JPS6148257B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6148257B2
JPS6148257B2 JP54007098A JP709879A JPS6148257B2 JP S6148257 B2 JPS6148257 B2 JP S6148257B2 JP 54007098 A JP54007098 A JP 54007098A JP 709879 A JP709879 A JP 709879A JP S6148257 B2 JPS6148257 B2 JP S6148257B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
mold
molding
frame
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP54007098A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5599729A (en
Inventor
Takashi Nakagawa
Tomoo Sakamoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP709879A priority Critical patent/JPS5599729A/ja
Publication of JPS5599729A publication Critical patent/JPS5599729A/ja
Publication of JPS6148257B2 publication Critical patent/JPS6148257B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は電子部品の樹脂モールド法に関し、
主としてトランジスタ,ICのごときリードフレ
ーム上に組立て封止する半導体装置を対象とす
る。
樹脂封止トランジスタの組立においては、複数
のリードを一体に形成した単位リードフレームを
複数個連結したリードフレームにおいてその各単
位フレームごとに半導体ペレツトをリードの一部
とともにフレーム単位で樹脂モールドすることが
一般に行われている。従来の樹脂モールド法にお
いては、モールド金型の関係から比較的短尺(例
えばトランジスタ用フレーム25個分137mm)を使
用し、ペレツト付,ワイヤによる電極付を行なつ
た後、治具によりモールド金型(下型)上に移し
て樹脂モールドを行なうものである。この場合リ
ードフレームはモールド温度(170℃)に加熱さ
れているモールド金型に接して常温(30℃)から
急速に熱膨張し伸びによる金型との位置誤差があ
るが、短尺であることにより全長の伸び量はわず
かでありパイロツトピンによる位置決めに支障は
なかつた。しかし、半導体装置組立の連続化のた
め長尺(300mm,600mm又はそれを超えるもの)の
リードフレーム、連続のリードフレームあるいは
極端に熱容量の大きいパワー用リードフレームを
モールドする際に、予めリードフレームを加熱し
ないで型内に移してモールドする場合、リードフ
レームがすべて金型に密着する確率は低く(つま
り、リードフレームが浮く為に)型締が完了する
までにリードフレームの温度は必要なモールド温
度まで上らないために各単位リードフレームがモ
ールド金型のパイロツトピンの所定のピツチに合
うように至らず、そのままでモールドするとリー
ドフレームとモールド型位置との間にズレを生
じ、ズレ量が大きいとリードフレームにかじりを
生じてしまう。リードフレーム連続体を型に入れ
てから何らかの方法で(熱風、金型にフレームを
押える等)充分に時間をかけて温度を上げれば適
正な加熱を与えることもあるが、長尺,連続のリ
ードフレームの場合モールドのサイクルタイムが
長くなり、又、確実性もなく、能率低下となるな
ど問題があつた。
本発明は上記した従来技術の問題点を解消する
べくなされたものであり、その目的は長尺,連続
のリードフレームのモールド型における位置ずれ
をなくすこと、又、長尺,連続のリードフレーム
を短尺のリードフレームと同等の短サイクルでモ
ールドできるようにすることである。
上記目的を達するためこの発明においては、長
尺又は連続のリードフレームの樹脂モールドにあ
たつて、モールド型の前段階又は型の近傍でリー
ドフレームをモールド温度又はそれに近い温度に
予め加熱し、しかる後モールドを行なうことを要
旨とするものであり、またリードフレームのモー
ルド前の加熱を上下のモールド型間において、例
えばリードフレーム保持具を介して行なうことを
特徴とするものである。
以下本発明をトランジスタ素子が組立てられた
長尺又は連続のリードフレームを連続モールドす
る場合の実施例にそつて詳細に説明する。
第1図aは本発明によるトランジスタ用リード
フレームの組立品のモールド前の形態を示し、1
はリード、2はタブ、3はタブ上に組立てられた
トランジスタ素子(ペレツト)で、ペレツトの電
極と他リードの間はワイヤポンデイングされてい
る。4は連続フレームで単位フレームごとにパイ
ロツト孔5をあけてある。第1図bは樹脂モール
ド後のリードフレームを示し、6は樹脂モールド
体である。モールド後の最終工程で各単位フレー
ムごとにフレーム部分が切離される。
第2図はモールド前のステーシヨンで連続状の
リードフレームを予備加熱する形態を示し、7は
スプロケツトを有するローラで、連続状のリード
フレーム8を上下金型9,10の横幅に合わせた
所定間隔で横送りし、かつ保持する。11はプリ
ヒート部で、例えばヒータを内蔵するブロツクに
リードフレームを密接させてモールド温度(170
℃)又はそれに近い温度に加熱し、所定温度に達
したとき次のモールド型に移送され、型締め後樹
脂モールドを行なう。
第3図はモールド型の近傍、例えば上下の金型
9,10の間にブリヒート部を設けてリードフレ
ームを加熱する形態を示す。このプリヒート部は
リードフレームを保持するガイドレール12にヒ
ータ13を内蔵したものである。ヒータ以外には
外側より赤外線照射を行なうようにしてもよい。
第4図aはモールド前に上型と下型の間でリー
ドフレームをガイドレールにより保持する状態を
示す。同図bは上型と下型とを型締めしたモール
ド時の状態を示す。
第5図はリードフレームを保持するガイドレー
ルの断面を示し、14はリードフレーム8を片側
