JPH11264981A - 反強誘電性液晶表示素子用配向剤、該配向剤を用いた配向膜、及び該配向膜を有する反強誘電性液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ネマチック液晶や強誘電性液晶と比較して配
向性の悪い、反強誘電性液晶材料の配向性を改良する事
を課題としたものである。 【解決手段】 式（１）で示す繰り返し単位を有する、
ポリアミド酸あるいは、該ポリアミド酸の部分イミド化
したポリマーを溶剤に溶解したワニスを電極付き基板に
塗布し、加熱により溶剤を除去し、脱水・閉環してイミ
ド化した後、ラビング処理して配向膜とする事により、
配向性に優れた反強誘電性液晶素子を提供する。 【化１】 （式中、Ｘは芳香族テトラカルボン酸残基、Ｙは式
（２）で示される基である。） 【化２】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、反強誘電性液晶分
子の配向性に優れた、液晶表示素子に関するものであ
る。特に、反強誘電性液晶表示素子用の配向膜、及びこ
の配向膜用の配向剤を提供するものである。

【０００２】

【背景技術】従来の液晶表示素子はネマチック液晶を用
いた表示素子が殆どである。ネマチック液晶表示素子と
比較して反強誘電性液晶表示素子の大きく異なる特徴
は、極めて早い応答速度と広い視野角特性を有する点に
ある。従って、反強誘電性液晶表示素子は、ネマチック
液晶表示素子では達成出来ない新たな表示素子としての
期待が持たれている。ネマチック液晶表示素子と比較し
て強誘電性液晶表示素子の大きく異なる特徴は、極めて
早い応答速度とメモリー性を有する点にある。しかし、
現時点においては、強誘電性液晶及び反強誘電性液晶表
示素子とも、殆ど実用化されていない。強誘電性液晶及
び反強誘電性液晶は層構造を有しているので、通常のネ
マティック液晶と比較して、均一な配向を得ることが難
しく、また液晶表示素子の厚み（セルの厚み）がネマチ
ック液晶表示素子に比べて薄い事によりセル厚の不均一
性が表示斑に大きく影響する等の問題がある。配向性が
悪い事の弊害として、表示画面に配向状態の異なるドメ
インが現れ、画面が見づらくなる。あるいは、電界の印
加に対して、コントラストが小さくなる等の問題が発生
する。強誘電性液晶の場合は、カイラルスメクチックＣ
相よりも高温側にスメクチックＡ相及びネマチック相を
有する液晶材料を用い、ネマチック相の状態まで昇温し
て液晶分子を配向させ、その状態から徐々に温度を下げ
て、スメクチックＡ相を経てカイラルスメクチックＣ相
にすることで好ましい配向状態とする方法が行われてい
る。一方、反強誘電液晶材料においては、今のところカ
イラルスメクチックＣA相（反強誘電性液晶相）より高
温側にネマチック相を有する液晶性化合物が見いだされ
ていないので、液晶分子の配向が一層困難である。強誘
電性液晶用の配向膜の形成には、種々の方法が試みられ
ている。例えば、真空蒸着法による無機化合物薄膜ある
いは有機化合物薄膜の形成方法、ラングミュアブロジェ
ット法（ＬＢ膜形成法）による薄膜の形成方法、あるい
は、ポリイミド薄膜をラビング処理や光照射処理する方
法等である。これらの中で、真空蒸着法やＬＢ膜形成法
は作業性に難点があり、せん断力による方法や温度勾配
法は、配向性の持続性に難点がある。、ポリイミド膜を
ラビング処理して配向膜とする方法は、ネマチック液晶
表示素子の作成方法として工業的に実施されている方法
であり、作業性も良く、反強誘電性液晶表示素子におい
ても最も現実的な方法であると考えられる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
状況にある反強誘電性液晶の配向性を向上させる事を目
的とするものであり、ひいては、モノドメインを有する
優れた反強誘電性液晶表示素子を提供しようとするもの
である。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、このよう
な点に鑑み、ラビング処理によるポリイミド配向膜用の
ポリイミドの分子構造に注目して鋭意検討した結果、本
発明を完成するに至った。即ち、本発明は、式（１）で
表される繰り返し単位を有する、ポリイミド前駆体ある
いは該前駆体を部分イミド化したポリマーを溶剤に溶解
した配向剤（以下単にワニスということがある）を電極
付き基板に塗布し、加熱により溶剤除去、脱水・閉環し
てイミド化した後、ラビング処理を施して配向膜とする
事により、配向性に優れた反強誘電性液晶素子を提供す
るものである。

