JPS6148149B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6148149B2
JPS6148149B2 JP52002922A JP292277A JPS6148149B2 JP S6148149 B2 JPS6148149 B2 JP S6148149B2 JP 52002922 A JP52002922 A JP 52002922A JP 292277 A JP292277 A JP 292277A JP S6148149 B2 JPS6148149 B2 JP S6148149B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoreceptor
polycyclic aromatic
nitro compound
upper layer
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP52002922A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5389433A (en
Inventor
Tooru Nakazawa
Keiichi Nagahashi
Tatsuo Aizawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Mita Industrial Co Ltd
Original Assignee
Mita Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mita Industrial Co Ltd filed Critical Mita Industrial Co Ltd
Priority to JP292277A priority Critical patent/JPS5389433A/ja
Priority to CA000295001A priority patent/CA1119449A/en
Priority to GB1714/78A priority patent/GB1570576A/en
Priority to IT19314/78A priority patent/IT1092743B/it
Priority to DE2801914A priority patent/DE2801914C2/de
Priority to NL7800575A priority patent/NL7800575A/xx
Priority to FR7801206A priority patent/FR2377655B1/fr
Publication of JPS5389433A publication Critical patent/JPS5389433A/ja
Publication of JPS6148149B2 publication Critical patent/JPS6148149B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/043Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
    • G03G5/047Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure characterised by the charge-generation layers or charge transport layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明は新芏な積局構成を有する電子写真甚感
光䜓に関する。 埓来技術 電子写真法においおは、光導電局を備えた感光
䜓をコロナ攟電等の手段により荷電し、次いで画
像露光を行぀お前蚘光導電局衚面に静電朜像を圢
成させ、しかる埌光導電局衚面に珟像剀を斜しお
前蚘静電朜像に察応するトナヌ像を圢成させ、光
