JPS628531A - 電子装置の実装方法 - Google Patents
電子装置の実装方法Info
- Publication number
- JPS628531A JPS628531A JP60147850A JP14785085A JPS628531A JP S628531 A JPS628531 A JP S628531A JP 60147850 A JP60147850 A JP 60147850A JP 14785085 A JP14785085 A JP 14785085A JP S628531 A JPS628531 A JP S628531A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- circuit board
- sealing
- element chip
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子装置の実装方法に関し、特に半導体素子チ
ップを樹脂封止する方法に関する。
ップを樹脂封止する方法に関する。
従来、集積回路装置等の半導体素子チップを回路基板に
実装する方法として、回路基板に素子チップを固着しか
つ電気的接続を行った後、素子チップ等を直接成形内に
セットしてトランスファー成形により樹脂封止する方法
、或いは同様に素子チップを固着および電気接続した上
でチップを囲むように封止枠を取着し、その後この封止
枠内に熱硬化性樹脂を滴下して硬化させる枠ポツテング
方法等が用いられている。
実装する方法として、回路基板に素子チップを固着しか
つ電気的接続を行った後、素子チップ等を直接成形内に
セットしてトランスファー成形により樹脂封止する方法
、或いは同様に素子チップを固着および電気接続した上
でチップを囲むように封止枠を取着し、その後この封止
枠内に熱硬化性樹脂を滴下して硬化させる枠ポツテング
方法等が用いられている。
しかしながら、前者のトランスファー成形法では封止形
状が小さく出来ることから小型電子装置の封止法に適し
ているが、トランスファー成形機および成形型等の特別
な設備を必要とし、かつ成形型内への回路基板の搬入、
搬出等の工数が必要であり、しかも成形後にパリ取り工
程も必要とされる等、工数が多くかつ高価格になるとい
う問題がある。
状が小さく出来ることから小型電子装置の封止法に適し
ているが、トランスファー成形機および成形型等の特別
な設備を必要とし、かつ成形型内への回路基板の搬入、
搬出等の工数が必要であり、しかも成形後にパリ取り工
程も必要とされる等、工数が多くかつ高価格になるとい
う問題がある。
このため、特別の設備を必要としない枠ポツテング法が
、安価でかつ小型の電子装置に用いられている。例えば
、第２図（ａ）〜（ｃ）は従来のこの種の方法の一例で
あり、先ず同図（ａ）のように、回路基板２１表面に半
導体素子チップ２２を固着した後、回路基板２１表面に
設けた金属薄膜配線２３と素子チップ２２とを金属細線
２４で電気的に接続する。そして、素子チップ２２等を
液状樹脂２５でプリコートした後、素子チップ２２等を
囲むように封止枠２６を取着する。
、安価でかつ小型の電子装置に用いられている。例えば
、第２図（ａ）〜（ｃ）は従来のこの種の方法の一例で
あり、先ず同図（ａ）のように、回路基板２１表面に半
導体素子チップ２２を固着した後、回路基板２１表面に
設けた金属薄膜配線２３と素子チップ２２とを金属細線
２４で電気的に接続する。そして、素子チップ２２等を
液状樹脂２５でプリコートした後、素子チップ２２等を
囲むように封止枠２６を取着する。
その上で、同図（ｂ）のように、この封止枠２６内に封
止用の液状樹脂２７を滴下し、同図（ｃ）のように封止
枠２６で周囲を規制した状態で液状樹脂を硬化させるこ
とにより、封止を完成している。
止用の液状樹脂２７を滴下し、同図（ｃ）のように封止
枠２６で周囲を規制した状態で液状樹脂を硬化させるこ
とにより、封止を完成している。
上述した従来の枠ポツテング法では、前述のように特別
の設備を要せず、手軽に行えるという利点を有するもの
の、回路基板上に封止枠を取着するためのスペースが必
要とされるため、全体として封止寸法が大きくなり、例
えば電子腕時計のように特に小型化が要求される電子装
置の封止には適さないという問題がある。
の設備を要せず、手軽に行えるという利点を有するもの
の、回路基板上に封止枠を取着するためのスペースが必
要とされるため、全体として封止寸法が大きくなり、例
えば電子腕時計のように特に小型化が要求される電子装
置の封止には適さないという問題がある。
本発明の電子装置の封止方法は、封止形状を小さくしか
も簡単で安価に樹脂封止を行うために、素子チップを含
む回路基板上に粉体樹脂を一様な厚さに堆積する工程と
、封止を行う回路基板箇所上の前記粉体樹脂を選択的に
加熱して溶融させる工程と、この溶融に伴う体積変化に
よって相対的に凹設された箇所に封止用の液状樹脂を滴
下しかつ硬化させる工程と、残存する粉体樹脂を除去す
る工程とを含む方法としている。
も簡単で安価に樹脂封止を行うために、素子チップを含
む回路基板上に粉体樹脂を一様な厚さに堆積する工程と
、封止を行う回路基板箇所上の前記粉体樹脂を選択的に
加熱して溶融させる工程と、この溶融に伴う体積変化に
よって相対的に凹設された箇所に封止用の液状樹脂を滴
下しかつ硬化させる工程と、残存する粉体樹脂を除去す
