JPH03175612A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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Publication number
JPH03175612A
JPH03175612A JP1314194A JP31419489A JPH03175612A JP H03175612 A JPH03175612 A JP H03175612A JP 1314194 A JP1314194 A JP 1314194A JP 31419489 A JP31419489 A JP 31419489A JP H03175612 A JPH03175612 A JP H03175612A
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JP
Japan
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mask
light
mirror
plate
light source
Prior art date
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Pending
Application number
JP1314194A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyoshi Kamiya
神谷 聖志
Noboru Takasu
高須 登
Masaki Chokai
正樹 鳥海
Mitsuo Sumiya
住谷 充夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP1314194A priority Critical patent/JPH03175612A/ja
Publication of JPH03175612A publication Critical patent/JPH03175612A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
  • Projection-Type Copiers In General (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) この発明は、半導体露光装置に係り、特に大きな露光面
積を一括に高解像度で露光できる露光装置に関する。
(従来の技術) 半導体ウェハに所定のパターンを露光する半導体露光装
置は、投影レンズ方式、反射投影方式、プロキシミティ
一方式および密着露光方式に大別される。
前記投影レンズ方式は、第6図に示すように、光源とし
ての超高圧水銀ランプ1から発光された光を楕円鏡2に
よって反射させて第1のミラー3に入射し、この第1の
ミラー3によって反射された光を集光レンズ4、フィル
タ5およびフライアイレンズ6を透過させた後、第2の
ミラー7に入射させている。第2のミラー7によって反
射された光はコンデンサレンズ8およびマスク9を介し
て投影レンズ10に入射し、前記マスク(レチクル)9
に描画されたパターンを投影レンズ10を介してXYス
テージ11上のプレート12に露光するようになってい
る。この方式は、ステッパと呼ばれるものであり、最近
の高集積度パターンには多く用いられている。しかし、
投影レンズ10を大型化するのは困難であり、直径15
0mm以上あるいは一辺が100 am以上のパターン
を一度に露光することはできない。
前記反射投影方式は、第7図に示すように、前記投影レ
ンズ10に代りに高い精度で加工された球面の凸面ミラ
ー13と球面の凹面ミラー14を用い、マスク15のパ
ターンをプレート16上に転写する方式である。これは
反射による投影方性などで光の屈折を用いない点で色収
差は生じにくい点で有利である。しかし、前述した投影
レンズ方式に比べて一般的には解像力が低く、球面収差
を防止するために円弧スリットを必要とし、光量を無駄
にしている。
前記プロキシミティ方式は、前述した投影レンズ方式と
同様に、光源としての超高圧水銀ランプ1から発光され
た光を楕円鏡2によって反射させて第1のミラー3に入
射し、この第1のミラー3によって反射された光を集光
レンズ4、フィルタ5およびフライアイレンズ6を透過
させた後、コンデンサミラー17に入射し、このコンデ
ンサミラー17によって反射する光をマスク18を介し
てプレート1つに入射して露光させている。この方式は
マスク18とプレート19を僅かなギャップを介して対
向させ、平行光線をマスク18上から当てることによっ
て転写している。この方式は、大きな面積を一度に露光
できるが、ギャップを狭くしないと(例えば数十ミクロ
ン)回折パターンがプレート1つ上に生じ、ミクロン以
下の微細パターンを加工できない。
(発明が解決しようとする課題) 前述したように、従来の投影レンズ方式は一度に大きな
面積の露光ができない。反射投影方式は解像力が低く、
球面収差を防止するために円弧スリットを必要とし、光
量を無駄にしている。また、プロキシミティ一方式は大