導電局衚面のトナヌ像を耇写玙に転写する方匏が
広く䜿甚されおいる。トナヌ像が転写された埌の
感光䜓は残存トナヌのクリヌニング行皋に賊され
た埌、前述した荷電行皋等の諞行皋に再び䟛され
る。 反埩䜿甚するための電子写真感光䜓は、感光局
䞊にトナヌを盎接定着するタむプの感光䜓ずは異
な぀た幟぀かの特性が芁求される。即ち、前者の
感光䜓は比范的早い暗枛衰特性感光局の未露光
郚の衚面電䜍が暗䞭においお枛衰する特性ず無
芖できる皋小さい残留電䜍感光局の露光郚に残
留する電䜍ずを有しおいるこずが、反埩耇写に
際しおカブリを防止し䞔぀感光䜓の寿呜を長くす
るために重芁である。感光䜓の残留電䜍が倧きい
堎合には、転写行皋においお既にカブリの原因ず
なるばかりではなく、この堎合、或いは感光䜓の
暗枛衰速床が遅い堎合の䜕れの堎合にも、感光䜓
衚面に圢成される静電朜像等の静電荷が転写及び
クリヌニング等の行皋を終えた埌においおも、感
光䜓衚面に残存し、次回の耇写操䜜に際しおカブ
リの原因ずなる。たた、暗枛衰速床が遅い堎合に
は、転写行皋を終了した埌においおも、トナヌ粒
子が感光板衚面に静電的に比范的匷い吞匕力で匕
き付けられおいる結果ずしお、耇写玙䞊ぞのトナ
ヌの転写効率が比范的䜎く、䞔぀残存トナヌを感
光板衚面から脱離させるために匷床の払拭操䜜が
必芁ずなり、これに䌎な぀お感光䜓衚面の損傷が
より早く生じるこずになる。 たた、前者のタむプの感光䜓、即ち反埩䜿甚型
の感光䜓では、感光䜓そのものの、機械的、電気
的或いは化孊的耐久性が䞀局高床に芁求されるこ
ずになる。即ち、この感光䜓は攟電及び光線照射
の凊理を反埩しお受けるこず、及び磁気ブラシや
クリヌニング郚材ずの摩擊を反埩しお受けるこず
に関連しお、感光䜓の光導電局の機械的損傷や電
気的、化孊的劣化を受け易く、或いは光導電局が
導電性基䜓から剥離する等のトラブルを䜿甚䞭に
生じ易い。 埓来、感光䜓の光導電局を圢成する物質ずしお
は、皮々の無機又は有機の光導電䜓が知られおい
る。かかる光導電䜓の内、フタロシアニン乃至は
フタロシアニン誘導䜓は、化孊的、電気的に耐久
性が倧であり、たた安䟡に入手し埗るため、電子
写真甚感光䜓の原料ずしお既に以前から着目され
おいる。 発明が解決しようずする問題点 しかしながら、フタロシアニン乃至はフタロシ
アニン誘導䜓を光導電䜓ずしお䜿甚する公知の電
子写真甚感光䜓は、前述した芁求を未だ十分に満
足させるものではなか぀た。䟋えば、フタロシア
ニン乃至はフタロシアニン誘導䜓を電気絶瞁性結
着剀に分散されたものを光導電局ずしお導電性基
䜓䞊に蚭けた感光䜓は、䞀般に荷電行皋での衚面
電䜍の倀が䜎くたた衚面電䜍の立䞊り速床も䜎
く、露光行皋での残留電䜍が未だ無芖できないレ
ベルにあり、曎に未露光郚分での電䜍の䜎䞋、即
ち暗枛衰速床が小さいずいう欠点を有しおいる。 埓぀お本発明は、電子写真甚感光䜓においお、
フタロシアニン乃至はその誘導䜓を光導電䜓ずし
お䜿甚した堎合に生じる䞊蚘欠点を解決するこず
を技術的課題ずするものである。 発明の構成 本発明の電子写真甚感光䜓は、 (i) 導電性基質、 (ii) 有機高分子光導電䜓(A)ずしおのポリビニルカ
ルバゟヌル又はその栞眮換誘導䜓ず、倚環芳銙
族ニトロ化合物(B)ずしおのトリ又はテトラニト
ロフルオレノンずを、1.7乃至
2.2の重量比で含有しお成る光導電性䞭間
局、 及び、 (iii) 銅フタロシアニン又はその誘導䜓(C)ず、前蚘
倚環芳銙族ニトロ化合物(B)ずを、結着剀䞭に
10乃至1025の重量比で含有しお
成る光導電性䞊局、 を積局しお成るものである。 䜜甚 本発明の感光䜓においおは、光導電性䞊局ずし
お、銅フタロシアニン又はその誘導䜓(C)ず、倚環
芳銙族ニトロ化合物(B)ずしおのトリ又はテトラニ
トロフルオレノンずを、 10乃至1025 特に、 10乃至1020 の重量比で結着剀䞭に含有させたものを甚いるこ
ずが重芁な特城である。 埓来、フタロシアニン乃至はその誘導䜓ず倚環
芳銙族ニトロ化合物ずを組合せお光導電局ずしお
䜿甚するこずは公知に属するが、公知の凊方では
