JPH01300531A - 半導体素子の封止方法 - Google Patents
半導体素子の封止方法Info
- Publication number
- JPH01300531A JPH01300531A JP63132088A JP13208888A JPH01300531A JP H01300531 A JPH01300531 A JP H01300531A JP 63132088 A JP63132088 A JP 63132088A JP 13208888 A JP13208888 A JP 13208888A JP H01300531 A JPH01300531 A JP H01300531A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- sealing
- semiconductor element
- curing
- prevention wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 73
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 73
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 238000005187 foaming Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 abstract description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 3
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 abstract 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- -1 for example Polymers 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は集積回路など半導体素子を基板上に樹脂で封止
する方法に関するものである。
する方法に関するものである。
［従来の技術］
集積回路は、回路基板上のパターン面にダイボンディン
グした後でワイヤボンディングし、その後でこの集積回
路は、回路の信頼性確保およびワイヤの保護のため、封
止用樹脂（ボッティング樹脂）によって封止される。
グした後でワイヤボンディングし、その後でこの集積回
路は、回路の信頼性確保およびワイヤの保護のため、封
止用樹脂（ボッティング樹脂）によって封止される。
このような封止方法の典型的な例は、集積回路のボッテ
ィング範囲（封止範囲）の境界と同一の内面形状のボッ
ティング枠を回路基板上に置き、この枠内にボッティン
グ樹脂を滴下して集積回路を封止する方法である。その
他には、第３図示のように基板１上の封止範囲の境界に
撥水撥油樹脂、例えばシリコン樹脂６を塗布してその内
側にボッティング樹脂７を滴下して集積回路２を封止す
る方法も知られている。
ィング範囲（封止範囲）の境界と同一の内面形状のボッ
ティング枠を回路基板上に置き、この枠内にボッティン
グ樹脂を滴下して集積回路を封止する方法である。その
他には、第３図示のように基板１上の封止範囲の境界に
撥水撥油樹脂、例えばシリコン樹脂６を塗布してその内
側にボッティング樹脂７を滴下して集積回路２を封止す
る方法も知られている。
［解決しようとする課８］
しかしポツティング枠を使用する第１の封止方法では、
ポツティング樹脂を所定の高さ以上に盛り上げることは
容易であるが、ボッティング枠自体及びポツティング枠
の取付作業が必要となる。
ポツティング樹脂を所定の高さ以上に盛り上げることは
容易であるが、ボッティング枠自体及びポツティング枠
の取付作業が必要となる。
したがって部品数の増加や工程数が増加して余分な費用
がかかり、そのためコスト高となる。さらにボッティン
グ枠を必要とするのに伴って厚さや幅が増加することに
なり、時計等の薄型化の障害となることがあった。この
ためボッティング枠の不要な前記第２の例の撥水撥油樹
脂を塗布する方法が提案されているが、この方法では、
ボッティング樹脂の被覆厚は表面張力によって決定され
るにもかかわらず、ボッティング樹脂は滴下し易いよう
に加熱される。そのため高温で低粘度となるボッティン
グ樹脂では、所望の十分な高さのボッティングが得られ
難く、また硬化前の物理的なショックによって流出する
可能性があるなど、実用上で問題があった。またこの方
法では、ポツティング樹脂の高さを所望の高さにするに
は、第３図示のようにこの樹脂の表面張力によって凸レ
ンズのように盛り上った形状になってしまう。凸レンズ
の形状をなすポツティング樹脂では、半導体素子が自動
焦点カメラの距離検出装置の受光素子として使用される
場合は、この凸レンズの屈折作用で距離検出に誤差を生
じる原因となる。
がかかり、そのためコスト高となる。さらにボッティン
グ枠を必要とするのに伴って厚さや幅が増加することに
なり、時計等の薄型化の障害となることがあった。この
ためボッティング枠の不要な前記第２の例の撥水撥油樹
脂を塗布する方法が提案されているが、この方法では、
ボッティング樹脂の被覆厚は表面張力によって決定され
るにもかかわらず、ボッティング樹脂は滴下し易いよう
