JPS6140136B2 - - Google Patents
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- JPS6140136B2 JPS6140136B2 JP54111233A JP11123379A JPS6140136B2 JP S6140136 B2 JPS6140136 B2 JP S6140136B2 JP 54111233 A JP54111233 A JP 54111233A JP 11123379 A JP11123379 A JP 11123379A JP S6140136 B2 JPS6140136 B2 JP S6140136B2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 4
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 claims description 3
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 3
- -1 chlorine ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 208000015943 Coeliac disease Diseases 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 229920013632 Ryton Polymers 0.000 description 1
- 239000004736 Ryton® Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はダイオードやトランジスターのような
半導体素子やこれら半導体の集積回路（以下半導
体類と称す）を気密収納するためのパツケージに
関するものであり、更に詳しくは半導体類を装着
したリードフレームを予め成形された少なくとも
１個が半導体類及び金属細線を収納するための窪
みを有する２個の熱可塑性樹脂板状成形品（以下
板状体と称す）により挾んだ状態で一体気密化す
ることを特徴とする熱可塑性樹脂製のフラツトパ
ツケージ及びデユアルインラインパツケージに関
するものである。
半導体素子やこれら半導体の集積回路（以下半導
体類と称す）を気密収納するためのパツケージに
関するものであり、更に詳しくは半導体類を装着
したリードフレームを予め成形された少なくとも
１個が半導体類及び金属細線を収納するための窪
みを有する２個の熱可塑性樹脂板状成形品（以下
板状体と称す）により挾んだ状態で一体気密化す
ることを特徴とする熱可塑性樹脂製のフラツトパ
ツケージ及びデユアルインラインパツケージに関
するものである。
従来、半導体類のパツケージ方式には金属、セ
ラミツクス及びガラス等で気密シールを行うパツ
ケージ方式とプラスチツクによるパツケージ方式
とがあり、半導体類の保護技術の進歩による信頼
性の向上により最近は廉価なプラスチツクパツケ
ージが主流となつている。
ラミツクス及びガラス等で気密シールを行うパツ
ケージ方式とプラスチツクによるパツケージ方式
とがあり、半導体類の保護技術の進歩による信頼
性の向上により最近は廉価なプラスチツクパツケ
ージが主流となつている。
現在実用に供せられているプラスチツクパツケ
ージにはその製造方式によりいわゆるモールド法
と注入法の２種類がある。
ージにはその製造方式によりいわゆるモールド法
と注入法の２種類がある。
中でも金属との密着性、耐湿性、電気及び機械
特性などに優れたエポキシ樹脂のトランスフアー
成形法によるプラスチツクパツケージが最も多く
使用されている。
特性などに優れたエポキシ樹脂のトランスフアー
成形法によるプラスチツクパツケージが最も多く
使用されている。
この成形法は第１図に示すようにタブ１上の半
導体類２に設けられた電極とリード４を金やアル
ミニウム等の金属細線３により結線した状態のリ
ードフレーム５を上型６及び下型７の間に挾み、
図示はしていないがスプルー、ランナ、ゲートを
介してトランスフアー成形機より成形樹脂材料を
キヤビテイ８に充填成形する方法である。
導体類２に設けられた電極とリード４を金やアル
ミニウム等の金属細線３により結線した状態のリ
ードフレーム５を上型６及び下型７の間に挾み、
図示はしていないがスプルー、ランナ、ゲートを
介してトランスフアー成形機より成形樹脂材料を
キヤビテイ８に充填成形する方法である。
このトランスフアー成形法はリードフレームの
厚みのバラツキ、金型加工の精度及び使用にとも
なう摩耗、寸法の狂い等により金型とリードフレ
ーム間に隙間ができ、この部分およびその周辺に
フラツシユの出る場合が多くこれらリード上のフ
ラツシユはリードとソケツトとの接触不良や半田
づけ作業の妨げの原因となるため除去作業が必要
となる等の欠点を有していた。
厚みのバラツキ、金型加工の精度及び使用にとも
なう摩耗、寸法の狂い等により金型とリードフレ
ーム間に隙間ができ、この部分およびその周辺に
フラツシユの出る場合が多くこれらリード上のフ
ラツシユはリードとソケツトとの接触不良や半田