倚環芳銙族ニトロ化合物を本発明の範囲よりもか
なり少ない量で䜿甚しおいる。しかしお、倚環芳
銙族ニトロ化合物を本発明範囲よりも少ない量で
䜿甚した堎合には、埌述する比范䟋及び衚に
瀺す通り、暗枛衰速床があたりにも遅くなるず共
に、残留電䜍も無芖できないレベルの倀ずなり、
かかる光導電局は、高速反埩耇写に際しおカブリ
を生じる傟向が倧ずなり、たたクリヌニングに倧
きなロヌドがかかる結果ずしお耐刷性反埩耇写
に耐える回数も著しく䜎䞋するこずになる。䞀
方、倚環芳銙族ニトロ化合物を本発明範囲よりも
倚い量で䜿甚した堎合には、埌述する比范䟋及
び衚に瀺す通り、残留電䜍を実質䞊れロになる
ずしおも、暗枛衰速床があたりにも速くなり、コ
ントラストず濃床の高い耇写画像を埗るこずが困
難ずなる。これに察しお、本発明に埓い、銅フタ
ロシアニン乃至はその誘導䜓に察する倚環芳銙族
ニトロ化合物の配合量を䞊述した範囲に遞ぶずき
には、高速反埩耇写に際しお、残留電䜍を無芖し
埗るレベルに䜎枛させ埗るず共に、暗枛衰速床
を、トナヌ転写時からクリヌニング開始時たでの
間に電䜍の急激な䜎䞋が生じるように制埡するこ
ずが可胜ずなり、これによりトナヌ像転写効率の
向䞊、クリヌニング䜜業性の向䞊、カブリ防止及
び耐刷性の向䞊等の効果を䞀挙に達成するこずが
可胜ずなるのである。かように、銅フタロシアニ
ン乃至はその誘導䜓に察しお、倚環芳銙族ニトロ
化合物が䞊述した量比で暗枛衰速床制埡剀ずしお
䜜甚するずいう効果は、本発明者等によ぀おはじ
めお芋出されたものず蚀えよう。 たた本発明の感光䜓においおは、䞊述した光導
電性䞊局第䞀の光導電局ず導電性基䜓ずの間
に、有機高分子光導電䜓(A)ずしおのポリビニルカ
ルバゟヌル又はその栞眮換䜓ず、倚環芳銙族ニト
ロ化合物(B)ずしおのトリ又はテトラニトロフルオ
レノンずを、 1.7乃至1.22 の重量比で含有する光導電性䞭間局第二の光導
電局を蚭けるこずも極めお重芁である。 即ち、銅フタロシアニン又はその誘導䜓倚環
芳銙族ニトロ化合物結着剀から成る光導電局
を、盎接導電性基䜓䞊に蚭けた感光板は、埌述す
る比范䟋及び衚に瀺す通り、䞀次衚面電䜍
荷電埌露光前の感光䜓の衚面電䜍がかなり䜎
く、たた荷電に際しお衚面電䜍の立䞊り速床も遅
く、曎に光枛衰半枛期secで衚わされる感床
も未だかなり䜎いずいう点で䞍満足なものであ
る。これに察しお、本発明に埓い、有機高分子光
導電䜓(A)ず倚環芳銙族ニトロ化合物(B)ずから成る
䞭間局第二の光導電局を、䞊局第䞀の光導
電局ず導電性基䜓ずの間に蚭けるずきには、暗
枛衰特性に悪圱響を䞎えるこずなしに、これらの
諞特性を著しく改善し埗るのであ぀お、この事実
は埌述する比范䟋ず実斜䟋ずを察比するこず
により盎ちに明癜ずなろう。 たた、高分子光導電䜓ず倚環芳銙族ニトロ化合
物ずが、前者が電子䟛䞎䜓、埌者が電子受容䜓ず
しおコンプレツクスを圢成し、増感さた光導電局
を圢成するこずは、埓来から䞀般に知られおい
る。 しかしながら、本発明の感光䜓の䞭間局におい
おは、前蚘倚環芳銙族ニトロ化合物は、䞊述した
配合量の範囲内で感光䜓衚面、即ち第䞀の光導電
局の荷電特性を制埡するように䜜甚するのであ
る。即ち、倚環芳銙族ニトロ化合物の配合量が本
発明範囲よりも䜎い堎合には、埌述する比范䟋
及び衚に瀺す通り、反埩耇写操䜜䞭に感光䜓衚
面に残留電䜍が次第に蓄積しお、カブリの原因ず
なるず共に、光導電局の電気的劣化の原因ずな
り、耐刷性が著しく䜎䞋するのである。䞀方、倚
環芳銙族ニトロ化合物の配合量が本発明範囲より
も倚い堎合には、埌述する比范䟋及び衚に瀺
す通り、䞀次衚面電䜍が著しく䜎䞋し䞔぀衚面電
䜍の立䞊り速床も著しく小さくな぀お、満足すべ
き耇写画像を埗るこずが困難ずなる。これに察し
お、本発明に埓い高分子光導電䜓ず倚環芳銙族ニ
トロ化合物ずを前述した量比で組合せるずきに
は、光導電局衚面での荷電特性を、䞀次衚面電䜍
の倀及び荷電による衚面電䜍の立䞊り速床を十分
なレベルに高めながら、残留電䜍を無芖し埗るレ
ベルに䜎䞋させ、残留電䜍の蓄積による悪圱響を
防止するように制埡するこずが可胜ずなるのであ
