JPS6151361B2 - - Google Patents
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- JPS6151361B2 JPS6151361B2 JP15842978A JP15842978A JPS6151361B2 JP S6151361 B2 JPS6151361 B2 JP S6151361B2 JP 15842978 A JP15842978 A JP 15842978A JP 15842978 A JP15842978 A JP 15842978A JP S6151361 B2 JPS6151361 B2 JP S6151361B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
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- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
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-
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Description
本発明は、特殊なフラツクスを含む導体ペース
ト及びそれを用いた導電体の製造方法に関するも
のである。 本発明で得られる導電体は厚いフイルム状で得
ることができ、この厚いフイルム状の導電体は、
通常セラミツク基体に特殊な形状に形成した導体
組成物を結合してなるものである。かかる導電体
はハイブリツド回路及びその他の用途に使用する
ために、抵抗、誘電体及びその他の回路要素をつ
なぐのに使用される。 厚いフイルム状の導電体は導体ペースト即ちイ
ンクをセラミツク基体に通常のスクリーン技法を
用いて特定形状に塗布して形成される。そして、
その後この導体を高温に加熱し、該ペーストの一
部（ビヒクル）を燃焼し去り、セラミツク基体に
結合した導電性のパターンを残存さす。 この導体ペースト即ちインクは本質的に次の３
成分：導電性金属、フラツクス系及びビヒクルを
含むものといえる。この導電性金属が最終的な導
電体に残存し、電気伝導性の路を提供する。ビヒ
クルは基質へのインクの適用性を助長し、フラツ
クス系は本質的に基質へ導電性金属を結合するの
に必要な性質を提供するものである。 厚いフイルム状の導電体は抵抗、誘電体及びそ
の他の回路要素と電気的に良好に結合できるもの
でなければならない。これらの結合はその回路の
有用寿命を越えてそこに留まらなければならな
い。種々の試験がこれらの所望の物理特性に寄与
するパラメータを測定するために実施されてきて
いる。 当業者にとつて、初期の剥離強度が重要だとい
うことがわかつている。これは導体を形成した後
すぐに基体からその導電性のパターンを剥離する
のに必要な力をポンド数で測定する。初期接着力
に関係するもう一つの重要なパラメータは、熟成
後の接着力である。これは、やはり基体から導電
性パターンを剥離するのに必要な力の量をポンド
で測定するのであるが、この測定は通常150℃に
昇温加熱した後一定期間、通常1000時間貯蔵した
後になされる。これは回路の有効寿命以上にその
導体が回路に使用されうるかどうかの決定に重要
なパラメータである。 厚いフイルム状導電体の別の重要な特性は、ハ
ンダづけ（ろうづけ）に対するぬれ特性である。
ハンダぬれ特性は直接測定され、優秀、良好など
と品位を示す語で表わされる。即ち、その導電体
が回路中の他の要素に電気的にそれを結合するの
に使用されるハンダをどれだけよく受けいれるか
を明らかにするものである。例えば、ハンダ溶液
に試験浸漬した後に、導電体のパターンが均質な
ハンダ膜で完全に覆われ、ハンダの堆積部分や脱
落あるいは不着部分がない時にその導電体はハン
ダぬれ特性に優れているといえる。 厚いフイルム状導電体の導電性金属として金を
使用する場合、ハンダぬれ特性は測定できない。
なぜなら、金は溶解する（即ち、金はハンダ中に
溶けこむだろう）。従つて金を基体とする導電体
はハンダづけできない。金に基づく導電体の結合
特性の試験は、超音波又は熱圧縮を用いたワイヤ
ー結合性として知られる。金基体の導電体は、こ
の導電体に非常に細いワイヤーを結合した後に該
ワイヤーを導電体パターンに接着した時非常に優
れたワイヤー結合性を有すると言われており、形
成される結合力は初期接着力約８ｇを越えるもの
である。 当業者は、引続いて高品質で、より実用性の高
い、そして使用寿命の長い厚いフイルム状導電体
を製造するために、導体ペーストの初期接着力、
熟成後の接着力及びハンダぬれ特性（ワイヤ結合
性）を改良する試みを実施している。 この導体ペーストの加熱温度がその製造を困難
にしているかもしれないとも考えられている。下
記に述べる理由から、異なる用途には異なる導電
