JPS6154275B2 - - Google Patents
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- JPS6154275B2 JPS6154275B2 JP55063128A JP6312880A JPS6154275B2 JP S6154275 B2 JPS6154275 B2 JP S6154275B2 JP 55063128 A JP55063128 A JP 55063128A JP 6312880 A JP6312880 A JP 6312880A JP S6154275 B2 JPS6154275 B2 JP S6154275B2
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- silicon
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分〕
この発明は、低価格基板上に結晶性シリコン膜
を有する太陽電池の製造方法に関するものであ
る。
を有する太陽電池の製造方法に関するものであ
る。
この発明の目的は、従来の低価格基板を利用し
た太陽電池にみられる半導体活性層部の結晶性の
悪さと製造時に必要とされる高温工程をなくした
太陽電池の製造方法を提供することにある。
た太陽電池にみられる半導体活性層部の結晶性の
悪さと製造時に必要とされる高温工程をなくした
太陽電池の製造方法を提供することにある。
従来の低価格基板多結晶シリコン太陽電池は第
１図ａ，ｂ，ｃ，ｄに示すような構造のもがあ
る。
１図ａ，ｂ，ｃ，ｄに示すような構造のもがあ
る。
第１図ａは鋼基板を用いた素子で、鋼基板
（USSビトレナメル１）1aのに硼珪酸塩１ｂ，ｎ
形Si（0.001Ω−cm，厚み0.2μｍ）１ｃ，ｐ形Si
（３Ω−cm，厚み５μｍ）１ｄ，ｐ形Si（0.003Ω
−cm，厚み15μｍ）１ｅを順次層状に重ね、変換
効率は0.05％（Ｗランプ）、素子面積を4.4cm2とし
たものである。
（USSビトレナメル１）1aのに硼珪酸塩１ｂ，ｎ
形Si（0.001Ω−cm，厚み0.2μｍ）１ｃ，ｐ形Si
（３Ω−cm，厚み５μｍ）１ｄ，ｐ形Si（0.003Ω
−cm，厚み15μｍ）１ｅを順次層状に重ね、変換
効率は0.05％（Ｗランプ）、素子面積を4.4cm2とし
たものである。
第１図ｂはグラフアイト基板を用いた素子で、
グラフアイト基板２ａの上にｐ形再結晶シリコン
（0.002〜0.003Ω−cm）２ｂ，ｐ形Si（0.2〜１Ω
−cm，厚み10〜30μｍ）２ｃ，ｎ形Si（0.002〜
0.004Ω−cm，厚み0.2〜0.4μｍ）２ｄを順次層状
に重ね、変換効率は3.7％（AMO）、素子面積を
20cm2としたものである。
グラフアイト基板２ａの上にｐ形再結晶シリコン
（0.002〜0.003Ω−cm）２ｂ，ｐ形Si（0.2〜１Ω
−cm，厚み10〜30μｍ）２ｃ，ｎ形Si（0.002〜
0.004Ω−cm，厚み0.2〜0.4μｍ）２ｄを順次層状
に重ね、変換効率は3.7％（AMO）、素子面積を
20cm2としたものである。
第１図ｃは金属シリコンとグラフアイトを基板
とした素子で、グラフアイト３ａ上に金属シリコ
ン（再結晶）３ｂ，ｐ形Si（１Ω−cm，厚み30μ
ｍ）３ｃ，ｎ形Si（0.003Ω−cm，厚み0.3〜0.4μ
ｍ）３ｄを順次層状に重ね、変換効率は６％以上
（AMI）、素子面積を10cm2としたものである。
とした素子で、グラフアイト３ａ上に金属シリコ
ン（再結晶）３ｂ，ｐ形Si（１Ω−cm，厚み30μ
ｍ）３ｃ，ｎ形Si（0.003Ω−cm，厚み0.3〜0.4μ
ｍ）３ｄを順次層状に重ね、変換効率は６％以上
（AMI）、素子面積を10cm2としたものである。
第１図ｄは金属シリコンを基板とした素子で、
ｐ形金属シリコン（0.003Ω−cm）４ａの上にｐ
形Si（厚み10μｍ）４ｂ，ｎ形Si（0.002Ω−
cm，厚み0.2〜0.3μｍ）４ｃを順次層状に重ね、
変換効率は３％（AMI）、素子面積を６cm2とした
ものである。
ｐ形金属シリコン（0.003Ω−cm）４ａの上にｐ