【０００５】

【化３】

【０００６】（式中、Ｘは芳香族テトラカルボン酸残基
を示し、Ｙは下記式（２）で表されるジアミン残基を示
す。）

【化４】 （式中、Ｒは水素、又はメチル基を示す。） 上記式（１）で表されるポリアミド酸はネマチック液晶
表示素子の配向膜用ポリイミドの原料として知られてい
るが、このポリアミド酸又はその部分イミド化ポリマー
をイミド化した配向膜が反強誘電性液晶に対しても優れ
た配向性能を有することは知られていない。

【０００７】Ｘで表される芳香族テトラカルボン酸残基
を与える好ましい化合物として、ピロメリット酸二無水
物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、及びナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物を例示できる。又、本発
明の効果を損なわない限りにおいて、これらの芳香族テ
トラカルボン酸二無水物の一部を他の芳香族テトラカル
ボン酸、脂環式テトラカルボン酸、脂肪族テトラカルボ
ン酸あるいは、シロキサン系テトラカルボン酸等で置換
する事も可能である。

【０００８】そのような他のテトラカルボン酸として、
下記の化合物が例示できる。３、３’、４、４’ージフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２、３、
６、７ーナフタレン酸無水物等のナフタレン酸二無水
物、３、３’ー４、４’ービフェニルスルホンテトラカ
ルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルエ
ーテルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’
−ジメチルジフェニルシランテトラカルボン酸二無水
物、３，３’，４，４’−テトラフェニルシランテトラ
カルボン酸二無水物、１，２，３，４−フランテトラカ
ルボン酸二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、４，
４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェ
ニルスルホン二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェノキシ）ジフェニルプロパン二無水物、
３，３’，４，４’−パーフルオロピリデンジフタル酸
二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、ビス（フタル酸）フェニルスルフィン
オキサイド二無水物、ｐ−フェニレン−ビス（トリフェ
ニルフタル酸）二無水物、ｍ−フェニレン−ビス（トリ
フェニルフタル酸）二無水物、ビス（トリフェニルフタ
ル酸）−４，４’−ジフェニルエーテル二無水物、ビス
（トリフェニルフタル酸）−４，４’−ジフェニルメタ
ン二無水物、等の芳香族テトラカルボン酸二無水物；エ
チレンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレ
ン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、４，
８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロ
ナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水
物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカルボン
酸二無水物、ブタン−１，２，３，４−テトラカルボン
酸二無水物、ビシクロ（２，２，２）−オクト（７）−
エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、シ
クロヘキサン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無
水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、３，３’−ビ
シクロヘキシル−１，１’，２，２’−テトラカルボン
酸二無水物、２，３，５−トリカルボキシシクロペンチ
ル酢酸二無水物、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ
フラル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−
ジカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−
ヘキサヒドロ−５−テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−
３−フラニル）−ナフト［１，２，−ｃ］−フラン−
１，３−ジオン、３，５，６−トリカルボキシノルボル
ナン−２−酢酸二無水物、２，３，４，５−テトラヒド
ロフランテトラカルボン酸二無水物、等の脂肪族及び脂
環族テトラカルボン酸二無水物。これらの酸二無水物に
よる置換量は、好ましくは５０モル％以下である。これ
らのテトラカルボン酸が５０モル％を越えると反強誘電
性液晶分子の配向が阻害されやすくなる。

