JPS61113065A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS61113065A JPS61113065A JP59233168A JP23316884A JPS61113065A JP S61113065 A JPS61113065 A JP S61113065A JP 59233168 A JP59233168 A JP 59233168A JP 23316884 A JP23316884 A JP 23316884A JP S61113065 A JPS61113065 A JP S61113065A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflecting mirror
- mask
- mirror
- reflecting
- reflecting surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はシンクロトロン放射光またはレーザ光を利用し
た露光装置に係り、特にシンクロトロン放射光を用いて
大面積のマスクパターンを高精度で均一に転写すること
のできる露光装置に関する。
た露光装置に係り、特にシンクロトロン放射光を用いて
大面積のマスクパターンを高精度で均一に転写すること
のできる露光装置に関する。
従来、シンクロトロン放射光やレーザ光などのほぼ平行
な光を用いてマスクのパターンをウェーハ上に投影印刷
する装置では、シンクロトロン放射光やレーザ光の指向
性が強くマスク上には点状または水平方向に細い帯状の
放射光が得られるだけで２次元的な広がりを持つマスク
パターン転写を一括に行なうことができない欠点があっ
た。
な光を用いてマスクのパターンをウェーハ上に投影印刷
する装置では、シンクロトロン放射光やレーザ光の指向
性が強くマスク上には点状または水平方向に細い帯状の
放射光が得られるだけで２次元的な広がりを持つマスク
パターン転写を一括に行なうことができない欠点があっ
た。
そこで、 （Ｎｕｃｌｅａｒ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ
ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ２０８ （１９８３） ２８
１〜２８６Ｎｏｒｔｈ−）ＩｏｌｌａｎｄＰａｂｌｉｓ
ｌｉｎｇ Ｃｏ、刊）に記載されるように、光路中に反
射鏡を設は反射鏡を微小揺動させて帯状の放射光を鉛直
方向に往復走査するという手段が考えられている。この
帯状の放射光形状は例えば高さ５■２幅５０〜１００Ｉ
ＩＩＩＢ程度である。このとき、反射鏡への入射角度は
前記文献にも記載されているように１．５度以下の浅い
角度でなければ、露光に使用されるＸ線に対して十分な
反射率が得られない。それゆえ、反射鏡形状は例えば幅
５０ｍｍ長さ］０Ｏｎｕｎ以上となり、重量の大きな反
射鏡の高速揺動が必要とされる。この反射鏡の高速揺動
とともに揺動機構全体の重心が揺動し露光装置全体の振
動を誘起し、精密なパターン転写が行なえない欠点が生
じている。
ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ２０８ （１９８３） ２８
１〜２８６Ｎｏｒｔｈ−）ＩｏｌｌａｎｄＰａｂｌｉｓ
ｌｉｎｇ Ｃｏ、刊）に記載されるように、光路中に反
射鏡を設は反射鏡を微小揺動させて帯状の放射光を鉛直
方向に往復走査するという手段が考えられている。この
帯状の放射光形状は例えば高さ５■２幅５０〜１００Ｉ
ＩＩＩＢ程度である。このとき、反射鏡への入射角度は
前記文献にも記載されているように１．５度以下の浅い
角度でなければ、露光に使用されるＸ線に対して十分な
反射率が得られない。それゆえ、反射鏡形状は例えば幅
５０ｍｍ長さ］０Ｏｎｕｎ以上となり、重量の大きな反
射鏡の高速揺動が必要とされる。この反射鏡の高速揺動
とともに揺動機構全体の重心が揺動し露光装置全体の振
動を誘起し、精密なパターン転写が行なえない欠点が生
じている。
本発明の目的は、前記問題点を解決して、大面積のマス
クパターンを均一な強度で高速かつ高精度に露光しうる
シンクロトロン放射光の走査手段を有するＸ線露光装置
を提供することにある。
クパターンを均一な強度で高速かつ高精度に露光しうる
シンクロトロン放射光の走査手段を有するＸ線露光装置
を提供することにある。