で挾持するガイドレール本体、15はスプロケツ
ト、16はスプロケツト軸受、13はヒータであ
る。
第6図は上下のモールド型とその間に設置され
たガイドレール12にそつてリードフレーム組立
品17を流し、モールド前の予備加熱を行なう形
態を示す。リードフレームの組立品はシステム内
に組込まれたモータ18により、左側から2列の
モールド未完成の状態で送りこまれる。所定のリ
ードフレーム送りの後、クラツチ19が自動的に
切れてモールドすべき位置(上下型の間)で連続
のリードフレームをガイドレール12により保持
された状態で停止させる。このガイドレールに内
蔵されているヒータ(プレートヒート部)13に
よりリードフレームはモールド温度に近い温度
(150〜160゜)に加熱される。次にモールド下型
10が上昇し、ガイドレールと一緒に連続リード
フレームのパイロツト穴にモールド下型のパイロ
ツトピン20が挿入され、連続リードフレームが
所定位置に固定される。この状態でモールド上型
9とモールド下型10とが上下より合致し型締め
を完了する。この型締めの時点で、連続リードフ
レームは既にガイドレールによつて加熱されてい
るために充分に熱膨張を行なつており、最初のセ
ツテイングにいて位置決めができておれば、環境
やモールドサイクルの変化に影響されることなく
パイロツトピンで連続リードフレーム9位置を規
定できる。この後樹脂材料を型のキヤビテイに射
出してモールド完了後モールド下型が下降し、モ
ールド完成品が離型され、連続モールドのサイク
ルが終了する。
以上実施例で述べた本発明によれば下記の理由
で前記目的を達成できる。
(1) モールド型に入れる前に予めモールド温度に
近い温度にリードフレームを加熱することによ
り、モールド型とリードフレームとの間の位置
ズレのないモールドが可能となる。例えばCu
製の長尺リードフレームをガイドレールに保持
して常温(30℃)からモールド温度(170℃)
に昇温してモールドを行なう場合鉄(Fe)製
の金型では、1ピツチ(5.5mm)当り約6μm
の補正が必要である。したがつて長尺(300〜
660mm)のリードフレームの組立品をモールド
する場合、クラツチ19を、基準にリードフレ
ームが停止したときリードフレームが完全に熱
膨張しないうちに型締めするとモールド金型と
リードフレームのピツチが合わずリードフレー
ムとパイロツトピンがかじつたり、モールド体
とリードとが位置ずれし、極端の場合、第7図
に示すように封止されるべきリードの一部21
がモールド体22の外に露出した。しかし本発
明によればプレヒート部でモールド温度に加熱
した後に型締めしてモールドするため型とフレ
ームの位置ずれによる不良が皆無となつた。
(2) リードフレームをモールド型の近傍でモール
ド温度まで加熱しておくことにより、リードフ
レームの昇温を待つて型締めする必要がなく、
リードフレーム保持状態で常時加熱され、ステ
ーシヨンよりモールド型に移動時に温度低下す
ることなく又、リードフレームの型への接触に
よる熱膨張時間を考慮する必要がなく、モール
ドのサイクルタイムを短縮することができる。
例えば従来は短尺(137mm)のリードフレーム
を予備加熱することなく直接モールド金型に接
触させ数秒間の加熱(30→170℃)を行なつた
が、本発明の場合、長尺(300mm)のリードフ
レームをガイドレールに保持段階でモールド温
度に加熱しておくことにより、短尺のリードフ
レームの場合と同等又はそれより、短いサイク
ルでモールドが可能となつた。
本発明は前記実施例に限定されない。実施例で
は連続のリードフレームについて説明したが、長
尺(定尺)のリードフレームを使用した組立品の
場合についても本発明を応用できる。本発明の対
象はトランジスタ以外にダイオード,IC等の製
造において300mmを超える長尺,連続、あるいは
極端に熱容量の大きいリードフレームを使用する
電子部品組立品に適用できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図aは本発明の樹脂モールドの対象となる
リードフレームの一例を示すモールド前の平面
図、第1図bは同じくモールド後の平面図であ
る。第2図は本発明の一実施形態を示すモールド
装置の正面図、第3図a,bは本発明の他の実施
形態を示すモールド装置の正面図及び側面図、第
4図a及びbは夫々第3図のモールド装置におけ
る型の開いている状態及び閉じている状態を示す
側面図、第5図はリードフレームを保持するガイ
ドレールの側面断面図、第6図は本発明における
モールド装置の使用時の斜視図である。第7図は
従来法によりモールドした場合のモールド不良品
の例を示す斜視図である。 1……リード、2……タブ、3……ペレツト、
4……フレーム、5……パイロツト孔、6……モ
ールド体、7……ローラ、8……リードフレー
ム、9……モールド上型、10……モールド下
型、11……プリヒート部、12……ガイドレー
ル、13……ヒータ、14……ガイドレール本
体、15……スプロケツト、16……スプロケツ
ト軸受、17……フレーム組立品、18……モー
タ、19……クラツチ、20……パイロツトピ
ン、21……リード露出部、22……モールド
体。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 複数のリードを一体に形成した単位リードフ
    レームを複数個連結した長尺又は連続状のリード
    フレームにおいてその各単位フレーム上に接続さ
    れた電子部品をリードの一部とともに樹脂モール
    ドするにあたつて、リードフレームを上下モール
    ド金型内へ移送する前に予備加熱し、そして上下
    モールド金型間へ移送した状態においても予備加
    熱を行い、しかる後リードフレームをその上下モ
    ールド金型で型締めしモールドを行なうことを特
    徴とする電子部品の樹脂モールド法。
JP709879A 1979-01-26 1979-01-26 Resin molding method of electronic part Granted JPS5599729A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP709879A JPS5599729A (en) 1979-01-26 1979-01-26 Resin molding method of electronic part