形Si（厚み10μｍ）４ｂ，ｎ形Si（0.002Ω−
cm，厚み0.2〜0.3μｍ）４ｃを順次層状に重ね、
変換効率は３％（AMI）、素子面積を６cm2とした
ものである。
このように、上記いずれの場合も、基板の物質
がSiと異質物であるかまたはSiでも結晶板を形成
していない金属シリコンであるため、CVD法で
結晶成長されたpn接合はその結晶性が悪く、リ
ーク電流が大きいこと、ライフタイムが短い等の
欠点があつた。
がSiと異質物であるかまたはSiでも結晶板を形成
していない金属シリコンであるため、CVD法で
結晶成長されたpn接合はその結晶性が悪く、リ
ーク電流が大きいこと、ライフタイムが短い等の
欠点があつた。
この発明は、上記の点にかんがみなされたもの
で、太陽電池の基板として絶縁膜上の結晶性半導
体膜を瞬間アニール法によるSOI
（Semiconductor on Insulator）構成のものを用
いたものである。
で、太陽電池の基板として絶縁膜上の結晶性半導
体膜を瞬間アニール法によるSOI
（Semiconductor on Insulator）構成のものを用
いたものである。
すなわち、アルミニウム（Al）板等の金属板
またはポリイミド等の成形可能な高分子材料基板
から形成できる太陽電池の製造方法であつて、し
かも、グラホエピタキシイ（Grapho epitaxy）
とレーザアニール（Laser Anneal）という２つ
の大いに進歩した技術により活性シリコンpn接
合部の結晶性をきわめて良好にしたものである。
またはポリイミド等の成形可能な高分子材料基板
から形成できる太陽電池の製造方法であつて、し
かも、グラホエピタキシイ（Grapho epitaxy）
とレーザアニール（Laser Anneal）という２つ
の大いに進歩した技術により活性シリコンpn接
合部の結晶性をきわめて良好にしたものである。
まず、グラホエピタキシイについて簡単に説明
する。基板上に格子状の凹凸面をもつ無定形石英
基板に、薄いシリコン膜を結晶学的に均一に配向
した状態で成長付着させることが最近報告され
た。このような人工的に製作された表面パターン
に誘導されて、結晶成長膜の配位が決まる技術を
発明者のM.W.Geis，D.C.Flanders，H.I.Smith
らはグラホエピタキシイと呼んでいる（M.W，
Geis et′al：Appl.Phys.Lett.35(1)P71，１ July
1979参照）。
する。基板上に格子状の凹凸面をもつ無定形石英
基板に、薄いシリコン膜を結晶学的に均一に配向
した状態で成長付着させることが最近報告され
た。このような人工的に製作された表面パターン
に誘導されて、結晶成長膜の配位が決まる技術を
発明者のM.W.Geis，D.C.Flanders，H.I.Smith
らはグラホエピタキシイと呼んでいる（M.W，
Geis et′al：Appl.Phys.Lett.35(1)P71，１ July
1979参照）。
これについて１つの論理的なモデルとして、あ
る組成で形成された多結晶薄膜があつて、多結晶
粒の１つの面は基板の面の方位と同一の面方位に
あり、その他の粒界の面はランダムに配列されて
いるというような多結晶薄膜形成法を考えると、
このような特徴をもつている場合は、もし適当な
方形または三角形等の断面をもつ基板表面上の格
子状凹凸の周期が、その多結晶粒の大きさに比べ
て小さければ、結晶粒界は上記の凹凸をもつ格子
状基板上に均一な方向にそろつて配向し、より単
結晶性をもつようになると報告されている。そし
て、最近の報告によるとこのような薄膜成長層に
さらにレーザアニールを施すと結晶性はもつとよ
くなり、条件がよければ単結晶の薄膜となるとさ
れている。
る組成で形成された多結晶薄膜があつて、多結晶
粒の１つの面は基板の面の方位と同一の面方位に
あり、その他の粒界の面はランダムに配列されて
いるというような多結晶薄膜形成法を考えると、
このような特徴をもつている場合は、もし適当な
方形または三角形等の断面をもつ基板表面上の格
子状凹凸の周期が、その多結晶粒の大きさに比べ
て小さければ、結晶粒界は上記の凹凸をもつ格子