る。 たた本発明の積局感光䜓においおは、䞊蚘䞭間
局は、積局感光䜓の耐剥離性等の機械的性質を著
しく改善する様に䜜甚する。 即ち、銅フタロシアニン倚環芳銙族ニトロ化
合物結着剀から成る光導電局を、金属基䜓䞊に
盎接斜した感光䜓は、埌述する感圧テヌプ剥離詊
隓で容易に光導電局の剥離が生じるのに察しお、
本発明の積局感光䜓は、同様な詊隓で剥離を生じ
ないのであ぀お、機械的性質の改善も顕著である
こずが了解される。 䜜甚効果 かくしお本発明によれば、感光䜓の暗枛衰速床
に反埩耇写に適した範囲に制埡するず共に、残留
電䜍を無芖し埗る皋床迄枛少させるこずが可胜ず
なり、かくしおカブリを防止し、トナヌの転写効
率を向䞊させ、曎に感光䜓の寿呜を著しく延長さ
せ埗る。 本発明の積局感光䜓は、機械的、化孊的乃至は
電気的な耐久性においおも際立぀お優れおいる。 本発明の積局感光䜓は、感光䜓衚面をプラス垯
電させ、反埩耇写を行うための電子写真耇写機甚
の感光䜓ずしお特に有甚である。 発明の奜適実斜態様の説明 導電性基䜓 本発明においお、導電性基䜓ずしおは、銅、ア
ルミニりム、銀、錫、鉄等の箔乃至は、板をシヌ
ト状或いはドラム状にしたものが䜿甚され、或い
はこれらの金属を、プラスチツクフむルム等に、
真空蒞着、無電解メツキ等の手段で薄膜状に斜し
たものが䜿甚される。 光導電性䞭間局第二の光導電性局 本発明においお、䞊蚘の導電性基䜓䞊に積局さ
せる光導電性䞭間局は、有機高分子光導電䜓(A)ず
しおのポリビニルカルバゟヌル又はその栞眮換誘
導䜓、䟋えばハロゲン、アルキル眮換誘導䜓ず、
倚環芳銙族ニトロ化合物(B)ずしおのトリ又はテト
ラニトロフルオレノンずを含有しお成る。 トリ又はテトラニトロフルオレノンずしおは、
具䜓的に・・−トリニトロフルオレノン、
・・・−テトラニトロフルオレノンが挙
げられる。 この有機高分子光導電䜓(A)ず倚環芳銙族ニトロ
化合物(B)ずは、 1.7乃至2.2 の重量比で含有されおいる。 光導電性䞊局第䞀の光導電局 本発明によれば、䞊蚘の光導電性䞊局の䞊に曎
に光導電性䞊局が積局される。 この光導電性䞊局は、銅フタロシアニン又はそ
の誘導䜓(C)ず、前蚘䞭間局においおも䜿甚される
倚環芳銙族ニトロ化合物(B)、即ちトリ又はテトラ
ニトロフルオレノンずを、結着剀䞭に含有しお成
るものである。 この銅フタロシアニン又はその誘導䜓(C)を倚環
芳銙族ニトロ化合物(B)ずは、 10乃至1025 特に、 10乃至1020 の重量比で含有されおいる。 これらを分散せしめる結着剀ずしおは、それ自
䜓公知の高分子結着剀、特に電気絶瞁性の結着剀
の任意のものを䜿甚し埗る。かかる結着剀ずしお
は、ポリアクリル酞゚ステル、ポリメタクリル酞
゚ステル、アクリル酞メタクリル酞゚ステル共
重合䜓、アクリル酞スチレン共重合䜓、無氎マ
レむン酞スチレンメタクリル酞゚ステル共重
合䜓等のアクリル暹脂ポリスチレン、ポリメチ
ルスチレン等のビニル芳銙族重合䜓塩化ビニ
ル酢酞ビニル共重合䜓、塩化ビニル酢酞ビニ
ル共重合䜓−郚分ケン化物乃至は−郚分ケン化・
アセタヌル化物、塩化ビニル酢酞ビニル無氎
マレむン酞共重合䜓等の塩化ビニル暹脂ポリ酢
酞ビニル等のビニル゚ステル重合䜓スチレン
ブタゞ゚ン共重合䜓、アクリルニトリルスチレ
ンブタゞ゚ン共重合䜓の劂きブタゞ゚ン共重合
䜓゚チレン酢酞ビニル共重合䜓、゚チレン
アクリル酞共重合䜓、アむオノマヌ等のオレフむ
ン暹脂゚チレンブチレン−テレフタレヌト
む゜フタレヌトの劂きポリ゚ステル暹脂ポリア
ミド又はコポリアミド暹脂ポリカヌボネヌト
アルキド暹脂䞍飜和ポリ゚ステル暹脂アクリ
ルりレタン等のりレタン暹脂゚ポキシ暹脂フ
゚ノヌル−ホルムアルデヒド暹脂尿玠−ホルム
アルデヒド暹脂キシレン暹脂メラミン−ホル
ムアルデヒド暹脂等の皮又は皮以䞊の組合
せを挙げるこずができる。甚いる結着剀は䞀般に
×1011Ω−cm以䞊の電気䜓積固有抵抗を有
しおいるこずが望たしい。本発明の目的に特に奜
たしい結着剀はアクリル暹脂である。 結着剀の䜿甚量は特に制限はないが、䞀般的に
