JPS6144794A - 発熱体 - Google Patents
発熱体Info
- Publication number
- JPS6144794A JPS6144794A JP16497584A JP16497584A JPS6144794A JP S6144794 A JPS6144794 A JP S6144794A JP 16497584 A JP16497584 A JP 16497584A JP 16497584 A JP16497584 A JP 16497584A JP S6144794 A JPS6144794 A JP S6144794A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating element
- supporting parts
- single crystal
- deformation
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、発熱体、特に半導体単結晶製造技術に用いて
効果のある高純度黒鉛発熱体に関する。
効果のある高純度黒鉛発熱体に関する。
半導体集積回路の基板として用いられるシリコン単結晶
の製造方法としては、石英坩堝内の多結晶シリコンを外
部から加熱して溶解させ、種結晶を浸して徐々に引き上
げ単結晶を育成させることが考えられる。
の製造方法としては、石英坩堝内の多結晶シリコンを外
部から加熱して溶解させ、種結晶を浸して徐々に引き上
げ単結晶を育成させることが考えられる。
石英坩堝内の多結晶シリコンを加熱する方法としては、
石英坩堝を黒鉛坩堝内に位置させ、さらにその周囲に所
定の間隔をおいて同心円状に円筒形の黒鉛発熱体を位置
させ、この黒鉛発熱体に直流電流を供給してジュール熱
を発生させて加熱することが考えられる。
石英坩堝を黒鉛坩堝内に位置させ、さらにその周囲に所
定の間隔をおいて同心円状に円筒形の黒鉛発熱体を位置
させ、この黒鉛発熱体に直流電流を供給してジュール熱
を発生させて加熱することが考えられる。
この場合、黒鉛発熱体の一端部の直径方向に対向する位
置には、電極を兼ねる二つの支持部が突設され、この二
つの支持部によって黒鉛発熱体の全体が支えられる構造
とすることが考えられる。
置には、電極を兼ねる二つの支持部が突設され、この二
つの支持部によって黒鉛発熱体の全体が支えられる構造
とすることが考えられる。
しかしながら、上記のような二点支持構造の発熱体にお
いては、使用中に支持部が位置される方向と直交する方
向に熱応力によってふくらみ、当初の真円形状から徐々
に楕円形状に変形をきたし、支持部が位置される部分が
内側に引き込まれ、内部に位置される黒鉛坩堝に接触し
漏電が発生するなどの欠点があり発熱体の長期使用が困
難である。
いては、使用中に支持部が位置される方向と直交する方
向に熱応力によってふくらみ、当初の真円形状から徐々
に楕円形状に変形をきたし、支持部が位置される部分が
内側に引き込まれ、内部に位置される黒鉛坩堝に接触し
漏電が発生するなどの欠点があり発熱体の長期使用が困
難である。
さらに発熱体の変形は石英坩堝内の温度分布の不均一化
をもたらし、製造される単結晶の品質歩留りを低下さセ
る原因となるなどの不都合があることを本発明者は見い
出した。
をもたらし、製造される単結晶の品質歩留りを低下さセ
る原因となるなどの不都合があることを本発明者は見い
出した。
なお、黒鉛発熱体用いる半導体単結晶製造技術について
、詳しく述べである例としては、工業調査会発行「電子
材料Ｊ１９８０年１０月号、Ｐ１０７〜Ｐ１１３がある
。
、詳しく述べである例としては、工業調査会発行「電子
材料Ｊ１９８０年１０月号、Ｐ１０７〜Ｐ１１３がある
。
本発明の目的は、変形を防止することが可能な発熱体を
提供することにある。
提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、円筒形の発熱体の周囲に３ケ所以上支持部を
設け、発熱体の自重および使用中におりる熱応力などを
分散して支持させることによって変形を防止できる構造
とし、前記目的を達成するものである。
設け、発熱体の自重および使用中におりる熱応力などを
分散して支持させることによって変形を防止できる構造
とし、前記目的を達成するものである。
第１図（ａｌは本発明の一実施例である発熱体の外観斜
視図であり、同図中矢印Ｂ−Ｂで示される方向から見た
図が第１図（ｂｌである。
視図であり、同図中矢印Ｂ−Ｂで示される方向から見た
図が第１図（ｂｌである。
たとえば高純度の黒鉛を円筒形に加圧成形してつくられ
る発熱体１には電気抵抗値を調整するために切り込み２
が全周にわたって形成されている。
る発熱体１には電気抵抗値を調整するために切り込み２
が全周にわたって形成されている。
さらに発熱体１の下端部には全周を等分する位置に、電
極を兼ねる一対のターミナル３ａおよび３ｂ’（支持部
）が対向して設けられ、さらにこのターミナル３ａおよ
び３ｂに直交する方向に、ターミナル３ａおよび３ｂと
同一形状の支持体４ａおよび４ｂ（支持部）が設けられ
ている。
極を兼ねる一対のターミナル３ａおよび３ｂ’（支持部
）が対向して設けられ、さらにこのターミナル３ａおよ
び３ｂに直交する方向に、ターミナル３ａおよび３ｂと
同一形状の支持体４ａおよび４ｂ（支持部）が設けられ
ている。
上記のように構成される発熱体１はシリコン単結晶製造
装置（図示せず）にターミナル３ａ、３ｂおよび支持体
ｊａ、４ｂの４ケ所を固定することによって取り付けら
れ、ターミナル３ａおよび３ｂに所定の直流電流が供給
されて加熱が行われる。
装置（図示せず）にターミナル３ａ、３ｂおよび支持体
ｊａ、４ｂの４ケ所を固定することによって取り付けら
れ、ターミナル３ａおよび３ｂに所定の直流電流が供給
されて加熱が行われる。
この場合、発熱体ｌが４ケ所で支持されているため、発
熱体１の自重および加熱時の熱応力などが分散して支持
され、使用時における変形が防止される。
熱体１の自重および加熱時の熱応力などが分散して支持
され、使用時における変形が防止される。
（１）１発熱体が３ケ所以上で支持される構造であるた
め、自重および加熱時の熱応力が分散され、発熱体の変
形が防止される。
め、自重および加熱時の熱応力が分散され、発熱体の変
形が防止される。
（２）、前記（１）の結果、一つの発熱体を長期間使用
することができる。
することができる。
（３）、前記（１）の結果、被加熱物に対する熱の供給
が均一に行われ、製造される半導体単結晶の品質および
歩留りが向上する。
が均一に行われ、製造される半導体単結晶の品質および
歩留りが向上する。
（４）、前記（１）の結果、大口径の発熱体を用いる半
導体単結晶製造装置の製作が可能となる。
導体単結晶製造装置の製作が可能となる。
（５）、前記＋２１． ＋３１の結果、生産性が向上す
る。
る。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、支持体の数４以上とすることも可能である。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体単結晶製造装
置に用いられる発熱体に適用した場合について説明した
