JPS6384033A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6384033A JPS6384033A JP61227809A JP22780986A JPS6384033A JP S6384033 A JPS6384033 A JP S6384033A JP 61227809 A JP61227809 A JP 61227809A JP 22780986 A JP22780986 A JP 22780986A JP S6384033 A JPS6384033 A JP S6384033A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
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- Die Bonding (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置の製造方法、特にエポキシ系樹脂で
のダイボンディング、後工程の高温雰囲気での固着安定
化及びワイヤボンディングの一連の工程における製造方
法の改良に関する。
のダイボンディング、後工程の高温雰囲気での固着安定
化及びワイヤボンディングの一連の工程における製造方
法の改良に関する。
（従来の技術）
従来、−１−記製造方法はエポキシ系樹脂でリードフレ
ームに半導体ペレットをダイボンディングした後、約２
５０℃程度の高温雰囲気にさらすことにより、この固着
安定化を図り、次に搬送等の取扱いのため室温近辺まで
一旦リードフレームの温度を低下させ、しかる後、再び
ワイヤボンディング工程で予備加熱を行い、高温加熱状
態でワイヤボンディングを行うことが一般的であり、特
に銅フレームの場合には予備加熱後に搬送することが一
般に行われていた。
ームに半導体ペレットをダイボンディングした後、約２
５０℃程度の高温雰囲気にさらすことにより、この固着
安定化を図り、次に搬送等の取扱いのため室温近辺まで
一旦リードフレームの温度を低下させ、しかる後、再び
ワイヤボンディング工程で予備加熱を行い、高温加熱状
態でワイヤボンディングを行うことが一般的であり、特
に銅フレームの場合には予備加熱後に搬送することが一
般に行われていた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記従来例の場合、高温状態のリードフ
レームを室温付近まで戻すために、この時間がかなり長
くかかってしまうばかりでなく、ワイヤボンディング工
程においては、リードフレームをワイヤボンディングす
る前に予備加熱をかｊする必要があり、このためインデ
ックスの低下を来たし、しかも装置としてかなり複雑と
なってしまう。また銅フレーム等熱膨張率の大きいもの
では、搬送中に急に熱が加えられるため、搬送トラブル
の原因になりやすくなってしまうといった問題点があっ
た。
レームを室温付近まで戻すために、この時間がかなり長
くかかってしまうばかりでなく、ワイヤボンディング工
程においては、リードフレームをワイヤボンディングす
る前に予備加熱をかｊする必要があり、このためインデ
ックスの低下を来たし、しかも装置としてかなり複雑と
なってしまう。また銅フレーム等熱膨張率の大きいもの
では、搬送中に急に熱が加えられるため、搬送トラブル
の原因になりやすくなってしまうといった問題点があっ
た。
本発明は上記に鑑み、製造時間の短縮、ワイヤボンディ
ング工程における搬送トラブルの減少、インデックスの
アップ及びワイヤボンディングの信頼性の向上等を図っ
たものを提供することを目的としてなされたものである
。
ング工程における搬送トラブルの減少、インデックスの
アップ及びワイヤボンディングの信頼性の向上等を図っ
たものを提供することを目的としてなされたものである
。
（問題点を解決するための手段）
本発明はに２目的を達成するため、リードフレームに半
導体ペレットをグイボンディングし、高温雰囲気にさら
してこの固着安定化を図った後、このリードフレームを
室温付近まで低下させることなく、比較的高温状態に保
ったままでワイヤボンディングを行うようにしたもので
ある。
導体ペレットをグイボンディングし、高温雰囲気にさら
してこの固着安定化を図った後、このリードフレームを
室温付近まで低下させることなく、比較的高温状態に保
ったままでワイヤボンディングを行うようにしたもので
ある。
（作 用）
而して、エポキシ系樹脂等による接着の固着安定化を図
るため、５温雰囲気にさらして高温状態となったリード
フレームを、高温状態に保ったままでワイヤボンディン
グを行うことにより、ワイヤボンディング工程において
必要不可欠な予備加熱を省略して、この予備加熱に伴う
諸欠点を防止するものである。
るため、５温雰囲気にさらして高温状態となったリード
フレームを、高温状態に保ったままでワイヤボンディン
グを行うことにより、ワイヤボンディング工程において
必要不可欠な予備加熱を省略して、この予備加熱に伴う
諸欠点を防止するものである。
（実施例）
次に本発明の実施例について説明する。
先ず、第２図に示すように、リードフレーム１の上面に
エポキシ樹脂系を介して半導体ペレット２をｉａ置しこ
の接着をするダイボンディングを行う。
エポキシ樹脂系を介して半導体ペレット２をｉａ置しこ
の接着をするダイボンディングを行う。
このグイボンディング後に、接着剤としてのエポキシ樹
脂の固着安定化を図るために約２５０℃程度の高温雰囲
気にさらし、しかる後、この高温状態のままに保ってワ
イヤボンディングを行うのであるが、これを例えば、第
１図に示すように半導体ペレット２を載置したリードフ
レーム１をフレーム供給部に備えた加熱装置（ヒータ）
３の上面に載置してこのワイヤボンディングへの供給を
行うことにより行う。
脂の固着安定化を図るために約２５０℃程度の高温雰囲
気にさらし、しかる後、この高温状態のままに保ってワ
イヤボンディングを行うのであるが、これを例えば、第
１図に示すように半導体ペレット２を載置したリードフ
レーム１をフレーム供給部に備えた加熱装置（ヒータ）
３の上面に載置してこのワイヤボンディングへの供給を
行うことにより行う。