づけ作業の妨げの原因となるため除去作業が必要
となる等の欠点を有していた。
更にこの方法ではリードフレームや金属細線あ
るいは半導体類と封止に供する樹脂材料の熱膨脹
係数の差による熱応力の発生により、場合によつ
ては、半導体類の割れや金属細線の断線をおこす
等の欠点もあつた。
るいは半導体類と封止に供する樹脂材料の熱膨脹
係数の差による熱応力の発生により、場合によつ
ては、半導体類の割れや金属細線の断線をおこす
等の欠点もあつた。
また、半導体類および金属細線が直接樹脂と接
しているため、樹脂中に含まれる塩素イオン、ナ
トリウムイオンなどのイオン性不純物が半導体類
に拡散し、電食を起こし、不良の原因となること
が多かつた。
しているため、樹脂中に含まれる塩素イオン、ナ
トリウムイオンなどのイオン性不純物が半導体類
に拡散し、電食を起こし、不良の原因となること
が多かつた。
かかる欠点を補うため、第２図に示すように、
予め成形された少なくとも一個が半導体類及び金
属細線を収納するための窪みを有する２個の板状
体９，９′により半導体類を装着したリードフレ
ーム５を挾み、超音波振動法、熱融着法あるいは
界面に接着剤を介在させた形により三者を一体化
させ、リード部にフラツシユが少なく熱応力の発
生による半導体類の割れや金属細線の断線のな
い、またイオン性不純物による電食のおそれのな
い半導体類のパツケージが提案されている。
予め成形された少なくとも一個が半導体類及び金
属細線を収納するための窪みを有する２個の板状
体９，９′により半導体類を装着したリードフレ
ーム５を挾み、超音波振動法、熱融着法あるいは
界面に接着剤を介在させた形により三者を一体化
させ、リード部にフラツシユが少なく熱応力の発
生による半導体類の割れや金属細線の断線のな
い、またイオン性不純物による電食のおそれのな
い半導体類のパツケージが提案されている。
上記のような少なくとも１個が半導体類及び金
属細線を収納するための窪みを有する２個の板状
体により、半導体類を気密封止する構造を有する
半導体類のパツケージでは、熱応力の発生による
半導体類の割れや金属細線の断線およびイオン性
不純物による電食は防止できるが、反面、半導体
類は周囲を気体に囲まれた状態であるために、熱
伝導性が悪く、半導体類を動作させたときに発生
する熱の板状体を通しての放散性が悪くなり、動
作特性に影響を与えるという問題が内在してい
た。
属細線を収納するための窪みを有する２個の板状
体により、半導体類を気密封止する構造を有する
半導体類のパツケージでは、熱応力の発生による
半導体類の割れや金属細線の断線およびイオン性
不純物による電食は防止できるが、反面、半導体
類は周囲を気体に囲まれた状態であるために、熱
伝導性が悪く、半導体類を動作させたときに発生
する熱の板状体を通しての放散性が悪くなり、動
作特性に影響を与えるという問題が内在してい
た。
本発明は、このような欠点に鑑みてなされたも
のであり、以下本発明を実施例にもとづき図面を
用いて説明する。
のであり、以下本発明を実施例にもとづき図面を
用いて説明する。
第３図〜第６図はそれぞれ本発明の実施例を示
すものであり、第３図においてリードフレーム５
には半導体類２がタブ１上に装着され、半導体類
及びリード４は金属細線３により結線されてお
り、さらにリードフレームは予め成形された半導
体類および金属細線を収納するための窪み１１，
１１′を有する２個の板状体９，９′により気密封
止されている。その際、板状体９′に設けられた
窪み１１′にはゴム状弾性体１０が充填されてお
り、該ゴム状弾性体はタブの下面および窪みの壁
面に接触した構造を有している。この場合、ゴム
状弾性体の弾性力により、ゴム状弾性体はタブの
下面および窪みの壁面に密着した構造となつてい
る。
すものであり、第３図においてリードフレーム５
には半導体類２がタブ１上に装着され、半導体類
及びリード４は金属細線３により結線されてお
り、さらにリードフレームは予め成形された半導
体類および金属細線を収納するための窪み１１，
１１′を有する２個の板状体９，９′により気密封
止されている。その際、板状体９′に設けられた
窪み１１′にはゴム状弾性体１０が充填されてお
り、該ゴム状弾性体はタブの下面および窪みの壁
面に接触した構造を有している。この場合、ゴム
状弾性体の弾性力により、ゴム状弾性体はタブの
下面および窪みの壁面に密着した構造となつてい
る。
本発明で用いるゴム状弾性体は柔軟性に富んで
いるため、合体時の板状体あるいはタブの高低差
に容易に追随することができる。
いるため、合体時の板状体あるいはタブの高低差
に容易に追随することができる。
ゴム状弾性体の熱伝導率は金属等に比較して小
さいが電力損失の小さな半導体類に対しては放熱
特性は十分である。
さいが電力損失の小さな半導体類に対しては放熱
特性は十分である。
ゴム状弾性体の板状体の窪みへの充填のしかた
は他にも種々のものが考えられるが、第４図はゴ
ム状弾性体がタブの下側及び窪みの壁面に接触し
ているが完全に窪みを充満していない構造のもの
である。
は他にも種々のものが考えられるが、第４図はゴ
ム状弾性体がタブの下側及び窪みの壁面に接触し
ているが完全に窪みを充満していない構造のもの
である。