性金属が要求され、異なる金属を用いた通常のペ
ーストは異なる温度で加熱されればならない。こ
れは多数の加熱炉を必要とするか、又は特定の炉
で温度を一定に変更することが必要となる。 従つて、本発明はハンダぬれ特性に優れた厚い
フイルム状導電体を形成するための導電性ペース
トを提供することを第一の目的とする。 本発明の目的はまた、初期及び熟成後の接着性
を改良した導電体の形成にある。 更に本発明の目的は、ワイヤー結合性に改良を
加えた金基体ペーストに使用できるペーストを形
成することである。 本発明のもう一つの目的は、導電性金属組成物
の種類にかかわらず一定の温度で導電体を焼成で
きるペーストを製造することである。 新しく開発したフラツクス系にZnOを添加して
も、標準的なフラツクス系にZnOを添加しても本
発明の目的を完全に満足する驚くべき結果を生ず
ることがわかつた。 特に、特定の導電性金属（例えばPt／Pd／
Ag、Pd／Ag、Pt／Pd／Au，Cu，Au）に対して
従来得られた最良の結果と比較した場合に前述の
特性が著しく改良されることが発見されたのであ
る。下に示す具体例はこれらの改良された性質を
例示するものであり、本発明を用いることによつ
て得られる予想外の非常に有利な結果を示す。 本発明で製造される導体ペーストの一種（後の
実施例１に示す）は、重量比率でビヒクル約16
％：AgとPdの約３対１からなる金属約70％：及
び全ペースト量の約２％のZnOと、Bi2O3及び一
般に細粉化されたガラスフリツトを約２対１の割
合で含む残余とからなるフラツクス14％を含有す
る厚いフイルム状導電体である。 70〜90％の金属含有量が厚いフイルム状のハイ
ブリツド導電体では典形的なものである、当業者
はもつと少量の金属系を用いることは導電性密度
と電導率に悪影響を及ぼすと考えてきた。 ビヒクルとしては通常市販されている有機のス
クリーン印捺用薬剤の多くがいずれも使用でき
る。例えば、テルピネオールのような溶媒とエチ
ルセルローズのような重合体が混合されて形成さ
れたものであり、エチルセルローズ約10重量％と
テルピネオール90重量％というような組成物であ
る。当業者にとつて、この種の用途に使用できる
ビヒクルは多くのものが既知であり、更にビヒク
ルについて説明する必要はない。 粉末化されたガラスフリツトも市販のものが有
用であり、例えば粒径５ミクロン以下のケイ酸ア
ルミナ鉛ガラスフリツトがこの目的に適してい
る。また当業者はこの種の応用例に使用できる
種々の粉末状ガラスをも知つているので、ガラス
フリツトについてもこれ以上説明しない。 ZnOは５ミクロン以下の粒度の粉末状のもので
あり、適量のペーストへZnOを導入する方法は、
その結果得られる効果に実質的な影響を与えな
い。 本発明では、このようなZnOの添加によつて導
電性金属組成物の種類に関係なく、比較的低い一
定温度で焼成可能なペーストを提供できるもので
あるが、例えば、850℃の焼成温度でもペースト
全量の１％のZnOの添加で、本願発明の効果は明
らかとなり、約２％の添加でその効果は顕著とな
るが、３％に増加すると若干効果に低下が認めら
れる。これに対し、985℃ではZnO添加量３％で
最良の結果が得られる。しかし、得られる導電体
と結合して使用される大低の抵抗素子の加熱特性
とも合致する850℃で焼成できることは非常に望
ましく、ZnOを全ペーストの１〜３％の割合で添
加使用するのが好ましい。 上述の如くZnOの使用が、他の金属を用いる導
体ペーストとの併用において、かなり大きくその
物理特性を改良することもわかつている。これ
は、多くの異種の導電性金属が各種所望の特性を
達成するために厚いフイルム状導電体に使用され
るので非常に意義ある特性である。 例えば、当業者はPtの使用はAu導電体の溶解
抵抗を増すと理解している。そこで例えば軍用な
ど高度の信頼性が要求される場合、しばしばPt／
Au導電体が使用される。 また、当業者は湿気や電位差の存在などで、
Agがセラミツク基質を横切つて一個の導電線か
らもう一つの導電線に移行するというAg移行と
して知られる現象を制限するためにPdがAgとの
合金として使用されることも知つている。従つ
て、Pd／Ag又はPd／Pt／Ag導電体がよく使用さ
れる。 同様に、高価でなく移行も起さないCuもまた
厚いフイルム状導電体に使用される。 次に、実施例を掲げ、種々の導電性金属に基づ
く導体ペーストにZnOを使用した場合に得られる
非常に有益な結果を示す。 実施例 １ 本発明に従つて調製した導体ペーストはPd／
Ag導電性金属を基礎とするものであり、重量比
率で約16％のビヒクル、約70％の金属及び約14％
のフラツクスを含む。上記金属は約３対１の割合
のAgとPdからなるものであり、上記フラツクス
は全ペースト量に対して約２％のZnOを含み、残
りがBi2O3と通常の粉末状ガラスフリツトの約２
対１からなるものである。 この新しいペーストをPd／Agを基礎とするペ
