JPS6142966A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6142966A JPS6142966A JP59165229A JP16522984A JPS6142966A JP S6142966 A JPS6142966 A JP S6142966A JP 59165229 A JP59165229 A JP 59165229A JP 16522984 A JP16522984 A JP 16522984A JP S6142966 A JPS6142966 A JP S6142966A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gate
- metal
- gaas
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59165229A JPS6142966A (ja) | 1984-08-07 | 1984-08-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59165229A JPS6142966A (ja) | 1984-08-07 | 1984-08-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6142966A true JPS6142966A (ja) | 1986-03-01 |
JPH0217932B2 JPH0217932B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1990-04-24 |
Family
ID=15808309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59165229A Granted JPS6142966A (ja) | 1984-08-07 | 1984-08-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6142966A (enrdf_load_stackoverflow) |
-
1984
- 1984-08-07 JP JP59165229A patent/JPS6142966A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0217932B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1990-04-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4711858A (en) | Method of fabricating a self-aligned metal-semiconductor FET having an insulator spacer | |
JPH0354464B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
JPS63263770A (ja) | GaAs MESFET及びその製造方法 | |
JPS59229876A (ja) | シヨツトキ−ゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法 | |
JPH0260217B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
JPS6142966A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS60165764A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
JPS622666A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JPS6160591B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
JP4186267B2 (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
JP3145881B2 (ja) | 化合物半導体素子の製造方法 | |
JPS6190470A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
JP2000353789A (ja) | 化合物半導体装置およびその製造方法 | |
JPS6218071A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JP2939269B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS61142776A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2731194B2 (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
JPS6260268A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
JPS6158274A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6143443A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH02234442A (ja) | 電界効果型半導体装置及びその製造方法 | |
JPH0770544B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6057980A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS59229875A (ja) | シヨツトキ−ゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法 | |
JPH06204259A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 |