」二記の目的を達成するために、本発明では、放射光の
拡がりを拡大する機構として、第１図に示すように光路
中に反射面が円形の反射鏡３を設け、反射面のほぼ中心
を通る鉛直線５に対して微小角度６の傾きをもつ回転軸
７を設け、その回転軸７に回転１２を与えて反射鏡３を
回転させることにより、放射光４を矢印１３および第２
図の矢印１３′で示すように円形に走査するようにした
。
拡がりを拡大する機構として、第１図に示すように光路
中に反射面が円形の反射鏡３を設け、反射面のほぼ中心
を通る鉛直線５に対して微小角度６の傾きをもつ回転軸
７を設け、その回転軸７に回転１２を与えて反射鏡３を
回転させることにより、放射光４を矢印１３および第２
図の矢印１３′で示すように円形に走査するようにした
。
その結果、マスク上の広域に亘る露光を、振動を伴なわ
ない回転によって実現する露光装置が可能となった。
ない回転によって実現する露光装置が可能となった。
本発明によるビーム走査のマスク上の軌跡を第３図に示
す。すなわち、入射光ビームの光軸１０１が反射鏡３で
反射され、その反射光の光軸１４とマスク面９との交点
は反射鏡３の回転とともに移動し、その軌跡は円形とな
る。この円の直径は、微小角度６をα（ｒａｄ ）
とし、反射面とマスクとの距離を■７とすると４α■、
で示される。
す。すなわち、入射光ビームの光軸１０１が反射鏡３で
反射され、その反射光の光軸１４とマスク面９との交点
は反射鏡３の回転とともに移動し、その軌跡は円形とな
る。この円の直径は、微小角度６をα（ｒａｄ ）
とし、反射面とマスクとの距離を■７とすると４α■、
で示される。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。電子
ストレージリングから得られるシンクロトロン放射光ビ
ーム１はスリット２を通して輝度分布の不均一な部分の
光束がカットされ帯状の矩形断面ビームとなり反射鏡３
により反射され反射・ 光束４となる。反射光束４は
保持台８に固定されたＸ線用マスク９を露光する。この
とき、前述のごとく反射光束４は帯状なので反射鏡３を
回転軸７に沿って回転させる。この回転軸７は反射鏡３
の反射面と垂直な軸５と微小な角度６をなす。この結果
、反射鏡の回転とともに反射面と入射光ビーム１とのな
す角１４が変化し、反射光束４はマスク９」二を円形に
走査された。このように反射鏡３を回転し反射光束４を
マスク９上に往復走査することによりマスク上の輝度分
布は均一となり、マスク９上の広域パターンがウェーハ
１１上に精度良く転写される。
ストレージリングから得られるシンクロトロン放射光ビ
ーム１はスリット２を通して輝度分布の不均一な部分の
光束がカットされ帯状の矩形断面ビームとなり反射鏡３
により反射され反射・ 光束４となる。反射光束４は
保持台８に固定されたＸ線用マスク９を露光する。この
とき、前述のごとく反射光束４は帯状なので反射鏡３を
回転軸７に沿って回転させる。この回転軸７は反射鏡３
の反射面と垂直な軸５と微小な角度６をなす。この結果
、反射鏡の回転とともに反射面と入射光ビーム１とのな
す角１４が変化し、反射光束４はマスク９」二を円形に
走査された。このように反射鏡３を回転し反射光束４を
マスク９上に往復走査することによりマスク上の輝度分
布は均一となり、マスク９上の広域パターンがウェーハ
１１上に精度良く転写される。
反射面とマスクの距離を１ｍとし、微小角度６を０．０
３５ｒａｄとした時のマスク面における光ビームの振り
１１は１４ｍｍ、また微小角度６を０．３５ｒａｄとし
た時の振り＋ｌｔは１４０ｍｍであった。また振り巾の
範囲内で照射強度はほぼ均一であった。
３５ｒａｄとした時のマスク面における光ビームの振り
１１は１４ｍｍ、また微小角度６を０．３５ｒａｄとし
た時の振り＋ｌｔは１４０ｍｍであった。また振り巾の
範囲内で照射強度はほぼ均一であった。
なお、反射鏡３には輝度の高いシンクロトロン放射光が
入射するので、反射鏡３の温度上昇を防ぐことが要求さ
れる。とくに回転する反射鏡を冷却する方法としては例
えば第４図に示す方法が考えられる。第４図において反
射鏡３は回転部材３１に密着されており、回転部材３１
はボールベアリング３２を介して固定台３３」二に保持
されている。駆動用プーリー３４の回転とともに回転部
材３１が回転する。このとき、反射鏡３の冷却のため、
冷却水が矢印３５から入り、反射鏡の裏側に沿って流れ
た後矢印３６に沿って流れ出る。
入射するので、反射鏡３の温度上昇を防ぐことが要求さ