ーストであつて最高の接着性が得られる従来のペ
ーストと比較する。この比較物は重量比率で約14
％のビヒクル：約74％の金属及び約12％のフラツ
クスからなるものであり、上記金属は約２対１の
割合のAgとPdから形成されており、フラツクス
は全ペースト量の通3.7％のCdO、全ペースト量
の約1.1％のCuO／TiO2／Al2O3混合物と、Bi2O3
とガラスフリツトの約４対７からなる残余とから
なるものである。 新しいペーストを850℃で焼成した。その結果
下記の結果が得られた。
ト及びそれを用いた導電体の製造方法に関するも
のである。 本発明で得られる導電体は厚いフイルム状で得
ることができ、この厚いフイルム状の導電体は、
通常セラミツク基体に特殊な形状に形成した導体
組成物を結合してなるものである。かかる導電体
はハイブリツド回路及びその他の用途に使用する
ために、抵抗、誘電体及びその他の回路要素をつ
なぐのに使用される。 厚いフイルム状の導電体は導体ペースト即ちイ
ンクをセラミツク基体に通常のスクリーン技法を
用いて特定形状に塗布して形成される。そして、
その後この導体を高温に加熱し、該ペーストの一
部（ビヒクル）を燃焼し去り、セラミツク基体に
結合した導電性のパターンを残存さす。 この導体ペースト即ちインクは本質的に次の３
成分：導電性金属、フラツクス系及びビヒクルを
含むものといえる。この導電性金属が最終的な導
電体に残存し、電気伝導性の路を提供する。ビヒ
クルは基質へのインクの適用性を助長し、フラツ
クス系は本質的に基質へ導電性金属を結合するの
に必要な性質を提供するものである。 厚いフイルム状の導電体は抵抗、誘電体及びそ
の他の回路要素と電気的に良好に結合できるもの
でなければならない。これらの結合はその回路の
有用寿命を越えてそこに留まらなければならな
い。種々の試験がこれらの所望の物理特性に寄与
するパラメータを測定するために実施されてきて
いる。 当業者にとつて、初期の剥離強度が重要だとい
うことがわかつている。これは導体を形成した後
すぐに基体からその導電性のパターンを剥離する
のに必要な力をポンド数で測定する。初期接着力
に関係するもう一つの重要なパラメータは、熟成
後の接着力である。これは、やはり基体から導電
性パターンを剥離するのに必要な力の量をポンド
で測定するのであるが、この測定は通常150℃に
昇温加熱した後一定期間、通常1000時間貯蔵した
後になされる。これは回路の有効寿命以上にその
導体が回路に使用されうるかどうかの決定に重要
なパラメータである。 厚いフイルム状導電体の別の重要な特性は、ハ
ンダづけ（ろうづけ）に対するぬれ特性である。
ハンダぬれ特性は直接測定され、優秀、良好など
と品位を示す語で表わされる。即ち、その導電体
が回路中の他の要素に電気的にそれを結合するの
に使用されるハンダをどれだけよく受けいれるか
を明らかにするものである。例えば、ハンダ溶液
に試験浸漬した後に、導電体のパターンが均質な
ハンダ膜で完全に覆われ、ハンダの堆積部分や脱
落あるいは不着部分がない時にその導電体はハン
ダぬれ特性に優れているといえる。 厚いフイルム状導電体の導電性金属として金を
使用する場合、ハンダぬれ特性は測定できない。
なぜなら、金は溶解する（即ち、金はハンダ中に
溶けこむだろう）。従つて金を基体とする導電体
はハンダづけできない。金に基づく導電体の結合
特性の試験は、超音波又は熱圧縮を用いたワイヤ
ー結合性として知られる。金基体の導電体は、こ
の導電体に非常に細いワイヤーを結合した後に該
ワイヤーを導電体パターンに接着した時非常に優
れたワイヤー結合性を有すると言われており、形
成される結合力は初期接着力約８ｇを越えるもの
である。 当業者は、引続いて高品質で、より実用性の高
い、そして使用寿命の長い厚いフイルム状導電体
を製造するために、導体ペーストの初期接着力、
熟成後の接着力及びハンダぬれ特性（ワイヤ結合
性）を改良する試みを実施している。 この導体ペーストの加熱温度がその製造を困難
にしているかもしれないとも考えられている。下
記に述べる理由から、異なる用途には異なる導電
性金属が要求され、異なる金属を用いた通常のペ
ーストは異なる温度で加熱されればならない。こ
れは多数の加熱炉を必要とするか、又は特定の炉
で温度を一定に変更することが必要となる。 従つて、本発明はハンダぬれ特性に優れた厚い
フイルム状導電体を形成するための導電性ペース
トを提供することを第一の目的とする。 本発明の目的はまた、初期及び熟成後の接着性
を改良した導電体の形成にある。 更に本発明の目的は、ワイヤー結合性に改良を
加えた金基体ペーストに使用できるペーストを形
成することである。 本発明のもう一つの目的は、導電性金属組成物
の種類にかかわらず一定の温度で導電体を焼成で
きるペーストを製造することである。 新しく開発したフラツクス系にZnOを添加して
も、標準的なフラツクス系にZnOを添加しても本
発明の目的を完全に満足する驚くべき結果を生ず