きな面積を一度に露光できるが、ギャップを均一に、し
かも数十ミクロンに設定することは不可能に近い。
この発明は、前記事情に着目してなされたもので、その
目的とするところは、反射投影方式によって大きな面積
のプレートであっても微細パターンを高速、高解像に転
写できる露光装置を提供することにある。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段及び作用)この発明は、前
記目的を達成するために、請求項1は、光源から出射さ
れた光をポリゴンスキャナと球面ミラーとによって反射
してパターンを有したマスク上を円弧形状の光束に走査
し、前記マスクを透過した光束からなる露光光を凹面ミ
ラーおよび凸面ミラーに反射してプレートに転写するこ
とにある。
請求項2は、光源としてレーザを用い、このレーザ光源
から出射されたレーザ光を回転位相板に透過させて可干
渉を防止し、さらに、この回転位相板を透過したレーザ
光をポリゴンスキャナと球面ミラーとによって反射して
マスク上を円弧形状の光束に走査し、前記マスクを透過
した光束からなる露光光を凹面ミラーおよび凸面ミラー
に反身、すしてプレートに転写することにある。
(実施例) 以下、この発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第3図は半導体露光装置の全体を示すもので、21は光
源装置である。この光源装置21にはレーザを使用した
光源22と回転位相板23が設けられている。この回転
位相板23は第4図および第5図に示すように、モータ
24の回転軸25に装着された透明円板であり、この透
明円板の片面には前記光源22から射出される光(レー
ザビーム)の1/2 λ〜l/4λ程の深さのパターン
がランダムに刻設されている。そして、回転する回転位
相板23に光を透過させることによって可干渉性レーザ
による干渉パターン(スペックルバータ)を防止してい
る。
前記回転位相板23の光軸上にはミラー26が設けられ
、このミラー26によって光源22からの光を光走査機
構27に入射させている。光走査機構27は、後述する
ポリゴンスキャナ28と球面ミラー29とから構成され
ていて、この球面ミラー29の反射光軸上にはマスク3
0が設置されている。すなわち、定盤31の一端側には
マスクテーブル32とプレートテーブル33が設けられ
ている。両テーブル32.33はx、y、z、  θ。
チルト方向の6軸に自由に移動でき、マスク30とプレ
ート34の相対位置を検出器によって検出し、この検出
信号によってマスクテーブル32とプレートテーブル3
3を駆動制御して相対的位置を設定するようになってい
る。さらに、マスクテーブル32とプレートテーブル3
3は1軸移動テーブル35に搭載され、マスク30とプ
レート34を逆方向に移動できるようになっている。
前記定盤31の他端部には大型の凹面ミラー36が設置
され、この凹面ミラー36に対向して凸面ミラー37が
設置されている。そして、前記光走査機構27からマス
ク30を透過した露光光か凹面ミラー36、凸面ミラー
37および凹面ミラー36の順に反射して前記プレート
34に入射するようになっている。
ここで、前記光走査機構27について詳述すると、第1
図および第2図に示すように構成されている。すなわち
、球面ミラー29は、前記凹面ミラー36、凸面ミラー
37によって決る収差が最も小さい走査高さgとマスク
30までの距離りによって曲率半径rが定まる。また、
理想的な光の幅tはレンズ38の焦点距離を決めれば光
学的に決定できる。さらに、光の走査幅りは前記ポリゴ
ンスキャナ28の面の大きさと、割り出し角度およびr
で定められる。これは照射されるマスク30の幅より僅
かに広くする。
このように構成することによって、ポリゴンスキャナ2
8によって反射された光は球面ミラー29に入射し、こ
の球面ミラー29によって反射される光はマスク30上
を理想的な円弧形状で走査する。
さらに、前記マスクテーブル32の前部にはマスクテー
ブル32に装着する複数種類のマスク30をセットする
マスクカセット38が設けられ、プレートテーブル33
の前部にはブレムトテーブル33に装着する複数種類の
プレート34をセットするテーブルカセット3つが設け
られている。
次に、前述のように構成された露光装置の作用について
説明する。
マスクテーブル32にパターンが描かれたマスク30を
セットし、プレートテーブル33に露光すべきプレート
34をセットする。そして、光源22からレーザからな
る光を出射させると、出射した光はモータ24によって
回転する回転位相板23を透過する。このとき、回転移
送板23には光(レーザビーム)の1/2λ〜114λ
程の深さのパターンがランダムに刻設されているために
、これを透過するときに可干渉性レーザによる干渉パタ
ーン(スペックルバータ)を防止できる。回転位相板2
3を透過した光はミラー26を介して光走査機構27に
入射される。光走査機構27はポリゴンスキャナ28と
球面ミラー2つとから構成されていて、ポリゴンスキャ
ナ28によって反射された光は球面ミラー29に入射し
、この球面ミラー29によって反射される光はマスク3