【０００９】式（２）で示されるジアミン残基を与える
化合物として下記の化合物が例示できる。４、４’−ジ
アミノ−ジメチルジフェニルエタン、４、４’−ジアミ
ノ２、２’−ジメチルジフェニルエタン４、４’−ジア
ミノ３、３’−ジメチルジフェニルエタン、４、４’−
ジアミノ２、３’−ジメチルジフェニルエタン。これら
のジアミンはそれぞれ単独で使用することもできるが、
２種類以上を混合して使用することもできる。又、本発
明の効果を阻害しない範囲内において、上記のジアミン
の一部を他の芳香族ジアミン、脂肪族ジアミン、脂環式
ジアミン、シロキサン系ジアミン等のジアミンに置換す
ることができる。その置換量は好ましくは、５０モル％
以下に抑えるべきである。５０モル％を越えると反強誘
電性液晶分子の配向性が阻害されやすくなる。更に好ま
しくは、３０モル％以下である。

【００１０】上記のジアミンと置換することのできる他
のジアミンとして、下記の化合物が例示できる。２，２
−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロ
パン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル］ヘキサフルオロプロパン、ｍ−フェニレンジア
ミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−キシリレンジアミ
ン、ｐ−キシリレンジアミン、２，２’−ジアミノジフ
ェニルプロパン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、ベンジジン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル］シクロヘキサン、１，１−ビス［４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４−メチルシ
クロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノ
キシ）フェニル］−４−エチルシクロヘキサン、１，１
−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−４
−プロピルシクロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル］−４−ブチルシクロヘキ
サン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル］−４−ペンチルシクロヘキサン、ビス［４−
（４−アミノベンジル）フェニル］メタン、１，１−ビ
ス［４−（４−アミノベンジル）フェニル］シクロヘキ
サン、１，１−ビス［４−（４−アミノベンジル）フェ
ニル］４−メチルシクロヘキサン、１，１−ビス［４−
（４−アミノベンジル）フェニル］４−エチルシクロヘ
キサン、１，１−ビス［４−（４−アミノベンジル）フ
ェニル］４−ｎプロピルシクロヘキサン、１，１−ビス
［４−（４−アミノベンジル）フェニル］４−ｎブチル
シクロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノベン
ジル）フェニル］４−ｎペンチルシクロヘキサン、４，
４’−パラアミノフェノキシ−ビフェニル１，１−ビス
［４−（４−アミノベンジル）フェニル］シクロヘキサ
ン、１，１−ビス［４−（４−アミノベンジル）フェニ
ル］−４−メチルシクロヘキサン、１，１−ビス［４−
（４−アミノベンジル）フェニル］−４−エチルシクロ
ヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノベンジル）
フェニル］−４−プロピルシクロヘキサン、１，１−ビ
ス［４−（４−アミノベンジル）フェニル］−４−ブチ
ルシクロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノベ
ンジル）フェニル］−４−ペンチルシクロヘキサン、
１，１−ビス［４−（４−アミノベンジル）フェニル］
−４−ヘキシルシクロヘキサン、１，１−ビス［４−
（４−アミノベンジル）フェニル］−４−へプチルシク
ロヘキサン、１，１−ビス［４−（４−アミノベンジ
ル）フェニル］−４−オクチルシクロヘキサン、１，１
−ビス［４−（４−アミノベンジル）フェニル］メタ
ン。

【００１１】更に、これらのテトラカルボン酸二無水物
及びジアミン以外にポリアミド酸の反応末端を形成す
る、モノアミン化合物、又は、／及び、モノカルボン酸
無水物を併用する事も可能である。基板への密着性を良
くするために、アミノシリコン化合物またはジアミノシ
リコン化合物を導入することも出来る。アミノシリコン
化合物としては、パラアミノフェニルトリメトキシシラ
ン、パラアミノフェニルトリエトキシシラン、メタアミ
ノフェニルトリメトキシシラン、メタアミノフェニルト
リエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられ
る。ジアミノシリコン化合物としては、１，３−ビス
（３−アミノプロピル）−１，１，１−テトラフェニル
シロキサン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−
１，１，１−テトラメチルジシロキサン、１，３−ビス
（４−アミノブチル）−１，１，１−テトラメチルジシ
ロキサン等が挙げられる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下に、より具体的に本発明の実
施の形態を述べる。式（１）の繰り返し単位は、芳香族
テトラカルボン酸二無水物及び４、４’ージアミノジフ
ェニルエタン、４、４’ージアミノ３、３’ージメチル
ジフェニルエタン、あるいは、４、４’ージアミノ２、
２’ージメチルジフェニルエタンを反応させる事により
得る事が出来る。又、本発明のポリマーに他の構造のポ
リマーを混合して用いる事も出来るが、この場合でも、
本発明のポリマーが主成分になる事が必要である。好ま
しくは、６０％以上、更に好ましくは、８０％以上本発
明のポリマーを含有する事が好ましい。ここに他の構造
のポリマーとは、他のポリアミド酸、ポリイミド、ポリ
アミドイミド、ポリエーテルアミド、ポリエーテルイミ
ド、ポリエステルアミド、ポリエステルイミド、ポリア
ミド等を挙げる事が出来る。

