JPS6151833A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPS6151833A JPS6151833A JP17453784A JP17453784A JPS6151833A JP S6151833 A JPS6151833 A JP S6151833A JP 17453784 A JP17453784 A JP 17453784A JP 17453784 A JP17453784 A JP 17453784A JP S6151833 A JPS6151833 A JP S6151833A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は、樹脂封止型半導体装置の装造方法に関し、
特に、封止樹脂と充填材とからなる樹脂組成物によって
半導体素子を封止した樹脂封止型半導体装置の製造方法
に関するものである。
特に、封止樹脂と充填材とからなる樹脂組成物によって
半導体素子を封止した樹脂封止型半導体装置の製造方法
に関するものである。
［従来技術］
第１図は従来の樹脂封止型半導体装置の一例として、大
規模集積回路のパッケージとして多用されているデュア
ル・イン・ライン型パッケージを示す断面図である。
規模集積回路のパッケージとして多用されているデュア
ル・イン・ライン型パッケージを示す断面図である。
まず、第１図に示す従来の樹脂封止型半導体装置のｖｔ
成について説明する。第１図において、半導体素子１は
ロウ材２によりダイパッド３に固着されている。半導体
素子１上にはアルミニウム配線４が形成されており、ア
ルミニウムｉｉ！ｌ１１４のポンディングパッド部分は
ボンディングワイヤ５によってリードフレーム６の一端
に接続されている。
成について説明する。第１図において、半導体素子１は
ロウ材２によりダイパッド３に固着されている。半導体
素子１上にはアルミニウム配線４が形成されており、ア
ルミニウムｉｉ！ｌ１１４のポンディングパッド部分は
ボンディングワイヤ５によってリードフレーム６の一端
に接続されている。
さらに、半導体素子１の表面上には、半導体素子１の表
面を不活性化して保世するためのパッシベーション膜７
が形成されている。さらに、エポキシ樹脂８および充填
材９からなる樹脂組成物によって、上述のリードフレー
ム６の端部と、半導体素子１と、ロウ材２と、ダイパッ
ド３と、アルミニウム配線４と、ボンディングワイヤ５
と、パッシベーション膜７とが一体に形成されている。
面を不活性化して保世するためのパッシベーション膜７
が形成されている。さらに、エポキシ樹脂８および充填
材９からなる樹脂組成物によって、上述のリードフレー
ム６の端部と、半導体素子１と、ロウ材２と、ダイパッ
ド３と、アルミニウム配線４と、ボンディングワイヤ５
と、パッシベーション膜７とが一体に形成されている。
次に、第１図に示した従来の樹脂封止型半導体装置にお
いて充填材゛９の果たす機能について説明する。
いて充填材゛９の果たす機能について説明する。
まず、充填＋Ｊ ９としては、石英ガラス粉、ジルコン
粉、アルミナ粉、マグネシア粉、シリカ粉などを使用す
ることができるが、特に大規模集積回路においてはシリ
カ粉が従来から一般的に用いられている。充填材を使用
する目的については、特公昭５７−１６７４３において
詳細に開示されており、以下に簡単に説明する。
粉、アルミナ粉、マグネシア粉、シリカ粉などを使用す
ることができるが、特に大規模集積回路においてはシリ
カ粉が従来から一般的に用いられている。充填材を使用
する目的については、特公昭５７−１６７４３において
詳細に開示されており、以下に簡単に説明する。
上記の充填材の線膨張係数は１．５Ｘ１０− ”７℃以
下であり、これらの充填材をエポキシ樹脂に配合するこ
とにより半導体素子１およびボンディングワイヤ５の５
１膨張係数に近い値の線膨張係数を有する樹脂組成物を
得ることができる。したがって、エポキシ樹脂８に充填
材９として上述のシリカ粉などを配合したものを形成材
料として用いて半導体素子１を封止することにより、半
導体装置の熱機械特性を改善することができる。
下であり、これらの充填材をエポキシ樹脂に配合するこ
とにより半導体素子１およびボンディングワイヤ５の５
１膨張係数に近い値の線膨張係数を有する樹脂組成物を
得ることができる。したがって、エポキシ樹脂８に充填
材９として上述のシリカ粉などを配合したものを形成材
料として用いて半導体素子１を封止することにより、半
導体装置の熱機械特性を改善することができる。
充填材料９として通常用いられるシリカ粉は溶融シリカ
であるが、高い熱伝導性を必要とする場合には結晶シリ
カが用いられており、特に大規模集積回路ではほとんど
の場合に結晶シリカが用い−られている。この結晶シリ
カは微粒粉にした場合、鋭角の多面体となる。
であるが、高い熱伝導性を必要とする場合には結晶シリ
カが用いられており、特に大規模集積回路ではほとんど
の場合に結晶シリカが用い−られている。この結晶シリ
カは微粒粉にした場合、鋭角の多面体となる。
第２図は、第１図に示した樹脂封止型半導体装置におい
て微粒粉にした結晶シリカを充填材９として用いた場合
を示す拡大断面図であり、参照番号丁、２，３，４．７
