JPH01228152A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH01228152A
JPH01228152A JP5560388A JP5560388A JPH01228152A JP H01228152 A JPH01228152 A JP H01228152A JP 5560388 A JP5560388 A JP 5560388A JP 5560388 A JP5560388 A JP 5560388A JP H01228152 A JPH01228152 A JP H01228152A
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JP
Japan
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resin
semiconductor
semiconductor device
molding
lid
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JP5560388A
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English (en)
Inventor
Yasushi Goto
泰史 後藤
Shinichi Ota
伸一 太田
Yutaka Yamaguchi
豊 山口
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Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はプラスチック中空パンケージタイプの半導体装
置の製造方法に関する。
〔従来の技術〕
プラスチック中空パッケージタイプの半導体装置の製造
方法に関する先行技術文献として、特開昭49−692
71号公報に開示されている方法を第2図(a)により
以下に説明する。
はじめに、半導体21を装着した金属基体22に、絶縁
性接着布23を用いてリードレーム24を接着する。次
に、透孔25を有する樹脂容器26を接着用樹脂27を
用いてリードフレーム24へ接着する。更に透孔25を
絶縁性接着布23によって塞ぎ、外装用樹脂28により
全体を外装する。29は金属細線である。
また、別の先行技術文献として、特開昭62−1200
53号公報に開示されている方法を第2図(b)により
以下に説明する。
はじめに、リードフレーム30に半導体装着部をもつ樹
脂モールド成形体31を成形し、半導体32を装着する
。次にレーザ溶接法で蓋体33を冠着封止し、樹脂モー
ルド成形層34によって封止する。35は金属細線であ
る。
(発明が解決しようとする課題〕 従来の特開昭49−69271号公報に開示されている
方法では、金属基体22をリードレーム24に接着する
工程と樹脂容器26をリードフレーム24に接着する工
程並びに透孔25を塞ぐ工程において、接着用樹脂27
や絶縁性接着布23を使用している。これらの接着剤に
よる接着は、接着剤の使用そのものよるコストアップを
伴う。
また、接着剤の接着力は、高温高湿下で低下することか
ら、長期信顛性が低いと言う問題点があった。
また、特開昭62−120053号公報に開示されてい
る方法では、蓋体33を樹脂モールド成形体31にレー
ザ溶接法で冠着封止するため、レーザ光照射による封止
工程が必要であるのと溶接される蓋体33と樹脂モール
ド成形体31に使用する樹脂は熱可塑性樹脂に限定され
、耐熱性に優れた熱硬化性樹脂を使用できないという問
題点があった・ 本発明は、上記の方法における接着或いは溶接工程を必
要とせず、耐湿性、耐熱性に優れたプラスチック中空パ
ッケージタイプの半導体装置の製造方法を提供するもの
である。
(課題を解決するための手段〕 本発明を第1(a)〜(d)図により以下に説明する。
はじめに、半導体装着部3を有する、リードフレーム2
と一体になった樹脂モールド成形体1を成形し、これに
半導体4を接着等により装着する。
次に、樹脂モールド成形体1に蓋体6を載せ、上金型7
と下金型8で蓋体6と樹脂モールド成形体1を圧接しな
がらモールド成形し、樹脂モールド成形層11を設は気
密封止する。
また、第1(e)図に示したように、第1 (C)図の
蓋体6をホウケイ酸ガラス、石英等の紫外線透過性窓材
13とし、EFROM半導体装着することにより、EP
ROM半導体装置が得られる。このとき、第1(f)及
び(h)図に示したように流体の一部のみを紫外線透過
性窓材13としてもよい。
上記の樹脂モールド成形体1、蓋体6並びに樹脂モール
ド成形層11は、熱可塑性樹脂と熱硬化樹脂のいずれも
使用できるが、耐熱性に優れているエポキシ樹脂等の熱
硬化性樹脂の方が好ましい。
蓋体6については、第1(h)図に示したようにセラミ
ック製蓋体20を使用してもよい。