【００１３】本発明で用いられる配向剤は、式（１）で
示されるポリアミド酸またはその部分イミド化物を溶剤
に溶解したワニスであり、その濃度が０．１ー４０重量
％の範囲のモノが好ましく、さらに好ましくは、０．５
ー２０重量％である。ポリマー濃度が、０．１％以下で
は、配向膜としての膜厚が薄くなりすぎて好ましくな
い。濃度が１０％以上のワニスでは、これを直接塗布す
ると膜厚が厚くなりすぎるきらいがあるので、使用時に
適宜希釈する。更に、４０％以上では、粘度が高すぎ
て、希釈に用いる溶剤とうまく混合出来ない等の弊害が
出てきて好ましくない。ワニスに使用される溶剤は、ポ
リアミド酸あるいは可溶性ポリイミドの溶剤として通常
使用されている下記の溶剤を使用する事が出来る。ポリ
アミド酸に対して親溶剤である、Ｎーメチルー２ーピロ
リドン（ＮＭＰ）、ジメチルイミドゾリジノン、Ｎ−メ
チルカプロラクタム、Ｎ−メチルプロピオンアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキシ
ド、Ｎ，Ｎジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホ
ルムアミド、ジエチルアセトアミド、及びγ−ブチルラ
クトン等の非プロトン性極性有機溶剤；塗布性改善など
の目的で、乳酸アルキル、３−メチル，３−メトキシブ
タノール、テトラリン、イソホロン、エチレングリコー
ルモノアルキルエーテル（エチレングリコールモノブチ
ルエーテル等）、ジエチレングリコールモノアルキルエ
ーテル（ジエチレングリコールモノエチルエーテル
等）、エチレングリコールモノアルキル又はフェニルア
セテート、トリエチレングリコールモノアルキルエーテ
ル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル（プロ
ピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリ
コールモノアルキルエステル等）、マロン酸ジアルキル
（マロン酸ジエチル等）等の表面張力の低い溶剤。本発
明のワニスには、イミド化を促進する等の目的で触媒を
添加する事も可能であり、更に、塗布性を改良する等の
目的で界面活性剤を配合すること、帯電防止の目的等で
帯電防止剤を配合すること、更に、基板との密着性を向
上させる為にシランカップリング剤あるいはチタン系の
カップリング剤を配合することも出来る。

【００１４】これらの溶剤で溶解されたワニスを液晶配
向素子を形成する基板へ塗布する方法として、スピンナ
ー法、印刷法、ディッピング法、滴下法等の通常使用さ
れている方法が使用可能である。ワニスを塗布した後
は、比較的低温で溶剤を蒸発させた後、１５０ー３００
゜Ｃ程度の温度で加熱処理する事が好ましい。これら溶
剤の乾燥や脱水・閉環反応に要する加熱処理には、オー
ブン、ホットプレート、赤外線炉等の、通常ポリアミド
酸のイミド化に使用している方法で実施する事が可能で
ある。本発明は、反強誘電性液晶表示素子用配向膜とし
て好ましく用いられるが、ブックシェルフ型配列を有す
る強誘電性液晶表示素子用配向膜としても使用する事が
出来る。