ることがわかつた。 特に、特定の導電性金属（例えばPt／Pd／
Ag、Pd／Ag、Pt／Pd／Au，Cu，Au）に対して
従来得られた最良の結果と比較した場合に前述の
特性が著しく改良されることが発見されたのであ
る。下に示す具体例はこれらの改良された性質を
例示するものであり、本発明を用いることによつ
て得られる予想外の非常に有利な結果を示す。 本発明で製造される導体ペーストの一種（後の
実施例１に示す）は、重量比率でビヒクル約16
％：AgとPdの約３対１からなる金属約70％：及
び全ペースト量の約２％のZnOと、Bi2O3及び一
般に細粉化されたガラスフリツトを約２対１の割
合で含む残余とからなるフラツクス14％を含有す
る厚いフイルム状導電体である。 70〜90％の金属含有量が厚いフイルム状のハイ
ブリツド導電体では典形的なものである、当業者
はもつと少量の金属系を用いることは導電性密度
と電導率に悪影響を及ぼすと考えてきた。 ビヒクルとしては通常市販されている有機のス
クリーン印捺用薬剤の多くがいずれも使用でき
る。例えば、テルピネオールのような溶媒とエチ
ルセルローズのような重合体が混合されて形成さ
れたものであり、エチルセルローズ約10重量％と
テルピネオール90重量％というような組成物であ
る。当業者にとつて、この種の用途に使用できる
ビヒクルは多くのものが既知であり、更にビヒク
ルについて説明する必要はない。 粉末化されたガラスフリツトも市販のものが有
用であり、例えば粒径５ミクロン以下のケイ酸ア
ルミナ鉛ガラスフリツトがこの目的に適してい
る。また当業者はこの種の応用例に使用できる
種々の粉末状ガラスをも知つているので、ガラス
フリツトについてもこれ以上説明しない。 ZnOは５ミクロン以下の粒度の粉末状のもので
あり、適量のペーストへZnOを導入する方法は、
その結果得られる効果に実質的な影響を与えな
い。 本発明では、このようなZnOの添加によつて導
電性金属組成物の種類に関係なく、比較的低い一
定温度で焼成可能なペーストを提供できるもので
あるが、例えば、850℃の焼成温度でもペースト
全量の１％のZnOの添加で、本願発明の効果は明
らかとなり、約２％の添加でその効果は顕著とな
るが、３％に増加すると若干効果に低下が認めら
れる。これに対し、985℃ではZnO添加量３％で
最良の結果が得られる。しかし、得られる導電体
と結合して使用される大低の抵抗素子の加熱特性
とも合致する850℃で焼成できることは非常に望
ましく、ZnOを全ペーストの１〜３％の割合で添
加使用するのが好ましい。 上述の如くZnOの使用が、他の金属を用いる導
体ペーストとの併用において、かなり大きくその
物理特性を改良することもわかつている。これ
は、多くの異種の導電性金属が各種所望の特性を
達成するために厚いフイルム状導電体に使用され
るので非常に意義ある特性である。 例えば、当業者はPtの使用はAu導電体の溶解
抵抗を増すと理解している。そこで例えば軍用な
ど高度の信頼性が要求される場合、しばしばPt／
Au導電体が使用される。 また、当業者は湿気や電位差の存在などで、
Agがセラミツク基質を横切つて一個の導電線か
らもう一つの導電線に移行するというAg移行と
して知られる現象を制限するためにPdがAgとの
合金として使用されることも知つている。従つ
て、Pd／Ag又はPd／Pt／Ag導電体がよく使用さ
れる。 同様に、高価でなく移行も起さないCuもまた
厚いフイルム状導電体に使用される。 次に、実施例を掲げ、種々の導電性金属に基づ
く導体ペーストにZnOを使用した場合に得られる
非常に有益な結果を示す。 実施例 １ 本発明に従つて調製した導体ペーストはPd／
Ag導電性金属を基礎とするものであり、重量比
率で約16％のビヒクル、約70％の金属及び約14％
のフラツクスを含む。上記金属は約３対１の割合
のAgとPdからなるものであり、上記フラツクス
は全ペースト量に対して約２％のZnOを含み、残
りがBi2O3と通常の粉末状ガラスフリツトの約２
対１からなるものである。 この新しいペーストをPd／Agを基礎とするペ
ーストであつて最高の接着性が得られる従来のペ
ーストと比較する。この比較物は重量比率で約14
％のビヒクル：約74％の金属及び約12％のフラツ
クスからなるものであり、上記金属は約２対１の
割合のAgとPdから形成されており、フラツクス
は全ペースト量の通3.7％のCdO、全ペースト量
の約1.1％のCuO／TiO2／Al2O3混合物と、Bi2O3
とガラスフリツトの約４対７からなる残余とから
なるものである。 新しいペーストを850℃で焼成した。その結果
下記の結果が得られた。
【表】
実施例 ２
本発明に従つて調製した導体ペーストはPt／
Pd／Au導電性金属に基くもので、重量比率で、
約13％のビヒクル、約72％の金属と残余がフラツ
クスとからなるものであり、該金属はPt，Pd及
びAuの約１対１対６の割合からなり、該フラツ
