KR0182505B1 - 본딩 와이어 보호용 히트 싱크를 구비한 고방열형 패키지 - Google Patents

본딩 와이어 보호용 히트 싱크를 구비한 고방열형 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR0182505B1
KR0182505B1 KR1019950051326A KR19950051326A KR0182505B1 KR 0182505 B1 KR0182505 B1 KR 0182505B1 KR 1019950051326 A KR1019950051326 A KR 1019950051326A KR 19950051326 A KR19950051326 A KR 19950051326A KR 0182505 B1 KR0182505 B1 KR 0182505B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heat sink
bonding
high heat
inner leads
heat dissipation
Prior art date
Application number
KR1019950051326A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970053698A (ko
Inventor
계동완
박난규
권용안
이재원
Original Assignee
김광호
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950051326A priority Critical patent/KR0182505B1/ko
Publication of KR970053698A publication Critical patent/KR970053698A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0182505B1 publication Critical patent/KR0182505B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 패키지에 관한 것으로, 전기적 연결 부분을 밀봉할 수 있는 히트 싱크를 구비하여 에폭시 계열의 성형 수지에 의해서 상기 전기적 연결된 부분이 성형될 경우에 발생되는 본딩 와이어의 스위핑(sweeping)과 새깅(sagging) 같은 불량을 방지하는 동시에 상기 칩에 전원이 인가되어 동작될 때 발생되는 열을 신속히 대기 중으로 방출시킬 수 있는 특징을 갖는다.