また、リードフレーム2は樹脂モールド成形体1との接
着が十分であればよく、材質、形状等を制限しない。
〔作用〕
本発明によれば、樹脂モールド成形体1と蓋体6を圧接
させることにより、モールド成形体1と蓋体6を接着す
る工程を必要としない。従って、前記課題を解決した安
価で信頼性の高い樹脂封止半導体装置が得られる。
〔実施例〕
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。
実施例1 第1(a)〜(c)図に本発明による半導体装置の製造
方法の一例を示す。(a)図に示したようにリードフレ
ーム2(4270イ製)にエポキシ樹脂(日立化成工業
(株)製、品名CEL−F−757PH)をモールド成
形し、半導体装着部3を有する樹脂モールド成形体1を
成形する。次に、(b)図に示したようにリードフレー
ム2に半導体4を装着し、金属細線5(金線)による配
線を行う。
更に、(C)図に示したように、樹脂モールド成形体1
にエポキシ樹脂製の蓋体6を設置し、上金型7と下金型
8によって樹脂モールド成形体1と蓋体6を圧接しなが
らエポキシ樹脂によるモールド成形を行い、樹脂モール
ド成形層11を成形し、第1 (d)図に示したプラス
チック中空パッケージタイプの半導体装置を得た。
上記の実施例で、上金型7と下金型8で樹脂モールド成
形体1と蓋体6を圧接する時の圧力は、樹脂モールド成
形体1と蓋体6の圧接部からキャビティ12内にモール
ド樹脂が流れ込むことなく、かつ、樹脂モールド成形体
lと蓋体6に過度の応力がかからない大きさでなければ
ならない。よって(C)図に示したように、上金型7の
蓋体圧接部に蓋体圧接金型9を設け、これを上下に可動
できるようにし、蓋体6にかかる圧力はバネ10で調節
する構造とした。
第1表に、プレッシャーフッカ試験(121”c。
19、6 N/c+fl)を20時間行った後に、はん
だ槽(265°C)へ10秒間、半導体装置の全体を浸
漬させた後のグロスリーク試験の(MIL−3TD−7
50Cに規定された試験法)の結果を示した。
第1表より良好な結果が得られた。
実施例2 上記の実施例1の蓋体6を、第1(e)図に示したよう
に、ホウケイ酸ガラス製の紫外線透過性窓材13にし、
EPROM半導体14を装着することによりプラスチッ
ク中空パッケージタイプのEFROM半導体装置を得た
第1表より良好な結果が得られた。
実施例3 上記の実施例1の蓋体6を、第1(f)図に示したよう
にホウケイ酸ガラス製の紫外線透過性窓材13を有した
エポキシ樹脂製蓋体15にし、EPROM半導体14を
装着することにより、プラスチック中空パッケージタイ
プのEFROM半導体装置を得た。
上記のエポキシ樹脂製蓋体15は第1(g)図に示した
ように、紫外線透過性窓材13を上金型16に装着した
窓材圧接合型18と下金型17で圧接して保持し、エポ
キシ樹脂のモールド成形により得た。この圧接時の圧力
は上金型16内のバネ19により調節した。
第1表の試験結果では、10%の試料に、紫外線透過性
窓材13とエポキシ樹脂製蓋体15の界面から気泡の発
生がみられたが、良好な結果が得られた。気泡の原因は
エポキシ樹脂製蓋体15の紫外線透過性窓材13を支持
する部分の強度が不十分なためであろうと思われる。
実施例4 上記の実施例1の蓋体6を第1(h)図に示したように
ホウケイ酸ガラス製の紫外線透過性窓材13を有したセ
ラミック製蓋体20にし、EPROM半導体14を装着
することにより、プラスチック中空パッケージタイプの
EFROM半導体装置を得た。
上記のセラミック製蓋体20は、セラミック製蓋体20
に紫外線透過性窓材13を熱融着して製造されたものを
使用した。第1表の試験結果は良好であった。
比較例1 前記した特開昭49−69271号公報に開示されてい
る方法により半導体装置を製造し、比較例1とした。
この比較例とした半導体装置の構造は、第2(a)図に
示したとおりであるが、樹脂容器26及び外装用樹脂2
8にはエポキシ樹脂(日立化成工業(株)製品名CEL
−F−757PHを使用し、金属基体22及びリードフ
レーム24は4270イ製のものを使用した。また、絶
縁性接着布23はナイロン布にエポキシ樹脂を含浸させ
たものを使用し、接着用樹脂27はエポキシ樹脂を使用
した。
樹脂容器26の製造方法と、外装用樹脂28による外装
は、樹脂モールド成形法により行った。
第1表の試験結果は不良率88%と非常に悪かった。こ
のグロスリーク試験での観察では、リードフレーム24
と外装用樹脂28の境界面より気泡が発生していた。こ
の原因は、キャビティ内の水分の蒸発及び空気の膨張に
より、樹脂容器26及び金属基体22とリードフレーム
24の接着面がはがれ、更に、外装用樹脂26の厚みが
薄いために、クラックが生じたためであることがわかっ
た。
絶縁性接着布23及び接着用樹脂27の接着力は、プレ
ッシャークツ力試験等の高温高温試験で衰えることが確