クスは、ペースト全量の約1.7％のZnOを含み、
残りがBi2O3とガラスフリツトの１対１強の割合
の混合物であるものである。 この新らしいペーストをPt／Pd／Auを基礎と
するペーストであつて最高の接着力が得られる従
来のペーストと比較する。この比較物は、重量比
率で約14％のビヒクル、約75％の金属及びこれら
に釣り合うフラツクスからなるものであつて、金
属はPt，Pd及びAuの約１対１対６からなり、フ
ラツクスはペースト全量の約1.4％のCuと残りが
Bi2O3とガラスフリツトの約２対１混合物からな
るものである。 この新しいペーストを850℃で焼成した。得ら
れた結果は次の通りである。
Pd／Au導電性金属に基くもので、重量比率で、
約13％のビヒクル、約72％の金属と残余がフラツ
クスとからなるものであり、該金属はPt，Pd及
びAuの約１対１対６の割合からなり、該フラツ
クスは、ペースト全量の約1.7％のZnOを含み、
残りがBi2O3とガラスフリツトの１対１強の割合
の混合物であるものである。 この新らしいペーストをPt／Pd／Auを基礎と
するペーストであつて最高の接着力が得られる従
来のペーストと比較する。この比較物は、重量比
率で約14％のビヒクル、約75％の金属及びこれら
に釣り合うフラツクスからなるものであつて、金
属はPt，Pd及びAuの約１対１対６からなり、フ
ラツクスはペースト全量の約1.4％のCuと残りが
Bi2O3とガラスフリツトの約２対１混合物からな
るものである。 この新しいペーストを850℃で焼成した。得ら
れた結果は次の通りである。
【表】
実施例 ３
本発明に従つて調製した導体ペーストはCu導
電性金属に基づくもので、重量比率で約15％のビ
ヒクル、約72％のCu及び残りがフラツクスから
なるもので、該フラツクスはペースト全量の約２
％のZnOと約２対１の比率のBi2O3とガラスフリ
ツトとからなるものである。 この新しいペーストを、Cuを基礎とするペー
ストで最良の試験結果が得られる従来ペーストと
比較した。従来ペーストは重量比率で、約25％の
ビヒクルと約68％のCuとそれにつり合う6.3％の
ガラスフリツトからなるものである。 この新しいペーストを850％で焼成した。その
結果は次の通りである。
電性金属に基づくもので、重量比率で約15％のビ
ヒクル、約72％のCu及び残りがフラツクスから
なるもので、該フラツクスはペースト全量の約２
％のZnOと約２対１の比率のBi2O3とガラスフリ
ツトとからなるものである。 この新しいペーストを、Cuを基礎とするペー
ストで最良の試験結果が得られる従来ペーストと
比較した。従来ペーストは重量比率で、約25％の
ビヒクルと約68％のCuとそれにつり合う6.3％の
ガラスフリツトからなるものである。 この新しいペーストを850％で焼成した。その
結果は次の通りである。
【表】
ト い
新しいペーストの使用で初期接着力が低下して
いるとはいえ、ハンダねれ特性における顕著な改
良によつてそれ以上の効果が認められることに注
意すべきである。 実施例 ４ 本発明の導体ペーストはAu導電性金属に基づ
くもので、重量比率でビヒクル約７％、Au約85
％を含み、残りがフラツクスであるものである。
フラツクスはペースト全量の約14％のZnOを含
み、残りがBi2O3とガラスフリツトの約２対１混
合物からなる。 この新らしいペーストをAuを基礎とするペー
ストであつて、最高の接着性が得られる従来のペ
ーストと比較する。この比較物は、重量比率で約
10％のビヒクルと約85％のAuとそれらに釣合う
フラツクスを含む。フラツクスはペースト全量の
約0.1％のCuOと約1.3％のCdOを含み、残りが
Al2O3とガラスフリツトの約２対５混合物からな
る。 この新しいペーストを850℃で焼成した。得ら
れた結果は次の通りである。
新しいペーストの使用で初期接着力が低下して
いるとはいえ、ハンダねれ特性における顕著な改
良によつてそれ以上の効果が認められることに注
意すべきである。 実施例 ４ 本発明の導体ペーストはAu導電性金属に基づ
くもので、重量比率でビヒクル約７％、Au約85
％を含み、残りがフラツクスであるものである。
フラツクスはペースト全量の約14％のZnOを含
み、残りがBi2O3とガラスフリツトの約２対１混
合物からなる。 この新らしいペーストをAuを基礎とするペー
ストであつて、最高の接着性が得られる従来のペ
ーストと比較する。この比較物は、重量比率で約
10％のビヒクルと約85％のAuとそれらに釣合う
フラツクスを含む。フラツクスはペースト全量の
約0.1％のCuOと約1.3％のCdOを含み、残りが
Al2O3とガラスフリツトの約２対５混合物からな
る。 この新しいペーストを850℃で焼成した。得ら
れた結果は次の通りである。
【表】
実施例１〜４において、従来の最良の物質に示
した結果は、その最適結果を得る温度で焼成した
試料によるものである。この温度は850〜985℃で