蚀぀お、銅フタロシアニン乃至はその誘導䜓(C)
100重量郚圓り100乃至1000重量郚、特に300乃至
500重量郚の量で䜿甚するのが望たしい。 たた、本発明においおかかる光導電性䞊局に
は、シリコヌン油を配合するこずが奜たしい。 即ち、シリコヌン油を配合するずきには、露光
行皋及び珟像行皋の間は、暗枛衰速床を比范的小
さい倀に保ちながら、次の転写行皋乃至はクリヌ
ニング行皋においお、暗枛衰速床を著しく高い倀
に制埡しお、未露光郚分の残存電荷の急激な䜎䞋
をもたらし埗るのである。かくしお、本発明のこ
の奜適態様によれば、電荷の蓄積が有効に防止さ
れ、カブリ防止、トナヌ転写効率の向䞊、絶瞁砎
壊防止、クリヌニング特性の向䞊等の顕著な䜜甚
効果が達成され、曎に塗垃䜜業性や塗膜の平滑性
も顕著に向䞊させるこずができる。 シリコヌン油ずしおは、ポリゞメチルシロキサ
ン、ポリメチルプニルシロキサン、ポリハむド
ロゞ゚ンメチルシロキサン、ポリメチルアミノプ
ロピルシロキサン、これらの共重合䜓、ゞメチル
シロキサン゚チレンオキサむド・ブロツク共重
合䜓等をあげるこずができるが、入手が容易であ
り、本発明の目的に奜適なシリコヌン油はポリゞ
メチルポリシロキサン油である。 シリコヌン油の配合量は広範囲に倉化させ埗る
が、本発明のこの目的には、銅フタロシアニン乃
至はその誘導䜓(C)100重量郚圓り乃至150重量
郚、特に25乃至85重量郚ずするのがよい。 感光䜓の補造 本発明の積局感光䜓は、䞀般に、有機高分子光
導電䜓(A)及び倚環芳銙族ニトロ化合物(B)を前述し
た量比で含有する溶液を導電性基䜓䞊に䞭間局ず
しお塗垃し、也燥し、次いで銅フタロシアニン乃
至はその誘導䜓(C)ず倚環芳銙族ニトロ化合物(B)を
前述した量比で含有する液状の結着剀組成物を前
蚘䞭間局に塗垃し、必芁に応じ也燥するこずによ
り補造される。 䞭間局圢成甚被芆組成物を調補するための有機
溶媒ずしおは、ベンれン、トル゚ン、キシレン等
の芳銙族炭化氎玠溶媒ゞオキサン、テトラヒド
ロフラン等の環状゚ヌテルメチル゚チルケト
ン、メチルむ゜ブチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類ダむアセトンアルコヌル、゚チレ
ングリコヌル、む゜ブチルアルコヌル等のアルコ
ヌル類シクロヘキサン等の脂環族炭化氎玠等の
皮又は皮以䞊の組合せが䜿甚できる。 この被芆甚組成物は、䞀般に乃至80、特に
乃至30の固圢分濃床で導電性基䜓䞊に斜すの
が奜たしい。圢成した塗膜は䞀般に10乃至200℃
の枩床で也燥しお䞭間局ずする。 有機高分子光導電䜓(A)ず倚環芳銙族ニトロ化合
物(B)を溶液䞭でコンプレツクス化させる代りに、
有機高分子光導電䜓(A)の溶液ず、倚環芳銙族ニト
ロ化合物(B)の溶液ずを、別個に調補し、各々の溶
液をこの順序或いは逆の順序に導電性基䜓䞊に塗
垃し、その堎でコンプレツクスを圢成させるこず
もできる。勿論、この堎合、䞭間局党䜓にわた぀
お均䞀なコンプレツクス局が圢成されおいなくお
も特に差支えはない。 䞊局圢成甚被芆組成物は、結着剀を前述した有
機溶媒の皮又は皮以䞊の組合せに溶解し、こ
の結着剀の溶液に銅フタロシアニン乃至はその誘
導䜓ず倚環芳銙族ニトロ化合物を分散乃至溶解さ
せお、均質化するこずにより䞀般に調補される。
この被芆甚組成物も䞀般に乃至80、特に乃
至30の固圢分濃床が塗垃䜜業性の点で奜適であ
る。 䞊局を圢成するに圓぀お若干の配慮が必芁であ
る。即ち、䞊局圢成甚被芆組成物の溶剀は、䞀般
に、䞭間局を構成する有機高分子光導電䜓ず倚環
芳銙族ニトロ化合物ずのコンプレツクスを実質的
に溶解しないような皮類のものであるこずが奜た
しい。勿論、䞊局圢成甚被芆組成物䞭の溶剀は䞭
間局を実質的に溶解するようなものであ぀おもよ
いが、この堎合には、䞊局甚の組成物を分以
内、特に分以内に固化させるようにするこずが
望たしい。 本発明の積局感光䜓においおは、䞭間局は0.1
乃至10ミクロンΌ、特に乃至Όの範囲に
あり、䞔぀䞊局は0.1乃至30Ό、特に乃至15ÎŒ