る工程とを含む方法としている。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明方法の一実施例を工程順
に説明する断面図であり、先ず、同図（ａ）のように、
セラミックやエポキシ等の絶縁性回路基板１上に半導体
素子チップ２を固着し、回路基板１表面に設けた金属薄
膜配線３と素子チップ２とをアルミニウムや金等の金属
線ＮｌＡ４で電気的に接続する。その上で、回路基板１
の上面に粉体樹脂５を３００〜２０００μｍの一様な厚
さで堆積させる。この粉体樹脂５は、エポキシ検出樹脂
が主に使用でき、１５０〜２００℃付近で溶融し、その
後冷却すると固体となり硬化する。
に説明する断面図であり、先ず、同図（ａ）のように、
セラミックやエポキシ等の絶縁性回路基板１上に半導体
素子チップ２を固着し、回路基板１表面に設けた金属薄
膜配線３と素子チップ２とをアルミニウムや金等の金属
線ＮｌＡ４で電気的に接続する。その上で、回路基板１
の上面に粉体樹脂５を３００〜２０００μｍの一様な厚
さで堆積させる。この粉体樹脂５は、エポキシ検出樹脂
が主に使用でき、１５０〜２００℃付近で溶融し、その
後冷却すると固体となり硬化する。
次いで、同図（ｂ）のように、封止を行う箇所、即ち素
子チップ２を含むできるだけ狭い領域上にレーザ光線や
赤外線等６を選択的に照射する。これにより、前記粉体
樹脂５は選択的に加熱されて溶融し、液状になってその
体積が低減される。この時、溶融した液状の樹脂７は、
周辺に拡がろうとするが、前工程で加熱されていない部
分は樹脂５が粉体の状態に保たれているので、溶融部分
との境界の粉体樹脂が封止枠の役目をしてその拡がりを
防止する。
子チップ２を含むできるだけ狭い領域上にレーザ光線や
赤外線等６を選択的に照射する。これにより、前記粉体
樹脂５は選択的に加熱されて溶融し、液状になってその
体積が低減される。この時、溶融した液状の樹脂７は、
周辺に拡がろうとするが、前工程で加熱されていない部
分は樹脂５が粉体の状態に保たれているので、溶融部分
との境界の粉体樹脂が封止枠の役目をしてその拡がりを
防止する。
続いて、同図（ｃ）のように、溶融して体積が低減され
たことにより相対的に凹設された部分、つまり液状樹脂
７の部分に液状の熱硬化性樹脂８を滴下する。すると、
この熱硬化性樹脂８は同図（ｄ）のように、樹脂７上に
おいてのみ拡がり、かつその上にこれを覆うように被着
する。この場合にも、周辺の粉体樹脂５が封止枠の役目
をして熱硬化性樹脂８の周辺への拡がりを防止する。
たことにより相対的に凹設された部分、つまり液状樹脂
７の部分に液状の熱硬化性樹脂８を滴下する。すると、
この熱硬化性樹脂８は同図（ｄ）のように、樹脂７上に
おいてのみ拡がり、かつその上にこれを覆うように被着
する。この場合にも、周辺の粉体樹脂５が封止枠の役目
をして熱硬化性樹脂８の周辺への拡がりを防止する。
しかる後、樹脂８の硬化を待って残存する粉体樹脂５を
除去し、仕上げ加熱を行なえば、同図（ｅ）のように硬
化された樹脂９による封止が完成される。
除去し、仕上げ加熱を行なえば、同図（ｅ）のように硬
化された樹脂９による封止が完成される。
したがって、この方法では粉体樹脂５に封止枠の機能を
持たせて液状樹脂７および熱硬化性樹脂８の周辺への拡
がりを規制しているので、素子チップの周囲に別部材の
封止枠を取着する必要はなく、そのための工程および回
路基板ｌ上のスペースは不要となる。また、粉体樹脂５
に光を選択的に照射する等して選択的な加熱を行うだけ
で自己整合的に封止枠を構成でき、以下液状樹脂を滴下
するだけでよいので、特別な装置を必要とすることもな
い。更に、この方法では溶融された粉体樹脂がプリコー
トの役目をするので、プリコート工程を特別に設ける必
要もなく、工程数の低減に有効となる。これにより、小
さな電子装置の封止を容易にかつ安価に行うことができ
る。
持たせて液状樹脂７および熱硬化性樹脂８の周辺への拡
がりを規制しているので、素子チップの周囲に別部材の
封止枠を取着する必要はなく、そのための工程および回
路基板ｌ上のスペースは不要となる。また、粉体樹脂５
に光を選択的に照射する等して選択的な加熱を行うだけ
で自己整合的に封止枠を構成でき、以下液状樹脂を滴下
するだけでよいので、特別な装置を必要とすることもな
い。更に、この方法では溶融された粉体樹脂がプリコー
トの役目をするので、プリコート工程を特別に設ける必
要もなく、工程数の低減に有効となる。これにより、小
さな電子装置の封止を容易にかつ安価に行うことができ
る。
ここで、前記実施例では１個の素子チップを実装する場
合を説明したが、混成ＩＣのように、複数個のＩＣチッ
プ、抵抗、コンデンサ、コイル等を搭載した回路基板を
樹脂封止する場合にも同様に適用することができる。
合を説明したが、混成ＩＣのように、複数個のＩＣチッ
プ、抵抗、コンデンサ、コイル等を搭載した回路基板を
樹脂封止する場合にも同様に適用することができる。
以上説明したように本発明は、素子チップを含む回路基
板上に粉体樹脂を一様な厚さに堆積する工程と、封止を
行う回路基板箇所上の前記粉体樹脂を選択的に加熱して
溶融させる工程と、この溶融に伴う体積変化によって相
対的に凹設された箇所に封止用の液状樹脂を滴下しかつ
硬化させる工程と、残存する粉体樹脂を除去する工程と
を含んでいるので、粉体樹脂の封止枠機能によって特別
に封止枠を設けることなく液状樹脂の周辺への拡がりを
規制でき、特別な装置を要することなく、少ない工程で
かつ容易に樹脂封止を行うことができ、電子装置を小型
にかつ安価に封止することができる。