．８．９は第１図と同一部分を示し、１０は通常リン・
ガラス膜で形成されるスムースコート膜である。
て微粒粉にした結晶シリカを充填材９として用いた場合
を示す拡大断面図であり、参照番号丁、２，３，４．７
．８．９は第１図と同一部分を示し、１０は通常リン・
ガラス膜で形成されるスムースコート膜である。
しかしながら、上述のように構成された従来の樹脂封止
型半導体装置では、パッシベーション膜７の厚さが１〜
２ミクロンであるのに対し、充填材９の外径寸法は最大
数十ミクロンにわたって分布しているため、樹脂封止時
の圧力（第２図中の矢印の方向）によってパッシベーシ
ョン膜７に突き刺さった鋭角的な充填材９がパッシベー
ション膜７を突き扱けてその下のアルミニウム配線４ま
たはスムースコート膜１ｏにまで達してしまい、このた
め外部から水分がアルミニウム配線４またはスムースツ
ー１〜膜１０まで浸入し、耐湿性などの半導体装置の長
期信頼性が損なわれるという問題点があった。
型半導体装置では、パッシベーション膜７の厚さが１〜
２ミクロンであるのに対し、充填材９の外径寸法は最大
数十ミクロンにわたって分布しているため、樹脂封止時
の圧力（第２図中の矢印の方向）によってパッシベーシ
ョン膜７に突き刺さった鋭角的な充填材９がパッシベー
ション膜７を突き扱けてその下のアルミニウム配線４ま
たはスムースコート膜１ｏにまで達してしまい、このた
め外部から水分がアルミニウム配線４またはスムースツ
ー１〜膜１０まで浸入し、耐湿性などの半導体装置の長
期信頼性が損なわれるという問題点があった。
［発明の概要］
それゆえに、この発明の主たる目的は、上）ホの問題点
を解消し、封止樹脂よりも比重の大きい充填材を使用し
、さらに樹脂封入時に、半導体素子の配線表面を回転の
外側に向けて樹脂成形鋳型を高速回転させることにより
、充填材を半導体素子の配線表面から遠ざけることがで
きる、樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供すること
である。
を解消し、封止樹脂よりも比重の大きい充填材を使用し
、さらに樹脂封入時に、半導体素子の配線表面を回転の
外側に向けて樹脂成形鋳型を高速回転させることにより
、充填材を半導体素子の配線表面から遠ざけることがで
きる、樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供すること
である。
［発明の実施例］
第３図はこの発明の一実施例である樹脂封止型半導体装
置の製造方法を示す図である。まず、第３図を参照して
この発明の一実施例である樹脂封止型半導体装置の製造
方法について説明する。第３図において、半導体素子１
と、ロウ材２と、ダイパッド３と、アルミニウム配線４
と、ボンディングワイヤ５と、リードフレーム６と、パ
ッシベーション膜７とからなる半導体装置は、第１図に
おける従来の半導体装置と同一構成で準ｕ７ｉされてい
るものとする。但し、リードフレーム６は第１図に示し
た従来の半導体装置のように折曲げられてはいない。
置の製造方法を示す図である。まず、第３図を参照して
この発明の一実施例である樹脂封止型半導体装置の製造
方法について説明する。第３図において、半導体素子１
と、ロウ材２と、ダイパッド３と、アルミニウム配線４
と、ボンディングワイヤ５と、リードフレーム６と、パ
ッシベーション膜７とからなる半導体装置は、第１図に
おける従来の半導体装置と同一構成で準ｕ７ｉされてい
るものとする。但し、リードフレーム６は第１図に示し
た従来の半導体装置のように折曲げられてはいない。
次に、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂よりも比重の大き
い充填材とからなる樹脂組成物を準備する。
い充填材とからなる樹脂組成物を準備する。
次に、上述の半導体素子１を含む半導体装置を樹脂成形
鋳型１１内に固定する。
鋳型１１内に固定する。
次に、樹脂成形鋳型１１内に上述の樹脂組成物を封入す
る。このとき、エポキシ樹脂８は溶融状態にあり、充填
材９の台片は、エポキシ樹脂８を溶媒とし、充填材９自
身にかかる重力および浮力によってこの溶媒中を運動す
る。
る。このとき、エポキシ樹脂８は溶融状態にあり、充填
材９の台片は、エポキシ樹脂８を溶媒とし、充填材９自
身にかかる重力および浮力によってこの溶媒中を運動す
る。
さらにこの溶融状態で、樹脂成形鋳型１１を、第３図に
示すように半導体素子１の配線表面が回転の外側を向く
ような態様で、０点を中心として半径ＯＡの円を描くよ
うに第３図中の矢印の方向に高速回転させる。そのとき
、第３図に示すように、エポキシ樹脂８のＡ点側半分に
存在する充填材９は回転の遠心力（第３図中の下向き矢
印で示す）によって半導体素子１の配線表面上に形成さ
れたパッシベーション膜７から遠ざかっていき、エポキ
シ樹脂８の０点側半分に存在する充填材９は同じく遠心
力によってＡ点方向に移動するが、ダイパッド３および
リードフレーム６の底面によってそれ以上移動すること
を阻まれる。
示すように半導体素子１の配線表面が回転の外側を向く
ような態様で、０点を中心として半径ＯＡの円を描くよ
うに第３図中の矢印の方向に高速回転させる。そのとき
、第３図に示すように、エポキシ樹脂８のＡ点側半分に