即ち、このように高温状態にあるリードフレーム１を高
温状態に保つことにより、リードフレーム１の温度が低
下してしまうことを防止して、ワイヤボンディングの際
の予備加熱を省略し、これにより、ワイヤボンディング
の際に必要不可欠な予備加熱を省略して、これに伴う諸
欠点を防止するのである。
温状態に保つことにより、リードフレーム１の温度が低
下してしまうことを防止して、ワイヤボンディングの際
の予備加熱を省略し、これにより、ワイヤボンディング
の際に必要不可欠な予備加熱を省略して、これに伴う諸
欠点を防止するのである。
なお、上記加熱装置３を使用することなく、例えば、図
示しないがエポキシ系樹脂を使用してリードフレームに
半導体ペレットをダイボンディングした後、例えばロボ
ット等のアームにより、リードフレームを多数枚マガジ
ン等の中に入れ、これを２５０℃程度の高温雰囲気の炉
の中に入れ、半導体ペレットがリードフレームに固着安
定化した後、ロボット等のアームにより、マガジンをワ
イヤボンディング工程のフレーム供給部に運び、高温状
態のリードフレームを搬送してワイヤボンディングを行
うようにしても良い。
示しないがエポキシ系樹脂を使用してリードフレームに
半導体ペレットをダイボンディングした後、例えばロボ
ット等のアームにより、リードフレームを多数枚マガジ
ン等の中に入れ、これを２５０℃程度の高温雰囲気の炉
の中に入れ、半導体ペレットがリードフレームに固着安
定化した後、ロボット等のアームにより、マガジンをワ
イヤボンディング工程のフレーム供給部に運び、高温状
態のリードフレームを搬送してワイヤボンディングを行
うようにしても良い。
更に、エポキシ系樹脂を使用してのリードフレームのダ
イボンディングの後、搬送レール上のリードフレームを
後工程の約２５０℃程度の高温雰囲気の中に搬送し、こ
の固着安定化の後、搬送レール１−のり−ドフレームを
高温状態のままワイヤボンディング工程まで搬送してワ
イヤボンディングを行うようにしても良い。
イボンディングの後、搬送レール上のリードフレームを
後工程の約２５０℃程度の高温雰囲気の中に搬送し、こ
の固着安定化の後、搬送レール１−のり−ドフレームを
高温状態のままワイヤボンディング工程まで搬送してワ
イヤボンディングを行うようにしても良い。
要するに、エポキシ系樹脂を固着安定化させるために必
要不可欠な作業である高温状態にさらした後、この高温
状態を保ったまま次工程であるワイヤボンディングを行
うことにより、このワイヤボンディング行うに当たって
予備加熱を省略するようにすれば良いのである。
要不可欠な作業である高温状態にさらした後、この高温
状態を保ったまま次工程であるワイヤボンディングを行
うことにより、このワイヤボンディング行うに当たって
予備加熱を省略するようにすれば良いのである。
而して、上記高温状態で搬送されて（るリードフレーム
を予備加熱することなく、通常の方法でワイヤボンディ
ングを行うのである。
を予備加熱することなく、通常の方法でワイヤボンディ
ングを行うのである。
本発明は、上記のような構成であるので、ワイヤボンデ
ィングの際の予備加熱が不要となり、これによって全工
程時間の短縮及びエネルギーの節約を図ることができる
ばかりでなく、ワイヤボンディング工程でのプレヒート
ヒータが不要となり、装置自体の簡略化を図り、しかも
インデックスのアップを図ることができる。
ィングの際の予備加熱が不要となり、これによって全工
程時間の短縮及びエネルギーの節約を図ることができる
ばかりでなく、ワイヤボンディング工程でのプレヒート
ヒータが不要となり、装置自体の簡略化を図り、しかも
インデックスのアップを図ることができる。
更に、搬送トラブルが減少するとともに、ワイヤボンデ
ィングの信頼性が向上するといった効果がある。
ィングの信頼性が向上するといった効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第２図はリ
ードフレームに半導体チップをグイボンディングした状
態を示す・上面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・半導体チップ、３・
・・加熱装置。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第２目
ードフレームに半導体チップをグイボンディングした状
態を示す・上面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・半導体チップ、３・
・・加熱装置。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第２目
Claims (1)
- リードフレームに半導体ペレットをダイボンディングし
、高温雰囲気にさらしてこの固着安定化を図った後、こ
のリードフレームを室温付近まで低下させることなく、
比較的高温状態に保ったままでワイヤボンディングを行
うようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61227809A JPS6384033A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61227809A JPS6384033A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6384033A true JPS6384033A (ja) | 1988-04-14 |
Family
ID=16866719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61227809A Pending JPS6384033A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6384033A (ja) |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP61227809A patent/JPS6384033A/ja active Pending
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