板上に粉体樹脂を一様な厚さに堆積する工程と、封止を
行う回路基板箇所上の前記粉体樹脂を選択的に加熱して
溶融させる工程と、この溶融に伴う体積変化によって相
対的に凹設された箇所に封止用の液状樹脂を滴下しかつ
硬化させる工程と、残存する粉体樹脂を除去する工程と
を含んでいるので、粉体樹脂の封止枠機能によって特別
に封止枠を設けることなく液状樹脂の周辺への拡がりを
規制でき、特別な装置を要することなく、少ない工程で
かつ容易に樹脂封止を行うことができ、電子装置を小型
にかつ安価に封止することができる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明方法を工程順に説明する
ための断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は従来方法を工程
順に説明するための断面図である。 １．２１・・・回路基板、２，２２・・・半導体素子チ
ップ、３，２３・・・金属薄膜配線、４．２４・・・金
属細線、５・・・粉体樹脂、６・・・レーザ光線、７・
・・溶融樹脂、８・・・熱硬化性樹脂、９・・・硬化し
た樹脂、２５・・・プリコート、２６・・・封止枠１．
２７・・・液状樹脂。 第１図（ａ） 第１図（ｂ） 第１ ［（Ｃ） 第１図（ｄ） 第１図（ｅ）
ための断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は従来方法を工程
順に説明するための断面図である。 １．２１・・・回路基板、２，２２・・・半導体素子チ
ップ、３，２３・・・金属薄膜配線、４．２４・・・金
属細線、５・・・粉体樹脂、６・・・レーザ光線、７・
・・溶融樹脂、８・・・熱硬化性樹脂、９・・・硬化し
た樹脂、２５・・・プリコート、２６・・・封止枠１．
２７・・・液状樹脂。 第１図（ａ） 第１図（ｂ） 第１ ［（Ｃ） 第１図（ｄ） 第１図（ｅ）
Claims (1)
- １、半導体素子チップを回路基板上に固着し所定の電気
的接続を行った上で、この素子チップ等を樹脂封止する
電子装置の実装方法において、前記素子チップを含む回
路基板上に粉体樹脂を一様な厚さに堆積する工程と、封
止を行う回路基板箇所上の前記粉体樹脂を選択的に加熱
して溶融させる工程と、この溶融に伴う体積変化によっ
て相対的に凹設された箇所に封止用の液状樹脂を滴下し
かつ硬化させる工程と、残存する粉体樹脂を除去する工
程とを含むことを特徴とする電子装置の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60147850A JPS628531A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 電子装置の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60147850A JPS628531A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 電子装置の実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS628531A true JPS628531A (ja) | 1987-01-16 |
Family
ID=15439665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60147850A Pending JPS628531A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 電子装置の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS628531A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5087961A (en) * | 1987-01-28 | 1992-02-11 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor device package |
| JPH0578031A (ja) * | 1991-09-21 | 1993-03-30 | Takaaki Kurahashi | サイザー |
| JPH0625933A (ja) * | 1992-12-21 | 1994-02-01 | Takaaki Kurahashi | 連続体移動装置 |
-
1985
- 1985-07-04 JP JP60147850A patent/JPS628531A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5087961A (en) * | 1987-01-28 | 1992-02-11 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor device package |
| JPH0578031A (ja) * | 1991-09-21 | 1993-03-30 | Takaaki Kurahashi | サイザー |
| JPH0625933A (ja) * | 1992-12-21 | 1994-02-01 | Takaaki Kurahashi | 連続体移動装置 |
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