【００１５】

【実施例】以下に、ポリアミド酸の合成に用いたテトラ
カルボン酸二無水物及びジアミンとその略号を記載す
る。 [酸二無水物] ピロメリット酸 ：ＰＭＤＡ シクロブタンテトラカルボン酸二無水物 ：ＣＢＤＡ ビフェニルテトラカルボン酸二無水物 ：ＢＰＤＡ [ジアミン] ４，４’ージアミノジフェニルエタン ：ＤＰＥ ４，４’ージアミノー３、３’ージメチルージフェニル
エタン：ＤＭＤＰＥ ４，４’ージアミノジフェニルメタン ：ＤＰＭ ２，２’ービス〔（４−アミノフェノキシ）フェニル〕
プロパン：ＤＰＯＰ

【００１６】実施例１ （ポリアミド酸の合成）温度計、攪拌機、及び窒素ガス
導入口を備えた２００ｍｌ三つ口フラスコにＤＰＥを
１．４７９７ｇ（６．９７０ｍｍｏｌ）、脱水ＮＭＰ９
４．１７ｇを入れ、乾燥窒素気流下攪拌溶解した。反応
系の温度を１０℃に保ちながらＰＭＤＡを１．５２０３
ｇ（６．９７０ｍｍｏｌ）を添加し、反応温度を約６０
゜Ｃ以下に抑えて３０時間反応させて、ポリマー濃度３
％のポリアミド酸母液１を合成した。母液１１の粘度は
３４５ｍＰａ・ｓ（Ｅ型粘度計を使用、２５℃）であっ
た。また、ゲルパーミエションクロマトグラフィ法によ
り測定した結果、ポリアミド酸の重量平均分子量は３
２．７万であった。 （ワニスの調製）上記の母液１にγーブチロラクトン及
びブチルセロソルブを添加して、ポリアミド酸１．５
％、ＮＭＰ ４８．５％、γーブチロラクトン １６．
７％、ブチルセロソルブ ３３．３％のワニス１を調合
した。

【００１７】（セルの作成）ＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e）電極付き基板２枚（３０×４０ｍｍ、３０×３０ｍ
ｍ各一枚）のＩＴＯ電極側にワニスをスピンナーで塗布
し、８０゜Ｃのホットプレート上で溶剤を乾燥し、更
に、２００゜Ｃにセットされたオーブン中で９０分加熱
処理した。３０×３０ｍｍの基板のポリイミド膜の表面
をレーヨン系の布でラビングして一軸配向処理を行っ
た。２μのシリカスペーサーをラビング処理した基板側
のポリイミド膜側に散布し、ラビング処理していない基
板（３０×４０ｍｍ）のポリイミド膜側を内側にして組
み合わせ、エポキシシール剤で周辺を部分的にシールし
て配向性評価用開放セルを作成した（ラビング処理して
いない基板のポリイミド膜面（１０×３０ｍｍ）が現れ
ている）。 （配向性評価）前記の開放セルのラビング処理していな
い基板のポリイミド膜上に反強誘電性液晶（ＣＳー４０
０１：チッソ（株）製）を滴下し、毛管現象でセル内へ
浸透させた後、１００゜Ｃにセットしたホットプレート
上で加熱して、反強誘電性液晶をアイソトロピック相に
転移させ、次いでセルを室温まで放冷した。無電界時に
直交ニコル下で暗黒状態になる位置にセルを設定し、＋
１０Ｖ／μｍ又はー１０Ｖ／μｍの電界を印加した時の
配向性を偏光顕微鏡下で観察した。その結果、無電界時
では、全面的に暗視野状態であり、電界印加時において
は全面的に明視野となる状態が観察された。又、液晶の
配向方向の異なる領域を示すドメインは観察されなかっ
た。