ある。 本発明で得られる上述の如き導体ペーストに加
えて、下記のペーストも本発明の顕著な結果を示
す。 Pt／Pd／Ag系のペーストの例として、重量比
率でビヒクル約15％、Pt，Pd及びAgの約１対５
対29の割合からなる金属約70％と、ペースト全量
の約1.9％のZnOと残りがBi2O3とガラスの約２対
１混合物からなるフラツクス約15％を含むもので
ある。 Pd／Ag系のものとしては、重量比率でビヒク
ル約15％、PdとAgの約６対11の割合からなる金
属約69％と、ペースト全量の約３％のZnOと残り
Bi2O3とガラスフリツトの約２対１混合物からな
るフラツクス約16％を含むものである。 Pt／Pd／Ag系では、重量比率でビヒクル約15
％、Pt／Pd及びAgの１対３対31の割合からなる
金属約70％と、ビヒクル全量の約２％のZnOと残
りがBi2O3とガラスフリツトの約２対１からなる
フラツクス約15％を含む。 ZnOの使用をめぐつて形成されたこの新しいフ
ラツクス系に加えて、従来から存在するフラツク
ス系にZnOを使用しても非常に有利な結果が得ら
れることがわかつている。これは、本発明のもう
一つの大きな特徴ともいえる。次の例が従来から
存在するフラツクス系に単にZnOを添加すること
によつて得た物性改良を示すものである。 実施例 ５ Pt／Pd／Auからなる導電性銭属に基づく予め
調製された導体ペーストはビヒクル約14％、Pt，
Pd及びAuを約１対１対６の割合で含む金属約75
％、及び全ペースト量の約1.4％のCuOとそれに
つり合うBi2O3とガラスフリツトの約２対１混合
物からなるフラツクス11％を含むものであつた。 このペーストにZnOをその全量の約２％となる
に十分なように添加した。下記の結果が得られ
た。焼成条件は同じであつた。
した結果は、その最適結果を得る温度で焼成した
試料によるものである。この温度は850〜985℃で
ある。 本発明で得られる上述の如き導体ペーストに加
えて、下記のペーストも本発明の顕著な結果を示
す。 Pt／Pd／Ag系のペーストの例として、重量比
率でビヒクル約15％、Pt，Pd及びAgの約１対５
対29の割合からなる金属約70％と、ペースト全量
の約1.9％のZnOと残りがBi2O3とガラスの約２対
１混合物からなるフラツクス約15％を含むもので
ある。 Pd／Ag系のものとしては、重量比率でビヒク
ル約15％、PdとAgの約６対11の割合からなる金
属約69％と、ペースト全量の約３％のZnOと残り
Bi2O3とガラスフリツトの約２対１混合物からな
るフラツクス約16％を含むものである。 Pt／Pd／Ag系では、重量比率でビヒクル約15
％、Pt／Pd及びAgの１対３対31の割合からなる
金属約70％と、ビヒクル全量の約２％のZnOと残
りがBi2O3とガラスフリツトの約２対１からなる
フラツクス約15％を含む。 ZnOの使用をめぐつて形成されたこの新しいフ
ラツクス系に加えて、従来から存在するフラツク
ス系にZnOを使用しても非常に有利な結果が得ら
れることがわかつている。これは、本発明のもう
一つの大きな特徴ともいえる。次の例が従来から
存在するフラツクス系に単にZnOを添加すること
によつて得た物性改良を示すものである。 実施例 ５ Pt／Pd／Auからなる導電性銭属に基づく予め
調製された導体ペーストはビヒクル約14％、Pt，
Pd及びAuを約１対１対６の割合で含む金属約75
％、及び全ペースト量の約1.4％のCuOとそれに
つり合うBi2O3とガラスフリツトの約２対１混合
物からなるフラツクス11％を含むものであつた。 このペーストにZnOをその全量の約２％となる
に十分なように添加した。下記の結果が得られ
た。焼成条件は同じであつた。
【表】
実施例 ６
Pd／Ag系であるペーストを予め調製した。そ
の組成は重量比率でビヒクル約12％、PdとAgが
約13対24の割合で存在する金属約75％と、ペース
ト全量の約1.5％のCuO／TiO2／Al2O3混合物と
ペースト全量の約3.7％のCdOと残りがBi2O3とガ
ラスフリツトの約２対１混合物とからなるフリツ
ト約13％からなる。 ZnOが全ペースト量の約２重量％を占めるに十
分なだけ加えられる。得られた結果は次の通りで
ある。焼成条件は同じ。
の組成は重量比率でビヒクル約12％、PdとAgが
約13対24の割合で存在する金属約75％と、ペース
ト全量の約1.5％のCuO／TiO2／Al2O3混合物と
ペースト全量の約3.7％のCdOと残りがBi2O3とガ
ラスフリツトの約２対１混合物とからなるフリツ
ト約13％からなる。 ZnOが全ペースト量の約２重量％を占めるに十
分なだけ加えられる。得られた結果は次の通りで
ある。焼成条件は同じ。
【表】
ここに掲げたデータはZnOの使用が従来から存
在する導体ペーストにおいても、ここに新しく考
案された導体ペーストにおいても、非常に有利な
改良された結果を生ずること、及び従来得られな
