JPH10339804A - 回折光学素子及び該素子の光軸調整装置 - Google Patents

回折光学素子及び該素子の光軸調整装置

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JPH10339804A
JPH10339804A JP9165067A JP16506797A JPH10339804A JP H10339804 A JPH10339804 A JP H10339804A JP 9165067 A JP9165067 A JP 9165067A JP 16506797 A JP16506797 A JP 16506797A JP H10339804 A JPH10339804 A JP H10339804A
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JP
Japan
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optical element
diffractive optical
optical axis
diffractive
outer periphery
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JP9165067A
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Eiichi Murakami
栄一 村上
Seiji Takeuchi
誠二 竹内
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Canon Inc
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/18Diffraction gratings
    • G02B5/1847Manufacturing methods
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10S359/90Methods

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高精度の光軸調整を行って回折光学素子を光
軸調整する。 【解決手段】 パターニングされたバイナリオプティク
ス素子Sを、XYステージ13に載せ、θステージ11
により回転した状態で、レーザー光源14から反射ミラ
ー15を介してレーザー光Bを照射し、Zステージ13
を移動して二次元CCDセンサ16によりレーザー光B
を検出する。このときのレーザー光BのCCDセンサ1
6上の結像位置と、バイナリオプティクス素子を180
°回転したときの結像位置とのシフト量を求め、シフト
量が最小となるようにXY方向に移動し切削機17を用
いて外周を削ることにより、正確にバイナリオプティク
ス素子Sの光軸を求める。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高解像結像システ
ムの光学系に使用する回折光学素子及び該素子の光軸調
整装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来から半導体素子製造用の投影露光装
置においては、集積回路の高密度化に伴いレチクル面の
回路パターンをウエハ面上に高い解像力で投影露光する
必要がある。このために、投影露光光学系は高NA化が
進められ、1個の光学系を構成するレンズ枚数が多くな
り、同時に大画面化に対応するために大型化して高価な
装置になっている。
【0003】また、露光波長がHgの輝線スペクトルi
線からKrF、ArFへと短波長化し、これに伴い使用
可能なレンズ硝材が制限されるために、投影露光光学系
の色収差補正が困難になっている。これを解消するため
に、近年では平行平板上に同心円状のグレーティングを
施したブレーズ型透過グレーティングであるバイナリオ
プティクス素子を投影露光光学系に組み込むことが試み
られている。
【0004】従来の投影露光光学系は、一般に球面を基
本にしたレンズで構成されており、球面凸レンズの場合
には、波長が長い程焦点距離は長くなるのに対し、レン
ズと同様な光屈曲作用を有するバイナリオプティクス素
子は光の回折を利用しているため、波長が長い程、焦点
距離は短くなる方向へ作用するので、このバイナリオプ
ティクス素子を投影露光光学系に組込むことにより、色
収差補正が容易になりレンズ枚数の削減が可能になる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述のバ
イナリオプティクス素子を投影露光光学系に組込む際に
は、光軸調整を高精度に行うことが難しいという問題が
ある。従来のレンズ系においては、このために光軸調整
方式としてベラクランプ方式や光学式芯出し方式が採用
されている。ベラクランプ方式では、図10に示すよう
に表面に油を塗布したレンズ1を両面からクランプ2で