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP709879A JPS5599729A (en) 1979-01-26 1979-01-26 Resin molding method of electronic part

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5599729A JPS5599729A (en) 1980-07-30
JPS6148257B2 true JPS6148257B2 (ja) 1986-10-23

Family

ID=11656596

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP709879A Granted JPS5599729A (en) 1979-01-26 1979-01-26 Resin molding method of electronic part

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5599729A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59204245A (ja) * 1983-05-06 1984-11-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の樹脂封止方法
JPH02100332A (ja) * 1988-10-06 1990-04-12 Rohm Co Ltd フープ状リードフレームに対するモールド部の成形装置
JP2551100Y2 (ja) * 1990-07-17 1997-10-22 日本電気株式会社 半導体素子封入装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5110066A (ja) * 1974-07-11 1976-01-27 Takao Nishikawa Kokumotsusenbetsusochi
JPS5337380A (en) * 1976-09-17 1978-04-06 Matsushita Electronics Corp Schottky barrier type semiconductor
JPS5393782A (en) * 1977-01-26 1978-08-17 Mitsubishi Electric Corp Preheating method of sealing resin in resin sealing and device for the same
JPS5399263A (en) * 1977-02-14 1978-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Automatic assembly machine for resin molding base

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5110066A (ja) * 1974-07-11 1976-01-27 Takao Nishikawa Kokumotsusenbetsusochi
JPS5337380A (en) * 1976-09-17 1978-04-06 Matsushita Electronics Corp Schottky barrier type semiconductor
JPS5393782A (en) * 1977-01-26 1978-08-17 Mitsubishi Electric Corp Preheating method of sealing resin in resin sealing and device for the same
JPS5399263A (en) * 1977-02-14 1978-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Automatic assembly machine for resin molding base

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5599729A (en) 1980-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW202234534A (zh) 樹脂成型品的製造方法、成型模和樹脂成型裝置
JPS6148257B2 (ja)
JP7102238B2 (ja) 樹脂成形装置および樹脂成形品の製造方法
JP3077645B2 (ja) リードフレーム搬送装置及びそれを備えた樹脂封止装置
JP2004140047A (ja) 樹脂封止装置
JPH09153505A (ja) 半導体装置の樹脂封止装置及び封止方法
KR920001987Y1 (ko) 반도체칩의 컴파운드성형모울드
JP3006533B2 (ja) 半導体のフープリードフレームの封入金型およびフープリードフレームのセット方法
KR200197172Y1 (ko) 리드프레임용 메거진
KR0164131B1 (ko) 와이어 본딩용 히터 블럭
JP2001077135A (ja) 半導体装置の樹脂封止方法及び装置
KR200171486Y1 (ko) 와이어 본더의 열공급장치
JPH0719785B2 (ja) 半導体装置の樹脂モールド方法
JP2940752B2 (ja) 半導体樹脂封止装置
JPH0265148A (ja) 熱圧着ワイヤボンディング方法
JPH0620578Y2 (ja) 半導体射出成型機
JPS6258546B2 (ja)
JPH10242375A (ja) 半導体装置用リードフレームの製造設備
JP2551100Y2 (ja) 半導体素子封入装置
JPH088363A (ja) リードフレームおよびそれを用いた半導体装置ならびに半導体製造方法およびその製造に用いるモールド金型
JPS6297813A (ja) モ−ルド金型
JPS5852106Y2 (ja) トランスファ−成形機
JP2781233B2 (ja) リードフレームのモールド・フォーミング方法及びモールド・フォーミング装置
JP2818870B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JPS6384033A (ja) 半導体装置の製造方法