状基板上に均一な方向にそろつて配向し、より単
結晶性をもつようになると報告されている。そし
て、最近の報告によるとこのような薄膜成長層に
さらにレーザアニールを施すと結晶性はもつとよ
くなり、条件がよければ単結晶の薄膜となるとさ
れている。
ここで、基板上の格子状の凹凸と成長薄膜の結
晶面との関係はM.W.Geis et′alの1979年国際電子
デバイス学会予稿集9.1にいくつかの例があげら
れているが、ここでは従来例の１つとして、第２
図にあげておく。第２図ａは無定形の基板上面と
多結晶層の結晶面＜100＞とが平行しているが、
方位がランダムの例、第２図ｂは方形波状の凹凸
体上に方位をそろえて作成した例、第２図ｃは同
じく90゜ののこぎり波状の凹凸体上に方位をそろ
えて作成した例である。
晶面との関係はM.W.Geis et′alの1979年国際電子
デバイス学会予稿集9.1にいくつかの例があげら
れているが、ここでは従来例の１つとして、第２
図にあげておく。第２図ａは無定形の基板上面と
多結晶層の結晶面＜100＞とが平行しているが、
方位がランダムの例、第２図ｂは方形波状の凹凸
体上に方位をそろえて作成した例、第２図ｃは同
じく90゜ののこぎり波状の凹凸体上に方位をそろ
えて作成した例である。
次にこの発明の実施例について説明する。
まず、Al板を用いた場合の実施例を第３図に
より説明する。
より説明する。
第３図ａはアルミニウム基板１１にホトレジス
トまたはそれによつてパターン転写されたSiO2
等のエツチング用のマスク１２をホトソグラフイ
ー等を用いて作成する。このマスクパターンの状
態でイオンエツチング、プラズマエツチング、溶
液エツチング等の手法で第３図ｂのようにエツチ
ングする。
トまたはそれによつてパターン転写されたSiO2
等のエツチング用のマスク１２をホトソグラフイ
ー等を用いて作成する。このマスクパターンの状
態でイオンエツチング、プラズマエツチング、溶
液エツチング等の手法で第３図ｂのようにエツチ
ングする。
第３図ｂは平面的に見れば格子状か正方形の島
状とする。このパターン形状の構造、構成は、断
面が方形波型か、このぎり波型の格子状凹凸
（1979年IEEE国際電子バイス学会で発表された
予稿集9.1のM.W.Geis氏らの提案したもの）か、
正方形の島状（同上予稿集9.2のHon−Wailam氏
らの提案したも）の如きものとする。
状とする。このパターン形状の構造、構成は、断
面が方形波型か、このぎり波型の格子状凹凸
（1979年IEEE国際電子バイス学会で発表された
予稿集9.1のM.W.Geis氏らの提案したもの）か、
正方形の島状（同上予稿集9.2のHon−Wailam氏
らの提案したも）の如きものとする。
次に、第３図ｃに示すように、この形成された
パターンにAl2O3膜１３を陽極酸化またはスパツ
タ蒸着により被着させる。
パターンにAl2O3膜１３を陽極酸化またはスパツ
タ蒸着により被着させる。
次に、第３図ｄに示すように、別に設けたメタ
レマスクと上記アルミニウム基板１１上のAl2O3
膜１３とを密着させてななめに入射等の手法も取
り入れ、イオンエツチング等を行うこによつて、
アルミニウム基板１１上の小部分にAl2O3膜１３
のない開口部１４を周期的パターンで、すなわち
各エツチング孔の一側辺の小部分にそれぞれ形成
する。
レマスクと上記アルミニウム基板１１上のAl2O3
膜１３とを密着させてななめに入射等の手法も取
り入れ、イオンエツチング等を行うこによつて、
アルミニウム基板１１上の小部分にAl2O3膜１３
のない開口部１４を周期的パターンで、すなわち
各エツチング孔の一側辺の小部分にそれぞれ形成
する。
しかるのち、上記文献に述べられているように
減圧CVD法等で多結晶シリコン膜またはアモル
フアスシリコン膜を形成する。次に、アルミニウ
ム基板１１上のコンタクト部の近傍でn+のピー
クを持ち、かつ表面附近も適当なる不純度濃度
（1015〜1017／cm3）になるようにしてイオン注入を
行い、その後に波長領域5000〜6000Å程度の、例
えばCWArレーザかYAGレーザパルス等でレー