押さえ、クランプ2を回転させることによりレンズ1が
ずれて、図11に示しように回転軸とレンズ1光軸が一
致するようになっている。しかし、両面が平面のバイナ
リオプティクス素子の場合は、回転させてもずれないた
めにこの方式は適用できない。
【0006】また、光学的芯出し方式の場合には、図1
2に示すように回転治具3にレンズ1を接着して回転
し、十字線チャート4と基準目盛チャート5を観察しな
がら、この像が振れないように回転軸をシフトしてレン
ズ1の光軸を出しているが、この場合もバイナリオプテ
ィクス素子の光軸と回転治具3の中心とを予め合わせて
おかなければならないために、高精度な光軸調整を行う
ことは不可能である。
【0007】本発明の目的は、上述の問題点を解消し、
高精度に光軸を位置決めした回折光学素子を提供するこ
とにある。
【0008】本発明の他の目的は、高精度の回折光学素
子を有する光学機器を提供することにある。
【0009】本発明の更に他の目的は、高性能の光学機
器を備えた投影露光装置を提供することにある。
【0010】本発明の更に他の目的は、高精度に回折光
学素子の光軸を位置決めすることができる回折光学素子
の光軸調整装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係る回折光学素子は、同心円状の凹凸パター
ンが形成された所定の光屈曲特性領域を有する回折光学
素子であって、該回折光学素子の光軸を基準に、外周の
中心と前記光軸とが一致するように前記外周を加工した
ことを特徴とする。
【0012】また、本発明に係る光学機器は、同心円状
の凹凸パターンが形成された所定の光屈曲特性領域を有
する回折光学素子の光軸と、該素子の外周の中心とが一
致するように該外周を加工した回折光学素子を有するこ
とを特徴とする。
【0013】本発明に係る投影露光装置は、同心円状の
凹凸パターンが形成された所定の光屈曲特性領域を有す
る回折光学素子の光軸と、該素子の外周の中心とが一致
するように該外周を加工した回折光学素子を有する光学
機器を備えたことを特徴とする。
【0014】本発明に係る回折光学素子の光軸調整装置
は、回折光学素子を保持する保持手段と、前記回折光学
素子を回転する回転手段と、前記回折光学素子の端面を
加工する加工手段と、前記回折光学素子の光軸及び前記
回転手段の回転軸の相対的なずれを検出する検出手段
と、該検出手段の結果に基づき前記回折光学素子の光軸
及び前記回転手段の回転軸を合わせる移動手段とを有す
ることを特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明を図1〜図9に図示の実施
例に基づいて詳細に説明する。図1は第1の実施例の側
面図を示し、定盤10上には、回転可能なθステージ1
1、鉛直方向に可動するZステージ12、水平面上を二
次元的に可動するXYステージ13が順次に設けられ、
図2に示すバイナリオプティクス素子SはXYステージ
13上に載置されて回転調整可能となっている。XYス
テージ13の上方には、He−Neレーザー等のレーザ
ー光源14、反射ミラー15が配設され、定盤10上の
略中央でバイナリオプティクス素子Sの下方の回転軸C
−C’の近傍には、二次元CCDセンサ16が固定され
ている。また、定盤10上の片側にはバイナリオプティ
クス素子Sの外周を削る切削機17が配設されている。
【0016】バイナリオプティクス素子を位置決めする
ためには、パターニングされたバイナリオプティクス素
子SをXYステージ13に載置する。θステージ11に
よりバイナリオプティクス素子Sを回転した状態で、レ
ーザー光源14から反射ミラー15を介してバイナリオ
プティクス素子S上にレーザー光Bを照射する。バイナ
リオプティクス素子Sのレーザー光Bに対する二次元C
CDセンサ16が配置されるように、近軸結像位置の近
傍にZステージ12を移動し、二次元CCDセンサ16
によりこのレーザー光Bを検出する。
【0017】図3(a) はバイナリオプティクス素子Sを
回転したときに、回転軸C−C’に対してバイナリオプ
ティクス素子Sの中心Oが距離Δだけずれている場合を
示し、回転軸C−C’に対してレーザー光Bが位置Lに
照射されていると、バイナリオプティクス素子Sの中心
Oに対しては、位置(L−Δ)にレーザー光Bが照射さ
れていることになる。このとき、レーザー光Bは(L−
Δ)分の球面収差SAをもってCCDセンサ16上に結像
するので、CCDセンサ16上における結像位置のシフ
ト量はΔ−SAとなる。
【0018】次に、図3(b) はこの状態でバイナリオプ
ティクス素子Sを180度回転した場合を示し、このと
きバイナリオプティクス素子Sの中心Oに対しては、位
置(L+Δ)にレーザー光Bが照射されていることにな
る。このとき、レーザー光Bは(L+Δ)分の球面収差
SBをもってCCDセンサ16上に結像するので、CCD
センサ16上における結像位置はΔ+SBとなる。従っ
て、バイナリオプティクス素子Sを回転させた時のCC
Dセンサ16上における結像位置のシフト量は、2Δ+
(SB−SA)となって検出される。
