JPS6141316Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6141316Y2 JPS6141316Y2 JP1977137487U JP13748777U JPS6141316Y2 JP S6141316 Y2 JPS6141316 Y2 JP S6141316Y2 JP 1977137487 U JP1977137487 U JP 1977137487U JP 13748777 U JP13748777 U JP 13748777U JP S6141316 Y2 JPS6141316 Y2 JP S6141316Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- gate thyristor
- gate
- circuit
- thyristor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は2個又はそれ以上のアノード電極を
有する多アノードNゲートサイリスタを用いたタ
イマ回路に関するものである。
有する多アノードNゲートサイリスタを用いたタ
イマ回路に関するものである。
従来、Nゲートサイリスタを使用して保持型の
タイマ回路を構成する場合には、第2図の様な回
路構成をとつていた。この回路は、抵抗器19と
抵抗器20との抵抗値のスタンドオフ比を負荷1
1と抵抗器13の抵抗値のスタンドオフ比より大
きい値に設定しておき、抵抗器14とコンデンサ
16でタイマ時間を設定し、抵抗器14とコンデ
ンサ16の中心15と、負荷11と抵抗器13の
中心12からそれぞれダイオード17,18を介
してNゲートサイリスタ29のアノードに接続し
たものである。今、電源スイツチ8を短絡してか
ら抵抗器14とコンデンサ16で設定したタイマ
時間後に、Nゲートサイリスタ29は“オン”
し、それと同時に負荷に電流が流れる。負荷11
をNゲートサイリスタの谷電流IVより大きい電
流が流れるような値に設定しておけばNゲートサ
イリスタ29は“オン”したままになり、負荷1
1を切るか又は電源スイツチ8を切らないかぎり
“オン”状態を保つており、しかして保持型のタ
イマ回路が構成される。ここで、中心15,12
はダイオード17,18を介してNゲートサイリ
スタ29のアノードに接続されているが、その理
由は以下に示す通りである。即ち、第2図でダイ
オードをすべて除去して中心12,15をNゲー
トサイリスタ29のアノードに直結すると全く問
題にならないことは説明するまでもないが、先
ず、ダイオード18を除去した場合には、15の
点の電位+VF(VFはダイオード17の順方向電
圧)以上には上らず、従つてNゲートサイリスタ
29は“オン”できない。次にダイオード17を
除去した場合には、抵抗器14とコンデンサ16
で設定したタイマ時間が負荷11により変化して
しまう。つまりこの場合には第5図の様になる結
果、タイマ時間は負荷11と抵抗器14の並列抵
抗値1とコンデンサ16の時定数となり、負荷に
よりタイマ時間が変化してしまう。従つて最終的
に中心12と中心15の間は絶縁状態でなければ
ならないので、その為にダイオード17,18が
必要となるのである。
タイマ回路を構成する場合には、第2図の様な回
路構成をとつていた。この回路は、抵抗器19と
抵抗器20との抵抗値のスタンドオフ比を負荷1
1と抵抗器13の抵抗値のスタンドオフ比より大
きい値に設定しておき、抵抗器14とコンデンサ
16でタイマ時間を設定し、抵抗器14とコンデ
ンサ16の中心15と、負荷11と抵抗器13の
中心12からそれぞれダイオード17,18を介
してNゲートサイリスタ29のアノードに接続し
たものである。今、電源スイツチ8を短絡してか
ら抵抗器14とコンデンサ16で設定したタイマ
時間後に、Nゲートサイリスタ29は“オン”
し、それと同時に負荷に電流が流れる。負荷11
をNゲートサイリスタの谷電流IVより大きい電
流が流れるような値に設定しておけばNゲートサ
イリスタ29は“オン”したままになり、負荷1
1を切るか又は電源スイツチ8を切らないかぎり
“オン”状態を保つており、しかして保持型のタ
イマ回路が構成される。ここで、中心15,12
はダイオード17,18を介してNゲートサイリ
スタ29のアノードに接続されているが、その理
由は以下に示す通りである。即ち、第2図でダイ
オードをすべて除去して中心12,15をNゲー
トサイリスタ29のアノードに直結すると全く問
題にならないことは説明するまでもないが、先
ず、ダイオード18を除去した場合には、15の
点の電位+VF(VFはダイオード17の順方向電
