JPS6151828A - シンクロトロン放射光利用露光装置 - Google Patents
シンクロトロン放射光利用露光装置Info
- Publication number
- JPS6151828A JPS6151828A JP59173267A JP17326784A JPS6151828A JP S6151828 A JPS6151828 A JP S6151828A JP 59173267 A JP59173267 A JP 59173267A JP 17326784 A JP17326784 A JP 17326784A JP S6151828 A JPS6151828 A JP S6151828A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflecting mirror
- synchrotron radiation
- mask
- minute
- mirror
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はシンクロトロン放射光を利用して半導体基板上
にマスクのパターンを転写する露光装置に関するもので
ある。
にマスクのパターンを転写する露光装置に関するもので
ある。
従来、シンクロトロン放射光から得られるｘａを用いて
マスクのパターンをウェーハ上に投影露光する装置では
、シンクロトロン放射光の指向性が強くマスク上には水
平方向に帯状の放射光が得られるだけで、２次元的な広
がりを持つマスクパターン転写を一括に行なうことがで
きない欠点があった。そこで、垂直方向での放射光の拡
大を行なうためにマスクとウェーハの被露光試料を帯状
の放射光と垂直な方向（鉛直方向）に往復走査すること
が考えられる。この被露光試料を走査する方式ではマス
クとウェーハの位置合せ機構と、上記移動機ｉ、Ｘ７が
個別に必要となり、装置構造が複雑となる。露光中の上
記移動機構作動によりマスク。
マスクのパターンをウェーハ上に投影露光する装置では
、シンクロトロン放射光の指向性が強くマスク上には水
平方向に帯状の放射光が得られるだけで、２次元的な広
がりを持つマスクパターン転写を一括に行なうことがで
きない欠点があった。そこで、垂直方向での放射光の拡
大を行なうためにマスクとウェーハの被露光試料を帯状
の放射光と垂直な方向（鉛直方向）に往復走査すること
が考えられる。この被露光試料を走査する方式ではマス
クとウェーハの位置合せ機構と、上記移動機ｉ、Ｘ７が
個別に必要となり、装置構造が複雑となる。露光中の上
記移動機構作動によりマスク。
ウェーハが回動し、精密なパターン転写が行なえない、
ことなど新たな問題が生ずる。また、公知文献にも記載
されているように（ＮｕｃｌｅａｒＩｎｓｔｒｕｍｅｎ
ｔｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ２０８ （１９８３）
２８１〜２８６）光路中に反射鏡を設は反射箕を微小
揺動させ帯状の放射光を鉛直方向に往復走査するという
手段も考えられている。この？ｉＦ状の放射光形状は例
えば高さ５ｍ、幅５０〜１ｏＯｒｒｔｎａｌｉである。
ことなど新たな問題が生ずる。また、公知文献にも記載
されているように（ＮｕｃｌｅａｒＩｎｓｔｒｕｍｅｎ
ｔｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ２０８ （１９８３）
２８１〜２８６）光路中に反射鏡を設は反射箕を微小
揺動させ帯状の放射光を鉛直方向に往復走査するという
手段も考えられている。この？ｉＦ状の放射光形状は例
えば高さ５ｍ、幅５０〜１ｏＯｒｒｔｎａｌｉである。
また、反射鏡への入射角度は完配公知の文献にも記載さ
れているように１．５度以下の浅い角度でなければ、露
光波長として使用されるＸ線に対して十分な反射率が得
られない、それゆえ、反射鏡形状は例えば幅５０ｍ＋長
さは１００−以上となり、重量の大きな反射鏡の駆動が
必要とされる。
れているように１．５度以下の浅い角度でなければ、露
光波長として使用されるＸ線に対して十分な反射率が得
られない、それゆえ、反射鏡形状は例えば幅５０ｍ＋長
さは１００−以上となり、重量の大きな反射鏡の駆動が
必要とされる。
以上のごとく、被露光試料の往復走査方式あるいは反射
鏡の揺動方式の実現を図るとき、両者いずれの駆動の場
合も被駆動部材の重量は大きく高速駆動が困難であると
いう欠点がある。
鏡の揺動方式の実現を図るとき、両者いずれの駆動の場
合も被駆動部材の重量は大きく高速駆動が困難であると
いう欠点がある。
一方、集積回路等製造装置においてはウェーハ等の半導
体基板の高速処理が必要不可欠である６ｘａｎ光装置に
おいてもＸ線用レジストの高感度化、シンクロトロン放
射光利用によるＸ線強度の増加等が図られており、その
結果ウェーハ上の露光時間は従来１秒以上のものが１秒
以下となり、これに対応するためにも放射光の高速走査
技術が要求されている。
体基板の高速処理が必要不可欠である６ｘａｎ光装置に
おいてもＸ線用レジストの高感度化、シンクロトロン放
射光利用によるＸ線強度の増加等が図られており、その
結果ウェーハ上の露光時間は従来１秒以上のものが１秒
以下となり、これに対応するためにも放射光の高速走査
技術が要求されている。
本発明の目的は、シンクロトロン放射光の■速走査手段
を得ることにある。
を得ることにある。
〔発明の４１１１要〕
上記の目的を達成するために本発明では光路中に設ける
反射鏡を微小反射鏡の集合体として形成し各微小反射鏡
を電磁力あるいは静電力により高速揺動させ、マスクの
広い範囲にシンクロトロン放射光を照射してマスクのパ
ターンを半導体等のウェアに露光する。