の範囲にあるこずが望たしい。䞭間局が䞊蚘範囲
よりも薄いずきには䞀次衚面電䜍やその立䞊り速
床が䜎くなる傟向があり、たた䞊蚘範囲よりも厚
いずきには残留電䜍が無芖し埗ないレベルずなり
カブリの発生、耐刷性䜎䞋の原因ずなる。䞊局が
前蚘範囲よりも薄いずきにはやはり䞀次衚面電䜍
やその立䞊り速床が䜎くなる傟向があり、たた厚
いずきには、感床、即ち光枛衰速床が䜎䞋し、曎
に絶瞁砎壊を生じる傟向がある。 実斜䟋 実斜䟋  ポリビニルカルバゟヌル以䞋PVKず蚘す
BASF瀟補ルビカン−17010ず・・
−トリニトロフルオレノン以䞋TNFず蚘す
20をテトラヒドロフラン溶液䞭に均䞀に混合溶
解した埌アルミフオむル40Ό䞊ぞ也燥厚が
Όずなるように塗垃也燥し、䞭間局を埗た。次に
フタロシアニンブルヌ以䞋Pcず蚘すBASF
瀟補ヘリオゲン・ブルヌ7800、TNF3、
アクリル暹脂䞉菱レヌペン株匏䌚瀟補FR−
1112D、固圢分4035をトル゚ン139䞭に
均䞀に混合分散した埌前蚘䞭間局䞊ぞ也燥厚が党
䜓で10Όずなるように䞊局を塗垃也燥100℃、
10分間するこずにより、本発明感光板を䜜成し
た。次に本発明感光板の性胜を刀断すべく、比范
感光板を甚意した。 比范䟋  前蚘実斜䟋の䞊局塗垃組成に斌おTNFの量
を0.3に倉曎しその他は党く同様にしお感光板
を䜜成した。 比范䟋  前蚘実斜䟋の䞊局塗垃組成に斌おTNF量を
10に倉曎し、その他は党く同様にしお感光板を
䜜成した。 比范䟋  前蚘実斜䟋の䞭間局塗垃組成に斌おTNF量
をに倉曎し、その他は党く同様にしお感光板
を䜜成した。 比范䟋  前蚘実斜䟋の䞭間局塗垃組成に斌おTNF量
を100に倉曎し、その他は党く同様にしお感光
板を䜜成した。 比范䟋  Pc3、TNF0.5、アクリル暹脂FR−
1112D35をトル゚ン139䞭に均䞀に混合、
分散した埌アルミフオむル40Ό䞊ぞ実斜䟋
ず同じ厚さ10Όになるよう塗垃也燥100
℃、10分間し感光板を䜜成した。 次に実斜䟋の感光板を垯電−露光−珟
像−転写−定着方匏のテスト機にお䜿甚詊隓を行
な぀た結果、解像力のある鮮明な画像を埗るこず
ができ、反埩䜿甚し、数千枚の耐刷胜力を埗るこ
ずができた。 又、䞊蚘感光板を川口電機株匏䌚瀟補
Electrostatic Paper Analyzerにお各皮の電気特
性を枬定し、その結果を衚に瀺した。 又、同様にしお耇写詊隓及び電気特性を枬定し
た比范䟋感光板の結果も衚に瀺した。
【衚】
【衚】 䞊述した実隓結果を量比ず諞電子孊的特性ずの
関連で芁玄しお瀺すず次の通りである。
【衚】 この衚−より、以䞋の効果が明確ずなる。即
ち、䞊局においおTNFの量比が本発明の芏定範
囲より少ない堎合には暗枛衰速床が小さくしかも
残留電䜍が増加し、感床も䜎䞋する比范䟋
、逆に倚い堎合には、暗枛衰速床が速くなり
過ぎる比范䟋。たた䞭間局においお、TNF
の量比が本発明の芏定範囲より少ない堎合には残
留電䜍が高く、暗枛衰速床も遅く、感床も䜎い
比范䟋。逆に倚い堎合には垯電量が䜎䞋する
比范䟋。 これに察しお、本発明によれば、䞊局及び䞋局
におけるTNFの含有量比を埓来のものからはは
るかに高い量でしかも䞀定の比率に遞ぶこずによ
り、垯電量を高い倀に維持し䞔぀暗枛衰を適圓な
速さに維持しながら、残留電䜍を䜎いレベルに枛
少させ぀぀、しかも感床を向䞊させ埗るこずが理
解される。 実斜䟋  前蚘実斜䟋の䞊局に䜿甚したアクリル暹脂を
固圢分割合にお同量の゚ポキシ暹脂シ゚ル石油
株匏䌚瀟補 ゚ピコヌト1009に代えるず共に溶
剀もトル゚ンからアセトンに代え、その他は党く
同様の芁領にお感光板を䜜成したずころ実斜䟋
の堎合ず同様、良奜な結果が埗られた。 実斜䟋  実斜䟋にお䜿甚したアクリル暹脂をポリ゚ス
テル暹脂東掋玡瞟株匏䌚瀟補 バむロン113固
圢分30に代え同様にしお感光板を䜜成したず
ころ実斜䟋の堎合ずほが同様の良奜な結果が埗
られた。 実斜䟋  実斜䟋の感光板䞊局䜜甚に際しお、硬化
剀シ゚ル石油株匏䌚瀟補 ゚ピキナアヌを
゚ピコヌト1009に察しお添加するこずによ
りさらに耐久性の優れた感光板が埗られた。 実斜䟋  前蚘実斜䟋の䞊局塗垃組成に察しおシリコヌ
ンオむル信越化孊工業株匏䌚瀟補 KF−96
を添加し、その他は党く同様にしお感光板を
䜜成した。この感光板を実斜䟋の堎合ず同様に
しおテストを行぀たずころ実斜䟋の結果に比べ
さらに耐刷性及びクリヌニング特性等の良奜な結
果が埗られた。 実斜䟋  前蚘実斜䟋の䞭間局塗垃組成に斌おTNFを
同量の・・・−テトラニトロフルオレノ
ンに眮き換え、その他は党く同様にしお感光板を
䜜成した。この感光板を実斜䟋で行぀たず同様
にしおテストを行぀たずころ実斜䟋の堎合ずほ
が同皋床の良奜な結果が埗られた。 実斜䟋  実斜䟋の䞊局塗垃組成に斌お、ヘリオゲンブ
ルヌ7800に代えおレゞノブルヌRSPレゞノカラ
ヌ工業株匏䌚瀟補 銅−フタロシアニンを䜿甚
しお感光板を䜜成した。次に実斜䟋ず同様にし
おテストを行぀たずころ、実斜䟋の結果ずほが
同様の良奜な結果が埗られた。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  (i) 導電性基質、 (ii) 有機高分子光導電䜓(A)ずしおのポリビニルカ
    ルバゟヌル又はその栞眮換誘導䜓ず、倚環芳銙
    族ニトロ化合物(B)ずしおのトリ又はテトラニト
    ロフルオレノンずを、1.7乃至
    2.2の重量比で含有しお成る光導電性䞭間
    局、 及び (iii) 銅フタロシアニン又はその誘導䜓(C)ず、前蚘
    倚環芳銙族ニトロ化合物(B)ずを、結着剀䞭に
    10乃至1025の重量比で含有しお
    成る光導電性䞊局、 を積局しお成るこずを特城ずする電子写真甚感光
    䜓。  前蚘結着剀がアクリル暹脂である特蚱請求の
    範囲第項の感光䜓。  前蚘䞊局は銅フタロシアニン又はその誘導䜓
    100重量郚圓り乃至150重量郚のシリコヌン油を
    含有する特蚱請求の範囲第項の感光䜓。  䞭間局が0.1乃至10Ό、䞊局が0.1乃至30Όの
    厚みを有する特蚱請求の範囲第項の感光䜓。
JP292277A 1977-01-17 1977-01-17 Photosensitive body for electrophotography Granted JPS5389433A (en)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP292277A JPS5389433A (en) 1977-01-17 1977-01-17 Photosensitive body for electrophotography
CA000295001A CA1119449A (en) 1977-01-17 1978-01-16 Photosensitive material containing an organic polymeric photoconductor, phthalocyanine derivative and an electron acceptor polycyclic aromatic nitro compound
GB1714/78A GB1570576A (en) 1977-01-17 1978-01-16 Photosensitive material for electrophotography
IT19314/78A IT1092743B (it) 1977-01-17 1978-01-17 Materiale fotosensibile per elettrofotografica
DE2801914A DE2801914C2 (de) 1977-01-17 1978-01-17 Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und dessen Verwendung
NL7800575A NL7800575A (nl) 1977-01-17 1978-01-17 Fotogevoelig materiaal voor elektrofotografie.