存在する充填材９は回転の遠心力（第３図中の下向き矢
印で示す）によって半導体素子１の配線表面上に形成さ
れたパッシベーション膜７から遠ざかっていき、エポキ
シ樹脂８の０点側半分に存在する充填材９は同じく遠心
力によってＡ点方向に移動するが、ダイパッド３および
リードフレーム６の底面によってそれ以上移動すること
を阻まれる。
充填材９の溶媒中すなわちエポキシ樹脂８における運動
は上）ホのように、充填材９にかかる重力、浮力および
遠心力、ならびに溶媒の粘性などの条件によって決まり
、これらの条件によっては微視的なスケールの移動にな
るが、たとえ約１ミクロン程度の移動であっても、パッ
シベーション膜７の表面から充填材９を遠ざけることが
でき、第２図に示したように充填材９がパッシベーショ
ン膜７を突き扱けてアルミニウム配線４またはスムース
コート膜１０まで達するような事態は避けるεとができ
る。
は上）ホのように、充填材９にかかる重力、浮力および
遠心力、ならびに溶媒の粘性などの条件によって決まり
、これらの条件によっては微視的なスケールの移動にな
るが、たとえ約１ミクロン程度の移動であっても、パッ
シベーション膜７の表面から充填材９を遠ざけることが
でき、第２図に示したように充填材９がパッシベーショ
ン膜７を突き扱けてアルミニウム配線４またはスムース
コート膜１０まで達するような事態は避けるεとができ
る。
さらに、エポキシ樹脂８の硬化後は、充填材９は樹脂の
剛性により支えられて第３図に示した位置に固定される
。
剛性により支えられて第３図に示した位置に固定される
。
なお、溶媒である樹脂中の充填材９の移動をより大きく
するためには、粘性の小さい樹脂を用いる方がよく、さ
らに、溶媒中に揮発性で粘性の小さい液体材料を混合す
ることによって、樹脂封入時に溶媒の粘性を下げておき
、充填材を十分に移動させた後、固化する段階で混合し
た液体を気化するようにしてもよい。
するためには、粘性の小さい樹脂を用いる方がよく、さ
らに、溶媒中に揮発性で粘性の小さい液体材料を混合す
ることによって、樹脂封入時に溶媒の粘性を下げておき
、充填材を十分に移動させた後、固化する段階で混合し
た液体を気化するようにしてもよい。
［発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、封止樹脂組成物に含
まれる充填材の比重を封止樹脂よりも大きくし、樹脂封
入後、半導体素子のｉｉ！線表面を回転の外側に向けて
樹脂成形鋳型を高速回転することによって充填材を半導
体素子の配線表面から遠ざけるようにしたので、樹脂封
止型半導体装置の耐湿性を改善し、長期信頼性を向上さ
せることができる。
まれる充填材の比重を封止樹脂よりも大きくし、樹脂封
入後、半導体素子のｉｉ！線表面を回転の外側に向けて
樹脂成形鋳型を高速回転することによって充填材を半導
体素子の配線表面から遠ざけるようにしたので、樹脂封
止型半導体装置の耐湿性を改善し、長期信頼性を向上さ
せることができる。
第１図は従来の樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面
図である。第２図は第１図に示した従来の樹脂封止型半
導体装置の拡大断面図である。第３図はこの発明の一実
施例である樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す図で
ある。 図において、１は半導体素子、２はロウ材、３はダイパ
ッド、４はアルミニウム配線、５はボンディングワイヤ
、６はリードフレーム、７はパッシベーション膜、８は
工；パキシ樹脂、９は充填材、１０はスムースコート膜
、１１は樹脂成形鋳型を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄躬１図 果２図 第３図 Ｏ・ ！
図である。第２図は第１図に示した従来の樹脂封止型半
導体装置の拡大断面図である。第３図はこの発明の一実
施例である樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す図で
ある。 図において、１は半導体素子、２はロウ材、３はダイパ
ッド、４はアルミニウム配線、５はボンディングワイヤ
、６はリードフレーム、７はパッシベーション膜、８は
工；パキシ樹脂、９は充填材、１０はスムースコート膜
、１１は樹脂成形鋳型を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄躬１図 果２図 第３図 Ｏ・ ！
Claims (5)
- （１）配線表面を有する半導体素子を準備するステップ
と、 封止樹脂と、前記封止樹脂よりも比重の大きい充填材と
からなる樹脂組成物を準備するステップと、 前記半導体素子を樹脂成形鋳型内に固定するステップと
、 前記樹脂成形鋳型内に前記樹脂組成物を封入するステッ
プと、 前記樹脂組成物封入後、前記半導体素子の配線表面を回
転の外側に向けた状態で、前記半導体素子と前記樹脂組
成物と前記樹脂成形鋳型とを高速回転させるステップと
を含む、樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - （２）前記封止樹脂はエポキシ樹脂である、特許請求の