0上を理想的な円弧形状で走査する。マスク30を透過
した円弧形状の露光光としての光束は凹面ミラー36、
凸面ミラー37および凹面ミラー36の順に反射してレ
ジストが塗布されているプレート34に入射し正確に転
写できる。
このようにポリゴンスキャナ28と球面ミラー2つを組
合わせることによって、凹面ミラー36、凸面ミラー3
7によって生ずる収差最小の円弧照明を光量の無駄なく
構成でき、また、回転位相板23は透明円板の片面に光
(レーザビーム)のl/2λ〜1/4λ程の深さのパタ
ーンをランダムに刻設することによって、可干渉性レー
ザによる干渉パターン(スペックルパータ)を防止する
ことができ、プレート34にマスク30のパターンを正
確に転写できる。
なお、前記一実施例においては、光源としてし−ザを使
用したが、水銀ランプでもよく、また回転位相板の形状
も円板に限定されるものではない。
また、球面ミラーは、非球面または回転放物面であって
もよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明の請求項1によれば、ポ
リゴンスキャナと球面ミラーを組合わせることによって
、凹面ミラー、凸面ミラーによって生ずる収差最小の円
弧照明を光量の無駄なく構成でき、大きな面積のプレー
トであっても、マスク上の微細パターンを高速、高解像
で転写できるという効果がある。
請求項2によれば、回転位相板を設け、レーザビームに
よる可干渉性レーザによる干渉パターン(スペックルパ
ータ)を防止することができ、プレートにマスクのパタ
ーンを正確に転写できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第5図はこの発明の一実施例を示すもので、第
1図はポリゴンスキャナと球面ミラーの正面図、第2図
は同平面図、第3図は半導体露光装置の全体を示す斜視
図、第4図は回転位相板の正面図、第5図は同側面図、
第6図〜第8図は従来の露光装置の説明図である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光源と、この光源から出射された光をポリゴンス
    キャナと球面ミラーとによって反射してパターンを有し
    たマスク上を円弧形状の光束に走査する光走査機構と、
    前記マスクを透過した光束からなる露光光を反射してプ
    レートに前記パターンを転写する凹面ミラーおよび凸面
    ミラーとを具備したことを特徴とする露光装置。
  2. (2)レーザ光源と、このレーザ光源から出射されたレ
    ーザ光を透過させることにより可干渉を除去する回転位
    相板と、この回転位相板を透過したレーザ光をポリゴン
    スキャナと球面ミラーとによって反射してパターンを有
    したマスク上を円弧形状の光束に走査する光走査機構と
    、前記マスクを透過した光束からなる露光光を反射して
    プレートに前記パターンを転写する凹面ミラーおよび凸
    面ミラーとを具備したことを特徴とする露光装置。
JP1314194A 1989-12-05 1989-12-05 露光装置 Pending JPH03175612A (ja)

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JP1314194A JPH03175612A (ja) 1989-12-05 1989-12-05 露光装置

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JP1314194A JPH03175612A (ja) 1989-12-05 1989-12-05 露光装置

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ID=18050402

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JP1314194A Pending JPH03175612A (ja) 1989-12-05 1989-12-05 露光装置

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JP (1) JPH03175612A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1172905A (ja) * 1997-06-27 1999-03-16 Toshiba Corp フォトマスク修復方法、検査方法、検査装置及びフォトマスク製造方法
JP2020091499A (ja) * 2020-02-20 2020-06-11 株式会社リコー 画像形成装置、画像形成装置を搭載した車両

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1172905A (ja) * 1997-06-27 1999-03-16 Toshiba Corp フォトマスク修復方法、検査方法、検査装置及びフォトマスク製造方法
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