かつたような優秀な製品を営業的に製造しうるよ
うにすることを示す。 以上本発明を具体的に示すために実施例を述べ
たが、本発明はこれらに限られるものでなく、更
に種々の展開が可能なことは当業者にとつて当然
理解されることである。
在する導体ペーストにおいても、ここに新しく考
案された導体ペーストにおいても、非常に有利な
改良された結果を生ずること、及び従来得られな
かつたような優秀な製品を営業的に製造しうるよ
うにすることを示す。 以上本発明を具体的に示すために実施例を述べ
たが、本発明はこれらに限られるものでなく、更
に種々の展開が可能なことは当業者にとつて当然
理解されることである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属、ビヒクル及びフラツクスを含有するも
のであつて、上記フラツクスがZnO，Bi2O3及び
粉末化ガラスフリツトを含み、ZnOがペースト全
量の１〜３重量％を構成することを特徴とする導
体ペースト。 ２ 重量比率で、69〜85％の金属、７〜16％のビ
ヒクル及び８〜16％のフラツクスを含むことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の導体ペース
ト。 ３ Bi2O3と粉末化ガラスフリツトが１対１ない
し２対１の重量比率で含まれることを特徴とする
特許請求の範囲第１項又は第２項記載の導体ペー
スト。 ４ 上記フラツクスがCuO，TiO2，Al2O3及び
CdOからなる群から選ばれる少なくとも１種の
化合物を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
１項〜第３項いずれかに記載の導体ペースト。 ５ 上記金属がCu，Au，Pt及びPdと組合わせた
Au，Pdと組合わせたAg及びPt及びPdと組合わせ
たAgからなる群から選ばれるものであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の導体ペー
スト。 ６ 金属、ビヒクル及びフラツクスを含むペース
トであつて、上記フラツクスがZnO，Bi2O3及び
粉末化ガラスフリツトを含有し、しかもZnOが導
体ペースト全量の１〜３重量％を構成するような
導体ペーストを、基体に塗布し、該ペーストに含
まれるビヒクルを燃焼し去るに十分な時間加熱
し、基体に結合した導電性パターンを残存せしめ
ることを特徴とする導電体の製造方法。 ７ 上記導体ペーストが重量比率で69〜85％の金
属、７〜16％のビヒクル及び８〜16％のフラツク
スを含むものであつて、上記フラツクスがZnO
と、Bi2O3及び粉末化ガラスフリツトの１対１〜
２対１の混合物を含むことを特徴とする特許請求
の範囲第６項記載の方法。 ８ 上記フラツクスがCuO，TiO2，Al2O3及び
CdOからなる群から選ばれる少なくとも一種の
化合物を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
７項記載の方法。 ９ 上記金属がCu，Au，Pt及びPdと組合わせた
Au，Pdと組合わせたAg、及びPt及びPdと組合わ
せたAgからなる群から選ばれるものであること
を特徴とする特許請求の範囲第６項〜第８項いず
れかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/886,945 US4187201A (en) | 1978-03-15 | 1978-03-15 | Thick film conductors |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54155126A JPS54155126A (en) | 1979-12-06 |
| JPS6151361B2 true JPS6151361B2 (ja) | 1986-11-08 |
Family
ID=25390126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15842978A Granted JPS54155126A (en) | 1978-03-15 | 1978-12-16 | Film type conductor |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4187201A (ja) |
| JP (1) | JPS54155126A (ja) |
| DE (1) | DE2852590C2 (ja) |