範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - （３）前記充填材は、石英ガラス粉、ジリコン粉、アル
ミナ粉、マグネシア粉、またはシリカ粉からなる、特許
請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置の製造方
法。 - （４）前記半導体素子の配線表面上に、パッシベーショ
ン膜を形成するステップをさらに含む、特許請求の範囲
第１項記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - （５）前記封止樹脂に粘性の小さい揮発性の液体材料を
混入するステップと、 前記封止樹脂封入後の固化時に前記液体材料を気化させ
るステップとをさらに含む、特許請求の範囲第１項記載
の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17453784A JPS6151833A (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17453784A JPS6151833A (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6151833A true JPS6151833A (ja) | 1986-03-14 |
Family
ID=15980266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17453784A Pending JPS6151833A (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6151833A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9272063B2 (en) | 2009-04-16 | 2016-03-01 | The Procter & Gamble Company | Method for delivering a volatile material |
| US9439993B2 (en) | 2009-04-16 | 2016-09-13 | The Procter & Gamble Company | Apparatus for delivering a volatile material |
| US10143766B2 (en) | 2009-04-16 | 2018-12-04 | The Procter & Gamble Company | Volatile composition dispenser |
| US11911540B2 (en) | 2009-04-16 | 2024-02-27 | The Procter & Gamble Company | Apparatus for delivering a volatile material |
-
1984
- 1984-08-20 JP JP17453784A patent/JPS6151833A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9272063B2 (en) | 2009-04-16 | 2016-03-01 | The Procter & Gamble Company | Method for delivering a volatile material |
| US9439993B2 (en) | 2009-04-16 | 2016-09-13 | The Procter & Gamble Company | Apparatus for delivering a volatile material |
| US9993574B2 (en) | 2009-04-16 | 2018-06-12 | The Procter & Gamble Company | Method for delivering a volatile material |
| US10143766B2 (en) | 2009-04-16 | 2018-12-04 | The Procter & Gamble Company | Volatile composition dispenser |
| US10500298B2 (en) * | 2009-04-16 | 2019-12-10 | The Procter & Gamble Company | Method for delivering a volatile material |
| US11517643B2 (en) | 2009-04-16 | 2022-12-06 | The Procter & Gamble Company | Apparatus for delivering a volatile material |
| US11911540B2 (en) | 2009-04-16 | 2024-02-27 | The Procter & Gamble Company | Apparatus for delivering a volatile material |
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