Description

제1도는 종래 기술에 의한 패키지를 나타내는 단면도.
제2도는 본 발명에 의한 본딩 와이어 보호용 히트 싱크(heat sink)를 구비한 고방열형 패키지를 나타내는 단면도.
제3a도는 본 발명에 의한 히트 싱크의 상부 캡(cap)을 나타내는 평면도.
제3b도는 본 발명에 의한 히트 싱크의 베이스(base)를 나타내는 저면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 칩 12 : 본딩 패드
20 : 다이 패드 30 : 접착제
40 : 내부리드 50 : 외부리드
60 : 본딩 와이어 70 : 성형 수지
80 : 캡 81 : 캡 캐비티
82 : 캡 밀봉부 83 : 캡 관통홀
84 : 캡 돌출부 85 : 접착제
90 : 베이스 92 : 베이스 캐비티
94 : 베이스 돌출부 96 : 베이스 밀봉부
100, 200 : 패키지
[발명의 상세한 설명]
본 발명은 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전기적 연결 부분을 밀봉할 수 있는 히트 싱크를 구비하여 애폭시 계열의 성형 수지에 의해서 상기 전기적 연결된 부분이 성형될 경우에 발생되는 본딩 와이어의 스위핑(sweeping)과 새깅(sagging) 같은 불량을 방지하는 동시에 상기 칩에 전원이 인가되어 동작될 때 발생되는 열을 신속히 대기 중으로 방출시킬 수 있는 본딩 와이어 보호용 히트 싱크를 구비한 고방열형 패키지에 관한 것이다.
통상적인 패키지는 칩의 본딩 패드들과 그들에 대응되는 리드프레임의 내부 리드들이 본딩 와이어에 의해서 각기 전기적 연결이 된다. 그리고, 이 전기적 연결 부분은 외부의 환경으로부터 보호되기 위해 에폭시 계열의 성형 수지에 의해서 봉지된다.
상기 에폭시에 의한 성형 공정은 패키지의 대량 생산 및 낮은 제조 단가 등의 장점을 갖으나, 에폭시의 특성상 여러 가지 단점이 패키지에 발생된다.
제1도는 종래 기술에 의한 패키지를 나타내는 단면도이다.
제1도를 참조하면, 패키지(100)는 리드프레임의 다이 패드(20) 상부면과 칩(10)의 하부면이 접착제(30)에 의해 접착되어 있으며, 그 칩(10) 상에 형성된 복수개의 본딩 패드들(12)과 그들(12)에 각기 대응되는 리드프레임의 내부리드들(40)이 본딩 와이어(60)에 의해 각기 전기적 연결된 구조를 갗는다.
그리고, 상기 칩(10), 내부리드들(40) 그리고 본딩 와이어(60)를 포함하는 전기적 연결 부분을 외부의 환경으로부터 보호하기 위하여 애폭시계열의 성형 수지(70)에 의해 봉지된 구조를 갖는다.
이와 같은 구조를 갖는 종래 기술에 의한 패키지는 에폭시 계열의 성형 수지를 이용하여 상기 전기적 연결 부분을 봉지하기 때문에 다음과 같은 단점을 내포하고 있다.
(1) 성형 공정을 진행할 때 성형 수지의 유속과 유량에 의해 칩과 리드프레임을 전기적 연결하는 매개인 본딩 와이어에 스위핑 및 새깅과 같은 현상이 발생되고,
(2) 칩 상부에 성형 수지가 존재되는 형태로 패키지가 제조되기 때문에 압전효과에 의한 전기적 특성 검사(electro die sort, EDS)에서 굿 다이(good die)가 조립후 특성이 변화되어 완제품인 패키지가 불량으로 판정되기 때문에 결과적으로, 패키지 제조시의 낮은 수율의 원인이 되고,
(3) 세라믹 패키지에 비하여 열전도도가 약 20배 이상 낮고,
(4) 성형 수지의 성분 중에서 실리카(silica) 및 에폭시와 같은 중합체와 밀봉 패키지의 크래이(clay)가 미량의 우라늄(U), 토륨(Th)을 포함하기 때문에 그로 인한 α입자가 동적 메모리 내로 주입되면서 저장되었던 자료를 파괴하는 소프트 불량(soft error)이 유발되고,
(5) 마지막으로, 패키지의 신뢰성을 보장하기 위한 PCT(pressure cooker test) 완료후 칩의 본딩 패드들이 흡습된 습기에 의해 부식되는 단점을 내포하고 있다.
따라서 본 발명의 목적은 반조립 상태의 리드프레임의 전기적 연결 부분을 밀봉할 수 있는 형상의 히트 싱크를 제공하여 상기의 단점을 극복할 수 있는 본딩 와이어 보호용 히트 싱크를 구비한 고방열형 패키지를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 복수개의 본딩 패드를 갖는 칩과; 그 칩의 일면과 접착된 다이 패드와, 상기 본딩 패드들에 각기 대응되어 전기적 연결된 내부리드들과, 그 내부리드들과 일체형으로 대응된 외부리드들을 갖는 리드프레임과;
상기 칩 및 내부리드들을 포함하는 전기적 연결 부분을 밀봉하기 위해, 상기 내부리드들의 일 면 및 다른 면에 각기 접착된 히트 싱크로서, 상하부 한 쌍으로 이루어지며, 상기 상부 히트 싱크가 업셋된 히트 싱크와; 그 히트 싱크를 내재 · 봉지하는 성형 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 와이어 보호용 히트 싱크를 구비한 고방열형 패키지를 제공한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