ザアニールを行う。これによつて電子移動度200
〜300cm2Ｖ／sec程度以上の良好なシリコン単結晶
層からなるｎ形半導体層１５が第３図ｅのように
形成される。
減圧CVD法等で多結晶シリコン膜またはアモル
フアスシリコン膜を形成する。次に、アルミニウ
ム基板１１上のコンタクト部の近傍でn+のピー
クを持ち、かつ表面附近も適当なる不純度濃度
（1015〜1017／cm3）になるようにしてイオン注入を
行い、その後に波長領域5000〜6000Å程度の、例
えばCWArレーザかYAGレーザパルス等でレー
ザアニールを行う。これによつて電子移動度200
〜300cm2Ｖ／sec程度以上の良好なシリコン単結晶
層からなるｎ形半導体層１５が第３図ｅのように
形成される。
第３図ｅの工程では、アルミニウム基板１１の
温度を上げないでもグラホエピタキシイ、レーザ
アニールの原理によつて十分良好なｎ形半導体層
１５が形成され、かつ開口部１４でアルミニウム
基板１１とｎ形半導体層１５とのオーミツクコン
タクトが形成される。
温度を上げないでもグラホエピタキシイ、レーザ
アニールの原理によつて十分良好なｎ形半導体層
１５が形成され、かつ開口部１４でアルミニウム
基板１１とｎ形半導体層１５とのオーミツクコン
タクトが形成される。
第３図ｆの工程では再び減圧CVD法等による
シリコン膜の被着とｐ形イオン注入後の単結晶層
の形成によりｐ形半導体層１６を表面に形成す
る。ｐ形半導体層１６のイオン注入も上部で不純
物分布が濃くなる設計とする。
シリコン膜の被着とｐ形イオン注入後の単結晶層
の形成によりｐ形半導体層１６を表面に形成す
る。ｐ形半導体層１６のイオン注入も上部で不純
物分布が濃くなる設計とする。
次に、第３図ｇの工程で、上部電極１７を付け
る。これによりアルミニウム基板１１をもつた高
品質結晶層をもつ大面積太陽電池を作成できるこ
とになる。
る。これによりアルミニウム基板１１をもつた高
品質結晶層をもつ大面積太陽電池を作成できるこ
とになる。
上記第３図の実施例ではアルミニウム基板１１
を用いているので、第３図ｅの工程の段階で瞬間
アニール法等によつて結晶粒界に介在してAlが
析出した場合は、基板板上部より陽極酸化等を行
うこによつてAl2O3による絶縁膜化にすることが
できるので、リーク電流の原因となる短絡通路を
あらかじめ修復しておくのに役立つのである。
を用いているので、第３図ｅの工程の段階で瞬間
アニール法等によつて結晶粒界に介在してAlが
析出した場合は、基板板上部より陽極酸化等を行
うこによつてAl2O3による絶縁膜化にすることが
できるので、リーク電流の原因となる短絡通路を
あらかじめ修復しておくのに役立つのである。
第４図ａ〜ｄはこの発明による直列垂直接合形
太陽電池の実施例を示す製造工程図である。
太陽電池の実施例を示す製造工程図である。
第４図ａは第３図ｅにおけAl2O3膜１３の間口
部１４がない場合に相当する。これは直列構成の
ため、各pn接合とアルミニウム基板１１とを分
離するために、Al2C3膜１３の開口部１４は不要
であるからである。ただし、この場合のｎ層であ
るｎ形半導体層１５は第３図ｅと違つて上部がり
濃い不純物分布となるようにする。
部１４がない場合に相当する。これは直列構成の
ため、各pn接合とアルミニウム基板１１とを分
離するために、Al2C3膜１３の開口部１４は不要
であるからである。ただし、この場合のｎ層であ
るｎ形半導体層１５は第３図ｅと違つて上部がり
濃い不純物分布となるようにする。
次に、第４図ｂにおいて、SiO2またはSi3N4膜
によるマスク１８を用いて、イオン注入等により
ｐ形半導体領域１９を形成する。残りのｎ形半導
体領域２０との間にpn接合が垂直方向に沿つて
形成される。
によるマスク１８を用いて、イオン注入等により
ｐ形半導体領域１９を形成する。残りのｎ形半導
体領域２０との間にpn接合が垂直方向に沿つて
形成される。
第４図Ｃは各pn接合を直列接続を行うために
Si層を一部エツチングによつて取り去る工程を示
す。マスク２１はホトレジスト膜またはホトレジ
スト付のSiO2膜等を用い、エツチング孔２２は
