（１）の表面の全面に
銅メッキ（２）を施し、 次に、表裏の全面に部分メッキ必要箇所形成用兼フレー
ムパターン形成用のポジ型のフォトレジスト膜（５）を
形成し、 次に、表面に部分メッキ必要箇所形成用のマスクで１回
目の露光をし現像して、部分メッキ必要箇所（３）を露
出させ、 次に、上記部分メッキ必要箇所（３）に、金または銀の
部分メッキ（４）を施し、 次に、エッチングで予想されるオーバーハング分だけ寸
法補正したフレームパターン形成用のマスクで、表裏両
面に２回目の露光をして現像し、 次に、パターンエッチングしてフレームパターンを形成
し、 次に、残ったフォトレジスト膜（５）を剥離するととも
に、露出した銅メッキ（２）を剥離するようにした、部
分メッキ付リードフレームの製造方法。 - 【請求項４】リードフレーム素材（１）の表面の全面に
銅メッキ（２）を施し、 次に、表裏の全面に部分メッキ必要箇所形成用兼フレー
ムパターン形成用のフォトレジスト膜（５）を形成し、 次に、フレームパターン形成用と部分メッキ必要箇所形
成用の露光をし現像して、フレームパターン用部（７）
と、表面の部分メッキ必要箇所（３）が露出したその周
辺部（８）とに、フォトレジスト膜（５）を残し、 次に、部分メッキ必要箇所（３）とその周辺部（８）を
除きシールして、部分メッキ必要箇所（３）に金または
銀の部分メッキ（４）を施し、 次に、上記シール状態で、部分メッキ必用箇所（３）の
周辺部（８）の部分メッキ必要箇所形成用のフォトレジ
スト膜（５）を剥離し、 次に、シールを解きパターンエッチングしてフレームパ
ターンを形成し、 次に、残ったフレームパターン形成用のフォトレジスト
膜（５）を剥離するとともに、露出した銅メッキ（２）
を剥離するようにした、部分メッキ付リードフレームの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31586889A JPH0831549B2 (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 部分メッキ付リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31586889A JPH0831549B2 (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 部分メッキ付リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03177059A JPH03177059A (ja) | 1991-08-01 |
| JPH0831549B2 true JPH0831549B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=18070566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31586889A Expired - Lifetime JPH0831549B2 (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 部分メッキ付リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831549B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104328394A (zh) * | 2014-11-03 | 2015-02-04 | 广州特种承压设备检测研究院 | 一种差异化复合式化学镀方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100266726B1 (ko) * | 1995-09-29 | 2000-09-15 | 기타지마 요시토시 | 리드프레임과 이 리드프레임을 갖춘 반도체장치 |
| JP6042701B2 (ja) * | 2012-11-14 | 2016-12-14 | 株式会社三井ハイテック | リードフレームの製造方法 |
| JP2014130925A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-12-05 JP JP31586889A patent/JPH0831549B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104328394A (zh) * | 2014-11-03 | 2015-02-04 | 广州特种承压设备检测研究院 | 一种差异化复合式化学镀方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03177059A (ja) | 1991-08-01 |
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