JPS62159430A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
- Publication number
- JPS62159430A JPS62159430A JP61002583A JP258386A JPS62159430A JP S62159430 A JPS62159430 A JP S62159430A JP 61002583 A JP61002583 A JP 61002583A JP 258386 A JP258386 A JP 258386A JP S62159430 A JPS62159430 A JP S62159430A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- ray
- mask
- ray mask
- ray exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体を製造するためのＸ線露光装置に関す
るものである。
るものである。
第２図は従来のシンクロトロン軌道放射（Ｓ。
Ｒ）によるＸ線露光装置を示し、図において、１ａはＸ
線、１はＳＯＲによりＸ線１ａを発生するＸ線源、２は
Ｘ線１ａを反射する全反射ミラー、３はＸ線マスク、４
はウェハである。
線、１はＳＯＲによりＸ線１ａを発生するＸ線源、２は
Ｘ線１ａを反射する全反射ミラー、３はＸ線マスク、４
はウェハである。
従来の装置では、Ｘ線源１から発生したＸ線１ａは、全
反射ミラー２により反射されて照射方向が定められ、Ｘ
線マスク３を介してウェハ４上の一部領域を露光してい
た。
反射ミラー２により反射されて照射方向が定められ、Ｘ
線マスク３を介してウェハ４上の一部領域を露光してい
た。
従来のＳＯＲを用いたＸ線露光装置は以上のように構成
されているので、ＳＯＲの特性上、ウェハ上の非常に小
さい領域しか露光できなかった。
されているので、ＳＯＲの特性上、ウェハ上の非常に小
さい領域しか露光できなかった。
また、強力なＸ線の照射のため、Ｘ線マスクの劣化や熱
的歪みが生じ、ウェハへの極微細なパターンの転写に悪
影響を与えるという問題点があった。
的歪みが生じ、ウェハへの極微細なパターンの転写に悪
影響を与えるという問題点があった。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、ウェハ上の広範囲な領域を露光できるとともに
、Ｘ線によるＸ線マスクの劣化や熱的歪みの発生を軽減
し、極微細なパターンの転写が可能であるＸ線露光装置
を得ることを目的とする。
もので、ウェハ上の広範囲な領域を露光できるとともに
、Ｘ線によるＸ線マスクの劣化や熱的歪みの発生を軽減
し、極微細なパターンの転写が可能であるＸ線露光装置
を得ることを目的とする。
本発明に係るＸ線露光装置は、Ｘ線マスク及びウェハを
相互に平行に保持したまま平面内で高速にて移動させる
ものである。
相互に平行に保持したまま平面内で高速にて移動させる
ものである。
本発明においては、Ｘ線マスク及びウェハを相互に平行
に保持したまま平面内で高速移動させるので、ウェハ上
の広い領域を露光でき、しかも強力なＸ線の照射により
生じるＸ線マスクの劣化・熱的歪みを軽減でき、ウェハ
への極微細パターンの転写が可能となる。
に保持したまま平面内で高速移動させるので、ウェハ上
の広い領域を露光でき、しかも強力なＸ線の照射により
生じるＸ線マスクの劣化・熱的歪みを軽減でき、ウェハ
への極微細パターンの転写が可能となる。
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例によるＸ線露光装置を示し、
図において、ｌａ、１，２．３．４は第２図と同一符号
は同一のものを示す。５はＸ線マスク３とウェハ４を相
互に平行な状態に保持し、駆動手段により該Ｘ線マスク
３及びウェハ４とともに平面内で高速にて移動する支持
台である。
図において、ｌａ、１，２．３．４は第２図と同一符号
は同一のものを示す。５はＸ線マスク３とウェハ４を相
互に平行な状態に保持し、駆動手段により該Ｘ線マスク
３及びウェハ４とともに平面内で高速にて移動する支持
台である。
次に作用効果について説明する。Ｘ線源１から発生した
Ｘ線１ａは、全反射ミラー２により反射されて照射方向
が定められ、Ｘ線マスク３及びウェハ４に照射される。
Ｘ線１ａは、全反射ミラー２により反射されて照射方向
が定められ、Ｘ線マスク３及びウェハ４に照射される。
このときＸ線マスク３及びウェハ４は相互に平行な状態
で支持台５に固定されており、該支持台５は駆動手段に
より、照射されるＸ線１ａに対して垂直な平面内で、強