認されており、比較例1では高温高湿試験の信頼性は第
1表に示したように著しく低下する。
比較例2 特開昭62−120053号公報に開示されている方法
により半導体を製造し、比較例2とした。
この比較例とした半導体装置の構造は、第2(b)図に
示したとおりであるが、樹脂モールド成形体31及び蓋
体33にはポリフェニレンサルファイド樹脂を使用し、
リードフレームには4270イ製リードフレーム樹脂、
モールド成形層34はエポキシ樹脂(日立化成工業(株
)製、品名CEL−F−757PH)を使用した。
蓋体33と樹脂モールド成形体31のレーザ照射による
溶接封止条件は、発振1YAG (λ−1゜06μm)
、出力100W、焦点外し量+10mm、パルス幅4m
s、パルスレー)20pps、溶接速度10+++++
+/sで行った。
第1表の試験結果は、100%と非常に悪かった。この
グロスリーク試験での観察では、樹脂モールド成形層3
4の表面にふくれがみられ、クラックが生じて気泡が発
生していた。
比較例2では、蓋体33及び樹脂モールド成形体31に
熱可塑性樹脂を使用しているため、はんだ槽へ浸漬した
時の265°Cという高温では、その強度は著しく低下
し、キャビティ内の水分の蒸発及び空気の膨張により蓋
体33及び樹脂モールド成形体31は容易に変形し、厚
さの薄い樹脂モールド成形層34を変形させ、クラック
を生じるしる。
第1表 プレッシャークツ力試験(121″C119,6N/ 
crA )を20時間行った試料をはんだ浸漬(265
°CIO秒)した時のグロスリー試験の不良率(%)(
試料数は各40個) 〔発明の効果〕 以上詳細に説明したように、本発明によれば、従来のモ
ールド成形によるプラスチック中空パッケージに必要で
あったモールド成形体と蓋体の接着工程を必要としない
ため、安価で信頼性の高いプラスチック中空パッケージ
が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1(a)、(b)、(c)図は、本発明方法による製
造工程の一実施例を示す半導体装置の断面図、第1(d
)、(e)、(f)、(h)図は本発明の一実施例を示
す半導体装置の断面図、第1図(g)は本発明方法によ
る製造工程の一実施例における一部材の製造方法を示す
断面図、第2(a)、(b)図は従来の半導体装置の断
面図である。 符号の説明 1 樹脂モールド成形体 2 リードフレーム3 半導
体装着部    4 半導体 5 金属細線      6 M体 7 上金型       8 下金型 9 M体圧接金型    10  バネ11  樹脂モ
ールド成形層12  キャビティ13  紫外線透過性
窓材  14  EFROM半導体15  樹脂性蓋体
     16  上金型l7  下金型      
 18  窓材圧接金型19  バネ        
20  セラミック性蓋体21  半導体      
 22  金属基体23  絶縁性接着布    24
  リードフレーム25  透孔        26
  樹脂容器27  接着用樹脂     28  外
装用樹脂29  金属細線      30  リード
フレーム31  樹脂モールド成形体 32  半導体
33  蓋体

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、プラスチック中空パッケージタイプの半導体装置の
    製造方法において、半導体装着部を有する、リードフレ
    ームと一体となった樹脂モールド成形体に半導体を装着
    した後、一対の金型で蓋体と上記モールド成形体を圧接
    しながら、樹脂モールド成形して封止することを特徴と
    する半導体装置の製造方法。 2、半導体がEPROM半導体であり、蓋体が紫外線透
    過性窓を有するものである請求項1記載の半導体装置の
    製造方法。
JP5560388A 1988-03-09 1988-03-09 半導体装置の製造方法 Pending JPH01228152A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05291426A (ja) * 1990-11-13 1993-11-05 Gold Star Electron Co Ltd 半導体素子パッケージの組立方法
JP2013069961A (ja) * 2011-09-26 2013-04-18 Nec Corp 中空封止構造の製造方法および中空封止構造
JP2015165551A (ja) * 2014-02-04 2015-09-17 セイコーインスツル株式会社 光センサ装置
CN106206473A (zh) * 2016-08-30 2016-12-07 无锡中微高科电子有限公司 集成电路塑料封装结构及其制备方法

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