反射鏡を微小反射鏡の集合体として形成し各微小反射鏡
を電磁力あるいは静電力により高速揺動させ、マスクの
広い範囲にシンクロトロン放射光を照射してマスクのパ
ターンを半導体等のウェアに露光する。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明するｌｉｔ
子スヒストレージリング得られるシンクロトロン放射光
ビーム１はスリット２を通して輝度分布の不均一な部分
の光束がカットされ、帯状の矩形になり反射鏡３により
反射光束５となる０反射光束５は保持台８に固定された
Ｘ線用マスク７を対して試料台１０上に固定された試料
９を露光する。このとき、前述のごとく反射光束５は帯
状なので反射鏡３をも育成する各微小反射鏡を矢印４の
方向に回転させ２反射光束５をマスク上方６の方向に移
動させマスク全面の露光がなされる。逆に、第２図に示
すように微小反射鏡を矢印４′の方向に回転させると反
射光束５は６′の方向に移動する。このように反射光束
５をマスク７上に往復走査してマスク上のパターンをウ
ェーハ上に転写する。このとき、反射鏡３は微小反射鏡
の集合体より構成されているので、第１図、第２図に示
すような各微小反射鏡の揺動により反射光束５の高速走
査が実現される。
子スヒストレージリング得られるシンクロトロン放射光
ビーム１はスリット２を通して輝度分布の不均一な部分
の光束がカットされ、帯状の矩形になり反射鏡３により
反射光束５となる０反射光束５は保持台８に固定された
Ｘ線用マスク７を対して試料台１０上に固定された試料
９を露光する。このとき、前述のごとく反射光束５は帯
状なので反射鏡３をも育成する各微小反射鏡を矢印４の
方向に回転させ２反射光束５をマスク上方６の方向に移
動させマスク全面の露光がなされる。逆に、第２図に示
すように微小反射鏡を矢印４′の方向に回転させると反
射光束５は６′の方向に移動する。このように反射光束
５をマスク７上に往復走査してマスク上のパターンをウ
ェーハ上に転写する。このとき、反射鏡３は微小反射鏡
の集合体より構成されているので、第１図、第２図に示
すような各微小反射鏡の揺動により反射光束５の高速走
査が実現される。
反射鏡を構成する微小反射鏡の１例を第３図。
第４図、第５図に示す。＠３図は一般にガルバノミラ−
と呼ばれるものである。回転部材１１の片面１２に金属
蒸着を施して反射面とし、入射光１３を１４の方向に反
射する。このとぎ、例えば磁界を有する磁性体部材１５
にはさまれたコイル状の配線１６に電流を流すことによ
り、電磁力が発生し、電流に応じて回転部材１１は、４
の方向に微小量回転し反射光の角度が１４から１４′に
変化する。
と呼ばれるものである。回転部材１１の片面１２に金属
蒸着を施して反射面とし、入射光１３を１４の方向に反
射する。このとぎ、例えば磁界を有する磁性体部材１５
にはさまれたコイル状の配線１６に電流を流すことによ
り、電磁力が発生し、電流に応じて回転部材１１は、４
の方向に微小量回転し反射光の角度が１４から１４′に
変化する。
第４図および第５図は微小反射鏡の回転部材として静゛
雀力ＩＩ 支＋によるマイクロメカニズムを採用した実
施例である。ガルバノミラ−と同様に回転部材１］の表
面１２に金属蒸着を施しである。反射面１２ばｉ’＋ｆ
撓性部付性部材２０’ に支持され、支持台１９を回輯
中心として矢印４′の方向に揺動される。Ｔヒ極１７．
１８には交番電界が与えられ、その結果生ずる静電力に
よって反射面１２が揺動される。第５図はこれら可撓性
部材に支持された回転部材１１の揺動機構を示す断面図
である。
雀力ＩＩ 支＋によるマイクロメカニズムを採用した実
施例である。ガルバノミラ−と同様に回転部材１］の表
面１２に金属蒸着を施しである。反射面１２ばｉ’＋ｆ
撓性部付性部材２０’ に支持され、支持台１９を回輯
中心として矢印４′の方向に揺動される。Ｔヒ極１７．
１８には交番電界が与えられ、その結果生ずる静電力に
よって反射面１２が揺動される。第５図はこれら可撓性
部材に支持された回転部材１１の揺動機構を示す断面図
である。
このような微小反射鏡の形状は反射鏡３の表面形状を分
割した形状であれば、とくに制限はない。
割した形状であれば、とくに制限はない。
また、第１および２図の場合には各微小反射鏡の回転部
を同位相としたが、本発明はとくに位イ゛■を同一とす
ることに制限されることはない。また、反射鏡３は平面
鏡であっても凸面鏡であっても本発明効果は同等である
ことはいうまでもない。
を同位相としたが、本発明はとくに位イ゛■を同一とす
ることに制限されることはない。また、反射鏡３は平面
鏡であっても凸面鏡であっても本発明効果は同等である
ことはいうまでもない。
以上述べたように、本発明によれば非常に微小な反射鏡
を制御性の良い機械力、電磁力あるいは静電力にて直接
駆動できるので、疑１次元強度分布を有するシンクロト
ロン放射光を２次元的な広がりを持つマスク上に高速走
査することが可能となるので簡便にシンクロトロン放射
光を露光装置に利用することができる効果がある。
を制御性の良い機械力、電磁力あるいは静電力にて直接
駆動できるので、疑１次元強度分布を有するシンクロト
ロン放射光を２次元的な広がりを持つマスク上に高速走
査することが可能となるので簡便にシンクロトロン放射
光を露光装置に利用することができる効果がある。
第１図、第２図は本発明実施例によりマスクおよびウェ
ーハ上に放射光を投影することを示す原理図、第３図は
、微小反射鏡の１例として考えられるガルバノミラ−の
作動ＪｆＫ運を示す図、第４図および第５図は可視性部
材に固定され、静電力にて駆動される微小反射光の１例
を示す図である。 １・・・シンクロトロン放射光、２・・・スリット、３