| GB (1) | GB2018035B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021002118A1 (ja) * | 2019-07-02 | 2021-01-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 復調装置及びこれを備えた無線受信装置 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4350618A (en) * | 1979-11-16 | 1982-09-21 | Electro Materials Corp. Of America | Thick film conductors for use in microelectronic packaging |
| US4381945A (en) * | 1981-08-03 | 1983-05-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film conductor compositions |
| US4416932A (en) * | 1981-08-03 | 1983-11-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film conductor compositions |
| JPH0653594B2 (ja) * | 1985-09-04 | 1994-07-20 | 株式会社フジクラ | 導体組成物 |
| JP2518839B2 (ja) * | 1987-03-20 | 1996-07-31 | 富士通株式会社 | 導体ペ−スト組成物 |
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| MY108723A (en) * | 1992-08-28 | 1996-11-30 | Thomson Consumer Electronics Inc | Printed circuit board shield assembly for a tuner and the like |
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| US20090288709A1 (en) * | 2006-12-25 | 2009-11-26 | Hideyo Iida | Conductive paste for forming of electrode of crystalline silicon substrate |
| US20100096014A1 (en) * | 2006-12-25 | 2010-04-22 | Hideyo Iida | Conductive paste for solar cell |
| KR20120068622A (ko) * | 2010-12-17 | 2012-06-27 | 삼성전기주식회사 | 외부전극용 도전성 페이스트 조성물, 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 |
| US10207958B2 (en) * | 2013-06-05 | 2019-02-19 | Ceramtec Gmbh | Metal coating on ceramic substrates |
Citations (2)
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| JPS4918158A (ja) * | 1972-06-09 | 1974-02-18 | ||
| JPS4976096A (ja) * | 1972-10-27 | 1974-07-23 |
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| US4072771A (en) * | 1975-11-28 | 1978-02-07 | Bala Electronics Corporation | Copper thick film conductor |
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-
1978
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- 1978-12-05 DE DE2852590A patent/DE2852590C2/de not_active Expired
- 1978-12-16 JP JP15842978A patent/JPS54155126A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|
| JPS54155126A (en) | 1979-12-06 |
| DE2852590C2 (de) | 1986-10-09 |
| US4187201A (en) | 1980-02-05 |
| GB2018035B (en) | 1982-07-28 |
| DE2852590A1 (de) | 1979-09-20 |
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