に加熱される。そのため高温で低粘度となるボッティン
グ樹脂では、所望の十分な高さのボッティングが得られ
難く、また硬化前の物理的なショックによって流出する
可能性があるなど、実用上で問題があった。またこの方
法では、ポツティング樹脂の高さを所望の高さにするに
は、第３図示のようにこの樹脂の表面張力によって凸レ
ンズのように盛り上った形状になってしまう。凸レンズ
の形状をなすポツティング樹脂では、半導体素子が自動
焦点カメラの距離検出装置の受光素子として使用される
場合は、この凸レンズの屈折作用で距離検出に誤差を生
じる原因となる。
そこで本発明の目的は、低コストで確実に所定の高さの
ボッティングが可能である半導体の封止方法を提供する
ものである。
ボッティングが可能である半導体の封止方法を提供する
ものである。
［課題を解決するための手段］
第１の発明の特徴は、電磁波の照射によって硬化可能な
樹脂を、基板に実装された又は後で実装される半導体素
子の封止範囲の境界を囲むように、基板上のパターン面
に塗布し、この塗布された樹脂に電磁波を照射して硬化
させ、さらにこの硬化した樹脂の上に再び上記樹脂を塗
布した後でこの樹脂に電磁波を照射してこの樹脂を硬化
させることを繰り返し、これにより所定の高さの流出防
止壁を形成し、この流出防止壁内に封止用樹脂を注入し
硬化させて半導体素子を封止するところにある。
樹脂を、基板に実装された又は後で実装される半導体素
子の封止範囲の境界を囲むように、基板上のパターン面
に塗布し、この塗布された樹脂に電磁波を照射して硬化
させ、さらにこの硬化した樹脂の上に再び上記樹脂を塗
布した後でこの樹脂に電磁波を照射してこの樹脂を硬化
させることを繰り返し、これにより所定の高さの流出防
止壁を形成し、この流出防止壁内に封止用樹脂を注入し
硬化させて半導体素子を封止するところにある。
第２の発明の特徴は、基板上のパターン面に実装された
又は後で実装される半導体素子の封止範囲の境界を囲む
ように、発泡性樹脂を未発泡状態で塗布し、この発泡性
樹脂の発泡反応により所定の高さの流出防止壁を形成し
、上記流出防止壁内に封止樹脂を注入し硬化させて半導
体素子を封止するところにある。
又は後で実装される半導体素子の封止範囲の境界を囲む
ように、発泡性樹脂を未発泡状態で塗布し、この発泡性
樹脂の発泡反応により所定の高さの流出防止壁を形成し
、上記流出防止壁内に封止樹脂を注入し硬化させて半導
体素子を封止するところにある。
［実施例］
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１Ａ図において、プリント基板１には図示しない配線
パターンが形成されており、この配線パターンの上に半
導体素子（ＩＣチップ）２が実装されている。プリント
基板１の配線パターン面上には、ＩＣチップ２のポツテ
ィング範囲の境界を囲むように、電磁波の一種である紫
外線の照射によって硬化可能なアクリル変成エポキシ樹
脂のような樹１ｆｆｇ３ａを印刷または転写等の方法に
よって塗布する。そこで第１Ｂ図のように樹脂３ａに紫
外線ａを照射してこの樹脂を硬化する。このようして硬
化した樹脂を３ｂとする。
パターンが形成されており、この配線パターンの上に半
導体素子（ＩＣチップ）２が実装されている。プリント
基板１の配線パターン面上には、ＩＣチップ２のポツテ
ィング範囲の境界を囲むように、電磁波の一種である紫
外線の照射によって硬化可能なアクリル変成エポキシ樹
脂のような樹１ｆｆｇ３ａを印刷または転写等の方法に
よって塗布する。そこで第１Ｂ図のように樹脂３ａに紫
外線ａを照射してこの樹脂を硬化する。このようして硬
化した樹脂を３ｂとする。
第１Ｃ図に示すように、この硬化した樹脂３ｂの上に再
び紫外線の照射によって硬化する樹脂３ａを塗布した後
でこの樹脂に紫外線を照射してこの樹脂を硬化させる。
び紫外線の照射によって硬化する樹脂３ａを塗布した後
でこの樹脂に紫外線を照射してこの樹脂を硬化させる。
このような工程を繰り返すことによって第１Ｄ図に示す
ように、樹脂を積層して所定の高さの流出防止壁３を形
成する。
ように、樹脂を積層して所定の高さの流出防止壁３を形
成する。
流出防止壁３内に実装されたＩＣチップ２を覆うように
ボッティング用樹脂としてエポキシ樹脂４を滴下し、そ
の上面が平坦な状態でこの樹脂を硬化し、ＩＣチップ２
を封止する。なおＩＣチップ２の実装は、流出防止壁３
が完成された後でもよい。
ボッティング用樹脂としてエポキシ樹脂４を滴下し、そ
の上面が平坦な状態でこの樹脂を硬化し、ＩＣチップ２
を封止する。なおＩＣチップ２の実装は、流出防止壁３
が完成された後でもよい。
この発明における流出防止壁３を形成するのに、紫外線
の照射によって硬化する樹脂に代えて電子ビームまたは
Ｘ線を照射することによって硬化する樹脂を使用しても
よい。
の照射によって硬化する樹脂に代えて電子ビームまたは
Ｘ線を照射することによって硬化する樹脂を使用しても
よい。
次に第２の発明の特徴について説明する。
この発明は、基板１上のパターン面にＩＣチップ２を実
装する工程は、前記の発明と同じであるが、第２Ａ図に
示すようにこのパターン面のＩＣチップの封止範囲の境
界を囲むように、発泡性樹脂５ａを未発泡状態で塗布す
るところに特徴がある。未発泡状態の発泡性樹脂５ａを
塗布した後、第２Ｂ図のように樹脂５ａの発泡反応が進
行し、所定の高さの流出防止壁５を形成する。そして流
出防止壁５内に封止樹脂４を注入し硬化させＩＣチップ
２を封止する。もちろん流出防止壁５が完成された後で
ＩＣチップ２を実装してもよい。
装する工程は、前記の発明と同じであるが、第２Ａ図に
示すようにこのパターン面のＩＣチップの封止範囲の境
界を囲むように、発泡性樹脂５ａを未発泡状態で塗布す
るところに特徴がある。未発泡状態の発泡性樹脂５ａを
塗布した後、第２Ｂ図のように樹脂５ａの発泡反応が進
行し、所定の高さの流出防止壁５を形成する。そして流
出防止壁５内に封止樹脂４を注入し硬化させＩＣチップ
２を封止する。もちろん流出防止壁５が完成された後で
ＩＣチップ２を実装してもよい。
また前記した第１および第２の発明において、封止用樹
脂４は、シリコン樹脂またはシリコン樹脂を含んだ樹脂
、フッ素化合物を含むような透光性のものを使用すれば
、自動焦点カメラの距Ｍ検出装置の受光素子を封止する
のに好適である。
脂４は、シリコン樹脂またはシリコン樹脂を含んだ樹脂
、フッ素化合物を含むような透光性のものを使用すれば
、自動焦点カメラの距Ｍ検出装置の受光素子を封止する
のに好適である。
［効果］
以上のように本発明によると、封止用樹脂によって半導
体素子を封止するに際し、この封止用樹脂の流出を防止
する壁の形成に、従来のように封止用の特別な枠が不要
であるためコストダウンに有効である。また電磁波の照
射とそれによって硬化する樹脂を使用する場合、加熱に
よる樹脂の粘性低下を起すことがなく、流出防止壁を所
望の高さ、幅などに形成することが容易であり、また発
泡性樹脂の発泡作用によっても簡単に所望の高さや幅の
流出防止壁を形成することができ、半導体素子の封止に
必要な彼讃厚の確保が容易である。
体素子を封止するに際し、この封止用樹脂の流出を防止
する壁の形成に、従来のように封止用の特別な枠が不要
であるためコストダウンに有効である。また電磁波の照
射とそれによって硬化する樹脂を使用する場合、加熱に
よる樹脂の粘性低下を起すことがなく、流出防止壁を所
望の高さ、幅などに形成することが容易であり、また発
泡性樹脂の発泡作用によっても簡単に所望の高さや幅の
流出防止壁を形成することができ、半導体素子の封止に
必要な彼讃厚の確保が容易である。
第１Ａ図〜第１Ｅ図はそれぞれ第１の発明の封止工程を
示す断面図、第２Ａ図〜第２Ｃ図はそれぞれ第２の発明
の封止工程を示す断面図、第３図は従来例を示す断面図
である。 １・・・・・・基板、 ２・・・・・・半導体素子、 ３・・・・・・流出防止壁、 ３ａ・・・電磁波の照射によって硬化可能な樹脂、３ｂ
・・・電磁波の照射によって硬化した樹脂、４・・・・
・・封止用樹脂、 ５ａ・・・未発泡状態の発泡性樹脂、 ５・・・・・・流出防止壁、 ａ・・・・・・電磁波（紫外線）。 以 上
示す断面図、第２Ａ図〜第２Ｃ図はそれぞれ第２の発明
の封止工程を示す断面図、第３図は従来例を示す断面図
である。 １・・・・・・基板、 ２・・・・・・半導体素子、 ３・・・・・・流出防止壁、 ３ａ・・・電磁波の照射によって硬化可能な樹脂、３ｂ
・・・電磁波の照射によって硬化した樹脂、４・・・・
・・封止用樹脂、 ５ａ・・・未発泡状態の発泡性樹脂、 ５・・・・・・流出防止壁、 ａ・・・・・・電磁波（紫外線）。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上のパターン面に半導体素子を実装する工程と
、 電磁波の照射によって硬化可能な樹脂を、上記半導体素
子の封止範囲の境界を囲むように上記パターン面に塗布
する工程と、 上記塗布された樹脂に電磁波を照射して硬化させる工程
と、 この硬化した樹脂の上に再び上記樹脂を塗布した後でこ
の樹脂に電磁波を照射してこの樹脂を硬化させることを
繰り返すことにより、所定の高さの流出防止壁を形成す
る工程と、 上記流出防止壁内に封止用樹脂を注入し硬化させる工程
と からなる半導体素子の封止方法。 ２、基板上のパターン面に半導体素子を実装する工程と
、 上記パターン面に上記半導体素子の封止範囲の境界を囲
むように発泡性樹脂を未発泡状態で塗布する工程と、 上記発泡性樹脂の発泡反応により所定の高さの流出防止
壁を形成する工程と、 上記流出防止壁内に封止用樹脂を注入し硬化させる工程
と からなる半導体素子の封止方法。 ３、請求項１または２において、封止用樹脂は透光性の
ものとした半導体素子の封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63132088A JPH01300531A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 半導体素子の封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63132088A JPH01300531A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 半導体素子の封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01300531A true JPH01300531A (ja) | 1989-12-05 |
Family
ID=15073215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63132088A Pending JPH01300531A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 半導体素子の封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01300531A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014178266A1 (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-06 | 日東電工株式会社 | 封止シート貼付け方法および封止シート貼付け装置 |
| JP2015138968A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | 環旭電子股▲分▼有限公司 | 選択的電子部品実装モジュールの製造方法 |
-
1988
- 1988-05-30 JP JP63132088A patent/JPH01300531A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014178266A1 (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-06 | 日東電工株式会社 | 封止シート貼付け方法および封止シート貼付け装置 |
| JP2015138968A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | 環旭電子股▲分▼有限公司 | 選択的電子部品実装モジュールの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5869356A (en) | Method and structure for constraining the flow of incapsulant applied to an I/C chip on a substrate | |
| EP0398587B1 (en) | A method of encapsulation for devices | |
| US7517722B2 (en) | Method of producing a universal semiconductor housing with precrosslinked plastic embedding compounds | |
| US6524346B1 (en) | Stereolithographic method for applying materials to electronic component substrates and resulting structures | |
| US5700981A (en) | Encapsulated electronic component and method for encapsulating an electronic component | |
| US6875640B1 (en) | Stereolithographic methods for forming a protective layer on a semiconductor device substrate and substrates including protective layers so formed | |
| US5219712A (en) | Method of forming a solid article | |
| JPH01300531A (ja) | 半導体素子の封止方法 | |
| US6964927B2 (en) | Method and production of a sensor | |
| KR100374683B1 (ko) | 에어-캐비티형 패캐지 및 그 제조방법 | |
| KR100293177B1 (ko) | 연성볼그리드어레이기판및그제조방법 | |
| JP2902497B2 (ja) | 混成集積回路基板の製造方法 | |
| JPH07212013A (ja) | ボール・グリッド・アレイ及びボール・グリッド・アレイ用のプリント回路基板の製造方法 | |
| JPS6159740A (ja) | 半導体素子のモ−ルド方法 | |
| JP2777500B2 (ja) | 半導体装置の保護層の形成方法 | |
| JP4388222B2 (ja) | 光に感応する素子を有するモジュールおよびその製造方法 | |
| JP2606858B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH01133328A (ja) | 半導体素子の封止方法 | |
| JPH06291215A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0380341B2 (ja) | ||
| JPH11233537A (ja) | 樹脂封止方法 | |
| JPS59193034A (ja) | 半導体素子封止用ペレツト | |
| JPS6134950A (ja) | 半導体素子のモ−ルド方法 | |
| JPS58103143A (ja) | 電子部品の封止方法 | |
| JP3344006B2 (ja) | チップ付きプリント基板及びその製造方法 |