れる。とくに回転する反射鏡を冷却する方法としては例
えば第４図に示す方法が考えられる。第４図において反
射鏡３は回転部材３１に密着されており、回転部材３１
はボールベアリング３２を介して固定台３３」二に保持
されている。駆動用プーリー３４の回転とともに回転部
材３１が回転する。このとき、反射鏡３の冷却のため、
冷却水が矢印３５から入り、反射鏡の裏側に沿って流れ
た後矢印３６に沿って流れ出る。
なお、反射鏡３は平面鏡であっても凹面鏡あるいは凸面
鏡であっても本発明は効果は同等であることはいうまで
もない。
鏡であっても本発明は効果は同等であることはいうまで
もない。
さらに、第４図の例において回転部材３１上に直接反射
率の高い金属を蒸着すれば回転物の軽量化、冷却効率の
向上が計れる利点を有する。このような例も本発明に含
まれることはいうまでもない。
率の高い金属を蒸着すれば回転物の軽量化、冷却効率の
向上が計れる利点を有する。このような例も本発明に含
まれることはいうまでもない。
以上述べたように、本発明によれば揺動運動に比べ運動
にともなう重心（加速度）変動が少ない回転運動により
反射鏡を駆動することが可能となり、振動を誘起するこ
となくジシクロトロン放射光の高速高精度走査を行なう
ことができる。
にともなう重心（加速度）変動が少ない回転運動により
反射鏡を駆動することが可能となり、振動を誘起するこ
となくジシクロトロン放射光の高速高精度走査を行なう
ことができる。
第１図、第２図は本発明の概要および実施例を説明する
ための図、第３図は放射光走査の軌跡を示す図、第４図
は回転する反射鏡の冷却方法の一例を示す図である。
ための図、第３図は放射光走査の軌跡を示す図、第４図
は回転する反射鏡の冷却方法の一例を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、シンクロトロン放射光またはレーザ光を利用して集
積回路製造用の半導体基板上にマスクのパターンを投影
印刷する装置において、前記シンクロトロン放射光を基
板上に投影する光路中に反射鏡を設け、該反射鏡に反射
面と鉛直な線に対して微小角度傾いた回転軸を設け、該
回転軸を駆動して反射鏡を回転させることによりマスク
上の広域にわたつて前記シンクロトロン放射光またはレ
ーザ光を露光することを特徴とする露光装置。 ２、前記反射鏡として平面鏡を使用することを特徴とす
る特許請求範囲第１項記載の露光装置。 ３、前記反射鏡として凸面鏡を使用することを特徴とす
る特許請求範囲第１項記載の露光装置。 ４、前記反射鏡として凹面鏡を使用することを特徴とす
る特許請求範囲第１項記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59233168A JPS61113065A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59233168A JPS61113065A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61113065A true JPS61113065A (ja) | 1986-05-30 |
Family
ID=16950786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59233168A Pending JPS61113065A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61113065A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0357425A2 (en) | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | An exposure apparatus |
-
1984
- 1984-11-07 JP JP59233168A patent/JPS61113065A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0357425A2 (en) | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | An exposure apparatus |
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