Al2O3膜１３に達するまで深さをもつようにす
る。
Si層を一部エツチングによつて取り去る工程を示
す。マスク２１はホトレジスト膜またはホトレジ
スト付のSiO2膜等を用い、エツチング孔２２は
Al2O3膜１３に達するまで深さをもつようにす
る。
次に、第４図ｄの工程で、マスク２１を再度使
用して直列接続用アルミニウムコンタクトを形成
し、不要部はリフトオフ法等で除去することによ
り直列接続電極２３を形成する。
用して直列接続用アルミニウムコンタクトを形成
し、不要部はリフトオフ法等で除去することによ
り直列接続電極２３を形成する。
これによつて、アルミニウム基板１１上に
Al2O3膜１３で絶縁分離され、かつ各pn接合が垂
直構成になつた直列太陽電池を構成することがで
き、かつ活性pn接合を形成するSi層はグラホエ
ピタキシイとレーザアニールの手法によつて良好
な結晶性を示すことが保証されることになる。
Al2O3膜１３で絶縁分離され、かつ各pn接合が垂
直構成になつた直列太陽電池を構成することがで
き、かつ活性pn接合を形成するSi層はグラホエ
ピタキシイとレーザアニールの手法によつて良好
な結晶性を示すことが保証されることになる。
なお、第３図、第４図はアルミニウム基板１１
の実施例を示したが、熱可塑性加工のできるポリ
イミドのような高分子材料を基板として利用する
ことも可能である。この場合は、グラホエピタキ
シイ表面の凹凸のネガ金型をあらかじめ作つてお
いて、この金型にポリイミド膜を流し込むか、塗
布乾燥熱処理するこによつて、グラホエピタキシ
ヤルなプラスチツク状基板を作成することができ
る。
の実施例を示したが、熱可塑性加工のできるポリ
イミドのような高分子材料を基板として利用する
ことも可能である。この場合は、グラホエピタキ
シイ表面の凹凸のネガ金型をあらかじめ作つてお
いて、この金型にポリイミド膜を流し込むか、塗
布乾燥熱処理するこによつて、グラホエピタキシ
ヤルなプラスチツク状基板を作成することができ
る。
このように、プラスチツク状基板の上にAlを
全面にわたつて厚めに蒸着すれば、あとの工程は
第３図、第４図と同様の形成法で、プラスチツク
基板太陽電池を構成することができる。したがつ
て、この発明におけるSOI構成は、金属基板上の
絶縁膜上に形成された結晶性Si膜の場合や、プラ
スチツク基板上に金属膜等を介して絶縁膜を介し
て形成し、その上にさらに結晶性Si膜を形成した
場合等をも含むものである。
全面にわたつて厚めに蒸着すれば、あとの工程は
第３図、第４図と同様の形成法で、プラスチツク
基板太陽電池を構成することができる。したがつ
て、この発明におけるSOI構成は、金属基板上の
絶縁膜上に形成された結晶性Si膜の場合や、プラ
スチツク基板上に金属膜等を介して絶縁膜を介し
て形成し、その上にさらに結晶性Si膜を形成した
場合等をも含むものである。
またｎ形半導体層１５はこれに限らずｎ形半導
体層を形成するものであればよい。
体層を形成するものであればよい。
以上説明したようにこの発明は、従来の方法に
おいては不可能であつたAl基板、またはAlを蒸
着したプラスチツク基板上に高品質の結晶層を基
板部に本質的に熱を加えることなく、形成できる
ことにより、基板材料の低価格化と同時に高能率
太陽電池の大面積化とが容易にできるものであ
る。またこの発明の太陽電池の製作において、イ
オン注入、レーザアニール等のプロセスは基板を
高温にすることなしに適当な条件を見出せばでき
るので、従来のフアーネス・アニーリングによる
方式より流れ作業のオートメーシヨン化が容易で
あり、大量生産に向いた太陽電池の製造方法が得
られる利点がある。
おいては不可能であつたAl基板、またはAlを蒸
着したプラスチツク基板上に高品質の結晶層を基
板部に本質的に熱を加えることなく、形成できる
ことにより、基板材料の低価格化と同時に高能率
太陽電池の大面積化とが容易にできるものであ
る。またこの発明の太陽電池の製作において、イ
オン注入、レーザアニール等のプロセスは基板を
高温にすることなしに適当な条件を見出せばでき
るので、従来のフアーネス・アニーリングによる