・・・反射鏡、４・・・反射鏡回転方向、５・・・反射
光束、６・・・反射光束走査方向、７・・・Ｘ線マスク
、８・・・保持台、９ 試料、１０・・・試料移動台、
１１・・・回転部材、１２・・反射面、１３・・・入射
光、１４および１４′・・・反射光、１５・・・磁性体
、１７．１８・・・電極、′Ｌ９・・・支持台、２０お
よび２０’ ・・・可撓性部寡 １ 図 冨３図 ｚ４１！ｌＩ 第５図
ーハ上に放射光を投影することを示す原理図、第３図は
、微小反射鏡の１例として考えられるガルバノミラ−の
作動ＪｆＫ運を示す図、第４図および第５図は可視性部
材に固定され、静電力にて駆動される微小反射光の１例
を示す図である。 １・・・シンクロトロン放射光、２・・・スリット、３
・・・反射鏡、４・・・反射鏡回転方向、５・・・反射
光束、６・・・反射光束走査方向、７・・・Ｘ線マスク
、８・・・保持台、９ 試料、１０・・・試料移動台、
１１・・・回転部材、１２・・反射面、１３・・・入射
光、１４および１４′・・・反射光、１５・・・磁性体
、１７．１８・・・電極、′Ｌ９・・・支持台、２０お
よび２０’ ・・・可撓性部寡 １ 図 冨３図 ｚ４１！ｌＩ 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、シンクロトロン放射光を利用して集積回路製造用の
半導体基板上にマスクのパターンを投影印刷する装置に
おいて、上記シンクロトロン放射光を基板上に投影する
光路中に微小な反射鏡の集合体からなる反射鏡を設け、
上記微小な反射鏡を微小回路およびまたは揺動させて上
記シンクロトロン放射光を、マスク上の広域に照射する
ことを特徴とするシンクロトロン放射光利用露光装置。 ２、上記微小な反射鏡としてガルバノミラーを使用する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のシンクロ
トロン放射光利用露光装置。 ３、上記微小な反射鏡が可撓性部材に固定され静電力に
て駆動されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のシンクロトロン放射光利用露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59173267A JPS6151828A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | シンクロトロン放射光利用露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59173267A JPS6151828A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | シンクロトロン放射光利用露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6151828A true JPS6151828A (ja) | 1986-03-14 |
Family
ID=15957276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59173267A Pending JPS6151828A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | シンクロトロン放射光利用露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6151828A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9327084B2 (en) | 2006-05-10 | 2016-05-03 | Owen Mumford Limited | Injection device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54182104U (ja) * | 1978-06-12 | 1979-12-24 | ||
| JPS5885730A (ja) * | 1981-11-18 | 1983-05-23 | Nissan Motor Co Ltd | リクライニングシ−ト |
| JPS6052137U (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-12 | 本田技研工業株式会社 | 車両用シ−トの取付構造 |
-
1984
- 1984-08-22 JP JP59173267A patent/JPS6151828A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54182104U (ja) * | 1978-06-12 | 1979-12-24 | ||
| JPS5885730A (ja) * | 1981-11-18 | 1983-05-23 | Nissan Motor Co Ltd | リクライニングシ−ト |
| JPS6052137U (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-12 | 本田技研工業株式会社 | 車両用シ−トの取付構造 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9327084B2 (en) | 2006-05-10 | 2016-05-03 | Owen Mumford Limited | Injection device |
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