【００１８】実施例２ ＤＭＤＰＥ３．１４５５ｇ（１３．０８７ｍｍｏｌ）、
脱水ＮＭＰ９１．２５ｇ、ＰＭＤＡ２．８５４５ｇ（１
３．０８７ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様に
して、ポリマー濃度６％のポリアミド酸母液２を合成し
た。母液２の粘度は９８０ｍＰａ・ｓであり、ポリアミ
ド酸の重量平均分子量は１８．４万であった。得られた
母液２に更に、ＮＭＰ、γーブチロラクトン、ブチルセ
ロソルブを添加して、ポリアミド酸１．５％、ＮＭＰ
４８．５％、γーブチロラクトン １６．７％、ブチル
セロソルブ ３３．３％のワニス２を調合した。以下、
実施例１と同様にして、解放セルを作製し、配向性の評
価を行った。その結果を表１に示した。

【００１９】実施例３ ＤＰＭ０．９３３５ｇ（４．７０８ｍｍｏｌ）、ＤＰＥ
１．４９９２ｇ（７．０６２ｍｍｏｌ）、脱水ＮＭＰ９
２．２２ｇ、ＰＭＤＡを２．５６７３ｇ（１１．７７０
ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様にして、ポリ
マー濃度５％のポリアミド酸母液３を合成した。母液３
の粘度は２８５ｍＰａ・ｓであり、ポリアミド酸の重量
平均分子量は３０．１万であった。得られ母液３に更
に、ＮＭＰ、γーブチロラクトン、ブチルセロソルブを
添加して、ポリアミド酸１．５％、ＮＭＰ ４８．５
％、γーブチロラクトン １６．７％、ブチルセロソル
ブ ３３．３％のワニス３を調合した。以下、実施例１
と同様にして、解放セルを作製し、配向性の評価を行っ
た。その結果を表１に示した。

【００２０】実施例４ ＤＰＥ２．５３０８ｇ（１１．９２ｍｍｏｌ）、脱水Ｎ
ＭＰ９２．２２ｇ、ＰＭＤＡ１．３００２ｇ（５．９６
１ｍｍｏｌ）、及びＣＢＤＡ１．１６９０ｇ（５．９６
１ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様にして、ポ
リマー濃度５％のポリアミド酸母液４を合成した。母液
４の粘度は４５０ｍＰａ・ｓであり、ポリアミド酸の重
量平均分子量は３８．８万であった。得られ母液４に更
に、ＮＭＰ、γーブチロラクトン、ブチルセロソルブを
添加して、ポリアミド酸１．５％、ＮＭＰ ４８．５
％、γーブチロラクトン １６．７％、ブチルセロソル
ブ ３３．３％のワニス４を調合した。以下、実施例１
と同様にして、解放セルを作製し、配向性の評価を行っ
た。その結果を表１に示した。

【００２１】実施例５ ＤＰＥ：２．０９５６ｇ（９．８７１ｍｍｏｌ）、脱水
ＮＭＰ：９２．２２ｇ、ＢＰＤＡ：２．９０４４ｇ
（９．８７２ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様
にして、ポリマー濃度５％のポリアミド酸母液５を合成
した。母液５の粘度は９８０ｍＰａ・ｓであり、ポリア
ミド酸の重量平均分子量は２９．５万であった。得られ
母液５に更に、ＮＭＰ、γーブチロラクトン、ブチルセ
ロソルブを添加して、ポリアミド酸１．５％、ＮＭＰ
４８．５％、γーブチロラクトン １６．７％、ブチル
セロソルブ ３３．３％のワニス５を調合した。以下、
実施例１と同様にして、解放セルを作製し、配向性の評
価を行った。このセルは、実施例１と同様の性能を示し
た。その結果を表１に示した。

【００２２】比較例１ ＤＰＥ２．５９９０ｇ（１２．２４３ｍｍｏｌ）、脱水
ＮＭＰ９２．２２ｇ、及びＣＢＤＡ２．４１０ｇ（１
２．２４３ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様に
して、ポリマー濃度５％のポリアミド酸母液６を合成し
た。母液６の粘度は２２０ｍＰａ・ｓであり、ポリアミ
ド酸の重量平均分子量は２５．０万であった。得られ母
液６に更に、ＮＭＰ、γーブチロラクトン、ブチルセロ
ソルブを添加して、ポリアミド酸１．５％、ＮＭＰ ４
８．５％、γーブチロラクトン １６．７％、ブチルセ
ロソルブ ３３．３％のワニス６を調合した。以下、実
施例１と同様にして、解放セルを作製し、配向性の評価
を行った。このセルでは、電圧無印加状態において、液
晶配向の異なるドメインが多く、全面が均一に暗視野に
ならなかった。その結果を表１に示した。