第５図はタブの裏面に対向する板状体が平板状
で窪みを有していない場合であり板状体とタブの
裏面の僅かの間隙にゴム状弾性体１０を介在させ
た構造を有している。
で窪みを有していない場合であり板状体とタブの
裏面の僅かの間隙にゴム状弾性体１０を介在させ
た構造を有している。
第６図は半導体類がチツプコート剤１２により
チツプコートされたものを用いており、ゴム状弾
性体はタブ及び窪み１１′の壁面に接触した構造
を有している。
チツプコートされたものを用いており、ゴム状弾
性体はタブ及び窪み１１′の壁面に接触した構造
を有している。
以上代表的な例を挙げ説明したが、本発明はこ
れらに限定されるものではなく、放熱性の向上を
目的とするゴム状弾性体をタブの裏面と該裏面に
対向せる板状体の内面との間に介在させる限りに
於いて種々の形態をとりうるものである。またゴ
ム状弾性体の供給方法としては、適宜な方法、例
えば注射器による点滴などによればよい。
れらに限定されるものではなく、放熱性の向上を
目的とするゴム状弾性体をタブの裏面と該裏面に
対向せる板状体の内面との間に介在させる限りに
於いて種々の形態をとりうるものである。またゴ
ム状弾性体の供給方法としては、適宜な方法、例
えば注射器による点滴などによればよい。
本発明に用いられる熱可塑性樹脂としては、そ
れぞれの半導体類のパツケージに対する要求特性
に応じて種々の種類のものが用いられるが、高い
耐熱性（耐熱変形性及び耐熱劣化性）と低い透湿
性及び一定水準以上の成形性を有することが必要
である。
れぞれの半導体類のパツケージに対する要求特性
に応じて種々の種類のものが用いられるが、高い
耐熱性（耐熱変形性及び耐熱劣化性）と低い透湿
性及び一定水準以上の成形性を有することが必要
である。
代表的な例としては、ポリフエニレンサルフア
イドや、ポリフエニレンオキサイド、ポリエーテ
ルサルフオン、ポリスルフオン、フエノキシ樹脂
及びポリアセタール等のエーテル系樹脂、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレ
ート及びポリアリレート等のエステル系樹脂、ポ
リアミド系樹脂の中でも吸水率の低いグレード等
の樹脂及びこれらの混合系更にはこれら樹脂とガ
ラス繊維を中心とした無機充填剤との組み合わせ
等をあげることができる。
イドや、ポリフエニレンオキサイド、ポリエーテ
ルサルフオン、ポリスルフオン、フエノキシ樹脂
及びポリアセタール等のエーテル系樹脂、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレ
ート及びポリアリレート等のエステル系樹脂、ポ
リアミド系樹脂の中でも吸水率の低いグレード等
の樹脂及びこれらの混合系更にはこれら樹脂とガ
ラス繊維を中心とした無機充填剤との組み合わせ
等をあげることができる。
本発明に使用されるゴム状弾性体としては、ゴ
ム状弾性体の弾性力により、タブの下面および窪
みの壁面に密着したものであれば、すべて使用可
能であるが、例えばシリコーンゴムのうち二液型
RTVゴムコンパウンド、KE102RTV、
KE103RTV、KE106LTV、KE104GEL（以上信
越化学(株)製）や、半導体の表面処理用のレジン、
KJR4010、KJR4020、KJR4050、KJR9010（以上
信越化学(株)製）、あるいはポリプタジエンゴム等
があげられる。
ム状弾性体の弾性力により、タブの下面および窪
みの壁面に密着したものであれば、すべて使用可
能であるが、例えばシリコーンゴムのうち二液型
RTVゴムコンパウンド、KE102RTV、
KE103RTV、KE106LTV、KE104GEL（以上信
越化学(株)製）や、半導体の表面処理用のレジン、
KJR4010、KJR4020、KJR4050、KJR9010（以上
信越化学(株)製）、あるいはポリプタジエンゴム等
があげられる。
実施例 １
第３図に示すような形態に、リードフレーム及
び２個の板状体を合体した。板状体はポリフエニ
レンサルフアイド（フイリツプス社製ライトン
PPS、Ｒ−４）であり、ゴム状弾性体は、信越化
学(株)製シリコーンゴムKJR4010である。またゴム
状弾性体を使用しないことを除いては、上記とま
つたく同様の方法で、リードフレーム及び２個の
板状体を合体した。
び２個の板状体を合体した。板状体はポリフエニ
レンサルフアイド（フイリツプス社製ライトン
PPS、Ｒ−４）であり、ゴム状弾性体は、信越化
学(株)製シリコーンゴムKJR4010である。またゴム
状弾性体を使用しないことを除いては、上記とま
つたく同様の方法で、リードフレーム及び２個の
板状体を合体した。
以上により得られた封止品を動作させ、予め温
度測定の為にタブにとりつけた熱電対によりタブ
部の温度を測定した。その結果、第３図に示す構
造では平衝状態において、KJR4010を使用した封
止品では、90℃、KJR4010を用いないものでは
150℃となつた。
度測定の為にタブにとりつけた熱電対によりタブ
部の温度を測定した。その結果、第３図に示す構
造では平衝状態において、KJR4010を使用した封
止品では、90℃、KJR4010を用いないものでは
150℃となつた。
実施例 ２
