JPS6153741A - 半導体ウエハの分割装置 - Google Patents
半導体ウエハの分割装置Info
- Publication number
- JPS6153741A JPS6153741A JP59176087A JP17608784A JPS6153741A JP S6153741 A JPS6153741 A JP S6153741A JP 59176087 A JP59176087 A JP 59176087A JP 17608784 A JP17608784 A JP 17608784A JP S6153741 A JPS6153741 A JP S6153741A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- pressure
- semiconductor wafer
- diced
- damage
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体製造工程忙おいて、ワエハ乞小分割
する分割装置に関するもので、特にワエハ乞小分割する
ときに、ウェハの表面に発生する微少の圧迫跡、傷、あ
るいは破損等を防止する定めになさｒしたものである。
する分割装置に関するもので、特にワエハ乞小分割する
ときに、ウェハの表面に発生する微少の圧迫跡、傷、あ
るいは破損等を防止する定めになさｒしたものである。
一般的ｌｌｃはワエハン小分割する方法としては、ウェ
ハを完全に切断し小分割する方法と、ウェハの一部分、
すなわち所定の深さに切り溝（半切断部）ｙ！−形成し
、その後の工程で９エバの半切断部に何らかの力？加え
て小分割する方法の何ｎかが採用さｎている。この発明
は、後者の分割方法に関するものである。
ハを完全に切断し小分割する方法と、ウェハの一部分、
すなわち所定の深さに切り溝（半切断部）ｙ！−形成し
、その後の工程で９エバの半切断部に何らかの力？加え
て小分割する方法の何ｎかが採用さｎている。この発明
は、後者の分割方法に関するものである。
ところで、後者のような分割方法では、半切断部に力を
加える方法として、先端の鋭い治具で半切断部に集中荷
重ン加えたり、曲面乞用いて集中荷ｉ？加える方法があ
る。このウェハの分割方法の一例を第１図について説明
する。
加える方法として、先端の鋭い治具で半切断部に集中荷
重ン加えたり、曲面乞用いて集中荷ｉ？加える方法があ
る。このウェハの分割方法の一例を第１図について説明
する。
第１図において、１は半導体ウェハ（以下単にウェハと
いう）、２は半切断さｒＬり切りａｑ、３は前記ウェハ
１の表面、４は同じくウェハ１の裏面、５は前記ウェハ
１の表面３乞覆っ定置化ビニールなどででき定弾性フィ
ルム、６はステージ上の台で１弾性板である。７は前ｄ
ヒヮエハＩＶｃ集中荷重？加える曲面体である。
いう）、２は半切断さｒＬり切りａｑ、３は前記ウェハ
１の表面、４は同じくウェハ１の裏面、５は前記ウェハ
１の表面３乞覆っ定置化ビニールなどででき定弾性フィ
ルム、６はステージ上の台で１弾性板である。７は前ｄ
ヒヮエハＩＶｃ集中荷重？加える曲面体である。
ウェハ１の分割は、曲面体７がウェハ１の裏面４の上か
ら圧カン加えろことで、半切断さｒしたクエハ１ン所定
のチップ（素子）Ｋ小分割する。
ら圧カン加えろことで、半切断さｒしたクエハ１ン所定
のチップ（素子）Ｋ小分割する。
ここで、クエハ１の表面３に塩化ビニール等ででき定弾
性フィルム５、また、ステージ上にビニールｔ ｒｓは
ゴム性の弾性板６を用いた場合、小分割時に発生するシ
リコン片のクエノ〜屑８が、第２図に示すよ５に弾性フ
ィルム５とワエハ１の表面３との間に入り込み、曲面体
７で圧力乞加えるときにウニ凸周８が、分割さｎ ７ｊ
チツプの表面９を傷つけたり、破損したりてる欠点があ
る。
性フィルム５、また、ステージ上にビニールｔ ｒｓは
ゴム性の弾性板６を用いた場合、小分割時に発生するシ
リコン片のクエノ〜屑８が、第２図に示すよ５に弾性フ
ィルム５とワエハ１の表面３との間に入り込み、曲面体
７で圧力乞加えるときにウニ凸周８が、分割さｎ ７ｊ
チツプの表面９を傷つけたり、破損したりてる欠点があ
る。
この発明は、上述の点にかんがみ工なさｎ ７．−もの
で、ウェハ乞分割する工程で発生するワエーの表面につ
く傷等ン防止しようとするものである。
で、ウェハ乞分割する工程で発生するワエーの表面につ
く傷等ン防止しようとするものである。
以下この発明の詳細な説明する。
第３図はこの発明の一実施例χ示す装部の拡大図である
。この実施例は、クエ・〜１を分割するときに、クエ・
・１０表面３側と接触する面に細い繊毛のある緩衝帯１
０χ設けている。
。この実施例は、クエ・〜１を分割するときに、クエ・
・１０表面３側と接触する面に細い繊毛のある緩衝帯１
０χ設けている。
小分割時に発生したワエ凸周８は、フェノ１ ”ａ？小
分割しようとする曲面体７の圧力を受けるが、この則い
織毛のある緩衝帯１０ＶＣ沈み込むため、曲面体７の圧
力により分割さｒＬタチップの表面９に傷、圧迫跡等を
生ずることがなくなる。
分割しようとする曲面体７の圧力を受けるが、この則い
織毛のある緩衝帯１０ＶＣ沈み込むため、曲面体７の圧
力により分割さｒＬタチップの表面９に傷、圧迫跡等を
生ずることがなくなる。
このように、開面を用いてワエハ１乞分割するワエハ１
の分割装置で、フェノ〜１の表面３と接触する面の表面
に、妹毛ン有する緩衝帯１０χ形成することにより、ク
エハ１の表面３１Ｃｉ、圧迫跡等乞つけることのない分
割が可能となる。
の分割装置で、フェノ〜１の表面３と接触する面の表面
に、妹毛ン有する緩衝帯１０χ形成することにより、ク
エハ１の表面３１Ｃｉ、圧迫跡等乞つけることのない分
割が可能となる。
以上説明したように、この発明は、クエ・・の一部を切
断し、この半切断ｇｔ後工程で曲面？用いてフェノ・ン
各チップに分割する分割装置において、クエ・・の表面
と接触する面に繊毛乞有する緩衝帯を形成したので、フ
ェノ１屑等の介在によるクエ・・の表面への傷、圧迫跡
等つけることがなく、良品質の半導体チップが得らｎる
利点がある。
断し、この半切断ｇｔ後工程で曲面？用いてフェノ・ン
各チップに分割する分割装置において、クエ・・の表面
と接触する面に繊毛乞有する緩衝帯を形成したので、フ
ェノ１屑等の介在によるクエ・・の表面への傷、圧迫跡
等つけることがなく、良品質の半導体チップが得らｎる
利点がある。
第１図はワエへ分割方法の一例乞示す正面図、第２図は
第１図のフェノ・の切断部分の拡大図、第３図はこの発
明の一実施例を示すワエノ翫の切断部分の拡大□□□で
ある１、 図中、１はワエハ、２は切り溝、３はワエハの表面、４
はフェノ〜の裏面、５は弾性フィルム、６は弾性板、７
は曲面体、８はフェノ−屑、９はチップの表面、１０は
緩衝帯である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第 １ 図 第２図
第１図のフェノ・の切断部分の拡大図、第３図はこの発
明の一実施例を示すワエノ翫の切断部分の拡大□□□で
ある１、 図中、１はワエハ、２は切り溝、３はワエハの表面、４
はフェノ〜の裏面、５は弾性フィルム、６は弾性板、７
は曲面体、８はフェノ−屑、９はチップの表面、１０は
緩衝帯である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第 １ 図 第２図
Claims (1)
- 半導体ウェハの表面から所定の深さに複数の切り溝を形
成し、前記半導体ウェハを前記切り溝と反対方向から適
宜な集中荷重を加えて小分割し複数の半導体チップに分
割する分割装置において、前記半導体ウエハの表面を覆
う緩衝帯を具備させたことを特徴とする半導体ウェハの
分割装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59176087A JPS6153741A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 半導体ウエハの分割装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59176087A JPS6153741A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 半導体ウエハの分割装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6153741A true JPS6153741A (ja) | 1986-03-17 |
Family
ID=16007484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59176087A Pending JPS6153741A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 半導体ウエハの分割装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6153741A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068678A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子分離装置および半導体素子分離方法 |
| CN104416682A (zh) * | 2013-08-23 | 2015-03-18 | 三星钻石工业股份有限公司 | 基板切断装置 |
-
1984
- 1984-08-22 JP JP59176087A patent/JPS6153741A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068678A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子分離装置および半導体素子分離方法 |
| CN104416682A (zh) * | 2013-08-23 | 2015-03-18 | 三星钻石工业股份有限公司 | 基板切断装置 |
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