【００２３】比較例２ ＤＰＭ：２．３８０８ｇ（１２．００８ｍｍｏｌ）、脱
水ＮＭＰ：９２．２２ｇ、ＰＭＤＡ：２．６１９２ｇ
（１２．００８ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同
様にして、ポリマー濃度５％のポリアミド酸母液７を合
成した。母液７の粘度は１９０ｍＰａ・ｓであり、ポリ
アミド酸の重量平均分子量は１８．２万であった。得ら
れ母液７に更に、ＮＭＰ、γーブチロラクトン、ブチル
セロソルブを添加して、ポリアミド酸１．５％、ＮＭＰ
４８．５％、γーブチロラクトン １６．７％、ブチ
ルセロソルブ ３３．３％のワニス８を調合した。以
下、実施例１と同様にして、解放セルを作製し、配向性
の評価を行った。ＤＰＥとＤＰＭは構造的にかなり似て
いるが、意外にも配向性には効果がない事が判った。の
結果を表１に示した。

【００２４】比較例３ ＤＰＯＰ：３．２６５１ｇ（７．９５４ｍｍｏｌ）、脱
水ＮＭＰ：９２．２２ｇ、ＰＭＤＡ：１．７３４９ｇ
（７．９５４ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様
にして、ポリマー濃度５％のポリアミド酸母液８を合成
した。母液８の粘度は６８５ｍＰａ・ｓであり、ポリア
ミド酸の重量平均分子量は４０．５万であった。得られ
母液８に更に、ＮＭＰ、γーブチロラクトン、ブチルセ
ロソルブを添加して、ポリアミド酸１．５％、ＮＭＰ
４８．５％、γーブチロラクトン １６．７％、ブチル
セロソルブ ３３．３％のワニス８を調合した。以下、
実施例１と同様にして、解放セルを作製し、配向性の評
価を行った。ＤＰＯＰとＤＰＭは比較的構造が似ている
が、意外にも配向性には効果がない事が判った。その結
果を表１に示した。

【００２５】比較例４ ワニス１に代えて、ＰＶＡの１．５％水溶液を用い、焼
成温度を１５０℃で６０分行った以外は実施例１と同様
の方法で解放セル２５を作成し、以下実施例１と同様の
方法で配向性を評価した。その結果は比較例１と同様で
あった。

【００２６】

【表１】

【００２７】

【発明の効果】実施例及び比較例から判る様に、ジアミ
ン化合物として、ＤＰＥ、あるいはＤＭＤＰＥを用い、
テトラカルボン酸二無水物にＰＭＤＡ、あるいはＢＰＤ
Ａを用いると、反強誘電性液晶分子は配向性が向上す
る。一方、類似の構造を有する４、４’ージアミノジフ
ェニルメタンあるいはプロパンにおいては、このような
優れた配向性は見られなかった。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記式（１）の繰り返し単位を有するポ
   リアミド酸を０．１〜４０重量％含有する配向剤。 【化１】 （式中、Ｘは芳香族テトラカルボン酸を示し、Ｙは下記
   式（２）で表されるジアミン残基を示す。） 【化２】 （式中、Ｒは水素、又はメチル基を示す。）
2. 【請求項２】 式（１）及び式（２）において、Ｘがフ
   ェニル基またはビフェニル基であり、Ｒが水素である請
   求項１に記載の反強誘電性液晶表示素子用配向剤。
3. 【請求項３】 式（１）及び式（２）においてＸがフェ
   ニル基またはビフェニル基であり、Ｒがメチル基である
   請求項１に記載の反強誘電性液晶表示素子用配向剤。
4. 【請求項４】 請求項１〜３の何れか１項に記載の反強
   誘電性液晶表示素子用配向剤を塗布し、焼成して得られ
   る反強誘電性液晶表示素子用配向膜。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の配向膜を有する反強誘
   電性液晶表示素子。