力Ｘ線によるＸ線マスクの劣化・歪み等が生じることの
ない程度の速さにて移動するので、ウェハ上の広い領域
を露光することができ、しかもＸ線マスクの劣化や熱的
歪みを軽減できる。従って本実施例装置では、ウェハ上
の広い領域を露光でき、しかも極微細パターンを転写す
ることができる。
で支持台５に固定されており、該支持台５は駆動手段に
より、照射されるＸ線１ａに対して垂直な平面内で、強
力Ｘ線によるＸ線マスクの劣化・歪み等が生じることの
ない程度の速さにて移動するので、ウェハ上の広い領域
を露光することができ、しかもＸ線マスクの劣化や熱的
歪みを軽減できる。従って本実施例装置では、ウェハ上
の広い領域を露光でき、しかも極微細パターンを転写す
ることができる。
なお、上記実施例では、全反射ミラー２を固定したまま
支持台５を移動したが、支持台５を全反射ミラー２と連
動させて移動することにより該支持台５の移動を単純化
させることもでき、これによっても上記実施例と同様の
効果を得ることができる。
支持台５を移動したが、支持台５を全反射ミラー２と連
動させて移動することにより該支持台５の移動を単純化
させることもでき、これによっても上記実施例と同様の
効果を得ることができる。
また、上記実施例では、全反射ミラーを用いてＸ線の照
射位置の設定を行ったが、支持台を移動させることによ
り全反射ミラーを用いないで上記位置設定を行うことが
でき、これによりＸ線源からのＸ線を直接Ｘ線マスク及
びウェハの露光に用いることができ、全反射ミラーでの
反射によるＸ線の減衰を防ぐことができる。
射位置の設定を行ったが、支持台を移動させることによ
り全反射ミラーを用いないで上記位置設定を行うことが
でき、これによりＸ線源からのＸ線を直接Ｘ線マスク及
びウェハの露光に用いることができ、全反射ミラーでの
反射によるＸ線の減衰を防ぐことができる。
以上のように本発明によれば、Ｘ線マスク及びウェハを
相互に平行に保持したまま平面内で高速にて移動させる
ので、ウェハ上の広い領域を露光でき、しかもＸ線マス
クの劣化や熱的歪みを軽減して、ウェハに極微細パター
ンを転写することができる。
相互に平行に保持したまま平面内で高速にて移動させる
ので、ウェハ上の広い領域を露光でき、しかもＸ線マス
クの劣化や熱的歪みを軽減して、ウェハに極微細パター
ンを転写することができる。
第１図は本発明の一実施例によるＸ線露光装置を示す概
略図、第２図は従来のＳＯＲを用いたＸ線露光装置を示
す概略図である。 図において、１はＸ線源、２は全反射ミラー、３はＸ線
マスク、４はウェハ、５は支持台である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
略図、第２図は従来のＳＯＲを用いたＸ線露光装置を示
す概略図である。 図において、１はＸ線源、２は全反射ミラー、３はＸ線
マスク、４はウェハ、５は支持台である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）シンクロトロン軌道放射（ＳＯＲ）で発生される
Ｘ線によりＸ線マスクを介してウェハを露光するＸ線露
光装置において、 上記Ｘ線マスク及びウェハを相互に平行に保持したまま
平面内で高速にて移動させる駆動手段を備えたことを特
徴とするＸ線露光装置。 - （２）上記シンクロトロン軌道放射で発生されるＸ線を
反射ミラーにより反射し、該反射Ｘ線によりＸ線マスク
を介してウェハを露光することを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61002583A JPS62159430A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61002583A JPS62159430A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62159430A true JPS62159430A (ja) | 1987-07-15 |
Family
ID=11533392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61002583A Pending JPS62159430A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62159430A (ja) |
-
1986
- 1986-01-08 JP JP61002583A patent/JPS62159430A/ja active Pending
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