제2도는 본 발명에 의한 본딩 와이어 보호용 히트 싱크(heat sink)를 구비한 고방열형 패키지를 나타내는 단면도이다.
제3a도는 본 발명에 의한 히트 싱크의 상부 캡(cap)을 나타내는 평면도이다.
제3b도는 본 발명에 의한 히트 싱크의 베이스(base)를 나타내는 저면도이다.
제2도 및 제3도를 참조하면, 본 발명에 의한 패키지(200)는 리드프레임의 다이패드(20)의 상부면과 칩(10)의 하부면이 접착제(30)에 의해 접착되어 있으며, 그 칩(10)의 본딩 패드들(12)과 그들(12)에 각기 대응되는 리드프레임의 내부리드들(40)이 각기 본딩 와이어(60)에 의해 전기적 연결된 패킹 구조가 캡(80)과 베이스(90)로 이루어진 히트 싱크에 의해 밀봉된 구조를 갖는다.
좀 더 상세히 설명하면, 상기 캡(80)과 내부리드들(40) 그리고 베이스(90)와 그 내부리드들(40) 사이에 접착제(85)가 도포되어 상기 전기적 연결된 패킹 구조가 밀봉된다.
그리고, 성형 수지(70)에 의해 상기 히트 싱크의 외부가 성형되어 있으며, 제1도와 같이 외부리드들(50)과 상기 베이스 돌출부(94)가 상기 성형 수지(70)에 대하여 노출된 구조를 갖는다.
여기서, 상기 베이스 돌출부(94)는 패키지 몸체의 외부로 돌출되지는 않도록 상기 성헝 수지(70)에 대하여 노출되어 있다.
제3a도는 캡(80)의 구조는, 상기 전기적 연결된 부분을 밀봉하는 캡 캐비티(81)와 그 캡 캐비티(81)와 일체형이면서 상기 내부리드들(40)의 상부면과 제2도에서 나타나 있는 접착제(30)에 의해 접착되는 캡 밀봉부(82) 그리고 그 캡 밀봉부(82)로부터 연장 · 돌출된 복수개의 캡 돌출부(84)를 포함한다.
여기서, 상기 캡 캐비티(81)의 형상은 반구형이며, 상기 캡 밀봉부(82)는 원형이며, 상기 접착제의 재질은 성형 수지의 유입을 차단할 수 있는 막질(膜質)로 일정 온도에서 접착되는 합성 수지 및 섬유질로서 습기 침투 방지와 비전도성 물질이다.
상기 캡(80)의 업셋(up-set)은 전기적 연결 부분의 본딩 와이어(60)의 루프보다는 더 높게 되어 있다.
또한, 상기 캡 돌출부(84)의 소정 부분에 상기 성형 수지(70)가 충전(充塡)되어 상기 캡(80)과의 결합력을 증대시키는 캡 관통홀들(83)이 형성되어 있다.
그리고, 제3b도의 베이스(90)의 구조는, 상기 제2도 및 제3a도의 캡 캐비티(81)와 한 쌍을 이루는 베이스 캐비티(92)와 그 베이스 캐비티(92)와 일체형이며 상기 내부리드들(40)의 하부면과 제2도에 나타나 있는 접착제(85)에 의해 상기 전기적 연결 부분을 밀봉하는 베이스 밀봉부(96) 그리고 그 베이스 밀봉부(96)의 가장 자리부에 복수개의 베이스 돌출부(94)가 형성되어 있다.
여기서, 상기 캡의 캡 캐비티의 형상은 반구형으로 예시되어 있으나, 이에 한정되지 않고 상기 전기적 연결 부분과 기계적으로 접촉되지 않고 밀봉할 수 있는 형상으로 변형이 될 수 있으며, 상기 캡 밀봉부 또한 전술한 바와 같다.
그리고, 상기 캡 돌출부의 형상이나 수는 소정의 목적에 따라 변형이 가능하며, 상기 그 캡 돌출부의 관통홀의 크기나 형상은 그 캡 돌출부의 기계적 강도를 저하시키지 않는 범위 내에서 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 베이스 캐비티는 그 베이스 밀봉부보다 다운 셋(down-set)되어 있으나, 그 다운 셋 또한 소정 목적에 따라 달라질 수 있다,
그리고, 베이스 돌출부는 상기 성형 수지에 대하여 노출되어 상기 외부리드들의 인쇄회로기판 등에 실장될 경우에 방해가 되지 않는 범위 내에서 더 돌출 되어도 무관하다.
좀 더 상세하게는 상기 성형 수지와의 결합력을 증대시키기 위한 관통홀은 상기 캐비티 부분과 밀봉부를 제외한 부분의 어느 곳이나 형성될 수 있다.
이와 같은 구조를 갖는 패키지는 다음과 같은 장점을 가지고 있다.
(1) 칩과 리드프레임의 내부리드들 그리고 본딩 와이이를 포함하는 전기적 연결 부분이 상기 히트 싱크에 의해서 밀봉되어 있기 때문에, 성형 수지에 의한 본딩 와이어의 스위핑과 새깅과 같은 불량이 제거되고,
(2) 성형 수지와 칩이 격리되어 있는 구조를 갖기 때문에, 성형 수지에 의한 손상이 없어 압전 효과로부터 보호받음으로써 EDS 특성이 패키지 후의 특성과 변화가 없으며 따라서, 수율과 신뢰성이 개선되고,
(3) 전기적 연결된 패킹 부분의 상하에 히트 싱크가 구비되어 칩이 동작될 때에 발생되는 열을 히트 싱크로 통해서 신속하게 대기 중으로 방출시킴으로써 발열에 의한 칩 불량을 방지할 수 있고,
(4) 성형 수지와 전기적 연결 부분이 격리되어 α입자에 의한 소프트 불량이 방지되고,
(5) 밀봉재에 의해 히트 싱크가 밀봉되기 때문에 흡습하는 성질을 갖는 성형수지로부터 제공되는 습기를 원천적으로 차단하여 통상적인 금(Au) 본딩 와이어 대신에 알루미늄(Al) 본딩 와이어를 사용할 수 있게 되어 패키지 제조 원가를 낮출 수 있는 이점(利點)이 있다.
본딩 와이어 보호용 히트 싱크를 구비한 고방열형 패키지

