JP4388222B2 - 光に感応する素子を有するモジュールおよびその製造方法 - Google Patents
光に感応する素子を有するモジュールおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4388222B2 JP4388222B2 JP2000331079A JP2000331079A JP4388222B2 JP 4388222 B2 JP4388222 B2 JP 4388222B2 JP 2000331079 A JP2000331079 A JP 2000331079A JP 2000331079 A JP2000331079 A JP 2000331079A JP 4388222 B2 JP4388222 B2 JP 4388222B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- module
- sensitive
- light receiving
- receiving portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は光を受けて感応する素子を含むモジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
光を受けて感応する素子を含むモジュールの従来の構造を図2に示す。すなわち、図2は、基板21上に光を受けて感応する素子、すなわち受光素子22と受光素子22の信号を処理するコントロール用IC23および付属のチップ部品24が搭載されている。受光素子22として、たとえばフォトダイオードや太陽電池などが挙げられる。チップ部品24として抵抗やコンデンサー、インダクタンスが挙げられる。上記の素子および部品はパッケージ樹脂25により被われている。このパッケージ樹脂25は、受光素子22に最大限に光が入るような樹脂、すまわちその光に対して透明な樹脂が選択されている。上記素子および部品はパッケージ樹脂25により、機械的およびモジュールの置かれる環境に対して保護されている。
【0003】
モジュールの受光部分26は受光素子に最大限に光を集めるためにレンズ状に形成されている。
【0004】
受光素子22以外の素子は一般に光が当たるとノイズがのりやすいので、図2に示すように、金属ケース27を被せている。この金属ケース27は受光部分26を除いたモジュールの表面を覆っている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
金属ケース27は、モジュールに合せて作成しなければならない。この金属ケース27を作成するには、金属板を折り曲げたり、溶接したり、打ち抜いたりと多くの工程を経て製造しなければならず、製造コストがかなり高くなっている。また金属ケースの作成とモジュールの作成とはそれぞれ別のプロセスで行わなくてはならず、その製造設備の投資も大きなものとなっている。さらに、金属ケースとモジュールを合せる工程を余分に加えなければならないため、かなりの工数がかかり、それも大きなコストアップの要因になっている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の問題点を解決するために、本発明は受光部分を除いた領域のモジュールを形成する金型の表面に細かい凹凸をつけて、その金型を用いてモジュールを作成することにより、受光部分を除いた領域が細かい凹凸になたモジュールを作成する。このモジュールを光遮断材の入った液体に浸すことにより、細かい凹凸のついた部分のみに光遮断材料を付着させる。これに熱を加えて固めることにより受光部分を除いた領域に光遮断材料の層を作る。これにより、受光部分の領域以外の内部素子には光が当たらない状態を作る。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明は、光を受けて感応する素子を含むモジュールに対して、光が当たると問題になる部分に光を当てない簡易的な方法を提供するものである。
【0008】
図1は、本発明の製造方法を示す図である。すなわち図1(a)に示すように、モジュールを作成するための型9の受光部分16になるべき領域を除いた領域の表面に細かい凹凸10を付ける。この凹凸10の大きさは0.01ミクロンメートルから1000ミクロンメートルである。受光部分16はこれらの凹凸10のサイズよりは小さな平滑面である。次に図1(b)に示すように、受光素子12、コントロール用IC13、チップ部品14などを搭載した基板11を図1(b)の型9の中に入れる。その後、パッケージ樹脂15を流し込んで固めることにより、図1(c)に示すように、光を受けて感応する素子に至る光が進む部分、すなわち受光部分16を除いた領域のモジュール表面は細かい凹凸17を有している。
【0009】
次に図1(d)に示すように、光遮断用材料を含む溶液18に浸す。光遮断用材料として、たとえば、カーボン粒子材、あるいはポリイミド材、あるいはエポキシ材などが挙げられる。これらの溶液に浸すと、光遮断用材料が、モールド面の細かい凹凸17のついたモジュールの部分に厚く成長し、光遮断用材料を含む膜19が付着する。受光部分16は平滑面なので、光遮断用材料を含む膜19は全然付かないか殆ど付着しない。このモジュールを50〜150℃の温度で熱処理することにより、この膜が硬化し、図1(e)に示すように、光遮断用材料からなる膜19を受光部分16を除く領域に選択的に付着させることができる。
【0010】
【発明の効果】
光遮断用の膜が受光部分以外のモジュール表面に付着しているので、光は受光部分以外の領域からモジュールの内部には入っていかない。しかも、工程が非常に簡便で、しかも材料費が少なくなるため、金属ケースを用いる場合に比較し、製造コストおよび材料コストを大幅に低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体モジュールを製造する方法を示す図である。
【図2】従来の半導体モジュールの構造を示す図である。
【符号の説明】
9 モジュール型
10 モジュール型の凹凸
11、21 基板
12、22 受光素子
13、23 コントロールIC
14、24 チップ部品
15,25 パッケージ樹脂
16,26 受光部分
17 モジュールの凹凸
18 溶液
19 光遮断用材料
27 金属ケース
Claims (5)
- 光に感応する素子を有するモジュールであって、
受光素子、コントロールICおよびチップ部品を載置する基板と、
前記受光素子、前記コントロールICおよび前記チップ部品と前記基板とを被覆し、前記受光素子上方の受光部分を除いた領域の一部あるいは全部の表面に細かい凹凸を有する光透過性パッケージ樹脂と、
前記細かい凹凸を有する前記表面を選択的に被覆する光遮断用膜と、
を有することを特徴とする光に感応する素子を有するモジュール。 - 前記細かい凹凸は、0.01ミクロンメートルから1000ミクロンメートルであることを特徴とする請求項1記載の光に感応する素子を有するモジュール。
- 前記光遮断用膜は、カーボン粒子材、あるいはポリイミド材、あるいはエポキシ材であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の光に感応する素子を有するモジュール。
- 光に感応する素子を有するモジュールの製造方法であって、
受光部分に対応する領域は平滑面であり、前記受光部分に対応する領域を除く領域には細かい凹凸を有する金型を準備する工程と、
受光素子、コントロールICおよびチップ部品を載置する基板を前記金型内に入れ、光透過性パッケージ樹脂を前記金型内に流し込んで固めて、前記受光素子上方の前記受光部分を除く領域の表面に細かい凹凸を有するモジュールを形成する工程と、
前記モジュールを、光遮断用材料を含む溶液に浸漬して、前記モジュールの前記細かい凹凸を有する前記表面を選択的に光遮断用膜で被覆する工程と、
前記光遮断用膜を硬化させるために前記モジュールを熱処理する工程と、
からなることを特徴とする光に感応する素子を有するモジュールの製造方法。 - 前記熱処理工程は、50℃から150℃の範囲で行うことを特徴とする請求項4記載の光に感応する素子を有するモジュールの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000331079A JP4388222B2 (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | 光に感応する素子を有するモジュールおよびその製造方法 |
US09/966,721 US20020068375A1 (en) | 2000-10-30 | 2001-09-27 | Structure of a semiconductor module and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000331079A JP4388222B2 (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | 光に感応する素子を有するモジュールおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002141442A JP2002141442A (ja) | 2002-05-17 |
JP4388222B2 true JP4388222B2 (ja) | 2009-12-24 |
Family
ID=18807490
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000331079A Expired - Fee Related JP4388222B2 (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | 光に感応する素子を有するモジュールおよびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20020068375A1 (ja) |
JP (1) | JP4388222B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104457685A (zh) * | 2013-09-22 | 2015-03-25 | 北汽福田汽车股份有限公司 | 用于汽车的阳光检测装置及具有其的汽车 |
-
2000
- 2000-10-30 JP JP2000331079A patent/JP4388222B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-09-27 US US09/966,721 patent/US20020068375A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002141442A (ja) | 2002-05-17 |
US20020068375A1 (en) | 2002-06-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7517722B2 (en) | Method of producing a universal semiconductor housing with precrosslinked plastic embedding compounds | |
CN100447967C (zh) | 半导体器件的制造方法 | |
JP2007027713A5 (ja) | ||
US8293572B2 (en) | Injection molding system and method of chip package | |
JP2002279384A (ja) | 携帯可能電子媒体及びその製造方法 | |
JP2003523082A (ja) | 電気的構造素子のための封入物およびその製造方法 | |
JP2002204400A (ja) | レンズ付き撮像素子モジュール | |
JP4388222B2 (ja) | 光に感応する素子を有するモジュールおよびその製造方法 | |
KR100583507B1 (ko) | 광학디바이스, 그 제조방법, 덮개부품 및 그 제조방법 | |
JP2002305199A5 (ja) | ||
US7956435B2 (en) | Semiconductor device | |
JPH07302808A (ja) | 電子部材のコーティング方法 | |
KR970053725A (ko) | 반도체 장치 | |
JPS5814545A (ja) | Icの実装方法 | |
JP2555893B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JPS61101054A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPS628531A (ja) | 電子装置の実装方法 | |
JPH01300531A (ja) | 半導体素子の封止方法 | |
JPH0530363Y2 (ja) | ||
JPH03120824A (ja) | 集積回路の製造方法 | |
JPH09252064A (ja) | Bga型半導体装置 | |
JPH05243413A (ja) | 半導体装置 | |
JP3288394B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JPH04171946A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS61292328A (ja) | 半導体封止構造体の製法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040303 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070605 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090630 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090827 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090929 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091002 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4388222 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091102 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091112 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |