JPS6142573A - 塗布溶液 - Google Patents
塗布溶液Info
- Publication number
- JPS6142573A JPS6142573A JP16370184A JP16370184A JPS6142573A JP S6142573 A JPS6142573 A JP S6142573A JP 16370184 A JP16370184 A JP 16370184A JP 16370184 A JP16370184 A JP 16370184A JP S6142573 A JPS6142573 A JP S6142573A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating solution
- diamine
- aromatic tetracarboxylic
- bis
- acid ester
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はポリイミド形成成分11度を高めた高濃度ポリ
イミド形成用の塗布溶液に関し、その目的とするところ
は最終的にポリイミド膜を形成した時に厚膜と成すこと
ができるポリイミド形成用の塗布溶液を提供することに
ある。
イミド形成用の塗布溶液に関し、その目的とするところ
は最終的にポリイミド膜を形成した時に厚膜と成すこと
ができるポリイミド形成用の塗布溶液を提供することに
ある。
従来、耐熱性、電気絶縁性、強靭性、耐薬品性など多く
の優れた特性を有する縮合型ポリイミドは、芳香族テト
ラカルボン酸二無水物lたはその誘導体と、芳香族ジア
ミンとをN−メチ/L/ −2−ピロリドンなとの不活
性溶剤中で通常80℃以下で付加重合し、ポリイミド前
駆体でるるポリアミド酸もしくはその誘導体とし、これ
を180〜350℃に加熱すること、もしくは無水酢酸
−ビリジン系で化学的縮合閉環などの方法によりホリイ
ミドへ変換し1いた。得られたポリイミドは可撓性銅張
印刷配線基板のベースフィルムとして、C種エナメルf
j[皮膜として、半導体素子表面保護膜、ソフトエラー
防止シールド膜、半導体素子層間絶縁膜なとの半導体用
として、および液晶セル有機配向膜などの多くの用途に
その優れた特性を発揮していることは広く周知の如くで
ある。しかしこれらいずnの場合もポリイミド形成用溶
液は、ポリアミド酸もしくはその誘導体を使用しており
、こO重合体は高分子量のため、実使用上溶解できる重
合体濃度は一般に5〜3Oi量%でめシ、これから得ら
れるポリイミド膜の厚みは、塗布溶液の厚さの5〜30
%の厚みしか厚み出しができず。
の優れた特性を有する縮合型ポリイミドは、芳香族テト
ラカルボン酸二無水物lたはその誘導体と、芳香族ジア
ミンとをN−メチ/L/ −2−ピロリドンなとの不活
性溶剤中で通常80℃以下で付加重合し、ポリイミド前
駆体でるるポリアミド酸もしくはその誘導体とし、これ
を180〜350℃に加熱すること、もしくは無水酢酸
−ビリジン系で化学的縮合閉環などの方法によりホリイ
ミドへ変換し1いた。得られたポリイミドは可撓性銅張
印刷配線基板のベースフィルムとして、C種エナメルf
j[皮膜として、半導体素子表面保護膜、ソフトエラー
防止シールド膜、半導体素子層間絶縁膜なとの半導体用
として、および液晶セル有機配向膜などの多くの用途に
その優れた特性を発揮していることは広く周知の如くで
ある。しかしこれらいずnの場合もポリイミド形成用溶
液は、ポリアミド酸もしくはその誘導体を使用しており
、こO重合体は高分子量のため、実使用上溶解できる重
合体濃度は一般に5〜3Oi量%でめシ、これから得ら
れるポリイミド膜の厚みは、塗布溶液の厚さの5〜30
%の厚みしか厚み出しができず。
しかも、従来のポリアミド酸もしくはその誘導体の溶液
を用いたのでは透明強靭なポリイミド膜が形成できる厚
かは通電100μmが限度でめシ、これ以上の厚み出し
をしようとし7c場合は、かえって透明強靭なポリイミ
ド膜が形成せず粉状金種するの叱にT″めった。このた
めポリイミドの厚膜が必要である用途に対して鉱、複数
回塗布により厚み出しを行なっていたが、これでは工程
の増加となシ、作業性低下の欠点となっていた。
を用いたのでは透明強靭なポリイミド膜が形成できる厚
かは通電100μmが限度でめシ、これ以上の厚み出し
をしようとし7c場合は、かえって透明強靭なポリイミ
ド膜が形成せず粉状金種するの叱にT″めった。このた
めポリイミドの厚膜が必要である用途に対して鉱、複数
回塗布により厚み出しを行なっていたが、これでは工程
の増加となシ、作業性低下の欠点となっていた。
本発明者らは上記事情に鑑シ9、作業性を低下させ勾こ
となく一回の塗布で100μ餌以上のポリイミド膜上形
成させんと鋭意検討した結果本発明に到達したものであ
る。すなわち本発明は、不活性溶媒中に、(a)次の一
般式(1) (ただし、Rx、Rzは水素または炭素数がl〜4のア
ルキル基またはCFsを示し、互いに同じであっても異
っていてもよい。R3,R4,Rs、R6は水素または
ハロゲンまたは炭素数1〜4のアルキ)V基でロシ、互
いに同じであっても異っていてもよい0)で示される4
核体ジアミン100〜50モル%と次の一般式(2) %式% (ただし、Ryは二価の有機基、1匈に一価の有機基を
示し、nは1〜101J Oの整数である。)で示され
るジアミノシロキサン0〜50モル%よりなるジアミン
成分と、(b)芳香族テトラカルボン酸エステルを、略
等モル溶解してなる塗布溶液に関するものである。つ咬
シ本発明では、一般式(1)で示nるジアミノシロキサ
ンとの併用を行なうが、こレラのジアミンと芳香族テト
ラカルボン酸エステルとを略等モル不活性溶剤中に溶解
し、高分子量程度での溶解にととめ、ポリイミド形成成
分でおる固形分濃度を著るしく向上6せ、高濃度化を計
ったものでるる。芳香族テトラカルボン酸二無水物は不
活性溶剤に溶解しないか、溶解したとしても、得られる
塗布溶液の保存中にジアミンと反応し、ポリアミド酸と
なるため、本発明では芳香族テトラカルボン酸ニス7−
/l/ヲ用いる。本発明においては塗布溶液の濃度向上
を行なうことで塗布後、加熱することによシ生成するポ
リイミド膜の厚膜形成が可能となったのである。本発明
でμ必須成分として一般式(1)で示される4核体ジア
ミンを用いることに特徴が有る。この4核体ジアミンを
具体的に例示すれば、好適にfi2・2−ビス〔4−(
4−7ミノフエノキシ)フェニル〕プロパンであるが、
その他2・2−ビス〔3−メチ/L/−4−(4−7ミ
ノフエノキシ)フェニル〕プロパン、2・2−ヒス〔3
−クロロ−4−(4−7ミノフエノキシ)フェニル〕プ
ロパン、1・1−ビス(4−(4−7ミノフエノキシ)
フェニル〕エタン、1−1−ビス〔3−メチル−4−(
4−7ミノフエノキシ)フェニル〕メタン、1φl−ビ
ス〔3−メチル−4−(4−7ミノフエノキシ)フェニ
ル〕メタン、1・l−ビス〔3−クロロ−4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕エタン、1・l−ビス〔3
吻5−ジメチル−4−(4−7ミノフエノキシ)フェニ
ル〕エタン、ビス〔4−(・(−7ミノフエノキシ少フ
ェニル〕メタン、ビス〔S3−メチル−4−(4−7ミ
ノフエノキシ)フェニルコメタン、ヒス(3−クロロ−
4−(4−7ミノフエノキシ)フェニル〕エタン、ビス
(3・5−ジメチル−4−(4−7ミノフエノキシ)フ
ェニル〕メタシなと′IJi挙げられる。一方従来のジ
アミンも厚膜成形&を低下させない範囲、通常上記4核
体ジアミン便用愈に対して30モル%まで置き換え可能
でろるが、それ以上の使用は厚膜成形性を低下するので
好ましくない。この様な従来のジアミンを敢えて列挙す
れはメタフエニ1/ンジ7ミン、パラフェニレンジアミ
ンなどの1核体ジアミン、4−4’−ジアミノジフェニ
ルメタン、4・4′−ジアミノジフェニルエーテル、2
・2′−ビス(4−7ミノフエニル)プロパン、3・3
′−ジアミノジフェニルスルホン ジフエニルスルホン、4・47−ジアミツジフエニルス
ルフイド ージスルホン酸、ペンレジシー3−モノスルホシ酸,ベ
ンジジン−3−モノカルボン酸、3・31−ジメトキシ
ベレジジンなとの2核体ジアミン、4・4″−ジアミノ
−P−ターフェニル、l・4−ビス(m−アミノフェノ
キシ)ベンゼン、1@4−ヒス(P−7Eノフエノキシ
)ベンゼン、1φ4−ビス(m−7ミノスルホニル)ベ
ンゼン、1・4−ビス(P−アミノフェニルスルホニル
ゼン、l・4−七゛ス(m−7ミノフエニルチオエーテ
)V)ベンゼン,1・4−ビスCP−7ミノフエニルチ
オエーテル)ベンゼンなどの3核体ジアミン、4・4′
−ジアミノジフェニルエーテル−−カルボンアミド、3
拳4′−ジアミノジフェニルエーテル−4−カルボンア
ミド、3・4′−ジ7ミノジフェニルエーテ/L/−3
’−カルボンアミド、3・3−ジアミジフェニルエーテ
ルー4ーカルボジアミドなどのジアミノカルボジアミド
化合物,4・4−(4−アミノフェノキシ)ジフェニル
スルホン ニルスルフィド、4・4’−(4−7ミノフエノキシ)
ジフェニルスルフィド エノキシ)ビフェニルなとの一般式(1)に含まれない
4核体ジアミンなどの芳香族ジアミンや、ヘキサメチレ
ンジアミン、ヘプタメチレンジアミンなどの脂肪族ジア
ミン、1や4−ジアミノシクロヘキサン、イソホロンジ
アミン、4・4′−ジアミノジシクロヘキシルメタンな
どの脂環族ジアミンなどが挙げられる。一般式filで
示される4核休ジアミンは、例えばポリイミドが一般的
にフィルムとして使用される場合は、塗布基板からの剥
離を必要とするため,一般式(21で示されるジアミノ
シロキサンは不必要でおる。しかし半導体素子表面保a
膜などの用途においては、生成するポリイミド膜と塗布
基板とのW着性が必要なため、密着性向上剤として一般
式(21で示されるシフ゛ミノシロキサンを併用するの
が好lしいつこのジアミノシロキサン4一般式(1)で
示される4核体ジアミンの50モル%までさらに好適に
は20モル%讐で置き換えができるが、それ以上の使用
量は#を熱性を低下させるので好ましくない。特に好適
には4核体ジアミンの1〜4−モル%をジアミノシロキ
サンで置き換える。この様なジアミノシロキサンは、そ
の代表例につき例示すれば以下の如くである。
となく一回の塗布で100μ餌以上のポリイミド膜上形
成させんと鋭意検討した結果本発明に到達したものであ
る。すなわち本発明は、不活性溶媒中に、(a)次の一
般式(1) (ただし、Rx、Rzは水素または炭素数がl〜4のア
ルキル基またはCFsを示し、互いに同じであっても異
っていてもよい。R3,R4,Rs、R6は水素または
ハロゲンまたは炭素数1〜4のアルキ)V基でロシ、互
いに同じであっても異っていてもよい0)で示される4
核体ジアミン100〜50モル%と次の一般式(2) %式% (ただし、Ryは二価の有機基、1匈に一価の有機基を
示し、nは1〜101J Oの整数である。)で示され
るジアミノシロキサン0〜50モル%よりなるジアミン
成分と、(b)芳香族テトラカルボン酸エステルを、略
等モル溶解してなる塗布溶液に関するものである。つ咬
シ本発明では、一般式(1)で示nるジアミノシロキサ
ンとの併用を行なうが、こレラのジアミンと芳香族テト
ラカルボン酸エステルとを略等モル不活性溶剤中に溶解
し、高分子量程度での溶解にととめ、ポリイミド形成成
分でおる固形分濃度を著るしく向上6せ、高濃度化を計
ったものでるる。芳香族テトラカルボン酸二無水物は不
活性溶剤に溶解しないか、溶解したとしても、得られる
塗布溶液の保存中にジアミンと反応し、ポリアミド酸と
なるため、本発明では芳香族テトラカルボン酸ニス7−
/l/ヲ用いる。本発明においては塗布溶液の濃度向上
を行なうことで塗布後、加熱することによシ生成するポ
リイミド膜の厚膜形成が可能となったのである。本発明
でμ必須成分として一般式(1)で示される4核体ジア
ミンを用いることに特徴が有る。この4核体ジアミンを
具体的に例示すれば、好適にfi2・2−ビス〔4−(
4−7ミノフエノキシ)フェニル〕プロパンであるが、
その他2・2−ビス〔3−メチ/L/−4−(4−7ミ
ノフエノキシ)フェニル〕プロパン、2・2−ヒス〔3
−クロロ−4−(4−7ミノフエノキシ)フェニル〕プ
ロパン、1・1−ビス(4−(4−7ミノフエノキシ)
フェニル〕エタン、1−1−ビス〔3−メチル−4−(
4−7ミノフエノキシ)フェニル〕メタン、1φl−ビ
ス〔3−メチル−4−(4−7ミノフエノキシ)フェニ
ル〕メタン、1・l−ビス〔3−クロロ−4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕エタン、1・l−ビス〔3
吻5−ジメチル−4−(4−7ミノフエノキシ)フェニ
ル〕エタン、ビス〔4−(・(−7ミノフエノキシ少フ
ェニル〕メタン、ビス〔S3−メチル−4−(4−7ミ
ノフエノキシ)フェニルコメタン、ヒス(3−クロロ−
4−(4−7ミノフエノキシ)フェニル〕エタン、ビス
(3・5−ジメチル−4−(4−7ミノフエノキシ)フ
ェニル〕メタシなと′IJi挙げられる。一方従来のジ
アミンも厚膜成形&を低下させない範囲、通常上記4核
体ジアミン便用愈に対して30モル%まで置き換え可能
でろるが、それ以上の使用は厚膜成形性を低下するので
好ましくない。この様な従来のジアミンを敢えて列挙す
れはメタフエニ1/ンジ7ミン、パラフェニレンジアミ
ンなどの1核体ジアミン、4−4’−ジアミノジフェニ
ルメタン、4・4′−ジアミノジフェニルエーテル、2
・2′−ビス(4−7ミノフエニル)プロパン、3・3
′−ジアミノジフェニルスルホン ジフエニルスルホン、4・47−ジアミツジフエニルス
ルフイド ージスルホン酸、ペンレジシー3−モノスルホシ酸,ベ
ンジジン−3−モノカルボン酸、3・31−ジメトキシ
ベレジジンなとの2核体ジアミン、4・4″−ジアミノ
−P−ターフェニル、l・4−ビス(m−アミノフェノ
キシ)ベンゼン、1@4−ヒス(P−7Eノフエノキシ
)ベンゼン、1φ4−ビス(m−7ミノスルホニル)ベ
ンゼン、1・4−ビス(P−アミノフェニルスルホニル
ゼン、l・4−七゛ス(m−7ミノフエニルチオエーテ
)V)ベンゼン,1・4−ビスCP−7ミノフエニルチ
オエーテル)ベンゼンなどの3核体ジアミン、4・4′
−ジアミノジフェニルエーテル−−カルボンアミド、3
拳4′−ジアミノジフェニルエーテル−4−カルボンア
ミド、3・4′−ジ7ミノジフェニルエーテ/L/−3
’−カルボンアミド、3・3−ジアミジフェニルエーテ
ルー4ーカルボジアミドなどのジアミノカルボジアミド
化合物,4・4−(4−アミノフェノキシ)ジフェニル
スルホン ニルスルフィド、4・4’−(4−7ミノフエノキシ)
ジフェニルスルフィド エノキシ)ビフェニルなとの一般式(1)に含まれない
4核体ジアミンなどの芳香族ジアミンや、ヘキサメチレ
ンジアミン、ヘプタメチレンジアミンなどの脂肪族ジア
ミン、1や4−ジアミノシクロヘキサン、イソホロンジ
アミン、4・4′−ジアミノジシクロヘキシルメタンな
どの脂環族ジアミンなどが挙げられる。一般式filで
示される4核休ジアミンは、例えばポリイミドが一般的
にフィルムとして使用される場合は、塗布基板からの剥
離を必要とするため,一般式(21で示されるジアミノ
シロキサンは不必要でおる。しかし半導体素子表面保a
膜などの用途においては、生成するポリイミド膜と塗布
基板とのW着性が必要なため、密着性向上剤として一般
式(21で示されるシフ゛ミノシロキサンを併用するの
が好lしいつこのジアミノシロキサン4一般式(1)で
示される4核体ジアミンの50モル%までさらに好適に
は20モル%讐で置き換えができるが、それ以上の使用
量は#を熱性を低下させるので好ましくない。特に好適
には4核体ジアミンの1〜4−モル%をジアミノシロキ
サンで置き換える。この様なジアミノシロキサンは、そ
の代表例につき例示すれば以下の如くである。
C6H50CI−Ia C6H3
CbHs QCHs C5Hs本発町で用いる
芳香族テトラカルボン酸エステルは、通常、分子120
0〜700程度のものを用いることができ、芳香族テト
ラカルボン酸二無水物とアルコール(通常はC数4以下
の一価アルコール)とt反応させて得ることができる。
芳香族テトラカルボン酸エステルは、通常、分子120
0〜700程度のものを用いることができ、芳香族テト
ラカルボン酸二無水物とアルコール(通常はC数4以下
の一価アルコール)とt反応させて得ることができる。
エステル([=行1うアルコールとしては、メタノール
、エタノール、n−プロパツール、5aC−プロパツー
ル、n−ブタノール、 aec−フタノール、 te?
t−ブタノールなどのアルコールが良く、好1しくはメ
タノール、エタン−3z、H−プロパツール、 8ee
−フタノールである。さらに好tL、<はメタノール、
エタノールでおる。エステル化に芳香族テトラカルボン
酸二無水物に対して過剰量のアルコールを反応容器に加
え、アルコールの沸点で加熱し還流を行ない、無水物基
1ケにズソしてアルコールを少くとも1ヶ反応させた芳
香族テトラカルボン酸ジエステル以上の多エステルとし
、反応終了後は過剰のアルコールを留去することによシ
得ることができる。エステル化に用いる芳香族テトラカ
ルボン酸二無水物は、一般的に分子thi:2(JO〜
500程度のものが用いられ、その具体例について例示
すると以下のμ口くでるる。すなわちピロメリット酸二
無水物、3・3′・4・4′−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物、3・3′e4や4′−ビフェニルテ
トラカルボン酸二11g水’tlJs 2・3・3′
・4′−ヒフェニルテトラカルボン酸二無7[1j、2
・3・6・7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
1・2・5・6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物
、l・4・5・8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、2・2′−ビス(3・4−ジカルボキシフエニ/L
/)プロパン二flFk水ms ヒス(3・4−ジカル
ボキシフェニル 無物%3−4・9・lO−ペリレンテトラカルボン酸二
m水物. ビス(3−4−ジカルボキシフェニル)エー
テルニ無水物、2・2’( 2・3−ジカルボキシフェ
ニル)プロパンニ無水物、1111′−ビス(2・3−
ジカルボキシフェニル 無水物、ベンゼン−1・2・3轡4−テトラカルボン酸
二無水物、2・3・6Φ7−アシドラセンテトラカル゛
ボン酸二無水物、l・2・7・8−フェナントレンテト
ラカルボン酸二無水物などがある。
、エタノール、n−プロパツール、5aC−プロパツー
ル、n−ブタノール、 aec−フタノール、 te?
t−ブタノールなどのアルコールが良く、好1しくはメ
タノール、エタン−3z、H−プロパツール、 8ee
−フタノールである。さらに好tL、<はメタノール、
エタノールでおる。エステル化に芳香族テトラカルボン
酸二無水物に対して過剰量のアルコールを反応容器に加
え、アルコールの沸点で加熱し還流を行ない、無水物基
1ケにズソしてアルコールを少くとも1ヶ反応させた芳
香族テトラカルボン酸ジエステル以上の多エステルとし
、反応終了後は過剰のアルコールを留去することによシ
得ることができる。エステル化に用いる芳香族テトラカ
ルボン酸二無水物は、一般的に分子thi:2(JO〜
500程度のものが用いられ、その具体例について例示
すると以下のμ口くでるる。すなわちピロメリット酸二
無水物、3・3′・4・4′−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物、3・3′e4や4′−ビフェニルテ
トラカルボン酸二11g水’tlJs 2・3・3′
・4′−ヒフェニルテトラカルボン酸二無7[1j、2
・3・6・7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
1・2・5・6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物
、l・4・5・8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、2・2′−ビス(3・4−ジカルボキシフエニ/L
/)プロパン二flFk水ms ヒス(3・4−ジカル
ボキシフェニル 無物%3−4・9・lO−ペリレンテトラカルボン酸二
m水物. ビス(3−4−ジカルボキシフェニル)エー
テルニ無水物、2・2’( 2・3−ジカルボキシフェ
ニル)プロパンニ無水物、1111′−ビス(2・3−
ジカルボキシフェニル 無水物、ベンゼン−1・2・3轡4−テトラカルボン酸
二無水物、2・3・6Φ7−アシドラセンテトラカル゛
ボン酸二無水物、l・2・7・8−フェナントレンテト
ラカルボン酸二無水物などがある。
この発明に特に好適ンよ芳香族テトラカルボン酸エステ
ルは, 3−3’− 4−4’−ヒフェニルテトラカ
ルボン酸ジメチルエステ)I/J?よび3ψ3′・4・
4′−ビフェニルテトラカルボン酸ジエチルエステルで
ある。この好適なジエステルは、通常は酸無水物基を有
しないジエステルでめる。この芳香族テトラカルボン酸
エステルを用いた場合,最もJQ[のポリイミド膜が形
成でき、しかも、形成したポリイミドはホリアミド酸を
経由して得られる同一構造のポリイミドと同等の特性が
得られる。もちろん、他の,二無水物エステルを使用す
る場合でも厚膜形成ができるが加熱方法をよ)緩和して
行なう等の手段tとるのが好ましい0 本発明では上記4核体ジアミン100〜50モル%およ
びジアミノシロキサン0〜5〇七ル%よシするジアミン
成分と芳香族デトラカルボン酸エステルを略等モル不活
性溶剤中に室温で、もしくは70℃以下で溶解する。加
温下で溶解きせたときには、脱アルコールによジイミド
化が進行するが、本発明に於ては分子−[2,000程
度1でにとどめるのが好ましい。溶液中のポリイミド形
成々分濃度である固形分濃度は使用する用途によって種
々変わシ得るが、目安としては塗布溶液の溶液粘度を1
(JOcps(センチポイズ(25±0.1℃時ノ〕に
調整したときの固形分濃度が40重量%以上とするのが
好ましい。本発明で用いる不活性溶剤としてはたとえば
N−メチ/L/−2−ピロリド〉、N−N’−ジメチル
ホルムアミド、N−N’−ジメチルアセトアミド、N−
N’−ジメチルスルホキシドサメチルホスホルアミドな
どの高極性塩基性溶剤が用いらILる○もちろん、上記
4核体ジアミン、ジアミノ゛シロキサンおよび芳香族テ
トラカルボン酸エステルからの低分子オリゴマーを溶解
できる溶斉Uたとえばアセトフェノン、ジオキサン、フ
ルフラー/L/専の溶剤を使用できるのは言うまでも無
い。
ルは, 3−3’− 4−4’−ヒフェニルテトラカ
ルボン酸ジメチルエステ)I/J?よび3ψ3′・4・
4′−ビフェニルテトラカルボン酸ジエチルエステルで
ある。この好適なジエステルは、通常は酸無水物基を有
しないジエステルでめる。この芳香族テトラカルボン酸
エステルを用いた場合,最もJQ[のポリイミド膜が形
成でき、しかも、形成したポリイミドはホリアミド酸を
経由して得られる同一構造のポリイミドと同等の特性が
得られる。もちろん、他の,二無水物エステルを使用す
る場合でも厚膜形成ができるが加熱方法をよ)緩和して
行なう等の手段tとるのが好ましい0 本発明では上記4核体ジアミン100〜50モル%およ
びジアミノシロキサン0〜5〇七ル%よシするジアミン
成分と芳香族デトラカルボン酸エステルを略等モル不活
性溶剤中に室温で、もしくは70℃以下で溶解する。加
温下で溶解きせたときには、脱アルコールによジイミド
化が進行するが、本発明に於ては分子−[2,000程
度1でにとどめるのが好ましい。溶液中のポリイミド形
成々分濃度である固形分濃度は使用する用途によって種
々変わシ得るが、目安としては塗布溶液の溶液粘度を1
(JOcps(センチポイズ(25±0.1℃時ノ〕に
調整したときの固形分濃度が40重量%以上とするのが
好ましい。本発明で用いる不活性溶剤としてはたとえば
N−メチ/L/−2−ピロリド〉、N−N’−ジメチル
ホルムアミド、N−N’−ジメチルアセトアミド、N−
N’−ジメチルスルホキシドサメチルホスホルアミドな
どの高極性塩基性溶剤が用いらILる○もちろん、上記
4核体ジアミン、ジアミノ゛シロキサンおよび芳香族テ
トラカルボン酸エステルからの低分子オリゴマーを溶解
できる溶斉Uたとえばアセトフェノン、ジオキサン、フ
ルフラー/L/専の溶剤を使用できるのは言うまでも無
い。
lだこれらの溶剤とともにトルエン、キシレン、ベシゾ
ニトリル、ベンゼン、フェノールの如キ汎用溶剤を併用
できるが、しかしその使用量は低分子オリゴマーの溶解
度を低下させない範囲にナベきである。
ニトリル、ベンゼン、フェノールの如キ汎用溶剤を併用
できるが、しかしその使用量は低分子オリゴマーの溶解
度を低下させない範囲にナベきである。
本発明のポリイミド形成用の塗布溶液は、これ全塗布基
板に塗布後、段階乾燥(例えば150℃で60分、続L
nて200℃で30分さらに250 ’Cで6時III
)を行なうのが好ましいが、この過程で4核体ジアミン
、場合によシ4核体ジアミンとジアミノシロキサンと、
芳香族テトラカルボン酸エステルが脱7/I/コールに
よシ縮重合し、高分子量ポリイミドへ変化するから、従
来のポリアミド酸もしくはその誘導体の溶液を゛塗布溶
液として用いる必要性が無い。
板に塗布後、段階乾燥(例えば150℃で60分、続L
nて200℃で30分さらに250 ’Cで6時III
)を行なうのが好ましいが、この過程で4核体ジアミン
、場合によシ4核体ジアミンとジアミノシロキサンと、
芳香族テトラカルボン酸エステルが脱7/I/コールに
よシ縮重合し、高分子量ポリイミドへ変化するから、従
来のポリアミド酸もしくはその誘導体の溶液を゛塗布溶
液として用いる必要性が無い。
以下に本発明を実施例によって具体的に説明するが、実
施例中溶液粘度、固形分濃度は次の様にして測定した。
施例中溶液粘度、固形分濃度は次の様にして測定した。
(1)溶液粘度
E型回転粘度計で、25土0.1℃で測定した。
(2)固形分濃度
2−Wl
ここにWロシャーレの重量(7)
W2:試料とシャーレの重量(,52)Ws : 15
0℃で60分さらに200’Cで60分乾燥した後の試
料とシャーレの重 量(、F) 実施例1 撹拌装置、冷却管2よび温度計を付したフラス中に、3
・3′・4・4′−ビフェニルテトラヵ゛ルボン酸二無
水物29.4/(0,1−1−/l/)とメタ/ −/
L/160y(5モル)を加え、64−65℃で6時間
反応系が透明となるまで加熱還流した。その後過剰のメ
タノールを留出し、さらに減圧下でメタノール残分を完
全に留去した。得られたエステル化物は酸価が311で
ろJ、IRスペクトルから3・3′・4・4′−ヒフェ
ニルテトラカルボン酸ジメチルエステルであることを確
認した。
0℃で60分さらに200’Cで60分乾燥した後の試
料とシャーレの重 量(、F) 実施例1 撹拌装置、冷却管2よび温度計を付したフラス中に、3
・3′・4・4′−ビフェニルテトラヵ゛ルボン酸二無
水物29.4/(0,1−1−/l/)とメタ/ −/
L/160y(5モル)を加え、64−65℃で6時間
反応系が透明となるまで加熱還流した。その後過剰のメ
タノールを留出し、さらに減圧下でメタノール残分を完
全に留去した。得られたエステル化物は酸価が311で
ろJ、IRスペクトルから3・3′・4・4′−ヒフェ
ニルテトラカルボン酸ジメチルエステルであることを確
認した。
上記操作で得られた3・3′・4・4′−ビフェニルテ
トラカルボン酸ジメチルエステル35.8.51(0,
1モル)と、2・2−ビス〔4−(4−7ミノフエノキ
シ)フェニル〕プロパン41.0.9(0,1モル)、
さらにN−メチル−2−ピロリドンfC76,8fl加
え、40℃で2時間撹拌し、透明溶液とした。得られた
溶液の固形分濃度は49.3%てめジ、酊液粘反は97
cpaであった。
トラカルボン酸ジメチルエステル35.8.51(0,
1モル)と、2・2−ビス〔4−(4−7ミノフエノキ
シ)フェニル〕プロパン41.0.9(0,1モル)、
さらにN−メチル−2−ピロリドンfC76,8fl加
え、40℃で2時間撹拌し、透明溶液とした。得られた
溶液の固形分濃度は49.3%てめジ、酊液粘反は97
cpaであった。
この溶液をドクターナイフを用いて溶液の塗布厚を60
0μm K調整して、ガラス板上に塗匝し、150℃で
60分間、175℃で30分間、200℃で30分間、
さらに300℃で60分間加熱し、刀ラス板から剥離後
、厚さ285μmの透明で強靭な可撓性の有るホリイミ
ドフイルムが得られ/こ0得られたフィルムの引張抗張
力は980に9/caでめった。
0μm K調整して、ガラス板上に塗匝し、150℃で
60分間、175℃で30分間、200℃で30分間、
さらに300℃で60分間加熱し、刀ラス板から剥離後
、厚さ285μmの透明で強靭な可撓性の有るホリイミ
ドフイルムが得られ/こ0得られたフィルムの引張抗張
力は980に9/caでめった。
実施例2
実施例1と同様なる反応容器に3・3・4・4′−ビフ
ェニルテトラカルボン醸二無水物29.411(0,1
モlし)とn−プロパツール300.5’(5モ)L/
)を加え、97℃で4時聞反応糸が透明となるlで力日
熱還流し、その後過剰のn−プロパツールを完全に留去
し、3・3′・4・4′−ビフェニルテトラカルボン酸
ジn−プロピルエステルを合成した。得らに、3・3′
・4・4′−ビフェニルテトラカルボン酸ジ11−プロ
ピ“ルエステル41.4g1C,2、2−ビス〔4−〔
4−7ミノフエノキシ)フェニル〕プロパン38.95
1i(0,095モル)とビス(3−7ミノブロビル)
テトラメチルジシロキサン1.249(0,005モル
)、もらにN−メチル−2−ピロリドン81.6IIを
加え、60℃で2時間撹拌し、完全に溶解し、固形分濃
度49.9%、溶液粘度635 cpaのこの発明のポ
リイミド形成用の塗布溶液を作製した0 実施例1と同様に、溶液の塗布厚みを600μ倶に調整
してガラス板上に塗布して、150℃で60分間、17
5℃で30分間、200℃で30分間さらに275℃で
60分間加熱゛シ、ガラス上に厚さ295μmの透明強
靭皮膜を形成した。この皮膜はガラス板との接着性が良
く#献できな力・った。 ゛実施例3 °実施例1で使用した3−;3’・4・4′−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物の代わりに3・3′・40
4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸を同モル使用し
て、以下同様にして固形分濃度49.3%、溶液粘度4
10 cPaのこの発明のポリイミド形成用の塗布溶液
を作製した。
ェニルテトラカルボン醸二無水物29.411(0,1
モlし)とn−プロパツール300.5’(5モ)L/
)を加え、97℃で4時聞反応糸が透明となるlで力日
熱還流し、その後過剰のn−プロパツールを完全に留去
し、3・3′・4・4′−ビフェニルテトラカルボン酸
ジn−プロピルエステルを合成した。得らに、3・3′
・4・4′−ビフェニルテトラカルボン酸ジ11−プロ
ピ“ルエステル41.4g1C,2、2−ビス〔4−〔
4−7ミノフエノキシ)フェニル〕プロパン38.95
1i(0,095モル)とビス(3−7ミノブロビル)
テトラメチルジシロキサン1.249(0,005モル
)、もらにN−メチル−2−ピロリドン81.6IIを
加え、60℃で2時間撹拌し、完全に溶解し、固形分濃
度49.9%、溶液粘度635 cpaのこの発明のポ
リイミド形成用の塗布溶液を作製した0 実施例1と同様に、溶液の塗布厚みを600μ倶に調整
してガラス板上に塗布して、150℃で60分間、17
5℃で30分間、200℃で30分間さらに275℃で
60分間加熱゛シ、ガラス上に厚さ295μmの透明強
靭皮膜を形成した。この皮膜はガラス板との接着性が良
く#献できな力・った。 ゛実施例3 °実施例1で使用した3−;3’・4・4′−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物の代わりに3・3′・40
4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸を同モル使用し
て、以下同様にして固形分濃度49.3%、溶液粘度4
10 cPaのこの発明のポリイミド形成用の塗布溶液
を作製した。
引続き実施例1と同様にして、溶液の塗布厚みを450
μmに調整してガラス板上にm rlJL s 120
℃で30分向、150℃で30分間、175℃で60分
間、200℃で30分局、さらに300 ”CT 60
分間加熱し、ガラス板から剥離後215μ倶の透明で強
靭な可撓性の有るポリイミドフィルムが得られた。得ら
れたフィルムの引張抗張力は820 kg/cAでめっ
た。
μmに調整してガラス板上にm rlJL s 120
℃で30分向、150℃で30分間、175℃で60分
間、200℃で30分局、さらに300 ”CT 60
分間加熱し、ガラス板から剥離後215μ倶の透明で強
靭な可撓性の有るポリイミドフィルムが得られた。得ら
れたフィルムの引張抗張力は820 kg/cAでめっ
た。
実施例4
実施例1で便用した2・2−ビス(4−(4−7ミノフ
エノキシ)フェニル〕プロパン41.0p(0,lモ/
L/)の代わりに、2・2−ビス(4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニルレノプロパン22.b5i0.05
5モル)とビス(3−アミノブロビルジテトラメチルシ
シロキサン11.18.5’(0,045モル)を使用
して以下同様にして固形分濃度50,0%。
エノキシ)フェニル〕プロパン41.0p(0,lモ/
L/)の代わりに、2・2−ビス(4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニルレノプロパン22.b5i0.05
5モル)とビス(3−アミノブロビルジテトラメチルシ
シロキサン11.18.5’(0,045モル)を使用
して以下同様にして固形分濃度50,0%。
溶液粘度90 cpHのこの発明のポリイミド形成用の
塗布溶液を作製した。引続き実施例1と同様にして溶液
の塗布厚与’1600μ洛にy4整してガラス板上に塗
布し、100℃で60分間、175℃で30分間、20
0℃で30分子I]さらに300”C”C’60分間加
熱し、ガラス板上に厚さ283μmの透明で可撓性の有
るポリイミドフィルムを形成させた。フィルムの引張抗
張力は580kCl/、−であった。
塗布溶液を作製した。引続き実施例1と同様にして溶液
の塗布厚与’1600μ洛にy4整してガラス板上に塗
布し、100℃で60分間、175℃で30分間、20
0℃で30分子I]さらに300”C”C’60分間加
熱し、ガラス板上に厚さ283μmの透明で可撓性の有
るポリイミドフィルムを形成させた。フィルムの引張抗
張力は580kCl/、−であった。
比較例1
実施例1と同様の反応容器に、3・3′・4・4′−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物29.4.p(0,
1モル)、2・2−ビス(4−(4−7ミノフエキシ)
フェニル〕プロパン41.0,9(0,1モル)すらに
N−メチル−2−ピロリドン281.6gを加え、30
℃以下(特に室温付近ないし、それに近い温度)に保ち
ながら撹拌した。これによって重合反応はすみやかに進
行し1反応系の粘度が上昇し、固形分濃度20.0%溶
溶液塵が2000000 cpa以上のホリ7ミド酸溶
液を作った。次にこれを60℃に保ち加熱熟成を行ない
溶液粘度を3000 cpsまで低下させた。
フェニルテトラカルボン酸二無水物29.4.p(0,
1モル)、2・2−ビス(4−(4−7ミノフエキシ)
フェニル〕プロパン41.0,9(0,1モル)すらに
N−メチル−2−ピロリドン281.6gを加え、30
℃以下(特に室温付近ないし、それに近い温度)に保ち
ながら撹拌した。これによって重合反応はすみやかに進
行し1反応系の粘度が上昇し、固形分濃度20.0%溶
溶液塵が2000000 cpa以上のホリ7ミド酸溶
液を作った。次にこれを60℃に保ち加熱熟成を行ない
溶液粘度を3000 cpsまで低下させた。
引続き実兄例1と同様にして、溶液の塗布厚みy&:6
00μmに調整してガラス板上に塗布し、150’Cテ
ロ 0分間、175℃で30分間、200℃テri。
00μmに調整してガラス板上に塗布し、150’Cテ
ロ 0分間、175℃で30分間、200℃テri。
分間さらに300℃で60分間加熱したきころ、透明で
強靭なフィルムは形成せず、黄色の粉状粒体でめった。
強靭なフィルムは形成せず、黄色の粉状粒体でめった。
次に溶液の塗布厚みをsootimに調整し、同様にし
てガラス板上に塗布し、加熱したところ厚さ93μ鴨の
透明強靭なポリイミドフィルムが得られた。しかし実施
例1と同程度の膜厚のフィルムとするには3回重ね塗布
が必要であった。
てガラス板上に塗布し、加熱したところ厚さ93μ鴨の
透明強靭なポリイミドフィルムが得られた。しかし実施
例1と同程度の膜厚のフィルムとするには3回重ね塗布
が必要であった。
比較例2
ルエーテル20.0I!(0,1モル)、さらにN−メ
チル−2−ピロリドン236.9,9を加え比較例1と
同様の操作によ少、!形分濃度14.8%、溶液粘度3
00cpsのポリイミド前駆体溶液を作製した。
チル−2−ピロリドン236.9,9を加え比較例1と
同様の操作によ少、!形分濃度14.8%、溶液粘度3
00cpsのポリイミド前駆体溶液を作製した。
引続き実施例1と同様にして、溶液の塗布厚みを600
μmに調整してガラス板上に塗布し、150℃で60分
間、200℃で60分間、さらに300℃で60分間加
熱し、ガラス板から剥離後、厚さ88μmの透明強靭な
ホリイミドフィルムが得られた。
μmに調整してガラス板上に塗布し、150℃で60分
間、200℃で60分間、さらに300℃で60分間加
熱し、ガラス板から剥離後、厚さ88μmの透明強靭な
ホリイミドフィルムが得られた。
しかし、実施例1と同程度の膜厚のフィルムとするため
には3@重ね塗布が必要でめった。上記実施例1〜4.