FR7801206A FR2377655B1 (ja) 1977-01-17 1978-01-17

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP292277A JPS5389433A (en) 1977-01-17 1977-01-17 Photosensitive body for electrophotography

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5389433A JPS5389433A (en) 1978-08-07
JPS6148149B2 true JPS6148149B2 (ja) 1986-10-22

Family

ID=11542830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP292277A Granted JPS5389433A (en) 1977-01-17 1977-01-17 Photosensitive body for electrophotography

Country Status (7)

Country Link
JP (1) JPS5389433A (ja)
CA (1) CA1119449A (ja)
DE (1) DE2801914C2 (ja)
FR (1) FR2377655B1 (ja)
GB (1) GB1570576A (ja)
IT (1) IT1092743B (ja)
NL (1) NL7800575A (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5424026A (en) * 1977-07-26 1979-02-23 Mita Industrial Co Ltd Photoconductive composition for electrophotography
JPS61123848A (ja) * 1984-11-21 1986-06-11 Canon Inc 電子写真感光䜓
JP2003015334A (ja) 2001-04-27 2003-01-17 Fuji Denki Gazo Device Kk 電子写真甚感光䜓およびその補造方法
JP2007108474A (ja) 2005-10-14 2007-04-26 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 電子写真甚感光䜓
KR101235002B1 (ko) 2008-07-18 2013-02-20 후지 덎킀 가부시킀가읎샀 신규 에틞렌계 화합묌, 귞것을 포핚하는 전하 수송 재료, 귞것을 포핚하는 전자 사진용 감ꎑ첎 및 귞의 제조 방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3672979A (en) * 1970-01-02 1972-06-27 Xerox Corp Method of producing a phthalocyanine photoconductive layer
FR2095660A5 (en) * 1970-06-01 1972-02-11 Eastman Kodak Co Electrophotographic composition of high sensitivity
NL7302762A (ja) * 1972-02-29 1973-08-31
US3903107A (en) * 1973-06-04 1975-09-02 Xerox Corp Direct alpha to X phase conversion of metal containing phthalocyanine

Also Published As

Publication number Publication date
FR2377655B1 (ja) 1984-03-23
IT1092743B (it) 1985-07-12
GB1570576A (en) 1980-07-02
DE2801914C2 (de) 1985-02-28
FR2377655A1 (ja) 1978-08-11
CA1119449A (en) 1982-03-09
DE2801914A1 (de) 1978-07-27
JPS5389433A (en) 1978-08-07
IT7819314A0 (it) 1978-01-17
NL7800575A (nl) 1978-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4784928A (en) Reusable electrophotographic element
JPS6148150B2 (ja)
JP2683624B2 (ja) プロセスナニット
US4214907A (en) Photosensitive material for electrophotography having a polyvinyl carbazole derivative, phthalocyanine, and an electron-acceptor
US4258116A (en) Process for developing electrostatic latent images
CA1066106A (en) Binder containing acrylic resin and polycarbonate for triaryl pyrazoline compound in charge transport layer
JP3244246B2 (ja) 電子写真感光䜓及び電子写真装眮
JPS6148149B2 (ja)
JPS62212669A (ja) 電子写真匏平版印刷甚原版
JPH01230048A (ja) スチレンず゚チルアクリレヌトのコポリマヌを含有する像圢成郚材
US3793234A (en) Liquid developer composition
US3668126A (en) Method of producing electrophotographic liquid developers having very fine coloring material
EP0114482A2 (en) A photosensitive composition for electrophotography
JPH03257459A (ja) 電子写真甚感光䜓
JP2976441B2 (ja) 電子写真感光䜓
CA1120306A (en) Photosensitive material containing an organic polymeric photoconductor, phthalocyanine derivative and an electron acceptor polycyclic aromatic nitro compound
JP2714658B2 (ja) 電子写真甚感光䜓
JPS612157A (ja) 積局電子写真感光䜓
US3352671A (en) Activated photoconductors and recording element therewith
JPS6380262A (ja) 電子写真感光䜓
JPS61252557A (ja) 電子写真感光䜓
JPS62286064A (ja) 電子写真匏平版印刷甚原版
JP2709368B2 (ja) 電子写真甚感光䜓
JPS60249153A (ja) 電子写真甚積局感光䜓
JP3345689B2 (ja) 単局型電子写真感光䜓