圧)以上には上らず、従つてNゲートサイリスタ
29は“オン”できない。次にダイオード17を
除去した場合には、抵抗器14とコンデンサ16
で設定したタイマ時間が負荷11により変化して
しまう。つまりこの場合には第5図の様になる結
果、タイマ時間は負荷11と抵抗器14の並列抵
抗値1とコンデンサ16の時定数となり、負荷に
よりタイマ時間が変化してしまう。従つて最終的
に中心12と中心15の間は絶縁状態でなければ
ならないので、その為にダイオード17,18が
必要となるのである。
この考案は従来の上記事情に鑑みてなされても
のであり、従つてこの考案の目的は、回路構成を
簡略化できる多アノードNゲートサイリスタを用
いた新規なタイマ回路を提供することにある。
のであり、従つてこの考案の目的は、回路構成を
簡略化できる多アノードNゲートサイリスタを用
いた新規なタイマ回路を提供することにある。
上記目的を達成する為に、この考案に係るタイ
マ回路は、Nゲートサイリスタを用いたタイマ回
路において、前記Nゲートサイリスタはゲート領
域であるN層に2個以上のアノード領域のP層が
設けられ、前記2個以上のアノード領域のP層に
それぞれ独立したアノード電極が設けられ、前記
アノード電極にそれぞれ時定数の異なるCR回路
が接続され、かつ該CR回路を選托するスイツチ
が設けられている。
マ回路は、Nゲートサイリスタを用いたタイマ回
路において、前記Nゲートサイリスタはゲート領
域であるN層に2個以上のアノード領域のP層が
設けられ、前記2個以上のアノード領域のP層に
それぞれ独立したアノード電極が設けられ、前記
アノード電極にそれぞれ時定数の異なるCR回路
が接続され、かつ該CR回路を選托するスイツチ
が設けられている。
以下、この考案の実施例について説明するが、
それに先だちこの考案の関連技術について説明す
る。
それに先だちこの考案の関連技術について説明す
る。
第1図はこの考案に使用される多アノードNゲ
ートサイリスタの一例を示す概略構成図である。
図に於いて、参照番号1はゲート端子、2はカソ
ード端子、3はアノード端子、3′はこの考案を
実施する為に新たに設けられた第2のアノード端
子、4はP型のアノード電極、4′はこの考案を
実施する為に新たに形成されたP型の第2のアノ
ード電極、5はN型のゲート電極、6はP型の
層、7はN型のカソード電極を夫々示す。即ちこ
の考案に使用されるサイリスタは、第1図に示さ
れる様に、4,5,6,7から成る4層構造にお
いて4をアノード電極、5をゲート電極、7をカ
ソード電極とした通常のNゲートサイリスタに対
し、第2のカソード電極として4′を有するNゲ
ートサイリスタ、更にはそれ以上のカソード電極
を有するNゲートサイリスタである。
ートサイリスタの一例を示す概略構成図である。
図に於いて、参照番号1はゲート端子、2はカソ
ード端子、3はアノード端子、3′はこの考案を
実施する為に新たに設けられた第2のアノード端
子、4はP型のアノード電極、4′はこの考案を
実施する為に新たに形成されたP型の第2のアノ
ード電極、5はN型のゲート電極、6はP型の
層、7はN型のカソード電極を夫々示す。即ちこ
の考案に使用されるサイリスタは、第1図に示さ
れる様に、4,5,6,7から成る4層構造にお
いて4をアノード電極、5をゲート電極、7をカ
ソード電極とした通常のNゲートサイリスタに対
し、第2のカソード電極として4′を有するNゲ
ートサイリスタ、更にはそれ以上のカソード電極
を有するNゲートサイリスタである。
第3図は第2図の保持型のタイマ回路を第1図
に示す多アノードNゲートサイリスタ30を使つ
て構成した場合の回路図であり、第2図の場合に
必要だつたダイオード17,18が不要となり、
同様の機能を有する回路を簡単に構成することが
できる。多アノードNゲートサイリスタを示す第
1図の構造のものを等価回路で書くと第6図のよ
うになる(これが最も適当な等価回路かどうかは
別として)が、アノード端子3と3′は電気的に
絶縁されていて、動作上分離された形となつてお
り、これが第2図における点12と点15の関係
と同等の働きをしていることが判る。
に示す多アノードNゲートサイリスタ30を使つ
て構成した場合の回路図であり、第2図の場合に
必要だつたダイオード17,18が不要となり、
同様の機能を有する回路を簡単に構成することが
できる。多アノードNゲートサイリスタを示す第
1図の構造のものを等価回路で書くと第6図のよ
うになる(これが最も適当な等価回路かどうかは
別として)が、アノード端子3と3′は電気的に
絶縁されていて、動作上分離された形となつてお
り、これが第2図における点12と点15の関係
と同等の働きをしていることが判る。
次にこの考案をその好ましい一実施例について
第4図を参照しながら具体的に説明する。
第4図を参照しながら具体的に説明する。
第4図はこの考案に係る選択的のタイマ回路の
一実施例を示す回路構成である。この回路は先
ず、抵抗器21とコンデンサ22によりあるタイ
マ時間を設定し、抵抗器23とコンデンサ21で
前記異なつたタイマ時間を設定しておく。このと
き抵抗器21と23は多アノードNゲートサイリ
スタ30の谷電流IV値より大きい電流が流せる
様に設定しておき、スイツチ25を短絡すれば、
抵抗器21とコンデンサ22で設定したタイマ時
間が出力端子27に出力される。一方のスイツチ
26を短絡すれば抵抗器23とコンデンサ24で
設定したタイマ時間が出力端子27に出力され
る。
一実施例を示す回路構成である。この回路は先
ず、抵抗器21とコンデンサ22によりあるタイ
マ時間を設定し、抵抗器23とコンデンサ21で
前記異なつたタイマ時間を設定しておく。このと
き抵抗器21と23は多アノードNゲートサイリ
スタ30の谷電流IV値より大きい電流が流せる
様に設定しておき、スイツチ25を短絡すれば、
抵抗器21とコンデンサ22で設定したタイマ時
間が出力端子27に出力される。一方のスイツチ
26を短絡すれば抵抗器23とコンデンサ24で
設定したタイマ時間が出力端子27に出力され
る。
以上のように、この考案によれば、2種の設定
時間を自由に選択できるタイマ回路を少ない部品
により容易に構成できる。これを更にそれ以上の
アノード端子のある多アノードNゲートサイリス
タを使用してタイマ回路を構成すれば、多設定の
選択タイマ回路を簡単に構成すれば、多設定の選
択タイマ回路を簡単に構成することができる。
時間を自由に選択できるタイマ回路を少ない部品
により容易に構成できる。これを更にそれ以上の
アノード端子のある多アノードNゲートサイリス
タを使用してタイマ回路を構成すれば、多設定の
選択タイマ回路を簡単に構成すれば、多設定の選
択タイマ回路を簡単に構成することができる。
第1図はこの考案に使用される多アノードNゲ
ートサイリスタの一実施例を示す構造図、第2図
は通常のNゲートサイリスタを使用した保持型タ
イマ回路の一例を示す図、第3図は多アノードサ
イリスタを使用した保持型のタイマ回路の一例を
示す図、第4図は多アノードNゲートサイリスタ
を使用したこの考案による多設定の選択タイマ回
路の一実施例を示す回路構成図、第5図は第2図
の回路を説明する為の図、第6図は第3図の回路
を説明する為に示した多アノードNゲートサイリ
スタの等価回路を示す図である。 1……ゲート端子、2……カソード端子、3,
3′……アノード端子、4,4′……アノード領
域、P層、5……ゲート領域、N層、6……P
層、7……カソード領域、N層、8……電源スイ
ツチ、9……DC電源、11……負荷、13,1
4,19,20,21,23,28……抵抗器、
16,22,24……コンデンサ、17,18…
…ダイオード、25,26……スイツチ、27…
…出力端子、29……Nゲートサイリスタ、30
……多アノードNゲートサイリスタ。
ートサイリスタの一実施例を示す構造図、第2図
は通常のNゲートサイリスタを使用した保持型タ
イマ回路の一例を示す図、第3図は多アノードサ
イリスタを使用した保持型のタイマ回路の一例を
示す図、第4図は多アノードNゲートサイリスタ
を使用したこの考案による多設定の選択タイマ回
路の一実施例を示す回路構成図、第5図は第2図
の回路を説明する為の図、第6図は第3図の回路
を説明する為に示した多アノードNゲートサイリ
スタの等価回路を示す図である。 1……ゲート端子、2……カソード端子、3,
3′……アノード端子、4,4′……アノード領
域、P層、5……ゲート領域、N層、6……P
層、7……カソード領域、N層、8……電源スイ
ツチ、9……DC電源、11……負荷、13,1
4,19,20,21,23,28……抵抗器、
16,22,24……コンデンサ、17,18…
…ダイオード、25,26……スイツチ、27…
…出力端子、29……Nゲートサイリスタ、30
……多アノードNゲートサイリスタ。
Claims (1)
- Nゲートサイリスタを用いたタイマ回路におい
て、前記Nゲートサイリスタはゲート領域である
N層に2個以上のアノード領域のP層が設けら
れ、前記2個以上のアノード領域のP層にそれぞ
れ独立したアノード電極が設けられ、前記アノー
ド電極にそれぞれ時定数の異なるCR回路が接続
され、かつ該CR回路を選択するスイツチが設け
られていることを特徴とする多アノードNゲート
サイリスタを用いたタイマ回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1977137487U JPS6141316Y2 (ja) | 1977-10-15 | 1977-10-15 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1977137487U JPS6141316Y2 (ja) | 1977-10-15 | 1977-10-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5464469U JPS5464469U (ja) | 1979-05-08 |
JPS6141316Y2 true JPS6141316Y2 (ja) | 1986-11-25 |
Family
ID=29109724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1977137487U Expired JPS6141316Y2 (ja) | 1977-10-15 | 1977-10-15 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6141316Y2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5269281A (en) * | 1975-12-05 | 1977-06-08 | Matsushita Electronics Corp | Gate turn-off thyristor |
-
1977
- 1977-10-15 JP JP1977137487U patent/JPS6141316Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5269281A (en) * | 1975-12-05 | 1977-06-08 | Matsushita Electronics Corp | Gate turn-off thyristor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5464469U (ja) | 1979-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5274524A (en) | Programmable protection circuit and its monolithic manufacturing | |
DE2401701C3 (de) | Transistorleistungsschalter | |
JPS6141316Y2 (ja) | ||
JPS6055993B2 (ja) | ゲートターンオフ形サイリスタ | |
GB1560355A (en) | Transistor-transistor-logic circuit | |
JPH0787247B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH05243504A (ja) | 導通電力損失を最適化する集積ブリッジ・デバイス | |
US3634731A (en) | Generalized circuit | |
JP2597753B2 (ja) | Npnトランジスターのラッチ電圧を利用した静電耐力向上ラテラルpnpトランジスター | |
JPH0638707B2 (ja) | 逆導通形ゲートターンオフ形サイリスタの制御方法 | |
JPS5943846B2 (ja) | フリツプフロツプ回路 | |
JPS6031312Y2 (ja) | スイツチング回路 | |
JPH0317471Y2 (ja) | ||
JPH0658960B2 (ja) | 小電流サイリスタ | |
JPS633168Y2 (ja) | ||
US4187515A (en) | Semiconductor controlled rectifier | |
JPS623942Y2 (ja) | ||
JPS5915273B2 (ja) | 電動機の回転切換回路 | |
JPH05304249A (ja) | トリミング方法 | |
JPH03231469A (ja) | 半導体スイッチ回路 | |
JPS5831775B2 (ja) | ダイオ−ドゲ−トカイロ | |
JPS6355222B2 (ja) | ||
JPS60170961A (ja) | 半導体装置 | |
JPS5873213A (ja) | カレントミラ−回路 | |
JPS6036706B2 (ja) | サイリスタ回路 |