方式より流れ作業のオートメーシヨン化が容易で
あり、大量生産に向いた太陽電池の製造方法が得
られる利点がある。
第１図ａ〜ｄは従来の低価格基板多結晶シリコ
ン太陽電池の構成図、第２図ａ〜ｃはグラホエピ
タキシイの基板の形状と結晶薄膜の関係を示す１
つの従来例の図的説明図、第３図ａ〜ｇはこの発
明の一実施例を示すもので、アルミニウム基板に
よる太陽電池の製造工程を示す図、第４図ａ〜ｄ
はこの発明による直列垂直接合型太陽電池の製造
工程を示す図である。 図中、１１はアルミニウム基板、１２はマス
ク、１３はAl2O3膜、１４は開口部、１５はｎ形
半導体層、１６はｐ形半導体層、１７は上部電
極、１８はマスク、１９はｐ形半導体領域、２０
はｎ形半導体領域、２１はマスク、２２はエツチ
ング孔、２３は直列接続電極である。
ン太陽電池の構成図、第２図ａ〜ｃはグラホエピ
タキシイの基板の形状と結晶薄膜の関係を示す１
つの従来例の図的説明図、第３図ａ〜ｇはこの発
明の一実施例を示すもので、アルミニウム基板に
よる太陽電池の製造工程を示す図、第４図ａ〜ｄ
はこの発明による直列垂直接合型太陽電池の製造
工程を示す図である。 図中、１１はアルミニウム基板、１２はマス
ク、１３はAl2O3膜、１４は開口部、１５はｎ形
半導体層、１６はｐ形半導体層、１７は上部電
極、１８はマスク、１９はｐ形半導体領域、２０
はｎ形半導体領域、２１はマスク、２２はエツチ
ング孔、２３は直列接続電極である。
Claims (1)
- １ 基板の表面に周期的な凹凸を形成し、この凹
凸上を高融点絶縁物で覆い、さらにこの高融点絶
縁物上に一導電型の多結晶膜またはアモルフアス
膜を形成し、次いで瞬間レーザアニールを施して
前記多結晶膜またはアモルフアス膜を単結晶半導
体層とし、その後、この単結晶半導体層上にこれ
と反対導電型の半導体層を形成する工程を含むこ
とを特徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6312880A JPS56160077A (en) | 1980-05-13 | 1980-05-13 | Solar battery |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6312880A JPS56160077A (en) | 1980-05-13 | 1980-05-13 | Solar battery |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56160077A JPS56160077A (en) | 1981-12-09 |
| JPS6154275B2 true JPS6154275B2 (ja) | 1986-11-21 |
Family
ID=13220319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6312880A Granted JPS56160077A (en) | 1980-05-13 | 1980-05-13 | Solar battery |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56160077A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5449924A (en) * | 1993-01-28 | 1995-09-12 | Goldstar Electron Co., Ltd. | Photodiode having a Schottky barrier formed on the lower metallic electrode |
-
1980
- 1980-05-13 JP JP6312880A patent/JPS56160077A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56160077A (en) | 1981-12-09 |
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