【0019】このシフト量が最小となるように、バイナ
リオプティクス素子SをXYステージ13によりXY方
向に移動する。バイナリオプティクス素子Sの中心Oに
レーザー光Bが照射されたとき、即ち回転軸C−C’と
一致したときに、CCDセンサ16上における結像位置
のシフト量は最小となる。この状態で、図1における切
削機17を用いてバイナリオプティクス素子Sの外周を
削ることにより、正確にバイナリオプティクス素子Sの
光軸を求めることができる。
【0020】図4は第2の実施例の側面図を示し、基本
構成は第1の実施例と同じであるが、反射ミラー15に
至る光路の途中にハーフミラー15’が挿入され、レー
ザー光Bをハーフミラー15’で分割し、回転軸C−
C’に対し位置±Lにレーザー光Bを照射するように構
成されている。
【0021】図5(a) は第1の実施例と同様に、バイナ
リオプティクス素子Sを回転したときに、回転軸C−
C’に対してバイナリオプティクス素子Sの中心OがΔ
だけずれている場合を示している。このように、回転軸
C−C’に対しバイナリオプティクス素子Sの中心Oが
Δずれていると、ハーフミラー15’で反射された左側
のレーザー光Bは、バイナリオプティクス素子S上の位
置(L−Δ)に照射されていることになり、反射ミラー
15に反射された右側のレーザー光Bはバイナリオプテ
ィクス素子S上の位置(L+Δ)に照射される。従っ
て、右側のレーザー光Bの方が左側のレーザー光Bより
も回転軸C−C’に対するシフト量が大きくなり、この
とき右側のレーザー光Bは(L+Δ)分の球面収差SAを
もって、CCDセンサ16上の位置−Δ−SAに結像す
る。
【0022】次に、図5(b) はこの状態でバイナリオプ
ティクス素子Sを180度回転した場合を示し、上述の
場合と同様にして、左側のレーザー光Bは位置Δ+SAに
結像するので、バイナリオプティクス素子Sを回転させ
たときのCCDセンサ16上における結像位置のシフト
は、2(Δ+SA)となって検出される。このように、第
1の実施例よりもシフト量が大きくなるので、検出精度
をより向上させることができる。
【0023】このシフト量が最小になるように、バイナ
リオプティクス素子SをXY方向に移動する。バイナリ
オプティクス素子Sの中心Oに対しては、左右対称の位
置Lにレーザー光Bが照射されたとき、即ち回転軸C−
C’と一致したときに、図5(c) に示すようにCCDセ
ンサ16上における結像位置のシフト量は最小になる。
この状態で、図4における切削機17を用いてバイナリ
オプティクス素子Sの外周を削ることにより、正確にバ
イナリオプティクス素子Sの光軸を求めることができ
る。
【0024】図6は第3の実施例の側面図を示し、定盤
10上の略中央にθステージ11、XYステージ13が
設けられ、XYステージ13にバイナリオプティクス素
子Sが載置され、回転中心に対してXY位置が調整可能
になっている。
【0025】光軸出しの際は、パターニングされたバイ
ナリオプティクス素子Sを、XY方向に駆動可能なXY
ステージ13に載せる。θステージ11によりバイナリ
オプティクス素子Sを回転させた状態で、レーザー光源
14からレーザー光Bをプリズムミラー18を介してバ
イナリオプティクス素子S上に照射する。このバイナリ
オプティクス素子Sによって発生するレーザー光Bの高
次の回折光をCCDセンサ16により検出さする。
【0026】ここで、バイナリオプティクス素子Sを回
転したときに、回転軸C−C’に対しバイナリオプティ
クス素子Sの中心Oがずれている場合には、CCDセン
サ16上における回折光の位置がシフトし、このシフト
量が0となるようにバイナリオプティクス素子SをXY
方向に移動する。シフト量は回転軸C−C’とバイナリ
オプティクス素子Sの中心Oとが一致したとき0とな
り、この状態で切削機17を用いてバイナリオプティク
ス素子Sの外周を削ることにより、正確なバイナリオプ
ティクス素子Sの光軸を求めることができる。
【0027】図7はバイナリオプティクス素子Sの正面
図、図8は断面図を示し、図7は図8の近似した鋸歯状
断面の1周期の境界のみを実線で表しており、1周期内
の階段構造の境界線は省略してある。
【0028】上述の各実施例に示した光軸調整方法を採
用することにより、バイナリオプティクス素子Sの光軸
調整精度が向上するので、良好な光学性能を発揮する高
精度のバイナリオプティクス素子Sを得ることができ
る。なお、このバイナリオプティクス素子Sは鋸歯状断
面を4レベルの階段構造で近似したものであるが、例え
ば8レベルや16レベル等の4レベル以外の近似でも、
上述した光軸調整方式により光軸調整することができ
る。
【0029】図9はバイナリオプティクス素子Sを使用
した投影露光装置の光学系の構成図を示し、ランプやレ
ーザー等の光源21の下方には、光源21からの光束に
よりレチクルRを均一に照明するための照明光学系22
と、レチクルRに形成した投影パターンをウエハWに投
影するための投影光学系23が配置され、バイナリオプ
ティクス素子Sは照明光学系22や投影光学系23中に