が、それに限定されるものではなく、長時間均一な加熱
を必要とする工程に広く応用できる。
をその背景となった利用分野である半導体単結晶製造装
置に用いられる発熱体に適用した場合について説明した
が、それに限定されるものではなく、長時間均一な加熱
を必要とする工程に広く応用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図＋８＋は本発明の一実施例である発熱体の外観斜
視図、 第１図ｔｂ）は同図＋ａ＋において矢印Ｂ−Ｂで示され
る方向より見た平面図である。 １・・・発熱体、２・・・切り込み、３ａ、３ｂ・・・
ターミナル（支持部）、４ａ、４ｂ・・・支持体（支持
部）、。
視図、 第１図ｔｂ）は同図＋ａ＋において矢印Ｂ−Ｂで示され
る方向より見た平面図である。 １・・・発熱体、２・・・切り込み、３ａ、３ｂ・・・
ターミナル（支持部）、４ａ、４ｂ・・・支持体（支持
部）、。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、円筒形の発熱体であって、周上に３以上の支持部を
有することを特徴とする発熱体。 ２、発熱体が高純度の炭素で形成されることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の発熱体。 ３、発熱体が半導体単結晶製造装置に用いられる発熱体
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の発
熱体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16497584A JPS6144794A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 発熱体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16497584A JPS6144794A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 発熱体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6144794A true JPS6144794A (ja) | 1986-03-04 |
Family
ID=15803442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16497584A Pending JPS6144794A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | 発熱体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6144794A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0798404A2 (en) * | 1996-03-27 | 1997-10-01 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Apparatus for manufacturing single crystal of silicon |
| WO2003083188A1 (fr) * | 2002-04-02 | 2003-10-09 | Vladimir Vladimirovich Kostin | Dispositif pour etirer les monocristaux |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5239787A (en) * | 1975-09-20 | 1977-03-28 | Bayer Ag | Condensate and method of making it shukugoseiseibutsu oyobi sonoseizoho |
| JPS5692192A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method for growing semiconductor single crystal |
| JPS5711897A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Method of pulling up single crystal and device therefor |
-
1984
- 1984-08-08 JP JP16497584A patent/JPS6144794A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5239787A (en) * | 1975-09-20 | 1977-03-28 | Bayer Ag | Condensate and method of making it shukugoseiseibutsu oyobi sonoseizoho |
| JPS5692192A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method for growing semiconductor single crystal |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0798404A2 (en) * | 1996-03-27 | 1997-10-01 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Apparatus for manufacturing single crystal of silicon |
| EP0798404A3 (en) * | 1996-03-27 | 1997-11-05 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Apparatus for manufacturing single crystal of silicon |
| US5968266A (en) * | 1996-03-27 | 1999-10-19 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing single crystal of silicon |
| WO2003083188A1 (fr) * | 2002-04-02 | 2003-10-09 | Vladimir Vladimirovich Kostin | Dispositif pour etirer les monocristaux |
| EA007574B1 (ru) * | 2002-04-02 | 2006-12-29 | Владимир Владимирович Костин | Устройство для вытягивания монокристаллов |
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