比較例1〜2によシ得られた塗布溶液を、該溶液を構成
する溶媒にて順次希釈し、所定濃度に於ける粘度(25
℃±1℃にて測定)を測定しグラフ化した結果を第1図
に示す。
には3@重ね塗布が必要でめった。上記実施例1〜4.
比較例1〜2によシ得られた塗布溶液を、該溶液を構成
する溶媒にて順次希釈し、所定濃度に於ける粘度(25
℃±1℃にて測定)を測定しグラフ化した結果を第1図
に示す。
第1図は本発明の塗布溶液の固形分濃度と溶液粘度との
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
Claims (3)
- (1)不活性溶媒中に、(a)次の一般式(1)▲数式
、化学式、表等があります▼・・・(1) (ただし、R_1、R_2は水素または炭素数が1〜4
のアルキル基またはCF_3を示し、互いに同じであつ
ても異つていてもよい。R_3、R_3、R_5、R_
6は水素またはハロゲンまたは炭素数1〜4のアルキル
基であり、互いに同じであつても異つていてもよい。)
で示される4核体ジアミン100〜50モル%と次の一
般式(2) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(2) (ただし、R_7は二価の有機基、R_8は一価の有機
基を示し、nは1〜1000の整数である) で示されるジアミノシロキサン0〜50モル%より、な
るジアミン成分と、(b)芳香族テトラカルボン酸エス
テルを、略等モル溶解してなる塗布溶液。 - (2)芳香族テトラカルボン酸エステルが3・3′、4
・4′−ビフェニルテトラカルボン酸エステルである特
許請求の範囲第1項記載の塗布溶液。 - (3)塗布溶液の固形分濃度が、溶液粘度を100cp
s(25±0.1℃)としたとき、40重量%以上であ
る特許請求の範囲第1項または第2項記載の塗布溶液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16370184A JPS6142573A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 塗布溶液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16370184A JPS6142573A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 塗布溶液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6142573A true JPS6142573A (ja) | 1986-03-01 |
JPH0219862B2 JPH0219862B2 (ja) | 1990-05-07 |
Family
ID=15778971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16370184A Granted JPS6142573A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | 塗布溶液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6142573A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61103960A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-22 | Agency Of Ind Science & Technol | Pmr型ポリイミド樹脂ワニス |
JPS63297427A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-12-05 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 熱可塑物用の特殊なポリイミド |
JPS63297428A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-12-05 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 特殊なポリイミドの鋳型成形フイルムおよび被覆剤としての使用 |
JPH01121325A (ja) * | 1987-11-04 | 1989-05-15 | Ube Ind Ltd | ポリイミドシロキサン組成物 |
JPH0211631A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-16 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 半導体保護用樹脂及び半導体 |
JPH0260934A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-03-01 | Amoco Corp | 中間層絶縁体および基板被膜用の低誘電率、低水分吸収ポリイミドおよびコポリイミド |
EP0436929A2 (en) * | 1990-01-02 | 1991-07-17 | Occidental Chemical Corporation | Crystalline polyimidesiloxanes |
JPH03195730A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-27 | Hitachi Chem Co Ltd | シロキサン変性ポリイミド及びその前駆体 |
JPH0423833A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-28 | Ube Ind Ltd | 塗膜形成用のポリイミドシロキサン組成物および膜 |
JPH0436321A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-06 | Ube Ind Ltd | ポリイミドシロキサン組成物および固化膜 |
-
1984
- 1984-08-02 JP JP16370184A patent/JPS6142573A/ja active Granted
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61103960A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-22 | Agency Of Ind Science & Technol | Pmr型ポリイミド樹脂ワニス |
JPS63297427A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-12-05 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 熱可塑物用の特殊なポリイミド |
JPS63297428A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-12-05 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | 特殊なポリイミドの鋳型成形フイルムおよび被覆剤としての使用 |
JPH01121325A (ja) * | 1987-11-04 | 1989-05-15 | Ube Ind Ltd | ポリイミドシロキサン組成物 |
JPH0260934A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-03-01 | Amoco Corp | 中間層絶縁体および基板被膜用の低誘電率、低水分吸収ポリイミドおよびコポリイミド |
JPH0211631A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-16 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 半導体保護用樹脂及び半導体 |
JPH03195730A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-27 | Hitachi Chem Co Ltd | シロキサン変性ポリイミド及びその前駆体 |
EP0436929A2 (en) * | 1990-01-02 | 1991-07-17 | Occidental Chemical Corporation | Crystalline polyimidesiloxanes |
JPH0423833A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-28 | Ube Ind Ltd | 塗膜形成用のポリイミドシロキサン組成物および膜 |
JPH0436321A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-06 | Ube Ind Ltd | ポリイミドシロキサン組成物および固化膜 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0219862B2 (ja) | 1990-05-07 |
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