配設されている。
【0030】このように高精度のバイナリオプティクス
素子Sを投影露光装置の光学系に組込むことにより、投
影露光装置の光学性能を全体として向上することができ
る。更に、図9に示す投影露光装置によって、IC、L
SI等の半導体素子、液晶素子、CCD等の撮像素子、
磁気ヘッド等の磁気素子、そしてバイナリオプティクス
素子等の光学素子を精度良く製造することができる。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る回折光
学素子は、中心光軸と外周中心を一致させることによっ
て、高精度に光軸を位置決めすることができる。
【0032】また、本発明に係る光学機器は、高精度に
光軸を位置決めした回折光学素子を使用することによ
り、高性能の光学特性を発揮することができる。
【0033】本発明に係る撮影露出装置は、高性能の光
学機器を組込むことにより、装置全体としての光学性能
を一層向上することができる。
【0034】本発明に係る回折光学素子の光軸調整装置
は、回折光学素子の光軸と回転手段の回転軸との相対的
ずれを検出し、これを補填することにより、簡素な構成
で簡便に高精度の光軸調整を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施例の側面図である。
【図2】バイナリオプティクス素子の平面図である。
【図3】光軸調整の説明図である。
【図4】第2の実施例の側面図である。
【図5】光軸調整の説明図である。
【図6】第3の実施例の側面図である。
【図7】バイナリオプティクス素子の平面図である。
【図8】断面図である。
【図9】投影露光装置の光学系の構成図である。
【図10】従来例の光軸調整の説明図である。
【図11】従来例の光軸調整の説明図である。
【図12】他の従来例の光軸調整の説明図である。
【符号の説明】
11 θステージ 12 Zステージ 13 XYステージ 14、21 レーザー光源 15 反射ミラー 15’ ハーフミラー 16 CCDセンサ 17 切削機 18 プリズムミラー 22、23 光学系 R レチクル S バイナリオプティクス素子 W ウェハ

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 同心円状の凹凸パターンが形成された所
    定の光屈曲特性領域を有する回折光学素子であって、該
    回折光学素子の光軸を基準に、外周の中心と前記光軸と
    が一致するように前記外周を加工したことを特徴とする
    回折光学素子。
  2. 【請求項2】 同心円状の凹凸パターンが形成された所
    定の光屈曲特性領域を有する回折光学素子の光軸と、該
    素子の外周の中心とが一致するように該外周を加工した
    回折光学素子を有することを特徴とする光学機器。
  3. 【請求項3】 同心円状の凹凸パターンが形成された所
    定の光屈曲特性領域を有する回折光学素子の光軸と、該
    素子の外周の中心とが一致するように該外周を加工した
    回折光学素子を有する光学機器を備えたことを特徴とす
    る投影露光装置。
  4. 【請求項4】 回折光学素子を保持する保持手段と、前
    記回折光学素子を回転する回転手段と、前記回折光学素
    子の端面を加工する加工手段と、前記回折光学素子の光
    軸及び前記回転手段の回転軸の相対的なずれを検出する
    検出手段と、該検出手段の結果に基づき前記回折光学素
    子の光軸及び前記回転手段の回転軸を合わせる移動手段
    とを有することを特徴とする回折光学素子の光軸調整装
    置。
  5. 【請求項5】 前記検出手段は前記回折光学素子上に少
    なくとも1本以上のレーザー光を照射して受光する受光
    手段を有し、前記レーザー光位置のシフト量を検出する
    請求項4に記載の回折光学素子の光軸調整装置。
  6. 【請求項6】 前記検出手段はレーザー光の波長に対す
    る前記回折光学素子の近軸結像位置近傍に前記レーザー
    光を受光する受光器を配置した請求項4に記載の回折光
    学素子の光軸調整装置。
  7. 【請求項7】 前記検出手段はレーザー光を回折光学素
    子に照射したときに生ずる高次の回折光を検出する請求
    項4に記載の回折光学素子の光軸調整装置。
JP9165067A 1997-06-06 1997-06-06 回折光学素子及び該素子の光軸調整装置 Pending JPH10339804A (ja)

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US09/089,480 US6611376B1 (en) 1997-06-06 1998-06-02 Diffractive optical element and method of manufacturing the same

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