第５図に示すような形態に、リードフレーム及
び２個の板状体を合体した。板状体及びゴム状弾
性体は、実施例１と同様のものを使用した。実施
例１と同様に動作させた結果、タブ部の温度は平
衝状態において80℃であつた。
び２個の板状体を合体した。板状体及びゴム状弾
性体は、実施例１と同様のものを使用した。実施
例１と同様に動作させた結果、タブ部の温度は平
衝状態において80℃であつた。
本発明によれば次の効果が達成される。
窪みを有する板状体による気密封止で問題とな
る気体層介在による熱放散の低下が、ゴム状弾性
体を使用することにより、半導体類→タブ→ゴム
状弾性体→板状体という径路により熱が放散され
るため、熱放散性に優れ動作信頼性の高い半導体
パツケージが得られる。
る気体層介在による熱放散の低下が、ゴム状弾性
体を使用することにより、半導体類→タブ→ゴム
状弾性体→板状体という径路により熱が放散され
るため、熱放散性に優れ動作信頼性の高い半導体
パツケージが得られる。
第１図は従来の半導体類の成形方法を示す断面
図、第２図は窪みを有するパツケージの合体方式
を示す断面図、第３図〜第６図は本発明の実施例
を示すもので、いずれも半導体類を装着した状態
のパツケージの断面図である。 符号の説明、１……タブ、２……半導体類、３
……金属細線、４……リード、５……リードフレ
ーム、６……上型、７……下型、８……キヤビテ
イ、９，９′……板状体、１０……ゴム状弾性
体、１１，１１′……窪み、１２……チツプコー
ト剤。
図、第２図は窪みを有するパツケージの合体方式
を示す断面図、第３図〜第６図は本発明の実施例
を示すもので、いずれも半導体類を装着した状態
のパツケージの断面図である。 符号の説明、１……タブ、２……半導体類、３
……金属細線、４……リード、５……リードフレ
ーム、６……上型、７……下型、８……キヤビテ
イ、９，９′……板状体、１０……ゴム状弾性
体、１１，１１′……窪み、１２……チツプコー
ト剤。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも１個が半導体類を収納するための
窪みを有する２個の熱可塑性樹脂板状成形品によ
り、半導体類をタブ上に装着したリードフレーム
を挟み、加熱加圧により一体化させる半導体類の
パツケージ成形方法において、半導体類を装着し
たタブの裏面と該裏面に対抗せる熱可塑性板状成
形品の内面との間に、ゴム状弾性体を介在させる
ことを特徴とする半導体類のパツケージ法。 ２ ゴム状弾性体がシリコーンゴムである特許請
求の範囲第１項記載の半導体類のパツケージ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11123379A JPS5635446A (en) | 1979-08-30 | 1979-08-30 | Package for semiconductors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11123379A JPS5635446A (en) | 1979-08-30 | 1979-08-30 | Package for semiconductors |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5635446A JPS5635446A (en) | 1981-04-08 |
| JPS6140136B2 true JPS6140136B2 (ja) | 1986-09-08 |
Family
ID=14555928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11123379A Granted JPS5635446A (en) | 1979-08-30 | 1979-08-30 | Package for semiconductors |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5635446A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5998805U (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-04 | 斉藤 政夫 | 髪型型紙 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4969271A (ja) * | 1972-11-09 | 1974-07-04 |
-
1979
- 1979-08-30 JP JP11123379A patent/JPS5635446A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4969271A (ja) * | 1972-11-09 | 1974-07-04 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5635446A (en) | 1981-04-08 |
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