Claims (9)

  1. 복수개의 본딩 패드를 갖는 칩과; 그 칩의 일 면과 접착된 다이 패드와, 상기 본딩 패드들에 각기 대응되어 전기적 연결된 내부리드들과, 그 내부리드들과 일체형으로 대응된 외부리드들을 갖는 리드프레임과; 상기 칩 및 내부리드들을 포함하는 전기적 연결 부분을 밀봉하기 위해, 상기 내부리드들의 일 면 및 다른 면에 각기 접착된 히트 싱크로서, 상하부 한 쌍으로 이루어지며, 상기 상부 히트 싱크가 업셋된 히트 싱크와; 그 히트 싱크를 내재 ·봉지하는 성형 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 와이어 보호용 히트 싱크를 구비한 고방열형 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하부 히트 싱크가 다운셋된 것을 특징으로 하는 본딩 와이어 보호용 히트 싱크를 구비한 고방열형 패키지.
  3. 제1항에 있어서, 상기 성형 수지가 충전되어 그 성형 수지와 상기 상부 히트 싱크간의 결합력을 증대하기 위해 상기 상부 히트 싱크의 말단에 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 본딩 와이어 보호용 히트 싱크를 구비한 고방열형 패키지.
  4. 제1항에 있어서, 상기 하부 히트 싱크의 말단부이 연장 · 돌출되어 상기 성형 수지에 대하여 노출된 것을 특징으로 하는 본딩 와이어 보호용 히트 싱크를 구비한 고방열형 패키지.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 히트 싱크와 상기 전기적 연결된 부분이 기계적 접촉되지 않는 것을 특징으로 하는 본딩 와이어 보호용 히트 싱크를 구비한 고방열형 패키지.
  6. 제1항에 있어서, 상기 본딩 패드들과 그들에 각기 대응된 내부리드들을 각기 전기적 연결하는 수단이 본딩 와이어인 것을 특징으로 하는 본딩 와이어 보호용 히트 싱크를 구비한 고방열형 패키지.
  7. 제1항에 있어서, 상기 내부리드들과 상기 히트 싱크를 접착하는 수단의 재질이 합성 수지와 섬유질로 이루어진 것을 특징으로 하는 본딩 와이어 보호용 히트 싱크를 구비한 고방열형 패키지.
  8. 제7항에 있어서, 상기 접착 수단이 막질(膜質)이며 접착성이 있는 것을 특징으로 하는 본딩 와이어 보호용 히트 싱크를 구비한 고방열형 패키지.
  9. 제7항에 있어서, 상기 접착 수단이 비전도성인 것을 특징으로 하는 본딩 와이어 보호용 히트 싱크를 구비한 고방열형 패키지.
KR1019950051326A 1995-12-18 1995-12-18 본딩 와이어 보호용 히트 싱크를 구비한 고방열형 패키지 KR0182505B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950051326A KR0182505B1 (ko) 1995-12-18 1995-12-18 본딩 와이어 보호용 히트 싱크를 구비한 고방열형 패키지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950051326A KR0182505B1 (ko) 1995-12-18 1995-12-18 본딩 와이어 보호용 히트 싱크를 구비한 고방열형 패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970053698A KR970053698A (ko) 1997-07-31
KR0182505B1 true KR0182505B1 (ko) 1999-03-20

Family

ID=19440955

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950051326A KR0182505B1 (ko) 1995-12-18 1995-12-18 본딩 와이어 보호용 히트 싱크를 구비한 고방열형 패키지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0182505B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100818075B1 (ko) * 2001-12-24 2008-03-31 주식회사 하이닉스반도체 본딩 패드 재배치를 이용한 센터 패드형 칩 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
KR970053698A (ko) 1997-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5175612A (en) Heat sink for semiconductor device assembly
US5227663A (en) Integral dam and heat sink for semiconductor device assembly
KR100302537B1 (ko) 반도체장치
JP2503685B2 (ja) ヒ―トシンク付半導体装置
US8643172B2 (en) Heat spreader for center gate molding
US5168345A (en) Semiconductor device having a universal die size inner lead layout
KR0182505B1 (ko) 본딩 와이어 보호용 히트 싱크를 구비한 고방열형 패키지
EP2545584B1 (en) Package having spaced apart heat sink
KR100262811B1 (ko) 에어 캐비티를 가지는 플라스틱 패키지 및 그 제조방법
KR100279252B1 (ko) 세라믹패키지
KR970018441A (ko) 리드 온 칩 기술을 이용한 볼 그리드 어레이 패키지
KR0144311B1 (ko) 캡형 볼 그리드 어레이 반도체 패키지 및 그 제조방법
JPS5998540A (ja) 半導体装置
KR0185571B1 (ko) 내부리드 말단에 칩접착 단차부가 형성된 칩 온 리드용 리드프레임 및 그를 이용한 반도체 칩 패키지
KR960005965A (ko) 반도체 장치
KR0167438B1 (ko) 반도체장치의 제조방법
KR0167388B1 (ko) 반도체장치
KR970004618Y1 (ko) 패드가 없는 반도체 패키지
JPS61240664A (ja) 半導体装置
KR0125874Y1 (ko) 반도체 패키지
KR200149912Y1 (ko) 반도체 패키지
KR20000006787U (ko) 멀티 칩 패키지
KR19990016571A (ko) 고방열 리드 온 칩 패키지
KR960002761A (ko) 개선된 리드를 갖는 반도체 패키지 및 그 제조방법
KR19980058400A (ko) 멀티 칩 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20061128

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee